KR19980067079A - 트랜지스터용 리드프레임 제조방법 - Google Patents
트랜지스터용 리드프레임 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 트랜지스터용 리드프레임 제조방법에 관한 것으로서, 칩이 탑재되는 패드와 상기 패드를 지지하는 타이바와 타이바 양측에서 댐바에 연결된 제1 및 제2인너리드와 각 인너리드 및 패드와 전기적으로 접속되어 외부회로와 연결되는 제1, 제2 및 제3 아우터리드를 구비하는 트랜지스터용 리드프레임의 제조방법에 있어서, 판상의 금속소재를 스탬핑공정으로 로딩하는 로딩단계; 및 로딩된 상기 금속소재에 대해 수직 승하강되는 펀치에 의해 동시 타발하여 상기 패드부와 상기 타이바, 제1인너리드 및 제2인너리드의 형상을 만드는 스탬핑 단계;를 포함한다. 이와 같이 동시 타발에 의해 타이바, 제1인너리드 및 제2인너리드가 형성될 때, 타이바부위 양측에서 압박되는 힘이 균등하게 전달되어 타발 완료우 형성된 타이바의 횡단면 두께가 대칭적으로 균일하게 형성되어 벤딩시 뒤틀림발생이 저감되고, 그 결과 리드프레임이 균일적으로 제조된다.
Description
본 발명은 트랜지스터용 리드프레임의 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 타발시 패드를 지지하는 타이바의 두께가 균일하게 형성되도록 하는 트랜지스터용 리드프레임의 제조방법에 관한 것이다.
통상적으로 반도체소자는 반도체 칩과, 리이드 프레임과, 와이어와, 반도체 칩을 둘러싸는 수지 고정체를 구비한다.
리이드 프레임(lead frame)은 반도체 칩을 독립된 하나의 부품으로서 지지해주는 동시에, 반도체 칩의 내부에 형성된 전자 회로의 기능을 외부 회로에 전기적으로 접속시키는 역할을 한다. 리이드 프레임은 반도체 칩이 그 위에 지지되는 패드(pad)와, 반도체 칩과 와이어 본딩되는 인너 리이드(inner lead)와, 상기 인너 리이드와 외부 회로 사이를 상호 연결시키는 아우터 리이드(outer lead)로 구분할 수 있다. 리이드 프레임의 제조방식은 크게 금형을 이용하여 프레스로 타발하는 스탬핑(stamping) 방식과 화학적 부식 방법을 이용한 에칭(etching) 방식이 있다.
스탬핑 방식은 대량생산에 적합하고, 리드선의 개수가 작은 반도체소자용에 적합하여 트랜지스터용 리드프레임 제작에 주로 이용된다. 스탬핑 방식에 따른 리이드 프레임 제조방법은 소재를 다이위에 올려놓고, 스트리퍼(stripper)를 이용하여 소재를 고정시킨후, 프레스를 이용하여 소재를 타발함으로써 소정 패턴의 리이드 프레임을 형성하는 것이다.
도 1은 스탬핑 공정을 거친 트랜지스터용 리드프레임의 평면도이다.
이를 참조하면, 리드프레임(10)은 반도체 칩이 올려지는 패드(11)와 패드를 지지하는 타이바(12)와 반도체 칩과 와이어 본딩되는 제1 제2 인너리드(13)(14), 외부회로와 연결되는 3개의 아우터 리드(15)(16)(17), 타이바(12)와 각 인너리드(13)(14) 및 3개의 아우터 리드(15)(16)(17)를 상호 지지시키는 댐바(dam bar)(18)를 갖는다. 여기서 댐바(18)는 트랜지스터 제작공정시 패드(11) 위에 칩이 올려지고, 와이어 본딩된 후, 수지로 몰딩하는 공정을 거친 다음에 제거된다.
도 2a 및 도 2b는 종래의 트랜지스터용 리드프레임의 제조공정중 일부를 설명하기 위한 도면이다.
앞서 도시된 도면과 동일 참조보호는 동일요소를 대신한다.
이를 참조하면, 도 2a에서 처럼 프레스의 다이(21) 위에 로딩되어 순차적으로 플로우되는 금속소재(22)를 제1펀치(23)가 하강 하면서 타발하여 제1인너리드(13)의 형상이 만들어지고, 다음 단계로 이송된 금속소재(22)를 도 2b에 도시된 것 처럼 제2펀치(24)가 하강 하면서 타발하여 제2 인너리드 및 타이바(14)(12)의 형상이 만들어진다.
그러나, 타이바(12)에 대해 양측에 형성되는 제1 및 제2인너리드(13)(14)가 순차적인 타발에 의해 형성되기 때문에 제1펀치(23)가 금속소재(22)를 통과할 때 금속소재(22)가 제1펀치(23)와 대향되는 방향으로 밀리게 되고, 이후의 공정에서 제2펀치(24)가 금속소재(22)를 관통할 때 금속소재(22)가 역시 제2펀치(24)와 대향되는 방향으로 밀리게 되어 결과적으로 형성된 타이바(12)의 횡단면의 두께가 웨이브상으로 단층이 진 형상으로 만들어 지는 문제점이 발생된다.
이와 같은 웨이브상의 굴곡은 이후 패드(11)에 대해 소정 높이로 구부려 나란하게 유지시키는 타이바 (12)의 벤딩공정시 뒤틀림을 야기시킨다. 그 결과 제품 마다의 형상 편차가 심해 이로부터 칩 탑재 이후 와이어 본딩시 작업에러율을 증가시킨다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창안된 것으로서, 타발에 의해 형성되는 타이바의 두께차이를 저감시키는 트랜지스터용 리드프레임 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 스탬핑 공정을 거친 트랜지스터용 리드프레임의 평면도이고,
도 2a 및 도 2b는 종래의 트랜지스터용 리드프레임의 제작공정을 설명하기 위한 도면이고,
도 3은 본 발명에 따른 트랜지스터용 리드프레임의 제작공정을 설명하기 위한 도면이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10: 리드프레임 11, 41: 패드
12, 42: 타이바(tie bar) 13, 43: 제1인너 리드(inner lead)
14, 44: 제2인너 리드
15, 16, 17: 아우터리드(outer lead)
18: 댐바(dam bar) 21, 31: 다이(die)
22, 32: 금속소재 23: 제1펀치
24: 제2펀치 33: 펀치
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 트랜지스터용 리드프레임 제조방법은 칩이 탑재되는 패드와 상기 패드를 지지하는 타이바와 상기 타이바 양측에서 댐바에 연결된 제1인너리드 및 제2인너리드와 상기 각 인너리드 및 패드와 전기적으로 접속되어 외부회로와 연결되는 제1, 제2 및 제3 아우터리드를 구비하는 트랜지스터용 리드프레임의 제조방법에 있어서, 판상의 금속소재를 스탬핑공정으로 로딩하는 로딩단계; 및 로딩된 상기 금속소재에 대해 수직 승하강되는 펀치에 의해 동시 타발하여 상기 패드와 상기 타이바, 제1인너리드 및 제2인너리드를 형성하는 스탬핑 단계;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 트랜지스터용 리드프레임 제조방법을 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 트랜지스터용 리드프레임 제조공정중 일부를 설명하기 위한 도면이다.
도시된 도면에서 참조부호 32는 타발대상의 금속소재이고, 33은 프레스에 마련되어 금속소재(32)에 대해 수직 승하강 되는 펀치이다. 금속소재(32) 하부에는 펀치(33) 형상과 대응되는 관통홀이 형성된 다이(31)가 마련되어 있다.
이를 참조하여 리드프레임 제조방법을 설명한다.
구리합금 또는 니켈합금소재를 소정크기로 절단 및 또는 압연하여 가공된 금속소재(22)로부터 소정의 형상을 갖는 리드프레임을 타발에 의해 제조하기 위해 스탬핑공정단계로 로딩한다.
로딩된 금속소재(32)는 몇번에 걸친 다발공정을 통해 도 1에 도시된 형상의 리드프레임으로 제작되는데 이때, 타이바(42) 및 제1 및 제2인너리드(43)(44)는 프레스의 다이(31)위치로 로딩된 금속소재(32)를 펀치(33)가 동시에 하강하여 한 번에 형성이 완료된다.
따라서, 펀치(33)에 의한 동시 타발에 의해 타이바(42), 제1인너리드(43) 및 제2인너리드(44)가 형성되는데 이때, 펀치(33)가 금속소재(32)를 관통하는 과정에서 타이바(42)영역은 양측에서 압박되는 힘이 균등하게 전달되어 타발완료우 형성된 타이바(42)의 횡단면 두께가 대칭적으로 균일하게 형성된다.
다음은 제1 및 제2 인너리드(43)(44)를 포함한 하부측이 패드(41)에 대해 소정높이 위에서 나란하게 위치되도록 타이바(42)를 구부리는 벤딩공정을 거친다. 이때, 타이바(42)의 횡단면상의 두께가 대칭적으로 균일하게 유지되어 있기 때문에 벤딩시 뒤틀림발생이 저감된다.
이후, 연속되는 타발공정에 의해 아우터 리드의 형성이 완료되면 리드프레임의 제작이 완료된다.
지금까지 설명된 바와 같이 본 발명에 따른 트랜지스터용 리드프레임 제조방법이 제공됨으로써, 스탬핑공정에서 타발에 의해 소망하는 형상의 리드프레임이 균일적으로 제조된다.
Claims (1)
- 칩이 탑재되는 패드와 상기 패드를 지지하는 타이바와 상기 타이바 양측에서 댐바에 연결된 제1인너리드 및 제2인너리드와 상기 각 인너리드 및 패드와 전기적으로 접속되어 외부회로와 연결되는 제1, 제2 및 제3 아우터리드를 구비하는 트랜지스터용 리드프레임의 제조방법에 있어서,판상의 금속소재를 스탬핑공정으로 로딩하는 로딩단계; 및로딩된 상기 금속소재에 대해 수직 승하강되는 펀치에 의해 동시 타발하여 상기 패드와 상기 타이바, 제1인너리드 및 제2인너리드를 형성하는 스탬핑 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 리드프레임 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970002951A KR19980067079A (ko) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 트랜지스터용 리드프레임 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970002951A KR19980067079A (ko) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 트랜지스터용 리드프레임 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980067079A true KR19980067079A (ko) | 1998-10-15 |
Family
ID=65952661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970002951A KR19980067079A (ko) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 트랜지스터용 리드프레임 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980067079A (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318652A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR960019689A (ko) * | 1994-11-14 | 1996-06-17 | 윌리엄 이. 힐러 | 다운세트된 노출 다이 장착 패드 리드프레임 및 패키지 |
| JPH08241946A (ja) * | 1995-03-02 | 1996-09-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレームの製造方法 |
| JPH08264699A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-01-31 KR KR1019970002951A patent/KR19980067079A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
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