JPS6244422B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6244422B2 JPS6244422B2 JP57184180A JP18418082A JPS6244422B2 JP S6244422 B2 JPS6244422 B2 JP S6244422B2 JP 57184180 A JP57184180 A JP 57184180A JP 18418082 A JP18418082 A JP 18418082A JP S6244422 B2 JPS6244422 B2 JP S6244422B2
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- JP
- Japan
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- lead frame
- internal
- connecting piece
- lead
- leads
- Prior art date
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に用いるリードフレームの
製造方法に関し、一層詳細には内部リードの先端
部付近につながるように連結片を残してプレス加
工等によつて形状加工し、上記プレス加工時等に
部材中に生じた内部残留歪を熱処理によつて取除
いて後連結片を除去することにより、以後の内部
リード等の変形や捩れを防止でき、ワイヤボンデ
イング等を精度よく行うことができるリードフレ
ームの製造方法に関する。
製造方法に関し、一層詳細には内部リードの先端
部付近につながるように連結片を残してプレス加
工等によつて形状加工し、上記プレス加工時等に
部材中に生じた内部残留歪を熱処理によつて取除
いて後連結片を除去することにより、以後の内部
リード等の変形や捩れを防止でき、ワイヤボンデ
イング等を精度よく行うことができるリードフレ
ームの製造方法に関する。
近年リードフレームを用いた半導体装置の機能
の多様化に伴い、集積度も著しく高まり、半導体
チツプと電気的導通をとる内部リードの本数が増
大している。
の多様化に伴い、集積度も著しく高まり、半導体
チツプと電気的導通をとる内部リードの本数が増
大している。
一方半導体チツプはますます小型化する傾向が
強いから、結局チツプ周辺の内部リードは極めて
密となり、少しの変形や位置ずれでも、リードが
接触してリード間の絶縁不良を起こしたり、自動
のワイヤボンダーを用いる上で障害となつてい
る。
強いから、結局チツプ周辺の内部リードは極めて
密となり、少しの変形や位置ずれでも、リードが
接触してリード間の絶縁不良を起こしたり、自動
のワイヤボンダーを用いる上で障害となつてい
る。
このため、特に内部リード先端付近の寸法精度
の優れたリードフレームが要望されている。
の優れたリードフレームが要望されている。
リードフレームの形状加工においては、金型で
金属帝条を打ち抜くプレス加工方法とレジスト被
膜を塗布して化学的にエツチングする方法とがと
られている。
金属帝条を打ち抜くプレス加工方法とレジスト被
膜を塗布して化学的にエツチングする方法とがと
られている。
上記プレス加工によりリードフレーム形状を成
形する場合、形状を部分的に順次打ち抜いたり、
曲げ加工や平押しなどを行つてリードフレームの
形状を成形する順送型が用いられ、形状の精度と
能率的な加工順序を考慮した加工方法がとられて
いる。
形する場合、形状を部分的に順次打ち抜いたり、
曲げ加工や平押しなどを行つてリードフレームの
形状を成形する順送型が用いられ、形状の精度と
能率的な加工順序を考慮した加工方法がとられて
いる。
しかるに、リードフレーム素材たる金属帯条、
特に低融点ガラス封止型半導体装置に使用するア
ルミクラツド材の場合には、アルミニウム箔を圧
着するなどの製造履歴を経ることから、その製造
工程に起因する残留歪は単なる金属帯条からなる
素材を用いた場合よりも多く帯有しており、これ
に上述のプレス加工での抜き，曲げ，平押しなど
の加工歪が加わつて、プレス加工後の内部リード
先端にこれらの内部残留歪が開放され、内部リー
ド先端にゆがみ，捩れ，そりなどの変形や位置ず
れを生じさせ、リードフレームの寸法精度を損ね
る原因となつている。
特に低融点ガラス封止型半導体装置に使用するア
ルミクラツド材の場合には、アルミニウム箔を圧
着するなどの製造履歴を経ることから、その製造
工程に起因する残留歪は単なる金属帯条からなる
素材を用いた場合よりも多く帯有しており、これ
に上述のプレス加工での抜き，曲げ，平押しなど
の加工歪が加わつて、プレス加工後の内部リード
先端にこれらの内部残留歪が開放され、内部リー
ド先端にゆがみ，捩れ，そりなどの変形や位置ず
れを生じさせ、リードフレームの寸法精度を損ね
る原因となつている。
この内部残留歪による欠点を解消するものとし
て、前述の低融点ガラス封止型半導体装置用のリ
ードフレームにおいては、内部リードの先端をつ
なげた状態でその周囲の打抜きを行い、これをセ
ラミツクベース上に低融点ガラスを用いて固着し
て後、つなげた部分を手作業などにより取り去る
ことにより内部リード間の位置ずれによる接触等
を防止する方法が知られている。
て、前述の低融点ガラス封止型半導体装置用のリ
ードフレームにおいては、内部リードの先端をつ
なげた状態でその周囲の打抜きを行い、これをセ
ラミツクベース上に低融点ガラスを用いて固着し
て後、つなげた部分を手作業などにより取り去る
ことにより内部リード間の位置ずれによる接触等
を防止する方法が知られている。
しかしながらこの方法にあつては、必要なワイ
ヤボンデイング等を施して後、最終的に再度低融
点ガラスを用いて蓋体を熱封止する際に、前述の
リードフレームを固着している低融点ガラスも同
時に軟化させるため、この低融点ガラスによつて
固着され抑えられていた内部残留歪が開放される
に伴つて内部リード先端が前述のごとく変形や位
置ずれをおこし、結局内部リードの接触やワイヤ
ボンデイング不良などを招来することとなつてし
まい、根本的な解決策に至つていない。
ヤボンデイング等を施して後、最終的に再度低融
点ガラスを用いて蓋体を熱封止する際に、前述の
リードフレームを固着している低融点ガラスも同
時に軟化させるため、この低融点ガラスによつて
固着され抑えられていた内部残留歪が開放される
に伴つて内部リード先端が前述のごとく変形や位
置ずれをおこし、結局内部リードの接触やワイヤ
ボンデイング不良などを招来することとなつてし
まい、根本的な解決策に至つていない。
また樹脂封止型半導体装置の場合には、樹脂成
形圧や半導体装置組立工程中における変形防止の
ため、リードフレームの形状形成後に内部リード
をつなげるポリイミド製のシートを貼設してリー
ド位置の保持と補強をするようにしている。
形圧や半導体装置組立工程中における変形防止の
ため、リードフレームの形状形成後に内部リード
をつなげるポリイミド製のシートを貼設してリー
ド位置の保持と補強をするようにしている。
しかし上述のシートを貼設する際にリードの位
置が正確でなかつたり、変形した状態で固定され
ることになるため、ワイヤボンデイング不良や能
率の低下を招来したり、また樹脂封止の際の温度
によるシートの軟化の際に内部残留歪が内部リー
ドの変形や位置ずれを招来することは前述の低融
点ガラスに用いた場合と同様である。
置が正確でなかつたり、変形した状態で固定され
ることになるため、ワイヤボンデイング不良や能
率の低下を招来したり、また樹脂封止の際の温度
によるシートの軟化の際に内部残留歪が内部リー
ドの変形や位置ずれを招来することは前述の低融
点ガラスに用いた場合と同様である。
また、リードフレームを化学的エツチングによ
つて形状加工する場合においても、リードフレー
ム素材たる金属帯条が前述のようにその製造段階
における残留歪を帯有していることから、形状加
工後にやはり内部リードの変形や位置ずれの問題
が生じる。
つて形状加工する場合においても、リードフレー
ム素材たる金属帯条が前述のようにその製造段階
における残留歪を帯有していることから、形状加
工後にやはり内部リードの変形や位置ずれの問題
が生じる。
本発明は以上のような難点を解消すべくなさ
れ、その目的とするところは素材中に帯有してい
る製造段階での残留歪や形状加工で生じた加工歪
等の内部残留歪を完全に取り去ることができ、寸
法精度の高い安定した高品質のリードフレームを
得ることのできるリードフレームの製造方法を提
供することにあり、その特徴とするところは、内
部リードの先端部付近がつながるように連結片を
残して形状加工を行い、この連結片によつて形状
の寸法精度が保持されたままの状態で熱処理（歪
取り焼鈍）を行つて、部材中に帯有している内部
残留歪を取り去つて後に連結片を除去するところ
にある。
れ、その目的とするところは素材中に帯有してい
る製造段階での残留歪や形状加工で生じた加工歪
等の内部残留歪を完全に取り去ることができ、寸
法精度の高い安定した高品質のリードフレームを
得ることのできるリードフレームの製造方法を提
供することにあり、その特徴とするところは、内
部リードの先端部付近がつながるように連結片を
残して形状加工を行い、この連結片によつて形状
の寸法精度が保持されたままの状態で熱処理（歪
取り焼鈍）を行つて、部材中に帯有している内部
残留歪を取り去つて後に連結片を除去するところ
にある。
以下本発明の好適な実施例を添付図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
まず、第１図ａ，第２図ａ，第３図ａのごと
く、プレス加工または化学的エツチング方法によ
つて、その内部リード１０先端をつなぐ連結片１
２を残して所望のリードフレーム形状に形状加工
を行う。
く、プレス加工または化学的エツチング方法によ
つて、その内部リード１０先端をつなぐ連結片１
２を残して所望のリードフレーム形状に形状加工
を行う。
第１図ａおよび第２図ａは低融点ガラス封止型
半導体装置に用いるリードフレームを例示してあ
る。Ａ領域はアルミニウム被膜形成部を示す。連
結片１２は単位リードフレームにおいて内部リー
ド１０の先端を連結するように抜き残されてい
る。
半導体装置に用いるリードフレームを例示してあ
る。Ａ領域はアルミニウム被膜形成部を示す。連
結片１２は単位リードフレームにおいて内部リー
ド１０の先端を連結するように抜き残されてい
る。
連結片１２の内部リード１０先端への連結基部
は幅狭に形成し、後工程における連結片１２の分
離除去を容易にしてもよい。
は幅狭に形成し、後工程における連結片１２の分
離除去を容易にしてもよい。
この分離除去をさらに容易にするためには、連
結基部上面あるいは下面にＶノツチや切断線を刻
設したり、あるいは連結基部において板厚方向に
金属組織のずれが生じるように半剪断加工（金属
組織が一部において連結している）を施すなど
種々考えられる。
結基部上面あるいは下面にＶノツチや切断線を刻
設したり、あるいは連結基部において板厚方向に
金属組織のずれが生じるように半剪断加工（金属
組織が一部において連結している）を施すなど
種々考えられる。
なお連結片１２は、内部リード１０先端部を連
結していることによつて上記のように形状加工を
した際に、素材製造時に素材中に帯有している残
留歪および形状加工時に素材中に生じた加工歪等
が開放されるのを抑え、特に内部リード１０先端
付近が変形するのを防止している。これによつて
リードフレームは所望の寸法精度を有する形状に
保持されている。
結していることによつて上記のように形状加工を
した際に、素材製造時に素材中に帯有している残
留歪および形状加工時に素材中に生じた加工歪等
が開放されるのを抑え、特に内部リード１０先端
付近が変形するのを防止している。これによつて
リードフレームは所望の寸法精度を有する形状に
保持されている。
なお、両者とも図においては１つの連結片１２
によつてすべての内部リード１０の先端を連結し
ているが、内部リード１０を複数群に分け、それ
ぞれの群ごとに各群に属する内部リード先端を連
結するように連結片（図示せず）を複数設けるよ
うにしてもよい。
によつてすべての内部リード１０の先端を連結し
ているが、内部リード１０を複数群に分け、それ
ぞれの群ごとに各群に属する内部リード先端を連
結するように連結片（図示せず）を複数設けるよ
うにしてもよい。
第３図ａは樹脂封止型半導体装置に用いるリー
ドフレームを例示してあり、その連結片１２は単
位リードフレームにおいてステージサポートバー
１４によつて２分される内部リード１０群の各群
の内部リード先端とステージ１６とを連結するよ
うにステージを囲み２箇所に分かれて抜き残され
ている。
ドフレームを例示してあり、その連結片１２は単
位リードフレームにおいてステージサポートバー
１４によつて２分される内部リード１０群の各群
の内部リード先端とステージ１６とを連結するよ
うにステージを囲み２箇所に分かれて抜き残され
ている。
連結片１２の内部リード１０先端への連結基部
は前記実施例で述べたように幅狭に形成するな
ど、後工程における連結片１２の分離除去を容易
にしておいてもよい。
は前記実施例で述べたように幅狭に形成するな
ど、後工程における連結片１２の分離除去を容易
にしておいてもよい。
次に、上記のように形状加工したリードフレー
ムを、その連結片１２を残したまま、すなわち所
要の寸法精度が保持されている状態のまま熱処理
を行い、リードフレーム部材中に残留している前
記のごとき内部残留歪を取り去るようにする。
ムを、その連結片１２を残したまま、すなわち所
要の寸法精度が保持されている状態のまま熱処理
を行い、リードフレーム部材中に残留している前
記のごとき内部残留歪を取り去るようにする。
そして最後に前記連結片１２を適宜抜き型等に
よつて除去せしめることによつて所望の寸法精度
を有するリードフレームに形成できるものである
（第１図ｂ，第２図ｂ，第３図ｂ）。なお連結片１
２を除去する際には、内部リード１０先端部ある
いは他の部位に極力加工歪を生じさせないよう
に、例えば内部リード１０の先端を両面から一様
に平らに押えて、抜き型で連結片１２を切断する
ようにするとよい。
よつて除去せしめることによつて所望の寸法精度
を有するリードフレームに形成できるものである
（第１図ｂ，第２図ｂ，第３図ｂ）。なお連結片１
２を除去する際には、内部リード１０先端部ある
いは他の部位に極力加工歪を生じさせないよう
に、例えば内部リード１０の先端を両面から一様
に平らに押えて、抜き型で連結片１２を切断する
ようにするとよい。
上記熱処理は、第１図に示すリードフレームに
おいて、リードフレーム素材として42アロイ（鉄
−ニツケル合金）材に厚さ６μｍのアルミクラツ
ドを中央部に施した板厚0.25mmのものを用いた場
合に、真空中で500℃、５分間の熱処理をし、徐
冷することによつて内部残留歪を完全に除去しえ
た。この熱処理条件は素材の材質，板厚，素材の
製造履歴，形状形成方法（化学的エツチングかプ
レス加工か）等の条件により最適条件を設定する
とよい。場合によつては430℃、１時間位の処理
条件でも内部残留歪がとれる。なお処理雰囲気は
真空中の他、酸化性，中性，還元性雰囲気等これ
も素材に合わせて選択すればよい。例えばアルミ
クラツド材を用いるときは母材やアルミニウム被
膜の酸化防止のため中性雰囲気中で熱処理するの
がよい。
おいて、リードフレーム素材として42アロイ（鉄
−ニツケル合金）材に厚さ６μｍのアルミクラツ
ドを中央部に施した板厚0.25mmのものを用いた場
合に、真空中で500℃、５分間の熱処理をし、徐
冷することによつて内部残留歪を完全に除去しえ
た。この熱処理条件は素材の材質，板厚，素材の
製造履歴，形状形成方法（化学的エツチングかプ
レス加工か）等の条件により最適条件を設定する
とよい。場合によつては430℃、１時間位の処理
条件でも内部残留歪がとれる。なお処理雰囲気は
真空中の他、酸化性，中性，還元性雰囲気等これ
も素材に合わせて選択すればよい。例えばアルミ
クラツド材を用いるときは母材やアルミニウム被
膜の酸化防止のため中性雰囲気中で熱処理するの
がよい。
また、DIPタイプの半導体装置に用いる曲げ加
工を施したリードフレームの場合には、連結片１
２をつけたままで折り曲げまで行い、熱処理後に
連結片１２を除去する。あるいは折り曲げる前に
熱処理を施してもよい。
工を施したリードフレームの場合には、連結片１
２をつけたままで折り曲げまで行い、熱処理後に
連結片１２を除去する。あるいは折り曲げる前に
熱処理を施してもよい。
なお内部リード，外部リード等の必要部に行う
メツキ処理は、前記連結片１２の除去工程の前後
いずれで行つてもよい。
メツキ処理は、前記連結片１２の除去工程の前後
いずれで行つてもよい。
以上のように本発明に係るリードフレームの製
造方法によれば、内部リードを連結片でつなげ
た、寸法精度のでている状態のまま熱処理を行つ
て内部残留歪を取り去り、しかる後に連結片を除
去するから、リード位置が正確で以後の半導体装
置組立工程などの熱工程等を経ても全く変形する
ことがなく、従来のリードフレームのもつ難点を
すべて解消しうるリードフレームを提供しうる。
造方法によれば、内部リードを連結片でつなげ
た、寸法精度のでている状態のまま熱処理を行つ
て内部残留歪を取り去り、しかる後に連結片を除
去するから、リード位置が正確で以後の半導体装
置組立工程などの熱工程等を経ても全く変形する
ことがなく、従来のリードフレームのもつ難点を
すべて解消しうるリードフレームを提供しうる。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説
明したが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施しうるのはもちろんのことである。
明したが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施しうるのはもちろんのことである。
第１図、第２図はそれぞれ低融点ガラス封止型
半導体装置に用いるリードフレーム、第３図は樹
脂封止型半導体装置に用いるリードフレームを示
し、各図のａは連結片を残して形状加工した説明
図、ｂは連結片を除去した説明図である。 １０……内部リード、１２……連結片、１４…
…ステージサポートバー、１６……ステージ。
半導体装置に用いるリードフレーム、第３図は樹
脂封止型半導体装置に用いるリードフレームを示
し、各図のａは連結片を残して形状加工した説明
図、ｂは連結片を除去した説明図である。 １０……内部リード、１２……連結片、１４…
…ステージサポートバー、１６……ステージ。
Claims (1)
- １ 半導体装置用のリードフレームの製造方法に
おいて、半導体チツプと電気的導通をとるための
内部リードの先端部付近がつながるように連結片
を残して所要の形状加工を行い、リードフレーム
部材中に帯有する内部残留歪がとれる熱処理を行
つて後、前記連結片を除去することを特徴とする
リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18418082A JPS5972754A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18418082A JPS5972754A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972754A JPS5972754A (ja) | 1984-04-24 |
| JPS6244422B2 true JPS6244422B2 (ja) | 1987-09-21 |
Family
ID=16148757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18418082A Granted JPS5972754A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5972754A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0620106B2 (ja) * | 1985-07-24 | 1994-03-16 | 新光電気工業株式会社 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| GB8523126D0 (en) * | 1985-09-19 | 1985-10-23 | Ici Plc | Aryl pyridones |
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- 1982-10-19 JP JP18418082A patent/JPS5972754A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5972754A (ja) | 1984-04-24 |
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