JP7057727B2 - リードフレームおよび半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよび半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7057727B2 JP7057727B2 JP2018132512A JP2018132512A JP7057727B2 JP 7057727 B2 JP7057727 B2 JP 7057727B2 JP 2018132512 A JP2018132512 A JP 2018132512A JP 2018132512 A JP2018132512 A JP 2018132512A JP 7057727 B2 JP7057727 B2 JP 7057727B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin
- lead
- lead frame
- walled
- view
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
- H01L23/49555—Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
最初に、図1および図2を参照しながら、実施形態に係るリードフレーム1の概要について説明する。図1は、実施形態に係るリードフレーム1の模式図および拡大図であり、図2は、図1に示すA-A線の矢視断面図である。図1に示すリードフレーム1は、QFPタイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームである。
つづいて、図3を参照しながら、実施形態に係る金型装置100の概要について説明する。図3は、実施形態に係る金型装置100を示す断面図である。
つづいて、図4を参照しながら、実施形態に係るリードフレーム1の製造方法の詳細について説明する。図4は、実施形態に係るリードフレーム1の製造方法を説明するための模式図であり、図2に示した断面図と対応するように各処理を断面視した図面である。
つづいて、実施形態の各種変形例について、図6~図8を参照しながら説明する。なお、以降の説明においては、上述の実施形態と共通の構成については同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
つづいて、図9を参照しながら、実施形態に係るリードフレーム1の製造方法の処理手順について説明する。図9は、実施形態に係るリードフレーム1の製造方法の処理手順を示すフローチャートである。
2 金属板
3 半導体装置
10 単位リードフレーム
11 ダイパッド
12 リード
12a 第1部位
12b 第2部位
13 第1傾斜部(傾斜部の一例)
14 第2傾斜部
15~18 薄肉部
Claims (7)
- ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に並んで設けられる複数のリードと、
を備え、
前記リードは、隣り合う前記リードに対して平面視で傾いて配置される第1部位と、隣り合う前記リードに対して平面視で略平行に配置される第2部位とを有し、
前記第2部位は、前記第1部位に対して側面視で傾斜する傾斜部を有し、
前記リードには、前記傾斜部に隣接して薄肉部が形成されており、
前記第1部位は、前記薄肉部よりも厚さが厚いこと
を特徴とするリードフレーム。 - 前記薄肉部は、前記リードにおける前記傾斜部に対して内側に形成されていること
を特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。 - 内側の前記薄肉部は、平面視で矩形状であること
を特徴とする請求項2に記載のリードフレーム。 - 内側の前記薄肉部の長さは、前記薄肉部の幅より長いこと
を特徴とする請求項2または3に記載のリードフレーム。 - 前記薄肉部は、前記リードにおける前記傾斜部に対して内側および外側に一対形成されていること
を特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載のリードフレーム。 - 一対の前記薄肉部のうち、内側の前記薄肉部は外側の前記薄肉部より面積が大きいこと
を特徴とする請求項5に記載のリードフレーム。 - 請求項1~6のいずれか一つに記載のリードフレームと、
前記ダイパッドに接合される半導体素子と、
前記ダイパッドおよび前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を備えること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018132512A JP7057727B2 (ja) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | リードフレームおよび半導体装置 |
CN201910628805.3A CN110718527B (zh) | 2018-07-12 | 2019-07-12 | 引脚框架和半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018132512A JP7057727B2 (ja) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | リードフレームおよび半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020009996A JP2020009996A (ja) | 2020-01-16 |
JP7057727B2 true JP7057727B2 (ja) | 2022-04-20 |
Family
ID=69152387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018132512A Active JP7057727B2 (ja) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | リードフレームおよび半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7057727B2 (ja) |
CN (1) | CN110718527B (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000049270A (ja) | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
JP2009071154A (ja) | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2009094118A (ja) | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Panasonic Corp | リードフレーム、それを備える電子部品及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH062711U (ja) * | 1992-06-04 | 1994-01-14 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
JP2003204027A (ja) * | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JP2005135938A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US20130009297A1 (en) * | 2008-04-04 | 2013-01-10 | Gem Services, Inc. | Semiconductor device package having configurable lead frame fingers |
JP5947107B2 (ja) * | 2012-05-23 | 2016-07-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP6129645B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-05-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6129657B2 (ja) * | 2013-06-20 | 2017-05-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
2018
- 2018-07-12 JP JP2018132512A patent/JP7057727B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-12 CN CN201910628805.3A patent/CN110718527B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000049270A (ja) | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
JP2009071154A (ja) | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2009094118A (ja) | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Panasonic Corp | リードフレーム、それを備える電子部品及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020009996A (ja) | 2020-01-16 |
CN110718527A (zh) | 2020-01-21 |
CN110718527B (zh) | 2022-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8174096B2 (en) | Stamped leadframe and method of manufacture thereof | |
US8558358B2 (en) | Lead frame | |
JP7057727B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
JP2019212704A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6087153B2 (ja) | リードフレーム | |
JP4455208B2 (ja) | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 | |
TWI718421B (zh) | 引線框架的製造方法和引線框架 | |
US20150294929A1 (en) | Semiconductor die package and method of assembling same | |
KR20020090328A (ko) | 리드 프레임의 제조 방법, 리드 프레임, 및 반도체 장치 | |
JPS5933982B2 (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
JP4455166B2 (ja) | リードフレーム | |
JP2012146704A (ja) | 半導体装置、リードフレーム、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2700902B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JP4200150B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JP3805767B2 (ja) | リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP4058028B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH02197158A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPS63308359A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
JP4018595B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置に用いるリードフレーム及びその製造方法 | |
JP2006140522A (ja) | リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、ならびにリードフレームおよびそれを用いた半導体装置 | |
JP4111499B2 (ja) | リードフレーム | |
JPH01144661A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JP2001007266A (ja) | Qon用リードフレーム及びその製造方法 | |
KR100726041B1 (ko) | 두께 제어에 의한 리드프레임 제조방법 및 그 장치 | |
JP2019110258A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220408 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7057727 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |