JP3805767B2 - リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体チップを樹脂封止して作製される半導体装置のためのリードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置を配線基板上に高密度に実装するために、モールド樹脂パッケージからのリードの延伸を排除し、パッケージ下面にリードフレームのリード部（半導体チップと電気接続された端子部分）を露出させ、配線基板上への表面実装を可能とした高密度実装用のパッケージが従来から用いられている。このような高密度実装用のパッケージとしては、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）やＳＯＮ（Small Outlined Non-leaded Package）などのリードレスパッケージが知られている。

このような半導体パッケージにおいて、さらに、半導体チップからの放熱性を高めるために、パッケージ下面に、リードフレームのアイランド部（半導体チップが搭載されるチップ支持部）を露出させる構造のパッケージ（たとえば、ＨＱＦＮ：Heat sinked Quad Flat Non-leaded Package）も実用化されている。
この構造のパッケージでは、半導体チップとともにモールド樹脂で封止されるアイランド部の下面をパッケージの下面に露出させる構成であるがゆえに、アイランド部がモールド樹脂から抜けやすいという問題がある。そこで、アイランド部の端面を逆テーパー形状としたり、段部を形成したりして、アイランド部の抜け防止が図られている。

このような断面形状のアイランド部の形成は、たとえば、特許文献１に開示されているように、エッチングによって行われている。
特開２００２−１３４６７７号公報

しかし、エッチングによるアイランド部端面の加工にはランニングコストがかかるため、リードフレームを安価に製造することができないという問題がある。
また、リード部およびアイランド部をともにパッケージの下面から露出させるために、これらは、樹脂封止前から同一平面上に配置されている（特許文献１参照）。そのため、上下の金型間にリード部を挟持してモールド樹脂を金型間のキャビティ内に供給するとき、アイランド部に対しては、上金型からの押し付け力が作用していないから、アイランド部下面に樹脂が回り込む。これにより、アイランド部の下面の露出が不充分となり、所期の冷却効果が得られないという問題が生じる。

そこで、この発明の目的は、チップ支持部の抜け止め構造を有するリードフレームを低コストで製造できる方法、およびそれを用いることでコストを削減できる半導体装置の製造方法を提供することである。

この発明のさらに他の目的は、チップ支持部の下面を封止樹脂から確実に露出させることができるリードフレームの製造方法、およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することである。

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、半導体チップ（６）を樹脂封止した半導体装置のためのリードフレーム（１０）であって、上記半導体チップを搭載するとともに一方面が封止樹脂から露出する露出面（１ｂ）とされ、他方面が上記封止樹脂に封止される封止面（１ａ）とされたチップ支持部（１）を有するリードフレームを製造するための方法であって、金属板（１００）を整形して上記チップ支持部を形成する工程（Ｓ１）と、上記チップ支持部の縁部に対して上記封止面側からの潰し加工を施し、当該チップ支持部の上記露出面および上記封止面の間の位置で、当該チップ支持部の縁部から側方に張り出す抜け止め部（３１〜３５）を形成する工程（Ｓ４）とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方法である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。

この方法によれば、チップ支持部の縁部に対する封止面側からの潰し加工によって抜け止め部が形成されるから、エッチング工程によって抜け止め部を形成する場合に比較して、安価な工程で抜け止め部を形成できる。これにより、リードフレームの製造コストの削減を図ることができる。
潰し加工によって形成される抜け止め部は、チップ支持部の板厚中間位置（露出面と封止面の間の位置）においてチップ支持部の縁部から側方に張り出しているので、樹脂封止時には、封止樹脂がその露出面側へと回り込む。これにより、チップ支持部が封止樹脂から抜け出すことを防止できる。

チップ支持部の縁部に対する潰し加工は、当該縁部の全域に対して行ってもよいし、一部に対してのみ行ってもよい。
請求項２記載の発明は、上記チップ支持部を形成する工程は、上記金属板を上記チップ支持部の上記露出面側から上記封止面側に向かって上記チップ支持部の形状に打ち抜く打ち抜き工程を含むことを特徴とする請求項１記載のリードフレームの製造方法である。

この方法によれば、リードフレームの材料である金属板を露出面側から打ち抜くことによってチップ支持部が形成される。したがって、チップ支持部の形成および上記抜け止め部の形成を、プレス加工装置を用いて行うことができるから、リードフレームを安価に製造することができる。
また、チップ支持部を露出面側からの打ち抜き加工によって形成することにより、封止樹脂から突出するばりが生じることがないから、露出面を平坦面とすることができ、チップ支持部の露出面に対する樹脂の付着を抑制することができる。

チップ支持部の露出面への樹脂の回り込みをさらに効果的に防止するためには、チップ支持部の縁部のほぼ全域に対して、封止面からの潰し加工（上記抜け止め部の形成のための潰し加工と共通の工程であってもよい。）を施すことが好ましい。これにより、露出面からの打ち抜き加工によってチップ支持部の露出面の縁部に生じたダレを減少または解消することができるから、封止樹脂のチップ支持部露出面への回り込みを効果的に抑制または防止できる。

請求項３記載の発明は、上記半導体チップと封止樹脂（８）内で電気接続されるとともに、上記チップ支持部の露出面と同側の面である実装面（２ｂ）の少なくとも一部が上記封止樹脂から露出するように上記封止樹脂内に封止されるリード部（２）を形成する工程（Ｓ１）と、上記リード部を保持する枠部（５）に上記チップ支持部を結合する吊りリード部（４）を形成する工程（Ｓ１）と、この吊りリード部を成形して、上記チップ支持部の上記露出面を上記リード部の実装面よりも当該実装面側に突出して位置させるダウンセット工程（Ｓ５）とをさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載のリードフレームの製造方法である。

この方法によれば、チップ支持部の露出面がリード部の実装面を超えて突出して位置することになる。そのため、リード部の実装面およびチップ支持部の露出面を金型の平坦面に押し当てた状態で樹脂封止すると、吊りリード部が弾性変形して、チップ支持部に対して金型への押し付け力を付与する。これにより、チップ支持部の露出面への樹脂の回り込みを抑制または防止することができ、放熱効率の良い半導体装置を実現できる。

吊りリード部の成形は、プレス加工によって行うことが好ましく、これにより、リードフレームを安価に製造できる。
なお、上記吊りリード部の形成も、上記露出面と同側からの打ち抜き加工によって行うことが好ましい。

請求項４記載の発明は、上記ダウンセット工程は、上記吊りリード部を、上記リード部よりも上記実装面とは反対側にオフセットされたアップセット部分（４１）と、このアップセット部分と上記チップ支持部とを連結する連結部分（４２）とを有するように成形する工程を含むことを特徴とする請求項３記載のリードフレームの製造方法である。

この方法によれば、吊りリード部は、波打った形状を有することになるから、チップ支持部を金型（１００）の平坦面に押し当てたときに、容易に弾性変形するので、チップ支持部とリード部との相対変位（平面視における相対変位）を抑制できる。
請求項５記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の方法によってリードフレームを製造する工程と、上記チップ支持部の上記封止面側に半導体チップを搭載する工程と、上記チップ支持部の上記露出面が露出するように上記半導体チップとともに上記リードフレームを樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。

この方法により、請求項１ないし４に関連して説明した効果が得られ、チップ支持部に抜け止め構造を有する半導体装置の製造コストを削減できる。
請求項６記載の発明は、上記樹脂封止工程は、上記リードフレームのリード部の実装面と上記チップ支持部の上記露出面とを金型（１１０）の平坦面に押し当てた状態で、上記リード部およびチップ支持部を封止樹脂で封止する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法である。

この方法により、リード部の実装面およびチップ支持部の露出面を封止樹脂から露出させた状態の半導体装置が得られる。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係るリードフレームの構成を示す平面図である。図１には、１個の半導体装置に対応する単位部分が示されているが、実際には、複数個の半導体装置に対応する単位部分が図１の左右方向に連設されていて、全体として帯状の連鎖体を成している。

このリードフレーム１０は、金属板（とくに銅板。たとえば板厚約２００μｍ）１００に対して精密プレス加工を施して作製されたものである。１個の半導体装置に対応した単位部分は、矩形形状（図１の例ではほぼ正方形）を成していて、半導体チップを支持するための支持部（アイランド部）１を中央に有し、その周囲に、矩形形状をなすようにほぼ等間隔に配置された複数本のリード部２を有している。

支持部１は、この実施形態では、平面視において矩形形状を有しており、複数本のリード部２が形成する矩形形状の４つの角部において、吊りリード部４を介して、金属板１００に連続する枠部５に結合されている。各リード部２は、支持部１側に先端を向けて配置された長尺形状を有しており、その基端部は枠部５に結合されている。上記矩形形状の各辺に沿って配列された複数本のリード部２は互いにほぼ平行であり、その長手方向は、当該辺に対してほぼ垂直な方向に沿っている。１０１，１０２，１０３は、精密プレス装置の各プレスステーションでの加工工程、半導体チップの搭載工程、封止樹脂による封止工程などにおいてリードフレーム１を位置決めするための位置決め孔である。

図２(a)は、上記リードフレーム１０を組み込んだ半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。この半導体装置は、リードフレーム１０と、このリードフレーム１０の支持部１上に搭載された半導体チップ６と、この半導体チップ６とリード部２の上面とを電気接続するボンディングワイヤ７と、これらを封止する封止樹脂８とを備えている。
リード部２の実装面としての下面２ｂは、封止樹脂８の下面から露出し、回路基板上の配線パターンに半田接合されるアウターリード部として機能する。また、リード部２の封止樹脂８内に封止される部分は、インナーリード部としての役割を担い、とくにその先端寄りの部分は、ボンディングワイヤ７が接合される内部接続部となる。一方、支持部１は、その下面が封止樹脂８の下面から露出する露出面となっており、この支持部１の下面を介して半導体チップ６で生じた熱が放散されるようになっている。このようにして、放熱構造を有する表面実装型の半導体パッケージ（ＨＱＦＮ）が構成されている。

この半導体装置の組み立ての際には、支持部１の上面（封止面）に半導体チップ６がダイボンディングされ、この半導体チップ６の端子とリード部２の上面とがボンディングワイヤ７で接続される。その後、図１において二点鎖線で示す封止領域５０内が樹脂封止され、これにより、半導体チップ６、ボンディングワイヤ７およびリード部２が樹脂封止されてパッケージが形成される。その後、パッケージの側面に沿ってリード部２および吊りリード部４が切断され、これらが枠部５から切り離される。こうして、半導体装置の個片が得られる。

リード部２の上面２ａは、ボンディングワイヤ７が接合されるワイヤ接続部（内部接続部）として機能する。このワイヤ接続部には、ボンディングワイヤ７との良好な接合のためのめっき層２９（たとえば、厚さ５μｍ以下程度の銀めっき層）が形成されている。一方、リード部２の下面２ｂは、半導体チップ６とともに樹脂封止した後に封止樹脂８の下面から露出して、回路基板上への表面実装のための外部接続部（アウターリード部）として機能する。

リード部２の支持部１側の先端領域には、リード部２の下面側からの潰し加工が施されており、リード部２の下面２ｂから上方に板厚の１／３〜１／２程度オフセットされた先端抜け止め部２１が形成されている。先端抜け止め部２１は、リード部２の上面側において、その先端側に張り出している。半導体チップ６とともにリード部２を樹脂封止した状態では、先端抜け止め部２１の下方には封止樹脂８が回り込むから、リード部２の抜け防止が図られる。

図２(b)は、複数本のリード部２が形成する矩形形状の対角線に沿う断面形状を示す図である。封止樹脂８に封止された状態において、支持部１の下面１ｂ、リード部２の下面２ｂおよび吊りリード部４の外方側端部（基端部）の下面４ｂは、封止樹脂８の下面とともに同一平面上に位置している。吊りリード部４は、支持部１に対してアップセットされたアップセット部分４１と、このアップセット部分４１を支持部１に連結する連結部分４２とを有する弾性変形部４５を備えている。封止樹脂８によって封止する前には、支持部１はリード部２よりも下方にダウンセットされており、樹脂封止時において、弾性変形部４５を弾性変形させることにより、リード部２と同一平面上に配置させられる。

図３(a)は、支持部１の部分拡大平面図であり、図３(b)は、支持部１および吊りリード部４の縦断面図（図３(a)のIIIB-IIIB断面図）であり、図３(c)は、支持部１の縁部の横断面図（図３(a)のIIIC-IIIC断面図）である。矩形の支持部１の各辺のほぼ全域には、上面からの潰し加工による抜け止め突部（突条）３１が形成されている。この抜け止め突部３１は、支持部１のその他の部分の上面１ａよりも潰し加工の分（たとえば支持部１の板厚の１／４〜１／２程度）だけ低い上面３１ａと、支持部１の下面１ｂよりも高い下面３１ｂとを有しており、支持部１の側面において板厚中間位置から側方へと張り出している。したがって、封止樹脂８で封止すると、この封止樹脂８が抜け止め突部３１の下方に回り込むから、支持部１が封止樹脂８の下方へと抜け出すことを防止できる。潰し加工の幅は、たとえば、５０〜７０μｍ程度である。

一方、吊りリード部４は、図３(b)に示すように、支持部１の下面１ｂが枠部５の下面５ｂよりも低い位置にダウンセット（たとえば、高さの差は板厚よりも少ない。５０μｍ〜１５０μｍ程度）されるように、支持部１と枠部５とを連結している。枠部５の下面５ｂはリード部２の下面２ｂと同一平面上にあるから、結局、支持部１は、その下面１ｂがリード部２の下面２ｂよりも低くなるように（この実施形態では支持部１の全体がリード部２の下面２ｂよりも低くなるように）、ダウンセットされている。

より具体的には、吊りリード部４は、枠部５の上面５ａよりも高い位置にアップセットされたアップセット部分４１を枠部５側に有しており、このアップセット部分４１と支持部１とが連結部分４２によって連結されている。この連結部分４２は、支持部１に向かうに従って下降していく傾斜姿勢に形成されていて、支持部１を枠部５の下面５ｂよりも下方の位置で支持している。すなわち、吊りリード部４は、大略的にＳ字形状に成形されていて、支持部１に上下方向の外力が加えられたときに、上記アップセット部分４１および連結部分４２を含む弾性変形部４５が弾性変形して、支持部１と枠部５およびリード部２との平面視における相対位置関係を保持しつつ、支持部１の上下動を許容する構造となっている。

図４は、上記のリードフレーム１０の製造のために用いられる精密プレス装置の構成を説明するための概念図である。リードフレーム１０は、複数（図４の例では５個）のプレスステーションＳ１〜Ｓ５を順に通って順送り方向Ｒへと搬送される。プレスステーションＳ１は、材料である帯状の金属板１００に対して下面側からの打ち抜き加工を実行する打ち抜き加工部である。プレスステーションＳ２は、リード部２の先端部に下面側から潰し加工（コイニング）を施す先端下面潰し加工部である。プレスステーションＳ３は、リード部２の先端をその基端部から所定長の切断位置で切断する切断加工部である。プレスステーションＳ４は、支持部１の縁部全域に上面からの潰し加工（コイニング）を行う潰し加工部である。プレスステーションＳ５は、吊りリード部４を上述のようなＳ字形状に成形するための吊りリード成形加工部である。

図５(a)は、プレスステーションＳ１（打ち抜き加工部）の構成を示す図解的な断面図であり、支持部１に対応する部分の断面が示されている。このプレスステーションＳ１では、帯状の金属板１００に対して、その下面１００ｂ側から打ち抜き加工が施される。より具体的には、金属板１００は、支持部１およびリード部２などのパターンに対応した開口６１ａおよび７１ａをそれぞれ有するダイ６１および抑え部材７１の間に挿入される。この状態で、開口６１ａ，７１ａに整合する形状のパンチ８１が、金属板１００を、その下面１００ｂから上面１００ａに向かって打ち抜くように、開口７１ａおよび６１ａを順に貫通し、その後、開口６１ａ，７１ａから退避するように上下動される。これにより、支持部１およびリード部２が、下面２ｂ側からの打ち抜き加工によって形成される。したがって、この打ち抜き加工によって生じるばりは、下方へと突出することはなく、樹脂封止後には封止樹脂８内に封止されることになるから、ばりをなくすための事後的な加工工程は不要である。ただし、下面側からの打ち抜き加工により、支持部１の縁部では、図６の断面図に示すように、下面側エッジ部が湾曲面となり、いわゆるダレが生じている。

図５(b)は、プレスステーションＳ２（先端下面潰し加工部）の構成を示す図解的な断面図であり、リード部２の側面側から見た状態が示されている。このプレスステーションＳ２では、打ち抜き加工によって得られたリード部２の先端部の下面からの潰し加工によって、先端抜け止め部２１が形成される。より具体的には、平坦な下面を有するダイ６２がリード部２の上方に配置され、この金属板１００の下方に抑え部材７２が配置される。そして、この抑え部材７２に形成された開口７２Ａを介して、パンチ８２が所定のストロークだけ上下動する。パンチ８２のストロークは、このパンチ８２の上端が金属板１００の板厚の途中部まで移動した後に下降するように定められている。

パンチ８２は、リード部２の先端部にオーバーラップするようになっている。そのため、リード部２の先端部が押し潰されて、リード部２の下面２ｂよりも上方にオフセットされることになる。こうして、上述のような先端抜け止め部２１が形成される。
図５(c)は、プレスステーションＳ４（潰し加工部）の構成を示す図解的な断面図であり、図３(c)と同様な断面でとった構成が示されている。プレスステーションＳ３において先端抜け止め部２１を所定の長さで切断した後に、このプレスステーションＳ４において、支持部１の縁部全体に対して上面からの潰し加工が施される。すなわち、図５(c)に示すように、プレスステーションＳ４には、支持部１の下方に平坦な上面を有するダイ６４が配置されているとともに、支持部１以外のリード部２や枠部５などに対応する部分を押圧する抑え部材７４が金属板１００の上方に配置されている。この抑え部材７４には、支持部１の縁部全体を露出させる開口７４ａが形成されており、この開口７４ａを通って上下動可能であるように、パンチ８４が設けられている。このパンチ８４は、支持部１の縁部全体を押圧可能な押圧面８４ａを下面に有している。

パンチ８４の上下動のストロークは、押圧面８４ａの下死点位置が、当該潰し加工前のリード部２の上面よりも下方（たとえば、リード部２の板厚の１／４〜１／２程度だけ下方）となるように設定されている。
この上面からの潰し加工後の支持部１の断面形状は、図３(c)に示すとおりになる。すなわち、上面からの縁部の潰し加工によって、上述のような抜け止め突部３１が形成されている。それとともに、上面からの潰し加工によって、下面エッジ部に生じていたダレが解消されており、支持部１はエッジ部に至るまでほぼ平坦な平面となり、そのエッジ部はほぼ９０度の角度で立ち上がる立ち上がり面となっている。したがって、封止樹脂８で封止するときに、支持部１の下面１ｂのエッジ部に封止樹脂８が回り込むことを効果的に防止できる。

図５(d)は、プレスステーションＳ５（吊りリード成形加工部）の構成を示す図解的な断面図であり、吊りリード部４の長手方向に沿う断面構造が示されている。このプレスステーションＳ５には、成形後の吊りリード部４および支持部１の下面の形状に対応した凹凸パターンが上面に彫刻されたダイ６５が吊りリード部４および支持部１の下方に配置されているとともに、成形後の吊りリード部４および支持部１の上面の形状に対応した凹凸パターンが下面に彫刻されたパンチ８５が吊りリード部４および支持部１の上方に配置されている。そして、吊りリード部４および支持部１の領域に対応した開口７５ａを有する抑え部材７５が吊り金属板１００の上方に配置されており、上記開口７５ａを通ってパンチ８５が所定のストロークで上下動できるようになっている。

パンチ８５を上下動させて、パンチ８５およびダイ６５の各彫刻面の間に金属板１００を挟んで圧力を欠けることにより、金属板１００に対するプレス成形加工が行われる。これにより、吊りリード部４は、アップセット部分４１および連結部分４２を有する上述のような形状に成形され、支持部１は枠部５の下面よりも下方にダウンセットされることになる。

こうして、プレスステーションＳ１〜Ｓ５を通ってリードフレーム１０が形成されると、ワイヤ接続部に対してめっき処理（たとえば、銀めっき処理）が行われる。このめっき処理は、プレスステーションＳ５による吊りリード成形加工工程前に行われてもよい。
図７は、樹脂封止工程を説明するための図解的な断面図であり、図７(a)は図２(a)に対応する断面を示し、図７(b)は図２(b)に対応する断面を示している。

上述のようにして作製されたリードフレーム１０の支持部１の上面に半導体チップ６をダイボンディングし、ボンディングワイヤ７で半導体チップ６の端子部（パッド）とリード部２とを電気接続して得られる組立体は、平坦な上面を有する下金型１１０と、封止樹脂８が流入されるキャビティ１１５を形成する凹部を下面に有する上金型１２０との間に置かれる。

上金型１２０には、リード部２および吊りリード部４の基端部をそれぞれキャビティ１１５外に引き出すための通路１１６，１１７が下面に形成されている。上金型１２０と下金型１１０とを近接させて突き合わせると、それらの通路１１６，１１７内で、リード部２および吊りリード部４の各基端部が、上金型１２０と下金型１１０とによって挟持される。

一方、支持部１は、リード部２に対してダウンセットされているから、上金型１２０と下金型１１０とでリード部２および吊りリード部４を挟持する過程で、支持部１が押し上げられて、吊りリード部４の弾性変形部４５が弾性変形する。そして、最終的に、支持部１の下面とリード部２の下面とが同一平面上に配置されることになる。このとき、吊りリード部４の復元力のために、支持部１は、下金型１１０の平坦な上面に押し付けられることになる。よって、この状態で、キャビティ１１５内に封止樹脂８を注入すれば、支持部１の下面への封止樹脂８の回り込みを生じることなく、上記の組立体を良好に封止することができる。したがって、最終的に得られた半導体装置は、半導体チップ６で生じた熱を、支持部１の下面から良好に放散することができる。

図８は、一つの参考例に係る構成を説明するための図であり、半導体チップを支持する支持部の断面構造が図解的に示されている。上述の実施形態では、支持部１の縁部の上面１ａに対して潰し加工を施すことによって、抜け止め突部３１が形成されているのに対して、この参考例では、支持部１の縁部の下面に対して潰し加工を施すことにより、同様な働きを有する抜け止め突部（突条）３２が形成されている。この抜け止め突部３２は、支持部１の下面に対して上方にオフセットされた下面３２ｂを有しているから、その下方に封止樹脂８が回り込むことにより、支持部１の抜け止めを達成できる。

このような、抜け止め突部３２は、図５(c)の構成において、抑え部材７４およびパンチ８４と、ダイ６４とを上下反転して配置した構成によって形成することができる。
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、支持部１の縁部の全域に対して上面からの潰し加工を行っているが、たとえば、図９に示すように、支持部１の縁部の一部の領域（図９の例では間隔を開けて複数箇所）に対して上面からの潰し加工を行うようにしても、良好な抜け止め突部３３を形成できる。

また、上記の実施形態では、支持部１が矩形に形成される例について説明したが、図１０に示すように、支持部１をほぼＸ字形状に形成してもよい。図１０(a)の例では、Ｘ字形状の支持部１の縁部のほぼ全域に渡って、上面側から潰し加工が施されており、それによって、抜け止め突部（突条）３４が形成されている。また、図１０(b)の例では、支持部１の縁部の一部（具体的には、支持部１の各縁部に間隔を開けて複数箇所）に抜け止め突部３５が上面からの潰し加工によって形成されている。

また、上記の実施形態では、リード部２と半導体チップ６とがボンディングワイヤ７を介して電気接続される例について説明したが、半導体チップ６の端子部にバンプを設け、このバンプをリード部２の上面に接合させる構成としてもよい。
また、上記の実施形態では、金属板１００を加工してリードフレーム１０を作製する工程において、リードフレーム１０の上面を上方に向け、その下面を下方に向けた状態でプレスステーションＳ１〜Ｓ５による処理を行うこととしているが、リードフレーム１０の上面を下方に向け、その下面を上方に向けた状態で各工程の処理を行うようにしてもよい。この場合には、プレスステーションＳ１〜Ｓ５のパンチおよび抑え部材とダイとの上下関係を逆にしておけばよい。

さらに、上記の実施形態では、リードフレーム１０を作製するための一連の加工工程を１つの精密プレス装置で連続的に行うようにしているが、一部の工程を、別の装置で行うようにしてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係るリードフレームの構成を示す平面図である。 上記リードフレームを組み込んだ半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。 (a)は上記リードフレームの支持部の部分拡大平面図であり、(b)は支持部および吊りリード部の縦断面図（(a)のIIIB-IIIB断面図）であり、(c)は支持部の縁部の横断面図（(a)のIIIC-IIIC断面図）である。 上記のリードフレームの製造のために用いられる精密プレス装置の構成を説明するための概念図である。 上記精密プレス装置の個々のプレスステーションの構成を説明するための図解的な断面図である。 打ち抜き加工後の支持部の断面形状を示す断面図である。 樹脂封止工程を説明するための図解的な断面図である。 参考例に係るリードフレームの支持部の縁部の断面図である。 この発明のさらに他の実施形態に係るリードフレームの平面図である。 この発明のさらに他の実施形態に係るリードフレームの平面図である。

符号の説明

１ 支持部
２ リード部
２ａ 上面
２ｂ 下面
４ 吊りリード部
５ 枠部
６ 半導体チップ
７ ボンディングワイヤ
８ 封止樹脂
１０ リードフレーム
２０ 本体部
２１ 先端抜け止め部
２９ めっき層
３１〜３５ 抜け止め突部
４１ アップセット部分
４２ 連結部分
４５ 弾性変形部
５０ 封止領域
６１，６２，６４，６５ ダイ
７１，７２，７４，７５ 抑え部材
８１，８２，８４，８５ パンチ
１００ 金属板
Ｓ１〜Ｓ５ プレスステーション

Claims (6)

1. 半導体チップを樹脂封止した半導体装置のためのリードフレームであって、上記半導体チップを搭載するとともに一方面が封止樹脂から露出する露出面とされ、他方面が上記封止樹脂に封止される封止面とされたチップ支持部を有するリードフレームを製造するための方法であって、
   金属板を整形して上記チップ支持部を形成する工程と、
   上記チップ支持部の縁部に対して上記封止面側からの潰し加工を施し、当該チップ支持部の上記露出面および上記封止面の間の位置で、当該チップ支持部の縁部から側方に張り出す抜け止め部を形成する工程とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
2. 上記チップ支持部を形成する工程は、上記金属板を上記チップ支持部の上記露出面側から上記封止面側に向かって上記チップ支持部の形状に打ち抜く打ち抜き工程を含むことを特徴とする請求項１記載のリードフレームの製造方法。
3. 上記半導体チップと封止樹脂内で電気接続されるとともに、上記チップ支持部の露出面と同側の面である実装面の少なくとも一部が上記封止樹脂から露出するように上記封止樹脂内に封止されるリード部を形成する工程と、
   上記リード部を保持する枠部に上記チップ支持部を結合する吊りリード部を形成する工程と、
   この吊りリード部を成形して、上記チップ支持部の上記露出面を上記リード部の実装面よりも当該実装面側に突出して位置させるダウンセット工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載のリードフレームの製造方法。
4. 上記ダウンセット工程は、上記吊りリード部を、上記リード部よりも上記実装面とは反対側にオフセットされたアップセット部分と、このアップセット部分と上記チップ支持部とを連結する連結部分とを有するように成形する工程を含むことを特徴とする請求項３記載のリードフレームの製造方法。
5. 請求項１ないし４のいずれかに記載の方法によってリードフレームを製造する工程と、
   上記チップ支持部の上記封止面側に半導体チップを搭載する工程と、
   上記チップ支持部の上記露出面が露出するように上記半導体チップとともに上記リードフレームを樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 上記樹脂封止工程は、上記リードフレームのリード部の実装面と上記チップ支持部の上記露出面とを金型の平坦面に押し当てた状態で、上記リード部およびチップ支持部を封止樹脂で封止する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。

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