JPH04346257A - 半導体用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体用リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JPH04346257A JPH04346257A JP11849891A JP11849891A JPH04346257A JP H04346257 A JPH04346257 A JP H04346257A JP 11849891 A JP11849891 A JP 11849891A JP 11849891 A JP11849891 A JP 11849891A JP H04346257 A JPH04346257 A JP H04346257A
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- Japan
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- semiconductor
- lead frame
- mounting part
- element mounting
- semiconductor element
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路(IC)チッ
プなどの半導体素子の組立てに用いられる樹脂封止型等
の半導体用リードフレームの製造方法に関するものであ
る。
プなどの半導体素子の組立てに用いられる樹脂封止型等
の半導体用リードフレームの製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来この種の半導体用のリードフレーム
は図4に示すように、所定数に区分されたリードフレー
ム素体としてのリードフレーム5と、半導体素子載置部
6と、半導体素子載置部6をリードフレーム5に支持す
るための吊りリード6aと、半導体素子載置部6に搭載
される半導体素子の各々の電極端子をワイヤ線を介して
外部に導出するための外部接続用の複数のリード7を具
備し、これらリード7が、半導体素子載置部6の周辺に
それぞれ所定の距離離間して配設された内部リード8と
、この内部リード8の他端側に互いに連接して平行に配
設された外部リード部9により構成されている。また前
記各リード7の中間部分には、これらリード7の離間位
置を安定に保つとともに、樹脂封止の際に当該樹脂が外
部へ漏出するのと防止するためにダイバー10が一体に
連結されている。
は図4に示すように、所定数に区分されたリードフレー
ム素体としてのリードフレーム5と、半導体素子載置部
6と、半導体素子載置部6をリードフレーム5に支持す
るための吊りリード6aと、半導体素子載置部6に搭載
される半導体素子の各々の電極端子をワイヤ線を介して
外部に導出するための外部接続用の複数のリード7を具
備し、これらリード7が、半導体素子載置部6の周辺に
それぞれ所定の距離離間して配設された内部リード8と
、この内部リード8の他端側に互いに連接して平行に配
設された外部リード部9により構成されている。また前
記各リード7の中間部分には、これらリード7の離間位
置を安定に保つとともに、樹脂封止の際に当該樹脂が外
部へ漏出するのと防止するためにダイバー10が一体に
連結されている。
【0003】ところで、このようなリードフレームを用
いて半導体装置を製造する場合、半導体素子の組立てに
際しては、リードフレームに部分的なボンディング用金
属めっきを施すことが行われる。従来の方式による半導
体リードフレームは、鉄ニッケル合金または銅合金など
の金属泊をリードフレーム形状に加工した後、部分的な
ボンディング用金属めっきを施した後、図4に示すよう
な半導体リードフレームが製造されている。また部分的
なボンディング用金属めっきを施す工程においては、リ
ードフレームの一方の面にチップボンディングエリア1
1を含む領域を確保すべく形成されたマスク13を図5
に示すように配し、他方の面にスポンジなどの弾性材料
によるリードフレーム押え部材14を圧接することによ
り、上記領域11内の半導体素子載置部6および内部リ
ード部8に金、銀などのボンディング用金属めっき12
が施されている。なお、図5において矢印15はめっき
液の流れ方向を示している。
いて半導体装置を製造する場合、半導体素子の組立てに
際しては、リードフレームに部分的なボンディング用金
属めっきを施すことが行われる。従来の方式による半導
体リードフレームは、鉄ニッケル合金または銅合金など
の金属泊をリードフレーム形状に加工した後、部分的な
ボンディング用金属めっきを施した後、図4に示すよう
な半導体リードフレームが製造されている。また部分的
なボンディング用金属めっきを施す工程においては、リ
ードフレームの一方の面にチップボンディングエリア1
1を含む領域を確保すべく形成されたマスク13を図5
に示すように配し、他方の面にスポンジなどの弾性材料
によるリードフレーム押え部材14を圧接することによ
り、上記領域11内の半導体素子載置部6および内部リ
ード部8に金、銀などのボンディング用金属めっき12
が施されている。なお、図5において矢印15はめっき
液の流れ方向を示している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体リードフレームの製造方法においては、
半導体素子載置部6がリードフレーム5に吊りリード6
aに片持ちの支持構造となっているので、リードフレー
ム形状に加工された半導体リードフレームに部分的なボ
ンディング用金属を施す場合に、半導体素子載置部6が
リードフレーム押え部材14により下方に押出され、半
導体素子載置部6裏面とリードフレーム押え部材14と
の間に隙間が生じることにより、半導体素子載置部6裏
面に金属めっき12が析出し、金属めっきと封止用樹脂
の密着力の問題から半導体の信頼性を低下させる問題が
生じる。また、部分的な金属めっきを施す際にリードフ
レーム押え部材14に圧接された半導体素子載置部6が
変形するといる問題も生じる。このような問題は図4に
示すように半導体素子載置部6の中心線からはずれて吊
りリード6aにより支持されている場合、また、半導体
素子載置部6の面積が大きくなった場合に顕著となる。 本発明は上記した従来の問題点に鑑みなされたものであ
り、その目的とするところは、半導体素子載置部裏面に
ボンディング用金属めっきを析出させることなく、また
半導体素子載置部に変形がなく、信頼度の高くかつ精度
の高い半導体装置を得ることができる半導体リードフレ
ームの製造方法を提供することにある。
た従来の半導体リードフレームの製造方法においては、
半導体素子載置部6がリードフレーム5に吊りリード6
aに片持ちの支持構造となっているので、リードフレー
ム形状に加工された半導体リードフレームに部分的なボ
ンディング用金属を施す場合に、半導体素子載置部6が
リードフレーム押え部材14により下方に押出され、半
導体素子載置部6裏面とリードフレーム押え部材14と
の間に隙間が生じることにより、半導体素子載置部6裏
面に金属めっき12が析出し、金属めっきと封止用樹脂
の密着力の問題から半導体の信頼性を低下させる問題が
生じる。また、部分的な金属めっきを施す際にリードフ
レーム押え部材14に圧接された半導体素子載置部6が
変形するといる問題も生じる。このような問題は図4に
示すように半導体素子載置部6の中心線からはずれて吊
りリード6aにより支持されている場合、また、半導体
素子載置部6の面積が大きくなった場合に顕著となる。 本発明は上記した従来の問題点に鑑みなされたものであ
り、その目的とするところは、半導体素子載置部裏面に
ボンディング用金属めっきを析出させることなく、また
半導体素子載置部に変形がなく、信頼度の高くかつ精度
の高い半導体装置を得ることができる半導体リードフレ
ームの製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、半導体素子を搭載する半導体素子載置部
とこの半導体素子載置部の周辺で該半導体素子載置部か
ら離間して配設したリードとをフレーム枠に一体に連結
した半導体リードフレームにおいて、前記半導体素子載
置部と前記フレーム枠の一部とを補助吊りリードで連結
し、前記半導体素子載置部およびリードにボンディング
用金属めっきを施した後に前記補助吊りリードを切断し
たものである。
に、本発明は、半導体素子を搭載する半導体素子載置部
とこの半導体素子載置部の周辺で該半導体素子載置部か
ら離間して配設したリードとをフレーム枠に一体に連結
した半導体リードフレームにおいて、前記半導体素子載
置部と前記フレーム枠の一部とを補助吊りリードで連結
し、前記半導体素子載置部およびリードにボンディング
用金属めっきを施した後に前記補助吊りリードを切断し
たものである。
【0006】
【作用】本発明においては、半導体素子載置部を補助吊
りリードで補強することにより、ボンディング用金属め
っきを施す際、半導体素子載置部がリードフレーム押え
部材で押出されて変形することがなく、載置部裏面と押
え部材との間に隙間が生じることもない。
りリードで補強することにより、ボンディング用金属め
っきを施す際、半導体素子載置部がリードフレーム押え
部材で押出されて変形することがなく、載置部裏面と押
え部材との間に隙間が生じることもない。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図にもとづいて説
明する。図1は、ボンディング用金属めっきを施す前の
半導体用リードフレームを示す図で、同図において、従
来技術と同一の符号を付したものは同一の構成を示すも
ので、詳細な説明は省略する。本発明の特徴とするとこ
ろは、複数の内部リード8のうち、半導体素子載置部6
の中心線に位置するリード8aと載置部6とを補助吊り
リード1で連結した点にある。
明する。図1は、ボンディング用金属めっきを施す前の
半導体用リードフレームを示す図で、同図において、従
来技術と同一の符号を付したものは同一の構成を示すも
ので、詳細な説明は省略する。本発明の特徴とするとこ
ろは、複数の内部リード8のうち、半導体素子載置部6
の中心線に位置するリード8aと載置部6とを補助吊り
リード1で連結した点にある。
【0008】このような構成とした本発明にかかる半導
体用リードフレームの製造方法を図2に示す製造フロー
チャートで説明する。ステップ111において、金属泊
を形状加工して、図1に示すように補助吊りリード1を
連結した半導体リードフレームを形成する。ステップ1
12において、ボンディング用金属めっき加工を行う。 このとき図3に示すように、補助吊りリード1の補強に
より半導体素子載置部6はリードフレーム押え部材14
による図中下方への押出しが防止されて半導体素子載置
部6の裏面をリードフレーム押え部材14に完全に圧接
することができる。ステップ113において、補助吊り
リード1の切断加工を行う。ステップ114において、
図4に示す半導体用リードフレームと同一形状の半導体
リードフレームが形成される。なお、本実施例において
は、補助吊りリード1を1本設けた例を示したが、補強
の程度によって適宜複数本設けてもよいことは勿論であ
る。また、半導体素子載置部6との連結先を内部リード
8としたが、これに限定されることなく、リードフレー
ムの他の部位例えばタイバー10に連結しても同様な作
用効果が得られることは云うまでもない。
体用リードフレームの製造方法を図2に示す製造フロー
チャートで説明する。ステップ111において、金属泊
を形状加工して、図1に示すように補助吊りリード1を
連結した半導体リードフレームを形成する。ステップ1
12において、ボンディング用金属めっき加工を行う。 このとき図3に示すように、補助吊りリード1の補強に
より半導体素子載置部6はリードフレーム押え部材14
による図中下方への押出しが防止されて半導体素子載置
部6の裏面をリードフレーム押え部材14に完全に圧接
することができる。ステップ113において、補助吊り
リード1の切断加工を行う。ステップ114において、
図4に示す半導体用リードフレームと同一形状の半導体
リードフレームが形成される。なお、本実施例において
は、補助吊りリード1を1本設けた例を示したが、補強
の程度によって適宜複数本設けてもよいことは勿論であ
る。また、半導体素子載置部6との連結先を内部リード
8としたが、これに限定されることなく、リードフレー
ムの他の部位例えばタイバー10に連結しても同様な作
用効果が得られることは云うまでもない。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体リードフレームの半導体素子載置部とリードフレ
ームの一部に補助吊りリードを連結することにより、ボ
ンディング用金属めっきを施す際に半導体素子載置部裏
面に金属めっきの析出するのを防止でき、また半導体素
子載置部の変形を防止することもできる。しかもボンデ
ィング用金属めっきを施した後に、補助吊りリードを切
断することにより従来と同一形状の信頼性および精度の
高い半導体リードフレームを供給することができるとい
う効果がある。
半導体リードフレームの半導体素子載置部とリードフレ
ームの一部に補助吊りリードを連結することにより、ボ
ンディング用金属めっきを施す際に半導体素子載置部裏
面に金属めっきの析出するのを防止でき、また半導体素
子載置部の変形を防止することもできる。しかもボンデ
ィング用金属めっきを施した後に、補助吊りリードを切
断することにより従来と同一形状の信頼性および精度の
高い半導体リードフレームを供給することができるとい
う効果がある。
【図1】本発明に係る半導体リードフレームの平面図で
ある。
ある。
【図2】本発明の製造工程を示すフローチャート図であ
る。
る。
【図3】図1のIII−III線断面図である。
【図4】従来のリードフレームの平面図である。
【図5】図4のV−V線断面図である。
1 補助吊りリード
5 リードフレーム
6 半導体載置部
8 内部リード
14 リードフレーム押え部材
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体素子を搭載する半導体素子載置
部とこの半導体素子載置部の周辺で該半導体素子載置部
から離間して配設したリードとをフレーム枠に一体に連
結した半導体リードフレームにおいて、前記半導体素子
載置部と前記フレーム枠の一部とを補助吊りリードで連
結し、前記半導体素子載置部およびリードにボンディン
グ用金属めっきを施した後に前記補助吊りリードを切断
したことを特徴とする半導体リードフレームの製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11849891A JPH04346257A (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 半導体用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11849891A JPH04346257A (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 半導体用リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04346257A true JPH04346257A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=14738160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11849891A Pending JPH04346257A (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 半導体用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04346257A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10431528B2 (en) | 2016-02-08 | 2019-10-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
-
1991
- 1991-05-23 JP JP11849891A patent/JPH04346257A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10431528B2 (en) | 2016-02-08 | 2019-10-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
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