JPH11260991A - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームの製造方法Info
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- JPH11260991A JPH11260991A JP10063443A JP6344398A JPH11260991A JP H11260991 A JPH11260991 A JP H11260991A JP 10063443 A JP10063443 A JP 10063443A JP 6344398 A JP6344398 A JP 6344398A JP H11260991 A JPH11260991 A JP H11260991A
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- depressing
- lead
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Shaping Metal By Deep-Drawing, Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 クラックや破断といった事態を招来すること
なく、ディプレス深さを十分に確保することのできる半
導体装置用リードフレームの製造方法を提供することを
解決課題とする。 【解決手段】 本発明では、半導体装置用リードフレー
ム（１０）に対してディプレス加工を施した後、次のデ
ィプレス加工を施す以前に、当該半導体装置用リードフ
レーム（１０）に対して焼き鈍しを施している。
なく、ディプレス深さを十分に確保することのできる半
導体装置用リードフレームの製造方法を提供することを
解決課題とする。 【解決手段】 本発明では、半導体装置用リードフレー
ム（１０）に対してディプレス加工を施した後、次のデ
ィプレス加工を施す以前に、当該半導体装置用リードフ
レーム（１０）に対して焼き鈍しを施している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイパッド部の表
面とリード部の表面とを互いに高さの異なる平面上に配
置させて成る半導体装置用リードフレームの製造方法に
関する。
面とリード部の表面とを互いに高さの異なる平面上に配
置させて成る半導体装置用リードフレームの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置には、リードフレ
ームのダイパッド部に搭載した半導体素子の電極と、該
リードフレームのリード部との間をワイヤによって接続
する際に、該ワイヤが半導体チップの上縁部に接触する
等の不具合を防止するため、ダイパッド部の表面をリー
ド部の表面に対してディプレス深さと称される距離だけ
低くなるように構成したものがある。
ームのダイパッド部に搭載した半導体素子の電極と、該
リードフレームのリード部との間をワイヤによって接続
する際に、該ワイヤが半導体チップの上縁部に接触する
等の不具合を防止するため、ダイパッド部の表面をリー
ド部の表面に対してディプレス深さと称される距離だけ
低くなるように構成したものがある。
【０００３】この種の半導体装置においては、リードフ
レームに設けるディプレス深さとしてその板厚の２倍程
度のものを確保すれば十分であるため、通常のプレス設
備を適用してサポートバー部、つまりダイパッド部と、
このダイパッド部の外周に位置するリード部枠体との間
を接続する部分にパンチを押圧させ、該サポートバー部
に塑性変形を生じさせることによってリードフレームを
成形することが可能である。
レームに設けるディプレス深さとしてその板厚の２倍程
度のものを確保すれば十分であるため、通常のプレス設
備を適用してサポートバー部、つまりダイパッド部と、
このダイパッド部の外周に位置するリード部枠体との間
を接続する部分にパンチを押圧させ、該サポートバー部
に塑性変形を生じさせることによってリードフレームを
成形することが可能である。
【０００４】一方、近年においては、半導体素子を搭載
するダイパッド部をパッケージの外部に露出させたもの
（Exposed Pad Package）や、ＱＯＮ（Quad Outline No
n-leaded Package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded P
ackage）、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Packag
e）等のチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）の実用化が
要求されている。
するダイパッド部をパッケージの外部に露出させたもの
（Exposed Pad Package）や、ＱＯＮ（Quad Outline No
n-leaded Package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded P
ackage）、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Packag
e）等のチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）の実用化が
要求されている。
【０００５】この種の半導体装置にあっては、リードフ
レームに設けるディプレス深さをより大きく確保する必
要があり、単にサポートバー部にパンチを押圧させるだ
けの設備ではこれを成形することが困難である。
レームに設けるディプレス深さをより大きく確保する必
要があり、単にサポートバー部にパンチを押圧させるだ
けの設備ではこれを成形することが困難である。
【０００６】このため従来では、ノックアウトガイド式
と称される設備を適用し、ダイパッド部の外周に位置す
るリード部およびその枠体を挟持した状態でサポートバ
ー部にパンチを押圧させることにより、つまりリード部
およびその枠体の移動を規制した状態でサポートバー部
に塑性変形を生じさせることにより、リード部の表面か
らダイパッド部の表面までの間に、より大きなディプレ
ス深さを確保するようにしている。
と称される設備を適用し、ダイパッド部の外周に位置す
るリード部およびその枠体を挟持した状態でサポートバ
ー部にパンチを押圧させることにより、つまりリード部
およびその枠体の移動を規制した状態でサポートバー部
に塑性変形を生じさせることにより、リード部の表面か
らダイパッド部の表面までの間に、より大きなディプレ
ス深さを確保するようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このノ
ックアウトガイド式の設備を適用したディプレス加工に
おいても、パンチの１回の動作によって得られるディプ
レス深さとしてはリードフレームの板厚の３倍程度が限
界であり、上述したチップサイズパッケージ等に要求さ
れるディプレス深さを確保しようとすると、サポートバ
ー部に破断等の損傷を来す虞れがある。
ックアウトガイド式の設備を適用したディプレス加工に
おいても、パンチの１回の動作によって得られるディプ
レス深さとしてはリードフレームの板厚の３倍程度が限
界であり、上述したチップサイズパッケージ等に要求さ
れるディプレス深さを確保しようとすると、サポートバ
ー部に破断等の損傷を来す虞れがある。
【０００８】こうした実情に対して昨今では、リードフ
レームに施すディプレス加工を複数回に分割すること
で、当該リードフレームに、より大きなディプレス深さ
を確保しようとする試みもなされている。
レームに施すディプレス加工を複数回に分割すること
で、当該リードフレームに、より大きなディプレス深さ
を確保しようとする試みもなされている。
【０００９】しかしながら、上記の方法は、リードフレ
ームに対して１回目のディプレス加工を施した時点で、
当該リードフレームに加工硬化および内部応力が発生
し、材料の脆化が著しく進行することになるため、２回
目以降のディプレス加工の際に十分な塑性変形を与える
ことができないばかりか、サポートバー部に容易にクラ
ックや破断といった事態を招来する虞れがあり、実用化
には至っていない。
ームに対して１回目のディプレス加工を施した時点で、
当該リードフレームに加工硬化および内部応力が発生
し、材料の脆化が著しく進行することになるため、２回
目以降のディプレス加工の際に十分な塑性変形を与える
ことができないばかりか、サポートバー部に容易にクラ
ックや破断といった事態を招来する虞れがあり、実用化
には至っていない。
【００１０】本発明は、上記実情に鑑みて、クラックや
破断といった事態を招来することなく、ディプレス深さ
を十分に確保することのできる半導体装置用リードフレ
ームの製造方法を提供することを解決課題とする。
破断といった事態を招来することなく、ディプレス深さ
を十分に確保することのできる半導体装置用リードフレ
ームの製造方法を提供することを解決課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明では、半導体素子
を搭載するダイパッド部と、このダイパッド部に搭載し
た半導体素子の電極に対して電気的に接続されるリード
部とを有して成り、これらダイパッド部およびリード部
の間にディプレス加工を複数回施すことにより、前記ダ
イパッド部の表面と前記リード部の表面とを互いに高さ
の異なる平面上に配置させた半導体装置用リードフレー
ムを製造するための方法であって、半導体装置用リード
フレームに対してディプレス加工を施した後、次のディ
プレス加工を施す以前に、当該半導体装置用リードフレ
ームに対して焼き鈍しを施すようにしている。
を搭載するダイパッド部と、このダイパッド部に搭載し
た半導体素子の電極に対して電気的に接続されるリード
部とを有して成り、これらダイパッド部およびリード部
の間にディプレス加工を複数回施すことにより、前記ダ
イパッド部の表面と前記リード部の表面とを互いに高さ
の異なる平面上に配置させた半導体装置用リードフレー
ムを製造するための方法であって、半導体装置用リード
フレームに対してディプレス加工を施した後、次のディ
プレス加工を施す以前に、当該半導体装置用リードフレ
ームに対して焼き鈍しを施すようにしている。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、一実施の形態を示す図面に
基づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本発明に係
る半導体装置用リードフレームの製造方法を順に示した
もので、同図（ｅ）に示すように、０．１２５ｍｍの板
厚に対してディプレス深さＤが０．７７５ｍｍ（板厚の
６．２倍）となるＱＯＮ用リードフレーム１０の製造方
法を例示している。
基づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本発明に係
る半導体装置用リードフレームの製造方法を順に示した
もので、同図（ｅ）に示すように、０．１２５ｍｍの板
厚に対してディプレス深さＤが０．７７５ｍｍ（板厚の
６．２倍）となるＱＯＮ用リードフレーム１０の製造方
法を例示している。
【００１３】まず、この製造方法では、図１（ａ）に示
すように、ＫＬＦ１２５、あるいはＡ４２に代表される
鉄系合金やＡ１９４に代表される銅系合金等のリードフ
レーム用材料によって成形した平板に適宜打ち抜き加工
を施すことにより、ダイパッド部１１、リード部１２、
サポートバー部１３およびリード部枠体１４を有した平
板状のリードフレーム１０を形成する。
すように、ＫＬＦ１２５、あるいはＡ４２に代表される
鉄系合金やＡ１９４に代表される銅系合金等のリードフ
レーム用材料によって成形した平板に適宜打ち抜き加工
を施すことにより、ダイパッド部１１、リード部１２、
サポートバー部１３およびリード部枠体１４を有した平
板状のリードフレーム１０を形成する。
【００１４】次いで、図１（ｂ）に示すように、このリ
ードフレーム１０を第１プレス設備の下型Ｋ1 にセット
し、サポートバー部１３にそれぞれパンチＰを押圧させ
ることにより、リードフレーム１０に対して第１回目の
ディプレス加工を行う。ここで、この第１回目のディプ
レス加工においては、最終的なディプレス深さＤの６割
に相当する深さ、つまりリード部１２の表面１２ａから
ダイパッド部１１の表面１１ａまでの距離Ｄ1 が約０．
４６５ｍｍとなるまで加工を行う。
ードフレーム１０を第１プレス設備の下型Ｋ1 にセット
し、サポートバー部１３にそれぞれパンチＰを押圧させ
ることにより、リードフレーム１０に対して第１回目の
ディプレス加工を行う。ここで、この第１回目のディプ
レス加工においては、最終的なディプレス深さＤの６割
に相当する深さ、つまりリード部１２の表面１２ａから
ダイパッド部１１の表面１１ａまでの距離Ｄ1 が約０．
４６５ｍｍとなるまで加工を行う。
【００１５】第１回目のディプレス加工が終了すると、
次いで、図１（ｃ）に示すように、このリードフレーム
１０に対して、約４５０℃の温度で１０分間加熱し、そ
の後徐冷する処理を施す（焼き鈍し）。
次いで、図１（ｃ）に示すように、このリードフレーム
１０に対して、約４５０℃の温度で１０分間加熱し、そ
の後徐冷する処理を施す（焼き鈍し）。
【００１６】この焼き鈍しの結果、リードフレーム１０
においては、第１回目のディプレス加工の際に発生した
加工硬化や内部応力が除去され、耐脆性が向上して加工
性が改善されることになる。
においては、第１回目のディプレス加工の際に発生した
加工硬化や内部応力が除去され、耐脆性が向上して加工
性が改善されることになる。
【００１７】なお、この焼き鈍しは、リードフレーム１
０の全体に施すようにしてもよいし、ディプレス加工の
対象となるサポートバー部１３に対してのみ施すように
しても構わない。また、焼き鈍しの際の加熱温度および
その保持時間は、リードフレーム１０の材料や形状、大
きさ等の要素に依存するものであり、第１回目のディプ
レス加工の際に発生した加工硬化や内部応力を除去でき
れば、その他の条件を適用してもよい。
０の全体に施すようにしてもよいし、ディプレス加工の
対象となるサポートバー部１３に対してのみ施すように
しても構わない。また、焼き鈍しの際の加熱温度および
その保持時間は、リードフレーム１０の材料や形状、大
きさ等の要素に依存するものであり、第１回目のディプ
レス加工の際に発生した加工硬化や内部応力を除去でき
れば、その他の条件を適用してもよい。
【００１８】リードフレーム１０に対する焼き鈍しが終
了すると、図１（ｄ）に示すように、このリードフレー
ム１０を第２プレス設備の下型Ｋ2 にセットし、サポー
トバー部１３にパンチＰを押圧させることにより、当該
リードフレーム１０に対して第２回目のディプレス加工
を行う。
了すると、図１（ｄ）に示すように、このリードフレー
ム１０を第２プレス設備の下型Ｋ2 にセットし、サポー
トバー部１３にパンチＰを押圧させることにより、当該
リードフレーム１０に対して第２回目のディプレス加工
を行う。
【００１９】その際、上述した焼き鈍しによってリード
フレーム１０の加工性が改善されているため、サポート
バー部１３にクラックや破断といった事態を招来するこ
となく該サポートバー部１３に十分な塑性変形を与える
ことが可能となり、リードフレーム１０に所望のディプ
レス深さＤを確保することができるようになる。
フレーム１０の加工性が改善されているため、サポート
バー部１３にクラックや破断といった事態を招来するこ
となく該サポートバー部１３に十分な塑性変形を与える
ことが可能となり、リードフレーム１０に所望のディプ
レス深さＤを確保することができるようになる。
【００２０】なお、この第２回目のディプレス加工にお
いては、第１回目のディプレス加工の際に適用したパン
チＰと同一形状のパンチＰを適用するようにしている
が、パンチＰの形状は成形すべきサポートバー部１３の
形状によって決定されるものであり、第１回目のディプ
レス加工とは形状の異なるパンチを適用する場合も当然
あり得る。また、第２プレス設備を適用して、つまり第
１回目に適用した第１プレス設備とは異なるプレス設備
を適用して第２回目のディプレス加工を行うようにして
いるが、例えば、同一形状のパンチＰを適用する場合、
下型の交換およびパンチＰのストローク量調整を適宜行
うことによって、同一のプレス設備を適用することが可
能であり、またリードフレーム用材料からのリードフレ
ーム１０の打ち抜き加工を含んで、これら第１回目のデ
ィプレス加工および第２回目のディプレス加工をそれぞ
れ順送り型に構成した場合にも、同一のプレス設備を適
用することができる。さらに、プレス設備としてノック
アウトガイド式のものを適用すれば、リードフレーム１
０に、より大きなディプレス深さＤを確保することも可
能となる。
いては、第１回目のディプレス加工の際に適用したパン
チＰと同一形状のパンチＰを適用するようにしている
が、パンチＰの形状は成形すべきサポートバー部１３の
形状によって決定されるものであり、第１回目のディプ
レス加工とは形状の異なるパンチを適用する場合も当然
あり得る。また、第２プレス設備を適用して、つまり第
１回目に適用した第１プレス設備とは異なるプレス設備
を適用して第２回目のディプレス加工を行うようにして
いるが、例えば、同一形状のパンチＰを適用する場合、
下型の交換およびパンチＰのストローク量調整を適宜行
うことによって、同一のプレス設備を適用することが可
能であり、またリードフレーム用材料からのリードフレ
ーム１０の打ち抜き加工を含んで、これら第１回目のデ
ィプレス加工および第２回目のディプレス加工をそれぞ
れ順送り型に構成した場合にも、同一のプレス設備を適
用することができる。さらに、プレス設備としてノック
アウトガイド式のものを適用すれば、リードフレーム１
０に、より大きなディプレス深さＤを確保することも可
能となる。
【００２１】こうして成形したリードフレーム１０に対
してそのダイパッド部１１に半導体チップ２０を搭載し
た後、該半導体チップ２０の電極とリード部１２との間
をそれぞれワイヤ３０によって接続し、さらにこれら半
導体チップ２０およびワイヤ３０を熱硬化性樹脂４０に
よってモールド封止した後、リードフレーム１０からリ
ード部枠体１４を切除すれば、図１（ｅ）に示すよう
な、ＱＯＮを得ることができる。
してそのダイパッド部１１に半導体チップ２０を搭載し
た後、該半導体チップ２０の電極とリード部１２との間
をそれぞれワイヤ３０によって接続し、さらにこれら半
導体チップ２０およびワイヤ３０を熱硬化性樹脂４０に
よってモールド封止した後、リードフレーム１０からリ
ード部枠体１４を切除すれば、図１（ｅ）に示すよう
な、ＱＯＮを得ることができる。
【００２２】なお、上述した実施の形態では、ＱＯＮ用
リードフレームの製造方法を例示しているが、同様の動
作を行うことによって、ＱＦＮやＳＯＮ等のＣＳＰ用リ
ードフレームに適用することも可能である。また、リー
ド部の表面に対してダイパッド部のチップ搭載側表面が
低位となるリードフレームの製造方法を例示している
が、逆の態様のリードフレームも同様に製造することが
できる。さらに、リードフレームの板厚に対して６．２
倍となるディプレス深さを確保するようにしているが、
ダイパッド部の表面とリード部の表面とが互いに高さの
異なる平面上に配置されるのであれば、その他のものに
ももちろん適用することができる。
リードフレームの製造方法を例示しているが、同様の動
作を行うことによって、ＱＦＮやＳＯＮ等のＣＳＰ用リ
ードフレームに適用することも可能である。また、リー
ド部の表面に対してダイパッド部のチップ搭載側表面が
低位となるリードフレームの製造方法を例示している
が、逆の態様のリードフレームも同様に製造することが
できる。さらに、リードフレームの板厚に対して６．２
倍となるディプレス深さを確保するようにしているが、
ダイパッド部の表面とリード部の表面とが互いに高さの
異なる平面上に配置されるのであれば、その他のものに
ももちろん適用することができる。
【００２３】また、上述した実施の形態では、２回のデ
ィプレス加工によってリードフレームに所望のディプレ
ス深さを確保するようにしているが、ディプレス加工を
３回以上に分割し、各ディプレス加工の間に焼き鈍しを
施すようにしてもよい。なお、複数回に分割したディプ
レス加工の各加工量についても適宜調整することが可能
であり、例えばディプレス加工の回数を重ねる度に加工
量を増大させるようにしてもよい。
ィプレス加工によってリードフレームに所望のディプレ
ス深さを確保するようにしているが、ディプレス加工を
３回以上に分割し、各ディプレス加工の間に焼き鈍しを
施すようにしてもよい。なお、複数回に分割したディプ
レス加工の各加工量についても適宜調整することが可能
であり、例えばディプレス加工の回数を重ねる度に加工
量を増大させるようにしてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ディプレス加工を施した後に半導体装置用リードフレー
ムに対して焼き鈍しを施すようにしているため、該ディ
プレス加工によって生じた加工硬化や内部応力が都度開
放され、半導体装置用リードフレームの加工性が改善さ
れることになる。
ディプレス加工を施した後に半導体装置用リードフレー
ムに対して焼き鈍しを施すようにしているため、該ディ
プレス加工によって生じた加工硬化や内部応力が都度開
放され、半導体装置用リードフレームの加工性が改善さ
れることになる。
【００２５】この結果、半導体装置用リードフレームに
対してクラックや破断といった事態を招来することな
く、ディプレス加工を複数回に分割して施すことが可能
となり、ディプレス深さを十分に確保することができる
ようになる。
対してクラックや破断といった事態を招来することな
く、ディプレス加工を複数回に分割して施すことが可能
となり、ディプレス深さを十分に確保することができる
ようになる。
【図１】本発明に係る半導体装置用リードフレームの製
造方法を順に示した図。
造方法を順に示した図。
【符号の説明】 １０…リードフレーム １１…ダイパッド部 １１ａ…ダイパッド部の表面 １２…リード部 １２ａ…リード部の表面 ２０…半導体チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前門 孝子 福岡県北九州市八幡西区小嶺２丁目10番１ 号 株式会社三井ハイテック内
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するダイパッド部と、
このダイパッド部に搭載した半導体素子の電極に対して
電気的に接続されるリード部とを有して成り、これらダ
イパッド部およびリード部の間にディプレス加工を複数
回施すことにより、前記ダイパッド部の表面と前記リー
ド部の表面とを互いに高さの異なる平面上に配置させた
半導体装置用リードフレームを製造するための方法であ
って、半導体装置用リードフレームに対してディプレス
加工を施した後、次のディプレス加工を施す以前に、当
該半導体装置用リードフレームに対して焼き鈍しを施す
ことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10063443A JPH11260991A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10063443A JPH11260991A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260991A true JPH11260991A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13229413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10063443A Pending JPH11260991A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260991A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110887A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Rohm Co Ltd | アイランド露出型半導体装置 |
| US6402009B1 (en) * | 1999-02-22 | 2002-06-11 | Sony Corporation | Apparatus and method for shaping lead frame for semiconductor device and lead frame for semiconductor device |
| CN105436301A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-03-30 | 重庆大发天地机械制造工业有限公司 | 汽车侧围下槛板边梁端头成型方法 |
| CN109014276A (zh) * | 2018-07-12 | 2018-12-18 | 芜湖凌梦电子商务有限公司 | 用于双层钣金筒体侧面翻等高台阶孔复合模具 |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP10063443A patent/JPH11260991A/ja active Pending
Cited By (5)
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