JPH05275603A - リードフレーム用金属板 - Google Patents
リードフレーム用金属板Info
- Publication number
- JPH05275603A JPH05275603A JP6784292A JP6784292A JPH05275603A JP H05275603 A JPH05275603 A JP H05275603A JP 6784292 A JP6784292 A JP 6784292A JP 6784292 A JP6784292 A JP 6784292A JP H05275603 A JPH05275603 A JP H05275603A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- alloy plate
- metal plate
- clad
- clad region
- Prior art date
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- Withdrawn
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードフレーム作成工期の短縮及び半導体装置
の組立工期の短縮と品質の向上を目的とする。 【構成】Ｆｅ−Ｎｉ合金板１の中央部に金または銀から
なる第１のクラッド領域１と、合金板１の表面及び裏面
の周辺部に半田からなる第２のクラッド領域３を設け
る。
の組立工期の短縮と品質の向上を目的とする。 【構成】Ｆｅ−Ｎｉ合金板１の中央部に金または銀から
なる第１のクラッド領域１と、合金板１の表面及び裏面
の周辺部に半田からなる第２のクラッド領域３を設け
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造に用い
られるリードフレーム用金属板に関する。
られるリードフレーム用金属板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造に用いられるリ
ードフレーム用金属板はＦｅ−Ｎｉ合金又はＣｕ合金か
らなる母材を圧延したものからなり、この金属板が所定
の幅で切断され、プレス金型で所定の形状に打ち抜かれ
た後、金メッキ又は銀メッキ等の表面処理が施されてリ
ードフレームが形成されていた。
ードフレーム用金属板はＦｅ−Ｎｉ合金又はＣｕ合金か
らなる母材を圧延したものからなり、この金属板が所定
の幅で切断され、プレス金型で所定の形状に打ち抜かれ
た後、金メッキ又は銀メッキ等の表面処理が施されてリ
ードフレームが形成されていた。
【０００３】上述の工程で完成されたリードフレーム
は、半導体素子搭載台部に半導体素子を固着するダイア
タッチ（マウント）工程，半導体素子の電極パッドと内
部リードを金属細線にて結線するボンディング工程，樹
脂封止工程，タイバー切断工程，外部リードの表面処理
（半田めっき）工程，リード成形（加工）工程を通り、
電気的選択後、半導体装置として完成する。大部分のリ
ードフレーム用金属板は上述したラインで使用される
が、一部セラミックのディアルインライン型のパッケー
ジでは、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる母材の片面にアルミニ
ウムがクラッドされ、ボンディングワイヤーにアルミニ
ウムが使用される場合もある。
は、半導体素子搭載台部に半導体素子を固着するダイア
タッチ（マウント）工程，半導体素子の電極パッドと内
部リードを金属細線にて結線するボンディング工程，樹
脂封止工程，タイバー切断工程，外部リードの表面処理
（半田めっき）工程，リード成形（加工）工程を通り、
電気的選択後、半導体装置として完成する。大部分のリ
ードフレーム用金属板は上述したラインで使用される
が、一部セラミックのディアルインライン型のパッケー
ジでは、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる母材の片面にアルミニ
ウムがクラッドされ、ボンディングワイヤーにアルミニ
ウムが使用される場合もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述したように従来の
リードフレーム用金属板は、Ｆｅ−Ｎｉ合金又はＣｕ合
金を圧延したものからなり、その後プレスで打ち抜きに
より所定の形状のリードフレームに形成される。その
後、内部リード先端部及び半導体素子搭載台部に金メッ
キ又は銀メッキの表面処理が施され、更に組立工程中に
外部リードの表面処理（半田めっき）が施される。この
ため、表面処理（内部，外部含む）工程に費す時間が膨
大となる。また所定の形状に打抜かれた後、内部リード
に金メッキまたは銀メッキが施される為、メッキの側面
もれが著しくなり、封止樹脂との密着性を低下させ、ま
た樹脂封止面より外側に銀メッキが施されると銀のマイ
グレーションが生じショート不良の原因となる。更に樹
脂封止後に外部リードに半田めっきが施されるが、その
前処理としての水洗工程等により封止樹脂中へ水分が侵
入し半導体装置の品質に悪影響を及ぼすという問題点が
あった。
リードフレーム用金属板は、Ｆｅ−Ｎｉ合金又はＣｕ合
金を圧延したものからなり、その後プレスで打ち抜きに
より所定の形状のリードフレームに形成される。その
後、内部リード先端部及び半導体素子搭載台部に金メッ
キ又は銀メッキの表面処理が施され、更に組立工程中に
外部リードの表面処理（半田めっき）が施される。この
ため、表面処理（内部，外部含む）工程に費す時間が膨
大となる。また所定の形状に打抜かれた後、内部リード
に金メッキまたは銀メッキが施される為、メッキの側面
もれが著しくなり、封止樹脂との密着性を低下させ、ま
た樹脂封止面より外側に銀メッキが施されると銀のマイ
グレーションが生じショート不良の原因となる。更に樹
脂封止後に外部リードに半田めっきが施されるが、その
前処理としての水洗工程等により封止樹脂中へ水分が侵
入し半導体装置の品質に悪影響を及ぼすという問題点が
あった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
用金属板は、Ｆｅ−Ｎｉ又はＣｕからなる合金板と、こ
の合金板の少くとも中央部に設けられた金または銀から
なる第１のクラッド領域と、前記合金板の表面および裏
面の周辺部に設けられた半田からなる第２のクラッド領
域とを含むものである。
用金属板は、Ｆｅ−Ｎｉ又はＣｕからなる合金板と、こ
の合金板の少くとも中央部に設けられた金または銀から
なる第１のクラッド領域と、前記合金板の表面および裏
面の周辺部に設けられた半田からなる第２のクラッド領
域とを含むものである。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の斜視図及
び平面図である。
る。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の斜視図及
び平面図である。
【０００７】図１（ａ），（ｂ）に示すように、リード
フレーム用金属板は、母材であるＦｅ−Ｎｉ（又はＣ
ｕ）合金板１と、このＦｅ−Ｎｉ合金板１の中央部に設
けられ金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）からなる第１のクラッ
ド領域２と、Ｆｅ−Ｎｉ合金板１の表面及び裏面の周辺
部に設けられ半田からなる第２のクラッド領域３とから
主に構成されている。なお第１のクラッド領域２は、Ａ
ｕ又はＡｇの片面インレイクラッドメタルを有する構
造、又第２のクラッド領域３は半田の両面のエッヂレイ
クラッドメタルを有する構造となっている。
フレーム用金属板は、母材であるＦｅ−Ｎｉ（又はＣ
ｕ）合金板１と、このＦｅ−Ｎｉ合金板１の中央部に設
けられ金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）からなる第１のクラッ
ド領域２と、Ｆｅ−Ｎｉ合金板１の表面及び裏面の周辺
部に設けられ半田からなる第２のクラッド領域３とから
主に構成されている。なお第１のクラッド領域２は、Ａ
ｕ又はＡｇの片面インレイクラッドメタルを有する構
造、又第２のクラッド領域３は半田の両面のエッヂレイ
クラッドメタルを有する構造となっている。
【０００８】第１のクラッド領域２は、リードフレーム
に加工した場合の内部リードの先端部及び半導体素子搭
載台部に位置し、半田からなる第２のクラッド領域３は
外部リード部に位置している。このため、このリードフ
レーム用金属板をプレス金型で打ち抜き、表面処理工程
を通らずにリードフレームとして組立工程に投入する事
が可能である。
に加工した場合の内部リードの先端部及び半導体素子搭
載台部に位置し、半田からなる第２のクラッド領域３は
外部リード部に位置している。このため、このリードフ
レーム用金属板をプレス金型で打ち抜き、表面処理工程
を通らずにリードフレームとして組立工程に投入する事
が可能である。
【０００９】図２は本発明の第２の実施例の斜視図であ
る。この第２の実施例においては、第１のクラッド領域
２Ａと第２のクラッド領域３Ａとのクラッドメタルを有
する構造が第１の実施例と若干異なり、それぞれがイン
レイクラッドメタル構造あるいはエッジレイクラッドメ
タルを有する構造からトップレイクラッドメタルを有す
る構造になっている。その後のリードフレーム形成の工
程は第１の実施例と差異は無い。
る。この第２の実施例においては、第１のクラッド領域
２Ａと第２のクラッド領域３Ａとのクラッドメタルを有
する構造が第１の実施例と若干異なり、それぞれがイン
レイクラッドメタル構造あるいはエッジレイクラッドメ
タルを有する構造からトップレイクラッドメタルを有す
る構造になっている。その後のリードフレーム形成の工
程は第１の実施例と差異は無い。
【００１０】第１の実施例におけるリードフレーム用金
属板は、例えば所望の形状寸法に加工したＦｅ−Ｎｉ合
金板上に金又は銀及び半田の薄板を所定の位置にとりつ
け、合金板を圧延すると同時に固着して形成する。また
第２の実施例におけるリードフレーム用金属板は、厚さ
１５０〜２５０μｍに加工したＦｅ−Ｎｉ合金板上に、
厚さ０．５〜１μｍの所定形状の金又は銀の薄板及び厚
さ０．５〜１０μｍの半田薄板をとりつけ、熱圧着によ
り固着して形成する。
属板は、例えば所望の形状寸法に加工したＦｅ−Ｎｉ合
金板上に金又は銀及び半田の薄板を所定の位置にとりつ
け、合金板を圧延すると同時に固着して形成する。また
第２の実施例におけるリードフレーム用金属板は、厚さ
１５０〜２５０μｍに加工したＦｅ−Ｎｉ合金板上に、
厚さ０．５〜１μｍの所定形状の金又は銀の薄板及び厚
さ０．５〜１０μｍの半田薄板をとりつけ、熱圧着によ
り固着して形成する。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明のリードフレ
ーム用金属板は、リードフレームに加工された時の半導
体素子搭載台部及び内部リードの先端に位置する部分の
片面に、金又は銀のインレイあるいはトップレイのクラ
ッドメタル構造を有し、かつ外部リード部分の両面に半
田のインエッヂレイあるいはトップエッヂレイのクラッ
ドメタル構造を有しているので、内部リード，外部リー
ドの表面処理工程に費す時間がなくなるため、組立工期
が大幅に短縮可能になる。また、クラッド材としてプレ
ス金型で打ち抜かれるので、内部リードの表面処理がリ
ードの側面に漏れる事なく製造可能になり、銀のマイグ
レーションの無い半導体装置の生産が可能になる。更に
外部リードの表面処理（半田めっき）工程が無くなるた
め、樹脂中へ水分が侵入する事が無くなる。このため信
頼性の高い半導体装置の生産が可能になると言う効果を
有する。
ーム用金属板は、リードフレームに加工された時の半導
体素子搭載台部及び内部リードの先端に位置する部分の
片面に、金又は銀のインレイあるいはトップレイのクラ
ッドメタル構造を有し、かつ外部リード部分の両面に半
田のインエッヂレイあるいはトップエッヂレイのクラッ
ドメタル構造を有しているので、内部リード，外部リー
ドの表面処理工程に費す時間がなくなるため、組立工期
が大幅に短縮可能になる。また、クラッド材としてプレ
ス金型で打ち抜かれるので、内部リードの表面処理がリ
ードの側面に漏れる事なく製造可能になり、銀のマイグ
レーションの無い半導体装置の生産が可能になる。更に
外部リードの表面処理（半田めっき）工程が無くなるた
め、樹脂中へ水分が侵入する事が無くなる。このため信
頼性の高い半導体装置の生産が可能になると言う効果を
有する。
【図１】本発明の第１の実施例の斜視図及び平面図。
【図２】本発明の第２の実施例の斜視図。
１ Ｆｅ−Ｎｉ合金板 ２，２Ａ 第１のクラッド領域 ３，３Ａ 第２のクラッド領域
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｆｅ−Ｎｉ又はＣｕからなる合金板と、
この合金板の少くとも中央部に設けられた金または銀か
らなる第１のクラッド領域と、前記合金板の表面および
裏面の周辺部に設けられた半田からなる第２のクラッド
領域とを含むことを特徴とするリードフレーム用金属
板。 - 【請求項２】 第１のクラッド領域は半導体素子搭載台
形成部であり、第２のクラッド領域は外部リード形成部
である請求項１記載のリードフレーム用金属板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6784292A JPH05275603A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | リードフレーム用金属板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6784292A JPH05275603A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | リードフレーム用金属板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275603A true JPH05275603A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13356614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6784292A Withdrawn JPH05275603A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | リードフレーム用金属板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275603A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6084292A (en) * | 1997-08-19 | 2000-07-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame and semiconductor device using the lead frame |
| WO2016093021A1 (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-16 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル | 気密封止用蓋材の製造方法、気密封止用蓋材および電子部品収納用パッケージの製造方法 |
-
1992
- 1992-03-26 JP JP6784292A patent/JPH05275603A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6084292A (en) * | 1997-08-19 | 2000-07-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame and semiconductor device using the lead frame |
| WO2016093021A1 (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-16 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル | 気密封止用蓋材の製造方法、気密封止用蓋材および電子部品収納用パッケージの製造方法 |
| JP2016115701A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル | 気密封止用蓋材の製造方法および気密封止用蓋材 |
| KR20170076701A (ko) * | 2014-12-11 | 2017-07-04 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 기밀 밀봉용 덮개재의 제조 방법, 기밀 밀봉용 덮개재 및 전자 부품 수납용 패키지의 제조 방법 |
| US20170330811A1 (en) * | 2014-12-11 | 2017-11-16 | Hitachi Metals, Ltd. | Method for manufacturing hermetic sealing lid member, hermetic sealing lid member, and method for manufacturing electronic component housing package |
| US10461001B2 (en) | 2014-12-11 | 2019-10-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Method for manufacturing hermetic sealing lid member, and method for manufacturing electronic component housing package |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |