JPS61150358A - リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 - Google Patents

リ−ドフレ−ムおよびその製造方法

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JPS61150358A
JPS61150358A JP27854584A JP27854584A JPS61150358A JP S61150358 A JPS61150358 A JP S61150358A JP 27854584 A JP27854584 A JP 27854584A JP 27854584 A JP27854584 A JP 27854584A JP S61150358 A JPS61150358 A JP S61150358A
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JP
Japan
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lead
lead frame
leads
frame
metal strip
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Application number
JP27854584A
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English (en)
Inventor
Toshiyuki Murakami
村上 俊幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はリードフレー ムのリード数の多リード化を可
能にするリードフレームおよびその製造方法に関する。
(背景技術とその問題点) 近年半導体素子は高密度化の一途を辿っており、これに
対応して用いられるリードフレームも多リード化を余儀
なくされている。
このようなリードフレームの多リード化には種々の問題
点がある。
すなわち、半導体素子は半導体製造技術の進歩向上によ
り高密度化に伴って小型化する傾向にある。
そしてまた、ボンディングワイヤとリードとのワイヤボ
ンディングの信頼性を確保したり、捩れ等の変形防止の
ため一定の機械的強度を確保する必要上、リード幅は一
定幅以上を確保する必要がある。
以上の事情から、リードフレームの多リード化を図るに
は、リード間隔を狭めるか、あるいは第8図の(alか
ら(b)に示すように、リード先端を半導体素子搭載部
から後退させることによってリード数を増加させるほか
ない。
ところで、リードフレームの製造はプレス加工によるも
のが多いが、このプレス加工において、リード間隔を狭
めるには限界がある。すなわちポンチの座屈防止のため
、打ち抜き加工による最小抜き幅は一般に材厚程度が限
界とされるからである。したがって例えば材厚が0.2
5mのものであれば、抜き幅は0.25*n以下にする
ことは難しい。このように、リード間隔を狭めるにも加
工上の制約があるのである。
なおリードフレームの製造には、化学的エツチングによ
る抜き加工も採用されているが、リード間の最小抜き幅
はやはり材厚程度以下とすることは困難とされている。
また前述の第8図(b)のようにリード先端を半導体素
子搭載部より後退させればリード数の増加は可能である
が、半導体装置の小型化という要請に反するばかりか、
リード先端と半導体素子とを電気的に接続するボンディ
ングワイヤが長くなり、ボンディングワイヤ同士の接触
事故等を招来し信頼性が低下する。
その他にリードフレームの多リード化の方法として考え
られることは、リードフレーム素材の材厚を従来よりも
薄くすることであるが、薄肉化に伴いリードフレームが
変形するなど機械的強度が不十分となり、やはり限界が
ある。
(発明の概要) 本発明は上記問題点を解消すべくなされたものであり、
その目的とするところはリード数の多いリードフレーム
およびその効果的な製造方法を提供するにある。
またその特徴とするところは、外部リード部と、半導体
素子との間でワイヤボンディングされる内部リード部と
を少なくとも有するリードフレームにおいて、内部リー
ド部が密となる範囲を含む領域が、外部リード部を含む
領域よりも薄肉に形成されているところにある。また、
金属帯条にプレス加工もしくは化学的エツチングによる
抜き加工を施すリードフレームの製造方法において、形
成すべきリードフレームの内部リード部先端付近の、内
部リード部パターンが密となる範囲を含む金属帯条部分
に凹所を形成して薄肉化し、この薄肉化した凹所に前記
内部リード部パターンが密となる範囲を含む抜き加工を
施すところにある。
(実施例) 第1図(a)は本発明に係るリードフレームの一例であ
るスルーゲートタイプのリードフレーム10の平面図を
示す。
図において12は外部リード部、14はこれに続く内部
リード部であり半導体素子を搭載するステージ部16を
放射状に囲んでいる。そして外部リード部12基部にお
いて2本の平行なレール部18.18に接続している。
20は隣接する各単位リードフレーム間の境界部に、レ
ール部18.18に差し渡し状態に接続している補強バ
ーである。補強バー20は外部リード部12、内部リー
ド部14よりは幅広に形成されている。そして前記のス
テージ部16はステージサポートパー22によってこの
補強バー20に接続している。
24.24はダムバーであり、外部リード部12と内部
リード部14の境界部にレール部18.18と平行に伸
びている。
上記スルーゲートタイプのリードフレーム10の特徴は
、第1図山)の断面図から明らかなように、ダムバー2
4とダムバー24間の、内部リード部14および補強バ
ー20(さらにステージ部16およびステージサポート
パー22)が、レール部18.18および外部リード部
12よりも薄肉に形成されている点にある。寸法を例示
すると、厚肉部の厚さは0.127〜0.25+n、こ
れに対して薄肉部の厚さは0.1mm以下に設定しであ
る。
前記の補強バー20は、この゛薄肉部の強度を補強する
ためのものであるが、前記のように幅広に形成すること
の他に、第2図(a)、 (b)に例示するようにダム
バー24との接続基部を広くするようにしてもよい。
このスルーゲートタイプのリードフレーム10は、リー
ドフレーム10の中央部が薄肉であるから、単位リード
フレームが複数個つながったリードフレーム片に、各単
位リードフレームに対応して一時に樹脂モールドする際
に、1つの樹脂注入口から前記の薄肉部を通じて、各単
位リードフレーム部に好適に樹脂を供給することができ
る。
続いて上記リードフレーム10の製造手順について述べ
る。
第3図はリードフレーム素材の金属帯条26の断面図を
示す。図から明らかなように、この金属帯条26は幅方
向中央部が凹設され薄肉に形成されている。この薄肉部
は前述の得るべきリードフレーム10の両ダムバー24
.24間に対応している。
この薄肉部を形成するには金属帯条を切削加工や圧延加
工によって形成しうるが、プレス加工によっても形成す
ることができる。
なお薄肉化やプレス加工等による加工歪は、薄肉部と厚
肉部との境界部たる、凹部のコーナ一部に集中して反り
等の原因となりやすいから、第4図に示すようにコーナ
一部を曲面に形成して、薄肉部から徐々に厚みを増して
厚肉部に連続するように加工を施すのが好適である。
なお、このように薄肉部から徐々に厚みを増して厚肉部
に連続するようにすることによって、後記するようにプ
レスによる抜き加工によってリードが形成された際、該
リードの強度を補強し、リードの捩れ、反り等の変形を
避ける効果をも有する。
また上記において、薄肉部の領域は両ダムバー24.2
4間と設定したが、これに限られるものではなく、内部
リード部14がステージ部16を囲んで放射状に集中し
て、密なパターンとなる領域が少なくとも薄肉に形成さ
れていればよい。
このように幅方向中央部があらかじめプレス加工等によ
って薄肉に形成されている金属帯条26を用いて、前記
得るべきリードフレーム10のパターンに対応したプレ
ス金型によって所要のパターンのリードフレームにプレ
ス加工することができる。なお化学的エツチングによっ
て所要のリードフレームパターンに形成するようにして
もよい。
また以上の実施例においては、あらかじめ幅方向中央部
が薄肉に加工された金属帯条26を用いたが、平板状の
金属帯条を用いて、薄肉化の加工とリードフレーム形成
加工とを併行して行うようにしてもよい。
すなわち、金属帯条を順送型によって所定長さずつ間欠
送りしながら、まず金属帯条の所定長さ範囲に亘って、
幅方向中央部が凹設されるプレス加工を行い、次いでこ
の部分に所要パターンのプレス金型を用いてリードフレ
ーム形成のプレス加工を行うものである。
第5図はリードフレームの他の実施例を示す。
このリードフレームは、レール部18.18に対して、
リードフレームパターンが上記のスルーゲートタイプの
リードフレームパターンとは直交する方向に配されてい
る。すなわちダムバー24゜24によってレール部18
.18に接続している。
そして図の破線で示される枠A内、すなわちステージ部
16を放射条に囲む内部リード部14のパターンが密な
る範囲内の内部リード部14が、周辺の外部リード部1
2やレール部18.18に比して薄肉に形成されている
このリードフレームを製造する場合には、第6図に示す
ように、金属帯条26に、まず上記の破線で囲まれる枠
A位置に対応するように、プレス加工によって凹部Bを
形成して薄肉化し、次いで所要のパターンのプレス金型
等を用いて所要パターンの抜き加工を施すものである。
第7図は製造方法のさらに他の実施例を示す。
本実施例においては、同図(a)に示すように、まず平
板状の金属帯条26に、ステージ部を放射状に囲む内部
リード部の密なる範囲において、内部リード部の抜き加
工の抜き線を含む、抜き線よりは幅広の凹溝30を内部
リード部パターンに合せてプレス加工によって形成して
薄肉化し、次いで同図Tb)のごとく、この凹溝30底
部を所要のプレス金型等によって抜き線間を抜き加工(
32は抜き線を示す)するものである。
(発明の効果) 以上のように本発明によれば、形成すべきリードフレー
ムの、内部リード部先端部付近の、内部リード部パター
ンが密となる範囲を含む金属帯条部分に凹所を形成して
薄肉化し、この凹所内に抜き加工を施すことによって、
リード間隔を小さく設定しても、プレス加工あるいは化
学的エツチングによって無理なく加工することができ、
リード数の多いリードフレームを効果的に製造すること
ができる。
また得られたリードフレームも、レール部、外部リード
部、ダムバー等が所要の厚さに確保しうるから、強度的
にも十分であり、変形等が生じるおそれもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るリードフレームの一例であるスル
ーゲートタイプのリードフレームを示し、(alはその
平面図、(b)は断面図である。第2図は補強バーの他
の実施例を示す説明図1.第3図および第4図は用いる
金属帯条素材を示す断面図である。第5図はリードフレ
ームの他の実施例を示す平面図、第6図はその金属帯条
素材を示す平面図である。第7図は他の製造工程を示す
説明図である。第8図は従来の多リード化を図る方法の
一例を示す説明図である。 IO・・・リードフレーム、  12・・・外部リード
部、  14・・・内部リード部、   16・・・ス
テージ部、  18・・・レール部、   20・・・
補強バー、  22・・・ステージサポートバー、  
24・・・ダムバー、  26・・・金属帯条、  3
0・・・凹溝、  32・・・抜き加工。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、外部リード部と、半導体素子との間でワイヤボンデ
    ィングされる内部リード部とを少なくとも有するリード
    フレームにおいて、内部リード部が密となる範囲を含む
    領域が、外部リード部を含む領域よりも薄肉に形成され
    て成るリードフレーム。 2、金属帯条にプレス加工もしくは化学的エッチングに
    よる抜き加工を施すリードフレームの製造方法において
    、 形成すべきリードフレームの内部リード部 先端付近の、内部リード部パターンが密となる範囲を含
    む金属帯条部分に凹所を形成して薄肉化し、この薄肉化
    した凹所に前記内部リード部パターンが密となる範囲を
    含む抜き加工を施すことを特徴とするリードフレームの
    製造方法。
JP27854584A 1984-12-25 1984-12-25 リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 Pending JPS61150358A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5391439A (en) * 1990-09-27 1995-02-21 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Leadframe adapted to support semiconductor elements
JP2012142621A (ja) * 2012-04-13 2012-07-26 Apic Yamada Corp Ledパッケージ用基板、ledパッケージ用基板の製造方法、ledパッケージ用基板のモールド金型、ledパッケージ、及び、ledパッケージの製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55163868A (en) * 1979-06-08 1980-12-20 Fujitsu Ltd Lead frame and semiconductor device using the same

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