JPS60137048A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS60137048A JPS60137048A JP58250540A JP25054083A JPS60137048A JP S60137048 A JPS60137048 A JP S60137048A JP 58250540 A JP58250540 A JP 58250540A JP 25054083 A JP25054083 A JP 25054083A JP S60137048 A JPS60137048 A JP S60137048A
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- JP
- Japan
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- boundary
- sealed
- molding resin
- lead
- external
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- Pending
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフ
レームに関する。
レームに関する。
従来例の構成とその問題点
樹脂封止型半導体装置は、通常、平板状のリードフレー
ム上に半導体素子をボンディングし、さらに、半導体素
子上の電極とリードフレームのリード部との間をワイヤ
ーで接続して得た組立構体を、エポキシ等の成形用樹脂
で封止することによって形成される。ところで、デュア
ルインライン（Ｄ Ｉ Ｌ）パッケージ、フラットパッ
ケージ、あるいは、チップキャリアなどでは、一般に樹
脂封止の後に外部に導出された外部リニドが適当な角度
に折り曲けられる。第１図は、外部リードに折り曲げ加
工が施されて完成したＤＩＬパッケージ構造の樹脂封止
形半導体装置を示す断面図で、ｌ、半導体素子１がリー
ドフレームの基板支持部２に接着され、さらに半導体素
子１の電極と外部リード３との間がワイヤー４で接続さ
れた組立構体を成形用樹脂５で封止し、さらに、成形樹
脂の外部に導出される外部リードを破線枠の部分で折り
曲げた構造となっている。この構造では外部リードの折
り曲げ部人が成形用樹脂から導出部Ｂと離れているため
、折り曲げ加工時の機械的応力が外部リードを成形用樹
脂との境界部に集中することが少なく、境界部にクラン
クや間隙の発生することも少ない。一方、チップキャリ
ヤ構造の場合には第２図にその断面構造を示すように、
外部リード３の折り曲げ加工が成形用樹脂の外面に沿っ
てなされる。このため、外部リードの折り曲げ加工で生
じる機械的な応力が外部リード導出部の外部す−ドと成
形用樹脂との境界部で折り曲げ方向とは逆の部分に集中
し、クラック６や間隙７の発生が顕著になり、半導体装
置の耐湿性が著しく低下する不都合を招く。なお、Ｄ工
Ｌパッケージ構造でも折り曲げ時の機械的応力が境界部
に作用することは避けられず、チップキャリヤ構造のも
のほどではないが、やはり、クラックや間隙の発生する
不都合が生じる。
ム上に半導体素子をボンディングし、さらに、半導体素
子上の電極とリードフレームのリード部との間をワイヤ
ーで接続して得た組立構体を、エポキシ等の成形用樹脂
で封止することによって形成される。ところで、デュア
ルインライン（Ｄ Ｉ Ｌ）パッケージ、フラットパッ
ケージ、あるいは、チップキャリアなどでは、一般に樹
脂封止の後に外部に導出された外部リニドが適当な角度
に折り曲けられる。第１図は、外部リードに折り曲げ加
工が施されて完成したＤＩＬパッケージ構造の樹脂封止
形半導体装置を示す断面図で、ｌ、半導体素子１がリー
ドフレームの基板支持部２に接着され、さらに半導体素
子１の電極と外部リード３との間がワイヤー４で接続さ
れた組立構体を成形用樹脂５で封止し、さらに、成形樹
脂の外部に導出される外部リードを破線枠の部分で折り
曲げた構造となっている。この構造では外部リードの折
り曲げ部人が成形用樹脂から導出部Ｂと離れているため
、折り曲げ加工時の機械的応力が外部リードを成形用樹
脂との境界部に集中することが少なく、境界部にクラン
クや間隙の発生することも少ない。一方、チップキャリ
ヤ構造の場合には第２図にその断面構造を示すように、
外部リード３の折り曲げ加工が成形用樹脂の外面に沿っ
てなされる。このため、外部リードの折り曲げ加工で生
じる機械的な応力が外部リード導出部の外部す−ドと成
形用樹脂との境界部で折り曲げ方向とは逆の部分に集中
し、クラック６や間隙７の発生が顕著になり、半導体装
置の耐湿性が著しく低下する不都合を招く。なお、Ｄ工
Ｌパッケージ構造でも折り曲げ時の機械的応力が境界部
に作用することは避けられず、チップキャリヤ構造のも
のほどではないが、やはり、クラックや間隙の発生する
不都合が生じる。
発明の目的
本発明の目的は、外部リードに折り曲げ加工を１＠ し
ても、発生する機械的応力が小さく、外部リードと、成
形用樹脂との境界部にクラックや割れをもたらすことの
ないリードフレームの提供にある。
ても、発生する機械的応力が小さく、外部リードと、成
形用樹脂との境界部にクラックや割れをもたらすことの
ないリードフレームの提供にある。
発明の構成
本発明の半導体装置用リードフレームは、外部リードの
、成形用樹脂で被覆される部分と成形用樹脂の外部に導
出される部分との境界部近傍の断面積を他の部分の断面
積よりも狭小にして、部分的に曲げ強度を低下させ、折
り曲げ加工時に外部リードと成形用樹脂との境界に集中
する機械的な応力を小さくするようにした形状を具備し
ている。
、成形用樹脂で被覆される部分と成形用樹脂の外部に導
出される部分との境界部近傍の断面積を他の部分の断面
積よりも狭小にして、部分的に曲げ強度を低下させ、折
り曲げ加工時に外部リードと成形用樹脂との境界に集中
する機械的な応力を小さくするようにした形状を具備し
ている。
このリードフレームの使用によれば、樹脂封止型半導体
装置の耐湿性を著しく向上させることができる。
装置の耐湿性を著しく向上させることができる。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を第３図を参照して説明する。第
３図（ａ）は、本発明にかかる樹脂封止形チップキャリ
ヤ用リードフレームの構成を示す平面図である。図示す
るように、本発明のリードフレームは、破線枠８の内部
に位置する被封止部と、外ｔ′＃１Ｓに位置する非封止
部とからなっている。そして、被封止部は、基板支持部
２１および所定本数の被封止外部リード部分３１で構成
され、一方、非封止外部は、被封止外部リード部分３１
のそれぞれに繋がる外部導出リード部分３２と、これら
を相互に連結する連結細条９で構成されている。
３図（ａ）は、本発明にかかる樹脂封止形チップキャリ
ヤ用リードフレームの構成を示す平面図である。図示す
るように、本発明のリードフレームは、破線枠８の内部
に位置する被封止部と、外ｔ′＃１Ｓに位置する非封止
部とからなっている。そして、被封止部は、基板支持部
２１および所定本数の被封止外部リード部分３１で構成
され、一方、非封止外部は、被封止外部リード部分３１
のそれぞれに繋がる外部導出リード部分３２と、これら
を相互に連結する連結細条９で構成されている。
また、被封止部と非封止部との境界、すなわち、被封止
外部リード部分３１と外部導出リード部分３２との境界
部分３３は、幅の狭い繰れた形状とされている。
外部リード部分３１と外部導出リード部分３２との境界
部分３３は、幅の狭い繰れた形状とされている。
第３図（ｂ）は、境界部分３３の近傍を拡大して示した
図であり、図示するように境界部分３３の幅７！１は、
この両側に位置する被封止外部リード部分３１および外
部導出リード部分３２０幅１２よりもかなり狭くなって
いる。捷だ、第３図（Ｃ）は第３図（ｂ）に対応する要
部の拡大斜視図であり、幅１１の部分は幅１２の部分に
比べて、その厚さも薄くなっている。このようにして出
来たリードフレームに対する成形用樹脂による封止は、
第３図で示す成形用樹脂外殻の側面が境界部分３３の位
置、例えば、破線８に清って位置する関係を成立させて
行なう。
図であり、図示するように境界部分３３の幅７！１は、
この両側に位置する被封止外部リード部分３１および外
部導出リード部分３２０幅１２よりもかなり狭くなって
いる。捷だ、第３図（Ｃ）は第３図（ｂ）に対応する要
部の拡大斜視図であり、幅１１の部分は幅１２の部分に
比べて、その厚さも薄くなっている。このようにして出
来たリードフレームに対する成形用樹脂による封止は、
第３図で示す成形用樹脂外殻の側面が境界部分３３の位
置、例えば、破線８に清って位置する関係を成立させて
行なう。
なお、境界部分３３を幅の狭い形状とするために特別な
加工は不要であり、リードフレームを形成するために金
属原板に施す打ち抜き加工で使用する打ち抜き型あるい
はエツチング加工におけるマスクパターンを一部変更す
るだけでよい。また境界部分３３の厚さを薄くするには
、上記の打ち抜きあるいは、エツチングで平面形状を形
成したのち、境界部分３３以外をマスクして、エツチン
グすることによって達成できる。
加工は不要であり、リードフレームを形成するために金
属原板に施す打ち抜き加工で使用する打ち抜き型あるい
はエツチング加工におけるマスクパターンを一部変更す
るだけでよい。また境界部分３３の厚さを薄くするには
、上記の打ち抜きあるいは、エツチングで平面形状を形
成したのち、境界部分３３以外をマスクして、エツチン
グすることによって達成できる。
発明の効果
本発明のリードフレームは、外部リードの成形用樹脂外
殻から導出される部分の断面積を局部的に小さくして、
折り曲げ強度を低くしているため、樹脂封止後に外部リ
ードに折り曲げ加工を施しても、外部リードと成形用樹
脂との境界に大きな応力が集中することはない。したが
って、成形樹脂外殻にクラックが生じること、あるいは
、外部リードと成形用樹脂との間に間隙が発生すること
などに起因する耐湿性低下の不都合をことごとく排除す
ることができ、樹脂封止形半導体装置の信頼性を著しく
高める効果が萎される。
殻から導出される部分の断面積を局部的に小さくして、
折り曲げ強度を低くしているため、樹脂封止後に外部リ
ードに折り曲げ加工を施しても、外部リードと成形用樹
脂との境界に大きな応力が集中することはない。したが
って、成形樹脂外殻にクラックが生じること、あるいは
、外部リードと成形用樹脂との間に間隙が発生すること
などに起因する耐湿性低下の不都合をことごとく排除す
ることができ、樹脂封止形半導体装置の信頼性を著しく
高める効果が萎される。
第１図は、ＤＩＬパッケージ構造の樹脂封止形半導体装
置を示す断面図、第２図は、チップキャリヤ構造の樹脂
封止型半導体装置を示す断面図、第３図（ａ）、 （ｂ
）および（Ｑ）は、本発明実施例の樹脂封止形チップキ
ャリヤ用リードフレームの構造を示す平面図、その要部
を拡大して示した平面図、およびその斜視図である。 １・・・・・半導体素子、２，２１・・・・・・基板支
持部、３・・・・外部リード、４・・・・・ワイヤー（
金線細線）、５・・・・・成形用樹脂、６・・・・・・
クラック、γ・・・・・・間隙、９・・・・・・連絡ａ
条、３１・・・・・・被封止外部リード部分、３２・・
・・・・外部導出リード部分、３３・・・・・・境界部
分。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第 ２ 図 ３図
置を示す断面図、第２図は、チップキャリヤ構造の樹脂
封止型半導体装置を示す断面図、第３図（ａ）、 （ｂ
）および（Ｑ）は、本発明実施例の樹脂封止形チップキ
ャリヤ用リードフレームの構造を示す平面図、その要部
を拡大して示した平面図、およびその斜視図である。 １・・・・・半導体素子、２，２１・・・・・・基板支
持部、３・・・・外部リード、４・・・・・ワイヤー（
金線細線）、５・・・・・成形用樹脂、６・・・・・・
クラック、γ・・・・・・間隙、９・・・・・・連絡ａ
条、３１・・・・・・被封止外部リード部分、３２・・
・・・・外部導出リード部分、３３・・・・・・境界部
分。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第 ２ 図 ３図
Claims (1)
- 外部リードの、成形用樹脂の内部に封止される部分と、
外部へ導出される部分との境界部分に、断面積の小さい
細部を設けたことを特徴とする半導体装置用リードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250540A JPS60137048A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250540A JPS60137048A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60137048A true JPS60137048A (ja) | 1985-07-20 |
Family
ID=17209423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58250540A Pending JPS60137048A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60137048A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4920074A (en) * | 1987-02-25 | 1990-04-24 | Hitachi, Ltd. | Surface mount plastic package semiconductor integrated circuit, manufacturing method thereof, as well as mounting method and mounted structure thereof |
| US5391439A (en) * | 1990-09-27 | 1995-02-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Leadframe adapted to support semiconductor elements |
| JP2002033433A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製法 |
| JP2017216294A (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP58250540A patent/JPS60137048A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4920074A (en) * | 1987-02-25 | 1990-04-24 | Hitachi, Ltd. | Surface mount plastic package semiconductor integrated circuit, manufacturing method thereof, as well as mounting method and mounted structure thereof |
| US5391439A (en) * | 1990-09-27 | 1995-02-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Leadframe adapted to support semiconductor elements |
| JP2002033433A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製法 |
| JP2017216294A (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
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