JPS62165348A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS62165348A
JPS62165348A JP623686A JP623686A JPS62165348A JP S62165348 A JPS62165348 A JP S62165348A JP 623686 A JP623686 A JP 623686A JP 623686 A JP623686 A JP 623686A JP S62165348 A JPS62165348 A JP S62165348A
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JP
Japan
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groove
outer lead
lead
semiconductor device
envelope
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JP623686A
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Hiroshi Yamamoto
浩 山本
Shigeki Takeo
竹尾 重樹
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は例えばDIP型ICのように外囲器からアウ
タリードを突出し、これに曲げ加工部を有する半導体装
置に適用されるものである。
〔発明の技術的背景〕
従来、−例の半導体装置でDIP型ICのように外囲器
からアウタリードが突出し、これが中途に曲げ加工部を
有するものがある。このような構造のICは第2図に示
されるリードフレーム100によって以下に説明するよ
うに構成される。すなわち、同図のリードフレーム10
0は両サイドのフレーム部101,101と、これらの
間にリード状部102a、 102aで架橋支持された
チップベッド102と、この外側   □にこれとは離
隔して放射状に延びるインナリード部103a、 10
3a・・・およびこれらのインナリード部は外囲器の外
で二列に延びるアウタリード部103b。
103b・・・からなるリード部103.103・・・
からなっている。そして、上記チップベッド102に半
導体チップがマウントされ、その電極群が金属細線(半
導体チップ、金属細線とも図示省略)で対応するインナ
リード端に接続され、さらに、図中に二点鎖線で示され
る域104に封止樹脂が施されて第3図に示されるよう
な外囲器105が形成される。また、第3図に見られる
ように、外囲器105から突出したアウタリード部10
3b、 103b・・・はリードフレームから切離され
るとともに曲げ加工が施される。この曲げ加工はアウタ
リードに大きな曲げ応力を加えるのみならず、アウタリ
ードを突出している外囲器の封止樹脂との界面の間隙を
増大したり、封止樹脂へのダメージ例えばクラックや欠
けを発生させたりなどする。
上記曲げ加工の応力を低減させるために従来、第3図a
に示すように、アウタリート部+03b。
103b・・・に透孔]13b、 113b・・・を設
け、あるいは第3図すに示すように、アウタリード部+
03b、 103b・・・の側面に切欠123b、 1
23b・・・を設けるなどの手段が講ぜられていた。ま
た、第4図に示すように曲げ加工部の内側主面に化学的
エツチング、あるいはプレスでのパンチング等を施して
該部の板厚tをリード部の板厚Tよりも低減させるなど
の手段が講ぜられていた。
〔背景技術の問題点〕
上記従来の技術によると、アウタリードの曲げ加工時の
封止樹脂、封止樹脂とアウタリード間界面における悪影
響は緩和されるが、加工後のアウタリードの強度に問題
がある。すなわち、製品の工程間の搬送、取扱工程、検
査工程等、さらには製品の使用者における使用時にリー
ドの変形を生じやすく、製品価値を著しく低下させる重
大な問題がある。
〔発明の目的〕
この発明は」二記従来の問題点に鑑みアウタリードの曲
げ加工部の構造に改良を施した半導体装置を提供する。
〔発明の概要〕
この発明の半導体装置は外囲器からアウタリードを突出
させこれに曲げ加工を施した半導体装置のアウタリード
の曲げ加工部の主面にその長手方向に設けられた溝を有
することを特徴とするもので、アウタリードの曲げ加工
時の曲げ応力を低減し、外囲器のリード封着に係る問題
を対策するとともにアウタリードの変形を防止できる。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の実施例につき第1図を参照して説明す
る。なお、説明において従来と変わらない部分について
は図面に従来と同じ符号を付けて示し説明を省略する。
第1図aはDTP型ICのアウタリードの曲げ加工部の
側面図で、樹脂封止外囲器105の側面から突出したア
ウタリード11はその曲げ加工部の内側主面にこのアウ
タリードの長手方向に設けられた溝12を備える。上記
溝12はリードフレーム製造時に化学エツチング、ある
いはプレス工程でパンチングを施して簡易に達成できる
。そして溝の形状は第1図aのAA線に沿う断面で例示
する第1図C−8の如く、三角溝12a、半だ円満(半
円溝)’12b 、角溝12c等でよく、溝の深さは半
導体装置の品種、リードフレームの材質、設計等に絨づ
いて、また、溝の形状によって個々に設定してよいが約
10〜40%の範囲で効果があり、かつ障害も伴わない
。なお、上記溝は第1図aは曲げ加工部の内側主面に設
けた例であるが、外側主面に設けた第1図すの溝22の
如くしてもよく、また、この溝22の形状も」二記第1
図c−eに示されたものと同じでよい。
〔発明の効果〕
この発明によれば、曲げ加工時におけるアウタリードに
加わる曲げ応力が緩和され、外囲器の封止樹脂、および
アウタリードと封止樹脂との界面に対するダメージ、す
なわち、封止樹脂の欠け、クラックや封止樹脂との間隙
発生などが防止でき、また、アウタリードのフォーミン
グ不良やリードの強度不良、変形等が低減した。叙上に
より、半導体装置の品質の向上と安定に著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の半導体装置の実施例にががり、第1
図aと第1図すは曲げ加工部の側面図、第1図C−8は
いずれも溝の形状を示す断面図、第2図はリードフレー
ムの正面図、第3図a、bはいずれも従来の半導体装置
の斜視図、第4図は従来の半導体装置の曲げ加工部の側
面図である。 11  ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・アウタリード12、22  ・・・・・・・・・
・・・・・・・・・アウタリードの溝12a、 12b
、 12c・・・・・・・・・溝の形状代理人 弁理士
 井 」ニ − 男 (cL)               (fr)第 
 1  図 /′″′ 第 2 図 第  3  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 外囲器から突出したアウタリードに曲げ加工の施された
    半導体装置において、アウタリードの曲げ加工部主面に
    このアウタリードの長手方向に設けられた溝を有するこ
    とを特徴とする半導体装置。
JP61006236A 1986-01-17 1986-01-17 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0815192B2 (ja)

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