KR100231824B1 - 다핀 리드 프레임 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다핀 반도체 리드 프레임 및 그 제조방법에 관하여 개시한 것으로서, 본 발명의 특징에 의하면 기존의 통상적인 반도체 리드 프레임과, 내부 리드의 형상 구조만을 가지는 보조 리드 프레임을 별도로 제작하고, 메인 리드 프레임의 내부 리드 간격 사이사이에 보조 리드 프레임의 리드가 위치하도록 보조 리드 프레임을 메인 리드 프레임의 배면에 부착한 구조로 형성한 것으로서, 프레스 타발용 펀치의 미세 가공 정도 및 강도의 한계를 극복하여 초미세형 다핀 구조를 용이하게 제작할 수 있다.

Description

다핀 리드 프레임 및 그 제조방법
본 발명은 반도체 리드 프레임 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다핀 리드 프레임 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 리드 프레임은 반도체 패키지를 이루는 핵심 구성요소의 하나로서, 반도체 패키지의 내부와 외부를 연결해 주는 도선(lead)의 역할과 반도체 칩을 지지해 주는 지지체의 역할을 하며, 기억소자인 칩 등 다른 부품과의 조립 과정을 거쳐 반도체 패키지를 이루게 된다.
도 1은 종래의 일반적인 반도체 리드 프레임을 나타내 보인 개략적 평면도이다. 상기 도 1을 참조하면 종래의 일반적인 반도체 리드 프레임은 도시된 바와 같이 사각기판상의 소재 중앙부에 기억소자인 반도체 칩을 탑재하여 정적인 상태로 유지하여 주는 패드(11;Pad)와, 와이어 본딩에 의해 칩내 소자의 각 단자와 연결해 주기 위한 것으로서 상기 패드(11)의 둘레에 연속적으로 마련되는 내부 리드(12;Internal lead)와, 기판과의 납땜을 위하여 댐바(15)에 의해 상기 내부 리드(12)와 연결되는 외부 리드(13; External lead) 및 상기 패드(11)의 모서리부를 지지하며 상기 내부 리드(12)와 연결되는 타이바(14; Tiebar)를 포함하는 구조를 이루고 있다.
상기와 같은 구조를 가지는 반도체 리드 프레임은 통상 스템핑(Stamping) 프로세스와, 에칭(Etching) 프로세스라는 두가지 제조방법에 의해 만들어진다.
스템핑 프로세스는 순차적으로 이송되는 프레스 금형장치를 이용하여 박판의 소재를 소정 형상으로 타발하여 형성하는 것으로서, 이 제조방법은 주로 반도체 리드 프레임을 대량생산하는 경우에 적용된다.
에칭 프로세스는 화학약품을 이용하여 소재의 국소 부위를 부식시킴으로써 제품을 형성해 나가는 화학적 식각방법으로서, 이 제조방법은 반도체 리드 프레임을 소량생산하는 경우에 주로 적용된다.
최근, 반도체 칩의 고집적화와 박형화 및 소형화 추세에 따라 리드 프레임 또한 다핀 소형화를 위한 개발이 활발히 진행되고 있으며, 현재 200 PIN 이상의 리드 프레임 수요가 급증하고 있고, 리드간의 간격은 200㎛ 이하로 매우 미세화되고 있다.
이와 같이 반도체 리드 프레임의 단핀화와 리드 간격의 미세화는 스템핑 프로세스에 있어서의 프레스 타발을 위한 펀치(punch)의 미세 가공을 요구한다. 리드 프레임 성형을 위한 프레스 타발용 펀치의 두께는 리드 사이의 간격에 의해 결정되는데, 다핀 리드 프레임 경우 내부 리드 사이의 간격이 100㎛ 이하가 되는 경우도 있기 때문에 이러한 경우에 상응하는 펀치의 미세 가공은 실질적으로 한계를 가진다. 또한, 가공상의 문제 외에도 펀치의 두께가 얇아짐에 따라 펀치의 강도가 약화되어 프레스 타발시 쉽게 파손되는 문제점이 있었다. 따라서, 기존의 스템핑 프로세스에 의해 미세화된 다핀 리드 프레임을 제작하는 데는 그 한계를 가지는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 개선하고자 하는 것으로서, 본 발명은 프레스 타발용 펀치의 미세 가공 정도 및 강도의 한계를 높여 초다핀 미세형상으로의 제작이 가능한 다핀 리드 프레임 제조방법 및 이를 적용한 다핀 리드 프레임을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 일반적인 반도체 리드 프레임을 나타내 보인 개략적 평면도이다.
도 2는 본 발명에 의한 다핀 리드 프레임을 나타내 보인 개략적 평면도이다.
도 3 내지 도 8은 본 발명에 의한 다핀 리드 프레임의 제조방법을 설명하기 위해 나타내 보인 개략도로서,
도 3은 본 발명에 의한 다핀 리드 프레임을 형성하기 위한 메인 리드 프레임의 요부를 나타내 보인 평면도이고,
도 4는 도 3에 도시된 메인 리드 프레임의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 의한 다핀 리드 프레임을 형성하기 위한 보조 리드 프레임의 요부를 나타내 보인 평면도이고,
도 6은 도 5에 도시된 보조 리드 프레임의 단면도이다.
도 7은 메인 리드 프레임과 보조 리드 프레임의 조립 상태의 요부를 나타내 보인 개략적 평면도이고,
도 8은 메인 리드 프레임과 보조 리드 프레임의 조립 상태의 요부 단면도이고,
* 도면 주요부분에 대한 부호의 설명
20 : 메인 리드 프레임 21 : 패드
22 : 내부 리드 23 : 외부 리드
24 : 타이바 25 : 댐바
30 : 보조 리드 프레임 31 : 댐바
32 : 리드부
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 다핀 반도체 리드 프레임의 제조방법은, 메인 리드 프레임으로서, 패드와 내부 리드 및 외부 리드를 포함하는 일반적인 형상 구조를 가지는 반도체 리드 프레임을 통상의 프레스 금형 타발에 의해 형성하고, 상기 메인 리드 프레임의 내부 리드 형상 구조를 가지는 보조 리드 프레임을 통상의 프레스 금형 타발에 의해 형성한 후, 상기 보조 리드 프레임의 각 리드가 상기 메인 리드 프레임의 내부 리드 사이에 위치하도록 상기 보조 리드 프레임을 상기 메인 리드 프레임의 배면에 부착하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 다핀 반도체 리드 프레임은, 패드와 내부 리드 및 외부 리드를 포함하는 일반적인 형상 구조를 가지는 메인 리드 프레임과, 상기 메인 리드 프레임의 내부 리드 간격 사이로 삽입되는 보조 프레임을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의한 다핀 리드 프레임에 있어서, 상기 보조 리드 프레임은 상기 메인 리드 프레임의 내부 리드 형상 구조를 가지는 것이 바람직하며, 상기 메인 리드 프레임의 내부 리드와 평형 상태를 이루도록 리드부가 굴절된 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 의한 다핀 리드 프레임을 나타내 보인 개략적 평면도이다. 상기 도 2를 참조해 보면, 본 발명에 따른 다핀 반도체 리드 프레임은 도시된 바와 같이, 패드(21)와 내부 리드(22) 및 외부 리드(23)를 포함하는 일반적인 형상 구조를 가지는 메인 리드 프레임(20)과, 상기 메인 리드 프레임(20)의 배면에 부착되는 보조 리드 프레임(30)으로 이루어진다. 상기 구조에 있어서, 상기 보조 리드 프레임(30)은 상기 메인 리드 프레임(20)의 댐바(25)와 내부 리드(22)가 연결된 구조로 이루어진다. 즉, 댐바(31)에 단순히 리드부(32)만 연결되어 있고, 이 리드부(32)가 상기 메인 리드 프레임(20)의 내부 리드(22) 간격 사이사이로 삽입된 구조를 이룬다. 이로써 전체적으로 미세형 다핀 구조의 리드 프레임을 형성한다. 상기 보조 리드 프레임(20)은 상기 메인 리드 프레임(30)의 내부 리드(22)와 평형 상태를 이루도록 하기 위해 리드부가 굴절된 형상의 구조를 가진다.
도 3 내지 도 8은 본 발명에 의한 다핀 리드 프레임의 제조방법을 설명하기 위해 나타내 보인 개략도로서, 이를 참조하여 본 발명에 따른 다핀 반도체 리드 프레임의 제조방법에 대해서 설명하면 다음과 같다.
먼저, 메인 리드 프레임(20)으로서, 패드(21)와 내부 리드(22) 및 외부 리드(23) 등을 포함하는 일반적인 형상 구조를 가지는 반도체 리드 프레임을 통상의 프레스 금형 타발에 의해 형성한다. 이때, 상기 내부 리드(22) 사이의 간격은 기존 구조에서 보다 다소 넓게 형성되는 점 이외에는 기존의 통상적인 리드 프렝임과 동일한 형상 및 구조로 이루어진다. 도 3은 메인 리드 프레임(20)의 댐바(25)에 의해 연결된 내부 리드(22)를 나타내 보인 평면도이고, 도4는 그 단면도이다.
다음에, 상기 메인 리드 프레임(20)의 내부 리드(22)와 동일한 형상 구조를 가지는 보조 리드 프레임(30)을 통상의 프레스 금형 타발에 의해 형성한다. 도 5는 보조 리드 프레임(30)의 댐바(31)에 연결된 리드부(32)를 나타내 보인 평면도이고, 도 6은 그 단면도로서 리드부(32)가 굴절된 형상의 구조를 나타내 보이고 있다.
최종적으로, 도 7에서와 같이 상기 보조 리드 프레임(30)의 각 리드(32)가 상기 메인 리드 프레임(30)의 내부 리드(22) 간격 사이사이에 위치하도록 상기 보조 리드 프레임(30)을 상기 메인 리드 프레임(20)의 배면에 부착함으로써, 도 3에 도시된 바와 같은 초미세형 다핀 반도체 리드 프레임을 얻을 수 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 다핀 반도체 리드 프레임 및 그 제조방법은 기존의 통상적인 반도체 리드 프레임과, 내부 리드의 형상 구조만을 가지는 보조 리드 프레임을 별도로 제작하고, 메인 리드 프레임의 내부 리드 간격 사이사이에 보조 리드 프레임의 리드가 위치하도록 보조 리드 프레임을 메인 리드 프레임의 배면에 부착한 구조로 형성한 것으로서, 프레스 타발용 펀치의 미세 가공 정도 및 강도의 한계를 극복하여 초미세형 다핀 구조를 용이하게 제작할 수 있다.

Claims (2)

  1. 메인 리드 프레임으로서, 패드와 내부 리드 및 외부 리드를 포함하는 일반적인 형상 구조를 가지는 반도체 리드 프레임을 통상의 프레스 금형 타발에 의해 형성하는 단계와,
    상기 메인 리드 프레임의 내부 리드와 동일한 형상 구조를 가지고, 그 내부리드와 평행상태를 이루도록 굴곡된 굴곡부를 가지는 다수의 리드로 이루어진 보조 리드 프레임을 통상의 프레스 금형 타발에 의해 형성하는 단계와,
    상기 보조 리드 프레임의 각 리드가 상기 메인 리드 프레임의 내부 리드 사이에 위치하도록 상기 보조 리드 프레임을 상기 메인 리드 프레임의 배면에 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다핀 반도체 리드 프레임의 제조방법.
  2. 패드와 내부 리드 및 외부 리드를 포함하는 일반적인 형상 구조를 가지는 메인 리드 프레임과,
    상기 내부 리드와 동일한 형상 구조를 가지며, 그 내부 리드와 평행상태를 이루도록 굴곡된 굴곡부를 가지는 다수의 리드로 이루어진 보조 리드 프레임을 포함하고,
    상기 보조 리드 프레임의 각 리드가 상기 메인 리드 프레임의 내부 리드 사이에 각각 위치하도록 상기 보조 리드 프레임이 상기 메인 리드 프레임의 배면에 부착되어 단일의 리드 프레임을 이루도록 형성된 것을 특징으로 하는 다핀 반도체 리드 프레임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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