JPH0730042A - 半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPH0730042A
JPH0730042A JP5173112A JP17311293A JPH0730042A JP H0730042 A JPH0730042 A JP H0730042A JP 5173112 A JP5173112 A JP 5173112A JP 17311293 A JP17311293 A JP 17311293A JP H0730042 A JPH0730042 A JP H0730042A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
lead
tip
lead frame
solder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5173112A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisaki Koyama
寿樹 小山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP5173112A priority Critical patent/JPH0730042A/ja
Publication of JPH0730042A publication Critical patent/JPH0730042A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3421Leaded components

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 リード先端面に半田フィレットが確実に形成
される半導体装置を得ること。 【構成】 予め外部リード5Aの先端に当たる部分に上
方より溝6を形成したリードフレームLaを用いるか、
または半田メッキ前に外部リード5Bの先端に当たる部
分に上方より溝12を形成するという製造工程を経るこ
とにより、半導体装置Saの外部リード先端上方面に半
田メッキ7されている部分を形成するように構成してい
る。 【効果】 各外部リードの先端の前記半田メッキ層7
と、配線基板上の半田ペースト10とが引き合い、リー
ド先端面に半田フィレット11を形成することができる
ので、両者の半田接続の確認作業が容易になると同時
に、接続強度が向上するという効果がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置がプリン
ト配線基板上に良好に半田付けできるように構成した半
導体装置用リードフレーム、それを用いた複数のガルウ
ィング型外部リードを備えた半導体装置及びその製造方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】先ず、図7乃至図11を用いて従来技術
の半導体装置用リードフレーム(以下、単に「リードフ
レーム」と記す)及びそれを用いた半導体装置及びその
製造方法を説明する。
【0003】図7は従来技術の一素子単位のリードフレ
ームの平面図であり、図8は図7のリードフレームに半
導体チップを搭載し、モールド樹脂で封止した状態を示
した平面図であり、図9は図8に示した封止状態の半製
品の半導体装置からダムレジンとタイバーとを切除した
状態の、やはり半製品の半導体装置の平面図であり、図
10は図9に示した半製品の半導体装置の複数の外部リ
ードをガルウィング状に曲げて完成させた樹脂封止型半
導体装置の斜視図であり、そして図11は図10に示し
た樹脂封止型半導体装置をプリント配線基板に半田付け
した状態の一部拡大断面図である。
【0004】先ず、図7に示した従来技術のリードフレ
ームから説明する。この種のリードフレームLbは、通
常、並行に離間して延在する2本のフレーム枠1と、こ
れらのフレーム枠1と吊りリード2によって連結された
ダイパッド3と、先端部分がダイパッド3の周辺部に近
接し包囲するように設けられ、かつタイバー4に支持さ
れた複数のリード5などで構成されている。
【0005】そして、通常、樹脂封止型半導体装置はこ
のような構成のリードフレームLbを用いて製造され
る。その製造方法を図8乃至図10を用いて説明する。
先ず、前記リードフレームLbのダイパッド3上に半導
体チップ(図示していない)をダイボンドし、その半導
体チップの表面に形成された電極パッドと各リード5の
内端部とをワイヤー(図示していない)で結線し、モー
ルド樹脂Mで半導体チップ、ダイパッド3、ワイヤー、
各リード5の内端部を封止する(図8)。
【0006】次に、図9に示したように、リード加工の
第1の工程でダムレジン13とタイバー4を切除し、そ
の次の工程でリードフレームLbの全表面に半田メッキ
を施した後(図示省略)、更に次の工程において、フレ
ーム枠1とリード5の先端部の切り離し及びリードの曲
げ加工を施し、樹脂封止型半導体装置Scを完成させて
いた(図10)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】前記の従来のリードフ
レームLb及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置Sc
の製造方法では、半田メッキ後に各リード5の先端部が
切り離されるため、図10に示したように、その切断面
14には半田メッキが施されていない。
【0008】その結果、図11に示したように、半田ペ
ースト10を盛ったプリント配線基板9へ前記樹脂封止
型半導体装置Scを半田付けした際に、前記の各リード
先端の切断面14に半田フィレット11が形成されない
ことがしばしば見受けられた。
【0009】一般に、半導体装置の外部リードとプリン
ト配線基板とが半田で確実に接続されているか否かを確
認するためには、リード先端面に半田フィレットが形成
されているか否かを確認しているため、前記のように半
田フィレットができない場合は、接続の確認作業が困難
であるという問題点があった。従って、この発明はリー
ド先端面に半田フィレットが確実に形成される半導体装
置を得ることを課題としたものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、この発明は、予め外部リードの先端に当たる部分に
上方より溝を形成したリードフレームを用いるか、もし
くは半田メッキ前に外部リードの先端に当たる部分に上
方より溝を形成するという製造工程を経ることにより、
半導体装置の外部リード先端面上方に半田メッキされて
いる部分を形成するようにし、前記課題を解決するよう
にした。
【0011】
【作用】従って、この半導体装置をプリント配線基板に
半田付けした際に、各外部リードの先端上方面に施され
ている半田メッキと、プリント配線基板上の半田ペース
トとが引き合い、リード先端面に半田フィレットを形成
することができる。
【0012】
【実施例】図1乃至図4を用いて、この発明の第1の実
施例であるリードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型
半導体装置を説明する。図1はこの発明の一素子単位の
リードフレームを示していて、同図Aはその平面図、同
図Bは同図AのAーA線上における断面図であり、図2
は図1のリードフレームに半導体チップを搭載し、モー
ルド樹脂で封止した状態からダムレジンとタイバーとを
切除して半田メッキを施した状態の第1の実施例である
半製品の半導体装置を示していて、同図Aはその平面
図、同図Bは同図AのAーA線上における断面図であ
り、図3は図2に示した半製品の半導体装置の複数の外
部リードをガルウィング状に曲げて完成させた第1の実
施例の半導体装置を示していて、同図Aはその斜視図、
同図Bは同図Aの矢印で示したB部の一部拡大図であ
り、そして図4は図3に示した第1の実施例の半導体装
置をプリント配線基板に半田付けした状態の一部拡大断
面図である。なお、図7乃至図11に示した従来技術の
リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置などと同一の
部分には同一の符号を付し、それらの詳細な説明を省略
する。
【0013】図1に示した一素子単位のリードフレーム
Laは、平行に離間して延在する2本のフレーム枠1
と、これらのフレーム枠1と吊りリード2によって連結
されたダイパッド3と、先端部分がダイパッド3の周辺
部に近接し包囲するように設けられ、かつタイバー4に
支持された複数のリード5Aなどで構成されていて、外
部リードのリード先端に当たる部分に、予め上方より凹
型の溝6(図1B)を形成する。
【0014】この溝6の深さはリードフレームLaの厚
さによって変わってくるが、厚さ0.125mmのリー
ドフレームの場合は0.06〜0.07mm程度とし
た。
【0015】このようなリードフレームLaを用いて、
従来と同じ方法で樹脂封止型半導体装置Saを製造す
る。つまり、ダイパッド3上に半導体チップ(図示して
いない)をダイボンドし、その半導体チップ表面に形成
された電極パッドと各リード5Aの内端部とをワイヤー
(図示していない)で結線し、モールド樹脂Mで半導体
チップ、ダイパッド3、ワイヤー、リード5Aの内端部
を封止し、リード加工の1工程でダムレジン13とタイ
バー4とを切除する(図8参照のこと)。
【0016】そして、次の半田メッキ工程において、図
2のようにリードフレームLaの全表面に半田メッキ7
を施す。この時、前記凹型の溝6にも半田メッキ7が施
されるため(図2B)、次のリード加工の工程におい
て、フレーム枠1とリード5Aの先端部の切り離し及び
リード曲げを施されると、図3のように完成した樹脂封
止型半導体装置Saの各リード5Aの先端上方面8には
半田メッキ7が施されることになる。
【0017】この樹脂封止型半導体装置Saを、図4に
示したように、半田ペースト10が塗布されたプリント
配線基板9に半田付けすると、リード5Aの先端上方面
8の半田メッキ7とプリント配線基板9上の半田ペース
ト10とが引き合って半田フィレット11が形成され
る。
【0018】この実施例の溝6は凹型の溝で形成した
が、この溝は凹型でなくてもよく、V型でもよい。凹型
の溝はハーフエッチングで形成することができ、V型の
溝はVノッチ加工で形成することができる。従って、こ
の発明のリードフレームLaは、従来のリードフレーム
Lbの製造工程を何ら変更することなく製造することが
できる。
【0019】次に、図5及び図6を用いて、第2の実施
例である半導体装置Sbの製造方法を説明する。図5は
従来技術のリードフレームに半導体チップを搭載し、モ
ールド樹脂で封止した状態からダムレジンとタイバーと
を切除した状態の、この発明の第2の実施例である半製
品の半導体装置を示していて、同図Aはその平面図、同
図Bは同図AのAーA線上における断面図であり、図6
は図5に示した半製品の半導体装置の複数の外部リード
をガルウィング状に曲げて完成させた、この発明の第2
の実施例の半導体装置を示していて、同図Aはその斜視
図、同図Bは同図Aの矢印で示したB部の一部拡大図で
ある。
【0020】この実施例では、従来のリードフレームL
bを用い、従来の製造方法にてモールド樹脂Mによる封
止までを行う(図面省略)。そして、次のリード加工の
第1の工程において、図5に示したように、ダムレジン
とタイバーの切除に加えて、リード5Bの先端に当たる
部分へ上方よりV型の溝12を形成する加工を行う。こ
の溝12は、リード加工の第1の工程の金型にVノッチ
加工用のパンチを付加することにより形成できるので、
従来のリード加工技術で対応することができる利点があ
る。
【0021】この後、リードフレームの全表面に半田メ
ッキを施せば、前記V型の溝12にも半田メッキ7が施
されるので、更に次の工程において、フレーム枠1とリ
ード5Bの先端部の切り離し及びリード曲げを施すと、
図6に示したように完成した樹脂封止型半導体装置Sb
の各リード5Bの先端上方面8には半田メッキ7が施さ
れたことになる。従って、図4に示した半田付け状態と
同様に、或いはそれ以上に、この樹脂封止型半導体装置
Sbをプリント配線基板9に良好に半田付けすることが
できる。
【0022】前記各実施例では、SOP型半導体装置を
例示して説明してきたが、この発明はそれに限定される
ものではなく、QFP型半導体装置にも適用できること
は言うまでもない。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、予め外部リードの先端に当たる部分に上方より溝を
形成したリードフレームを用いるか、もしくは半田メッ
キ前に外部リードの先端に当たる部分に上方より溝を形
成するという製造工程を経ることにより、半導体装置の
各外部リードの先端上方面に半田メッキされた部分を形
成することができる。
【0024】従って、この半導体装置をプリント配線基
板に半田付けした際に、各外部リードの先端上方面に施
されている半田メッキと、プリント配線基板上の半田ペ
ーストとが引き合い、リード先端面に半田フィレットを
形成することができるので、外部リードとプリント配線
基板との半田接続の確認作業が容易になると同時に、接
続強度が向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の第1の実施例である一素子単位の
リードフレームを示していて、同図Aはその平面図、同
図Bは同図AのAーA線上における断面図である。
【図2】 図1のリードフレームに半導体チップを搭載
し、モールド樹脂で封止した状態からダムレジンとタイ
バーとを切除して半田メッキを施した状態の半製品の半
導体装置を示していて、同図Aはその平面図、同図Bは
同図AのAーA線上における断面図である。
【図3】 図2に示した半製品の半導体装置の複数の外
部リードをガルウィング状に曲げて完成させた、この発
明の第1の実施例の樹脂封止型半導体装置を示し、同図
Aはその斜視図、同図Bは同図Aの矢印で示したB部の
一部拡大図である。
【図4】 図3に示した樹脂封止型半導体装置をプリン
ト配線基板に半田付けした状態の一部拡大断面図であ
る。
【図5】 従来技術のリードフレームに半導体チップを
搭載し、モールド樹脂で封止した状態からダムレジンと
タイバーとを切除した状態の、この発明の第2の実施例
である半製品の半導体装置を示していて、同図Aはその
平面図、同図Bは同図AのAーA線上における断面図で
ある。
【図6】 図5に示した半製品の半導体装置の複数の外
部リードをガルウィング状に曲げて完成させた、この発
明の第2の実施例の樹脂封止型半導体装置を示してい
て、同図Aはその斜視図、同図Bは同図Aの矢印で示し
たB部の一部拡大図である。
【図7】 従来技術の一素子単位のリードフレームの平
面図である。
【図8】 図7のリードフレームに半導体チップを搭載
し、モールド樹脂で封止した状態を示した平面図であ
る。
【図9】 図8に示した封止状態の半製品の半導体装置
からダムレジンとタイバーとを切除した状態の、やはり
半製品の半導体装置の平面図である。
【図10】 図9に示した半製品の半導体装置の複数の
外部リードをガルウィング状に曲げて完成させた樹脂封
止型半導体装置の斜視図である。
【図11】 図10に示した樹脂封止型半導体装置をプ
リント配線基板に半田付けした状態の一部拡大断面図で
ある。
【符号の説明】
1 フレーム枠 2 吊りリード 3 ダイパッド 4 タイバー 5 リード 5A リード 6 凹型の溝 7 半田メッキ 8 リード5Aの先端上方面 9 プリント配線基板 10 半田ペースト 11 半田フィレット 12 V型の溝 La この発明の半導体装置用リードフレーム Lb 従来技術の半導体装置用リードフレーム Sa この発明の第1の実施例の樹脂封止型半導体装
置 Sb この発明の第2の実施例の樹脂封止型半導体装
置 Sc 従来技術の樹脂封止型半導体装置 M モールド樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年9月10日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0005
【補正方法】変更
【補正内容】
【0005】そして、通常、樹脂封止型半導体装置はこ
のような構成のリードフレームLbを用いて製造され
る。その製造方法を図8乃至図10を用いて説明する。
先ず、前記リードフレームLbのダイパッド3上に半導
体チップ(図示していない)をダイボンドし、その半導
体チップの表面に形成された電極パッドと各リード5の
内端部とをワイヤー(図示していない)で結線し、モー
ルド樹脂Mで半導体チップ、ダイパッド3、ワイヤー、
各リード5の内端部を封止する(図8)。符号Pはその
モールドラインである。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、この発明は、予め外部リードの先端に当たる部分に
上方より溝を形成したリードフレームを用いるか、もし
くは半田メッキ前に外部リードの先端に当たる部分に上
方より溝を形成するという製造工程を経ることにより、
半導体装置の外部リード先端上方面に半田メッキされて
いる部分を形成するようにし、前記課題を解決するよう
にした。
【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図8
【補正方法】変更
【補正内容】
【図8】

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の外部リードを備えた半導体装置用
    リードフレームにおいて、リード加工後の各リード先端
    に当たる部分へ、上方より溝を形成したことを特徴とす
    る半導体装置用リードフレーム。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の半導体装置用リードフ
    レームを用いた半導体装置において、各リード先端部が
    上方からの溝により薄く形成されていることを特徴とす
    る複数のガルウィング型外部リードを備えた半導体装
    置。
  3. 【請求項3】 複数のガルウィング型外部リードを備え
    た半導体装置の製造工程において、外部リードメッキ工
    程より前に、リード加工後の各リード先端に当たる部分
    へ、上方より溝を形成する工程を付加したことを特徴と
    する製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の製造工程を経て組立ら
    れ、各リード先端部が上方からの溝により薄く形成され
    ていることを特徴とする複数のガルウィング型外部リー
    ドを備えた半導体装置。
JP5173112A 1993-07-13 1993-07-13 半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法 Pending JPH0730042A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5173112A JPH0730042A (ja) 1993-07-13 1993-07-13 半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5173112A JPH0730042A (ja) 1993-07-13 1993-07-13 半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0730042A true JPH0730042A (ja) 1995-01-31

Family

ID=15954382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5173112A Pending JPH0730042A (ja) 1993-07-13 1993-07-13 半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0730042A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006351846A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US7757375B2 (en) 2006-03-31 2010-07-20 Nec Electronics Corporation Lead cutter and method of fabricating semiconductor device
KR20140040026A (ko) * 2012-09-24 2014-04-02 세이코 인스트루 가부시키가이샤 수지 봉지형 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2017022258A (ja) * 2015-07-10 2017-01-26 株式会社東芝 半導体パッケージ
CN109962050A (zh) * 2019-04-19 2019-07-02 苏州浪潮智能科技有限公司 一种用于元器件上的引脚

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006351846A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US7757375B2 (en) 2006-03-31 2010-07-20 Nec Electronics Corporation Lead cutter and method of fabricating semiconductor device
US7795060B2 (en) 2006-03-31 2010-09-14 Nec Electronics Corporation Lead cutter and method of fabricating semiconductor device
KR20140040026A (ko) * 2012-09-24 2014-04-02 세이코 인스트루 가부시키가이샤 수지 봉지형 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2017022258A (ja) * 2015-07-10 2017-01-26 株式会社東芝 半導体パッケージ
CN109962050A (zh) * 2019-04-19 2019-07-02 苏州浪潮智能科技有限公司 一种用于元器件上的引脚
CN109962050B (zh) * 2019-04-19 2024-04-26 苏州浪潮智能科技有限公司 一种用于元器件上的引脚

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002222906A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
US9363901B2 (en) Making a plurality of integrated circuit packages
KR19990031914A (ko) 칩 스케일 패키지
JP2003282809A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2806328B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
EP1020913A2 (en) Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device and fabrication process therefor
JPH0730042A (ja) 半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法
JP2001326316A (ja) 樹脂封止型半導体装置用フレーム
JP2617218B2 (ja) 半導体部品の製造方法及びその製造方法に使用するリードフレーム
JP2586352B2 (ja) 半導体装置用リード切断装置
JP4330980B2 (ja) リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、ならびにリードフレームおよびそれを用いた半導体装置
JP3741550B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH06236956A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2000150761A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH07321276A (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JPH03230556A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JP2002164496A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH04162466A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPH03152966A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPS63160262A (ja) リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置
JP3853235B2 (ja) リードフレーム
JPH0777248B2 (ja) 樹脂封止形半導体装置及びその製造方法
JPH0464256A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63156346A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH0766231A (ja) 面実装型半導体装置の製造方法