JP4330980B2 - リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、ならびにリードフレームおよびそれを用いた半導体装置 - Google Patents

Description

この発明は、半導体チップを樹脂封止して作製される半導体装置のためのリードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、ならびにそのようなリードフレームおよびそれを用いた半導体装置に関する。

半導体装置を配線基板上に高密度に実装するために、モールド樹脂パッケージからのリードの延伸を排除し、パッケージ下面にリードフレームのリード部（半導体チップと電気接続された端子部分）を露出させ、配線基板上への表面実装を可能とした高密度実装用のパッケージが従来から用いられている。このような高密度実装用のパッケージとしては、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）やＳＯＮ（Small Outlined Non-leaded Package）などのリードレスパッケージが知られている。

これらの形態のパッケージでは、半導体チップとともにモールド樹脂で封止されるリード部の下面をパッケージの下面に露出させる構成であるがゆえに、リード部がモールド樹脂から抜けやすいという問題がある。そこで、リード部を逆テーパー形状としたり、リード部の側面に段部を形成したりして、リード部の抜け防止が図られている。
このような断面形状のリード部を形成するために、従来から、エッチングによってリードフレームの加工が行われてきたが、加工に長時間を要するため、最近では、たとえば、特許文献１に開示されているように、精密プレス金型を用いたリードフレームの製造が提案されている。

この特許文献１の方法では、リードフレームの下面側から、パンチによって、リードフレームの素材としての金属板に打ち抜き加工や押圧加工を施すことによってリードフレームが作製され、そのリード部の先端および側面部には抜け防止のための階段形状が形成されるようになっている。
より具体的には、特許文献１の方法では、リード部の中央部が幅広に形成され、この中央部の側縁部に対して、その下面側からパンチによる押圧加工が施され、これにより、抜け防止のための２段形状が形成されるようになっている。また、下面側からの押圧加工の際にばりが生じることを防ぐ目的で、リード部の中央部と基部との間の側面にくびれを形成するようにしている。
特開２００３−１２４４２３号公報

上記の特許文献１の方法では、下面からの押圧加工の際に、打ち抜き加工によって得られたリード部下面の形状が損なわれるから、外部との電気接続を担うリード部下面を所望の形状（たとえば直線形状）とすることができないおそれがある。
また、フレーム加工の際に発生する金属のばりを防ぐために、中央部と基部との間にくびれを形成する必要があり、打ち抜き加工によって最初に形成されるリード部の形状が複雑である。したがって、打ち抜き加工のための金型（パンチ）には、複雑な加工が施されたものが要求される。

したがって、上記特許文献１の先行技術では、精密で複雑な構成の金型が多数必要となり、金型の製作コストが嵩むから、結果として、リードフレームの製造コスト、ひいては半導体装置の製造コストが高くなるという問題がある。
そこで、この発明の目的は、リード部の抜け止め構造を安価に形成することができるリードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することである。

また、この発明の他の目的は、リード部の抜け止め構造を安価に形成することができる構造のリードフレームおよびそれを用いた半導体装置を提供することである。

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、半導体チップ（６）を樹脂封止した半導体装置のためのリードフレーム（１０）であって、上記半導体チップと封止樹脂（８）内で電気接続されるとともに少なくとも実装面（２ｂ）の一部が上記封止樹脂から露出するように上記封止樹脂内に封止されるリード部（２）を有するリードフレームを製造するための方法であって、上記リード部を形成するリード部形成工程（Ｓ１）と、上記リード部の上記実装面とは反対側の面である封止面（２ａ）側から、このリード部の上記封止面の側縁部に潰し加工を施すことにより、このリード部の側方に突出するとともに、このリード部の上記実装面および封止面の間に抜け止め面を有する抜け止め部（２１〜２４）を形成する側縁部潰し工程（Ｓ４）とを含み、上記リード部形成工程は、上記リード部を長尺形状に形成する工程を含み、上記側縁部潰し工程は、上記抜け止め部を、上記リード部の長手方向に関して間隔を開けて複数箇所に形成する工程を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。

この方法によれば、リード部の封止面側からの潰し加工によって、リード部の側方に張り出した抜け止め部が形成される。この抜け止め部は、リード部の板厚の中間位置（実装面と封止面との間）に抜け止め面を有するから、樹脂封止時には、抜け止め面の実装面側に封止樹脂が回り込む。これにより、リード部が封止樹脂から抜け出ることを防止できる。

抜け止め部の形成がリード部の封止面からの潰し加工によって行われるため、この潰し加工時において、リード部の実装面側のダレ部を平坦に再加工できる。したがって、リード部の実装面への封止樹脂の回り込みを低減できる。それとともに、潰し加工のための金型の形状は、特許文献１の先行技術における下面押圧加工のための金型よりも簡単でよいので、リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造コストを低減できる。

また、リード部の封止面は樹脂内に封止されることから、その側縁が最終的に直線形状を有している必要がなく、リード部の実装面のアウターリード部（封止樹脂の下面に露出して外部接続を担う部分）に対応する領域に対して潰し加工を施すことにより、上記抜け止め部を形成することができる。したがって、抜け止め部の形成のために、リード部に予め幅広部を設けておく必要がない。よって、打ち抜き加工等で最初に形成されるリード部は、側面に実質的な段部（平面視における段部）のない単純な形状（直線形状）とすることができるから、この点からも製造コストの低減を図ることができるとともに、ばりを生じさせることなく抜け止め部を形成できる。

また、この方法では、リード部が長尺形状に形成されて、その長手方向に関して間隔を開けて複数箇所に抜け止め部が形成される。これにより、リード部がその長手方向に沿って封止樹脂から抜け出ることを効果的に防止できる。

請求項２記載の発明は、上記リード部形成工程は、上記リード部を長尺形状に形成する工程を含み、上記側縁部潰し工程は、上記抜け止め部を、上記リード部の上記封止面の両側縁部に形成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載のリードフレームの製造方法である。
この方法によれば、長尺形状のリード部の両側縁に抜け止め部が形成されるから、リード部の抜けをさらに効果的に防止できる。

請求項３記載の発明は、上記リード部形成工程は、リードフレームの材料である金属板に対する打ち抜き加工工程（Ｓ１）を含むことを特徴とする請求項１または２記載のリードフレームの製造方法である。
この方法により、一連のプレス加工によって、リード部の形成および抜け止め部の形成を行うことができる。

上記抜き打ち加工は、リード部の実装面側から行われることが好ましく、このようにすれば、リード部の実装面側にばりが出ることがない。
請求項４記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の方法によってリードフレームを製造する工程と、上記リード部の上記封止面と半導体チップとを電気接続する工程と、上記リード部の少なくとも上記実装面の一部が露出するように上記半導体チップとともに上記リードフレームを樹脂封止する工程と、上記リードフレームの不要部分を切除する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。この方法により、請求項１ないし３の発明に関連して上述した効果を得ることができる。

請求項５記載の発明は、上記樹脂封止工程は、封止樹脂の端面が上記抜け止め部を横切るように上記封止樹脂で半導体チップおよびリードフレームを封止する工程を含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法である。
請求項６記載の発明は、半導体チップ（６）を樹脂封止した半導体装置のためのリードフレーム（１０）であって、上記半導体チップと封止樹脂（８）内で電気接続されるとともに少なくとも実装面（２ｂ）の一部が上記封止樹脂から露出するように上記封止樹脂内に封止されるリード部（２）と、このリード部の側方へと張り出している抜け止め部とを含み、上記リード部は長尺形状に形成されており、上記抜け止め部が、上記リード部の長手方向に関して間隔を開けて複数箇所に形成されていることを特徴とするリードフレームである。
請求項７記載の発明は、半導体チップ（６）を樹脂封止した半導体装置のためのリードフレーム（１０）であって、上記半導体チップと封止樹脂（８）内で電気接続されるとともに少なくとも実装面（２ｂ）の一部が上記封止樹脂から露出するように上記封止樹脂内に封止されるリード部（２）と、上記リード部の上記実装面とは反対側の面である封止面（２ａ）側からの潰し加工によって形成され、このリード部の側方に突出した抜け止め部（２１〜２４）とを含み、上記リード部は長尺形状に形成されており、上記抜け止め部が、上記リード部の長手方向に関して間隔を開けて複数箇所に形成されていることを特徴とするリードフレームである。

このような構成のリードフレームは、請求項１記載の発明によって作製することができるので、このリードフレームは、リード部の実装面への樹脂の回り込みがないため、信頼性が高く、また、低コストでの製造が可能である。また、請求項１記載の発明と同様な効果を実現できる。

請求項８記載の発明は、上記リード部は長尺形状に形成されており、上記抜け止め部が、上記リード部の上記封止面の両側縁部に形成されていることを特徴とする請求項６または７記載のリードフレームである。この構成により、請求項２記載の発明と同様な効果を実現できる。
請求項９記載の発明は、請求項６ないし８のいずれかに記載のリードフレーム（１０）と、このリードフレームと電気接続された半導体チップ（６）と、この半導体チップと上記リードフレームとを封止する封止樹脂（８）とを含むことを特徴とする半導体装置である。
請求項１０記載の発明は、請求項６ないし８のいずれかに記載のリードフレーム（１０）と、このリードフレームと電気接続された半導体チップ（６）と、この半導体チップと上記リードフレームとを、上記リード部の実装面が露出するように封止する封止樹脂（８）とを含むことを特徴とする半導体装置である。この構成により、請求項１の発明に関連して説明した上述の効果を得ることができる。

請求項１１記載の発明は、上記リードフレームと上記半導体チップとをワイヤレス電気接続するバンプ（Ｂ）をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置である。
請求項１２記載の発明は、上記封止樹脂は、その端面が上記抜け止め部を横切るように形成されていることを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体装置である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係るリードフレームの構成を示す平面図である。図１には、１個の半導体装置に対応する単位部分が示されているが、実際には、複数個の半導体装置に対応する単位部分が図１の左右方向に連設されていて、全体として帯状の連鎖体を成している。

このリードフレーム１０は、金属板（とくに銅板。たとえば板厚約２００μｍ）１００に対して精密プレス加工を施して作製されたものである。１個の半導体装置に対応した単位部分は、矩形形状（図１の例ではほぼ正方形）を成していて、半導体チップを支持するための支持部（アイランド部）１を中央に有し、その周囲に、矩形形状をなすようにほぼ等間隔に配置された複数本のリード部２を有している。

支持部１は、この実施形態では、複数本のリード部２が形成する矩形形状に対応した矩形形状を有しており、その４つの角部において、吊りリード部４を介して、金属板１００に連続する枠部５に結合されている。各リード部２は、支持部１側に先端を向けて配置された長尺形状を有しており、その基端部は枠部５に結合されている。上記矩形形状の各辺に沿って配列された複数本のリード部２は互いにほぼ平行であり、その長手方向は、当該辺に対してほぼ垂直な方向に沿っている。１０１，１０２，１０３は、精密プレス装置の各プレスステーションでの加工工程、半導体チップの搭載工程、封止樹脂による封止工程などにおいてリードフレーム１を位置決めするための位置決め孔である。

図２は、上記リードフレーム１０を組み込んだ半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。この半導体装置は、リードフレーム１０と、このリードフレーム１０の支持部１上に搭載された半導体チップ６と、この半導体チップ６とリード部２の上面（封止面）とを電気接続するボンディングワイヤ７と、これらを封止する封止樹脂８とを備えている。リード部２の下面２ｂ（実装面）は、封止樹脂８の下面から露出し、回路基板上の配線パターンに半田接合されるアウターリード部として機能する。また、リード部２の封止樹脂内に封止される部分は、インナーリード部としての役割を担い、とくにその先端寄りの部分は、ボンディングワイヤ７が接合される内部接続部となる。このようにして、表面実装型の半導体パッケージ（ＱＦＮ）が構成されている。

この半導体装置の組み立ての際には、支持部１の上面に半導体チップ６がダイボンディングされ、この半導体チップ６の端子とリード部２の上面とがボンディングワイヤ７で接続される。その後、リード部２の下面２ｂを金型に押し当てた状態で、図１において二点鎖線で示す封止ライン５０内の領域が樹脂封止され、これにより、半導体チップ６、ボンディングワイヤ７およびリード部２が樹脂封止されてパッケージが形成される。その後、パッケージの側面に沿ってリード部２および吊りリード部４が切断され、これらが枠部５から切除される。こうして、半導体装置の個片が得られる。

図３(a)はリード部２の平面図であり、図３(b)は図３(a)の縦断面図（IIIB-IIIB線断面図）であり、図３(c)は図３(a)の横断面図（IIIC-IIIC線断面図）である。リード部２の上面の両側縁には、長手方向に間隔を開けて各２箇所に抜け止め部２１，２２，２３，２４（図１では図示を省略した。）が形成されている。この実施形態では、抜け止め部２１，２２，２３，２４は、樹脂封止後に切断される切断ライン５１よりも支持部１側の領域に設けられており、基端部側の一対の抜け止め部２３，２４の長手方向中間部を封止ライン５０が通るようになっている。したがって、先端側の一対の抜け止め部２１，２２は封止樹脂８内に入り込み、また、抜け止め部２１，２２と抜け止め部２３，２４との間にも封止樹脂８が入り込むことになる。これにより、リード部２のその長手方向に沿う抜け出しを防止できる構造となっている。

抜け止め部２１，２２，２３，２４は、リード部２の上面２ａ側から、その側縁部に対して潰し加工（コイニング）を施すことによって形成されている。より具体的には、リード部２の下面２ｂにおいて樹脂封止後に封止樹脂８の下面から露出することになる矩形のアウターリード部の上方の領域において、リード部２の上面２ａの両側縁に対して潰し加工が施されている。これにより、抜け止め部２１，２２，２３，２４は、上面２ａよりも低い上面を有し、さらに、リード部２の側面から側方へと張り出していて、リード部２の下面２ｂよりも高い位置に各下面（抜け止め面。図３の例では、リード部２の側面から離れるに従って上方に向かう傾斜面）を有している。したがって、封止樹脂８は、抜け止め部２１〜２４の張り出し部の下方へと回り込むから、リード部２が封止樹脂８の下方へと抜け出ることを防止できる。抜け止め部２１〜２４を形成するための上面２ａの両側縁の潰し加工は、たとえば、幅５０μｍ程度（リード部２の幅Ｗ（たとえば、１８０〜２００μｍ程度）の１／４〜１／３程度）、高さ５０μｍ程度（リード部２の板厚Ｈ（たとえば、２００μｍ程度）の１／４〜１／２程度）とすればよい。

リード部２の上面２ａにおいて、抜け止め部２１，２２よりも先端部側（支持部１側）の領域は、ボンディングワイヤ７が接合されるワイヤ接続部（内部接続部）として機能する。このワイヤ接続部には、ボンディングワイヤ７との良好な接合のためのめっき層２９（たとえば、厚さ５μｍ程度以下の銀めっき層。図１および図３(a)では図示を省略した。）が形成されている。リード部２の下面２ｂは、半導体チップ６とともに樹脂封止した後に封止樹脂８の下面から露出して、回路基板上への表面実装のための外部接続部（アウターリード部）として機能する。

リード部２の先端領域には、リード部２の下面側からの潰し加工が施されており、リード部２の下面２ｂから上方にオフセット（たとえば、リード部２の板厚Ｈの１／３〜１／２程度）された先端抜け止め部２５が形成されている。先端抜け止め部２５は、リード部２の上面側において、その先端側に張り出している。半導体チップ６とともにリード部２を樹脂封止した状態では、先端抜け止め部２５の下方には封止樹脂８が回り込むから、リード部２の抜け防止が図られる。

図４は、上記のリードフレーム１０の製造のために用いられる精密プレス装置の構成を説明するための概念図である。リードフレーム１０は、複数（図４の例では４個）のプレスステーションＳ１〜Ｓ４を順に通って順送り方向Ｒへと搬送される。プレスステーションＳ１は、材料である帯状の金属板１００に対して下面側からの打ち抜き加工を実行する打ち抜き加工部である。プレスステーションＳ２は、リード部２の先端部に下面側から潰し加工（コイニング）を施す先端下面潰し加工部である。プレスステーションＳ３は、リード部２の先端をその基端部から所定長の切断位置で切断する切断加工部である。プレスステーションＳ４は、リード部２の上面の両側縁に潰し加工（コイニング）を施すことによって抜け止め部２１〜２４を形成する上面潰し加工部である。

図５(a)は、プレスステーションＳ１（打ち抜き加工部）の構成を示す図解的な断面図であり、リード部２の長手方向と交差する平面でとった断面が示されている。このプレスステーションＳ１では、帯状の金属板１００に対して、その下面１００ｂ側から打ち抜き加工が施される。より具体的には、金属板１００は、支持部１およびリード部２などのパターンに対応した開口６１ａおよび７１ａをそれぞれ有するダイ６１および抑え部材７１との間に挿入される。この状態で、開口６１ａ，７１ａに整合する形状のパンチ８１が、金属板１００を、その下面１００ｂから上面１００ａに向かって打ち抜くように、開口７１ａおよび６１ａを順に貫通し、その後、開口６１ａ，７１ａから退避するように上下動される。これにより、支持部１およびリード部２が、下面２ｂ側からの打ち抜き加工によって形成される。

図５(b)は、プレスステーションＳ２（先端下面潰し加工部）の構成を示す図解的な断面図であり、リード部２の側面側から見た状態が示されている。このプレスステーションＳ２では、打ち抜き加工によって得られたリード部２の先端部の下面からの潰し加工によって、先端抜け止め部２５が形成される。より具体的には、平坦な下面を有するダイ６２がリード部２の上方に配置され、この金属板１００の下方に抑え部材７２が配置される。そして、この抑え部材７２に形成された開口７２Ａを介して、パンチ８２が所定のストローク（リード部２の板厚Ｈの１／３〜１／２程度の潰し加工に対応したストローク）だけ上下動する。

パンチ８２は、リード部２の先端部にオーバーラップするようになっている。そのため、リード部２の先端部が押し潰されて、リード部２の下面２ｂよりも上方にオフセットされることになる。こうして、上述のような先端抜け止め部２５が形成される。
パンチ８２のストロークは、このパンチ８２の上端が金属板１００の板厚の途中部まで移動した後に下降するように定められている。

図５(c)は、プレスステーションＳ４（上面潰し加工部）の構成を示す図解的な断面図であり、リード部２の長手方向に交差する平面に沿う断面が示されている。プレスステーションＳ３において先端抜け止め部２１を所定の長さで切断した後に、このプレスステーションＳ４において、リード部２の上面の両側縁部に対して潰し加工が施される。このプレスステーションＳ４には、リード部２の下方に、平坦な上面を有するダイ６３が配置されているとともに、リード部２の上方に、隣接するリード部２間の間隔よりも幅広の開口７３ａを隣接するリード部２の間に対応する位置にそれぞれ有する抑え部材７３が配置されている。そして、開口７３ａを通って上下動するパンチ８３が抑え部材７３の上方に配置されている。パンチ８３は、隣接するリード部２間の間隔よりも幅広の押圧面８３Ａを下端に有している。

パンチ８３のストロークは、その下死点位置がリード部２の本体部２０の板厚範囲内となるように定められている。したがって、パンチ８３を上下動させることによって、リード部２の両側縁部がそれぞれ幅５０μｍ程度（リード部２の下面の幅Ｗ（たとえば、１８０μｍ〜２００μｍ）の１／４〜１／３の範囲）で高さ５０μｍ程度（リード部２の板厚Ｈ（たとえば２００μｍ程度）の１／４〜１／２の範囲）に渡って上面２ｂ側から押圧され、リード部２の両側面には、抜け止め部２１〜２４が突出して形成されることになる。それとともに、リード部２の下面２ｂは、ダイ６３に押し付けられ、打ち抜き加工時に生じたダレ部が平坦化される。

こうして、プレスステーションＳ１〜Ｓ４を通ってリードフレーム１０が形成されると、ワイヤ接続部に対してめっき処理（たとえば、銀めっき処理）が行われる。
この実施形態では、打ち抜き加工によって形成されるリード部２の最初の形態は、断面がほぼ矩形で長さ方向に一様な単純な形態を有していて、上述の先行技術のように、途中に幅広部やくびれ部を形成することを要しない。したがって、打ち抜き加工のためのパンチ８１やダイ６１などの形態が複雑ではなく、これらの製作費があまり高くつかない。そのため、リードフレーム１０およびこれを組み込んだ半導体装置の製造コストを低減できる。

しかも、リード部２の下面２ｂからではなく、上面２ａの両側縁に対する上方からの潰し加工によって抜け止め部２１〜２４が形成されるので、アウターリード部となるリード部２の下面２ｂの側縁部は初期の直線形状を保持することができ、配線基板上への良好な実装性を確保できる。
また、上述のような単純な形態のリード部２の上面２ａの両側縁に対する上方からの潰し加工の際にばりが生じることもなく、上述の先行技術のような特別な対策を要しない。

以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、リード部２の長手方向に沿って間隔を開けて２箇所に抜け止め部２１〜２４が形成されているが、同様な抜け止め部は、リード部２の上面２ａの両側縁の３箇所以上に形成することとしてもよい。

また、上記の実施形態では、リード部２と半導体チップ６とがボンディングワイヤを介して電気接続される例について説明したが、図６に示すように、半導体チップ６の端子部にバンプＢを設け、このバンプＢをリード部２の上面２ａに接合させて、ワイヤレス電気接続構造としてもよい。接合前において、半導体チップ６およびリード部２の少なくともいずれか一方に設けてあればよく、リード部２側にバンプＢが設けてあってもよいし、半導体チップ６およびリード部２の両方にバンプを設けておいてもよい。

また、上記の実施形態では、金属板１００を加工してリードフレーム１０を作製する工程において、リードフレーム１０の上面を上方に向け、その下面を下方に向けた状態でプレスステーションＳ１〜Ｓ４による処理を行うこととしているが、リードフレーム１０の上面を下方に向け、その下面を上方に向けた状態で各工程の処理を行うようにしてもよい。この場合には、プレスステーションＳ１〜Ｓ４のパンチおよび抑え部材とダイとの上下関係を逆にしておけばよい。

さらに、上記の実施形態では、リードフレーム１０を作製するための一連の加工工程を１つの精密プレス装置で連続的に行うようにしているが、一部の工程を、別の装置で行うようにしてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係るリードフレームの構成を示す平面図である。 上記リードフレームを組み込んだ半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。 (a)はリード部２の平面図であり、(b)は(a)の縦断面図（IIIB-IIIB線断面図）であり、(c)は(a)の横断面図（IIIC-IIIC線断面図）である。 上記のリードフレームの製造のために用いられる精密プレス装置の構成を説明するための概念図である。 上記精密プレス装置の個々のプレスステーションの構成を説明するための図解的な断面図である。 この発明の他の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。

符号の説明

１ 支持部
２ リード部
２ａ 上面
２ｂ 下面
４ 吊りリード部
５ 枠部
６ 半導体チップ
７ ボンディングワイヤ
８ 封止樹脂
１０ リードフレーム
２０ 本体部
２１〜２４ 抜け止め部
２５ 先端抜け止め部
２９ めっき層
５０ 封止ライン
５１ 切断ライン
６１〜６３ ダイ
７１〜７３ 抑え部材
８１〜８３ パンチ
１００ 金属板
Ｓ１〜Ｓ４ プレスステーション
Ｂ バンプ

Claims (12)

1. 半導体チップを樹脂封止した半導体装置のためのリードフレームであって、上記半導体チップと封止樹脂内で電気接続されるとともに少なくとも実装面の一部が上記封止樹脂から露出するように上記封止樹脂内に封止されるリード部を有するリードフレームを製造するための方法であって、
   上記リード部を形成するリード部形成工程と、
   上記リード部の上記実装面とは反対側の面である封止面側から、このリード部の上記封止面の側縁部に潰し加工を施すことにより、このリード部の側方に突出するとともに、このリード部の上記実装面および封止面の間に抜け止め面を有する抜け止め部を形成する側縁部潰し工程とを含み、
   上記リード部形成工程は、上記リード部を長尺形状に形成する工程を含み、
   上記側縁部潰し工程は、上記抜け止め部を、上記リード部の長手方向に関して間隔を開けて複数箇所に形成する工程を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
2. 上記リード部形成工程は、上記リード部を長尺形状に形成する工程を含み、
   上記側縁部潰し工程は、上記抜け止め部を、上記リード部の上記封止面の両側縁部に形成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載のリードフレームの製造方法。
3. 上記リード部形成工程は、リードフレームの材料である金属板に対する打ち抜き加工工程を含むことを特徴とする請求項１または２記載のリードフレームの製造方法。
4. 請求項１ないし３のいずれかに記載の方法によってリードフレームを製造する工程と、
   上記リード部の上記封止面と半導体チップとを電気接続する工程と、
   上記リード部の少なくとも上記実装面の一部が露出するように上記半導体チップとともに上記リードフレームを樹脂封止する工程と、
   上記リードフレームの不要部分を切除する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 上記樹脂封止工程は、封止樹脂の端面が上記抜け止め部を横切るように上記封止樹脂で半導体チップおよびリードフレームを封止する工程を含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
6. 半導体チップを樹脂封止した半導体装置のためのリードフレームであって、
   上記半導体チップと封止樹脂内で電気接続されるとともに少なくとも実装面の一部が上記封止樹脂から露出するように上記封止樹脂内に封止されるリード部と、
   このリード部の側方へと張り出している抜け止め部とを含み、
   上記リード部は長尺形状に形成されており、
   上記抜け止め部が、上記リード部の長手方向に関して間隔を開けて複数箇所に形成されていることを特徴とするリードフレーム。
7. 半導体チップを樹脂封止した半導体装置のためのリードフレームであって、
   上記半導体チップと封止樹脂内で電気接続されるとともに少なくとも実装面の一部が上記封止樹脂から露出するように上記封止樹脂内に封止されるリード部と、
   上記リード部の上記実装面とは反対側の面である封止面側からの潰し加工によって形成され、このリード部の側方に突出した抜け止め部とを含み、
   上記リード部は長尺形状に形成されており、
   上記抜け止め部が、上記リード部の長手方向に関して間隔を開けて複数箇所に形成されていることを特徴とするリードフレーム。
8. 上記リード部は長尺形状に形成されており、
   上記抜け止め部が、上記リード部の上記封止面の両側縁部に形成されていることを特徴とする請求項６または７記載のリードフレーム。
9. 請求項６ないし８のいずれかに記載のリードフレームと、
   このリードフレームと電気接続された半導体チップと、
   この半導体チップと上記リードフレームとを封止する封止樹脂とを含むことを特徴とする半導体装置。
10. 請求項６ないし８のいずれかに記載のリードフレームと、
    このリードフレームと電気接続された半導体チップと、
    この半導体チップと上記リードフレームとを、上記リード部の実装面が露出するように封止する封止樹脂とを含むことを特徴とする半導体装置。
11. 上記リードフレームと上記半導体チップとをワイヤレス電気接続するバンプをさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
12. 上記封止樹脂は、その端面が上記抜け止め部を横切るように形成されていることを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体装置。

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