JPS5867053A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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Publication number
JPS5867053A
JPS5867053A JP16674581A JP16674581A JPS5867053A JP S5867053 A JPS5867053 A JP S5867053A JP 16674581 A JP16674581 A JP 16674581A JP 16674581 A JP16674581 A JP 16674581A JP S5867053 A JPS5867053 A JP S5867053A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
plating
lead
alloy
group alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16674581A
Other languages
English (en)
Inventor
Iwao Yamazaki
巌 山崎
Yoshio Shimizu
義男 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP16674581A priority Critical patent/JPS5867053A/ja
Publication of JPS5867053A publication Critical patent/JPS5867053A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体集積回路装置用のリードフレームに関
する。
通常、半導体集積回路装置用のリードフレームは、ワイ
ヤデンディングを行うために心機なＡｕ（金）又はＡｇ
（銀）のめっきを、リードフレーム素材であるＦｅ（鉄
）−Ｎｌにッケル）系合金、Ｆｅ、Ａｔ（アルミニウム
）、Ｃｕ（銅）、Ｃｕ系合金のエツチング、又はブレス
成形を行う前あるいはその恢に、全面又は部分的に施し
ている。
Ａｕ、　Ａｇは被レットマウント時の加熱、ワイヤゲ／
ディンダ時の加熱によって酸化などがされることはなく
、安定性がちルかっがンディング性に優れているため、
広く採用されている・しかしながら、これらＡｇ、Ａｕ
は貴金属であるために、リードフレームの価格を引き上
ける大きな要因となってい為・ また、貴金属めっきを使用しない方法として、リードフ
レームの素材としてＣｕを用い、このＣｕ材へムー細線
をダイレクトメンディングす・′る方法もある。この場
を、このリード７レー、／にペレットをマウントした後
、樹脂封止するまでの加熱工程において、Ｃｕの酸化防
止策として不活性ガスが使用される。
しかしながら、Ａｕ、ムｇのめっきの有無にかかわらず
Ｓ　Ｃｏ材を使用した場合、硬度が低すため、組立工程
においてリードが曲夛易いという欠点がある。特に、リ
ードの数が多い半導体集積回路装置においては、生産性
を低下させる大きな要因の一つとなる。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
は、安価で、Ｃｕ材のみで形成した場合よシも硬度が上
がシ、リード曲がシの発生を防止し得るリードフレーム
を提供することにある。
すなわち、この発明は、リードフレーム木材としてＣｕ
を用い、Ａｕ細線をダイレフ）＆ンディングして低価格
化を図るに際し、Ｃｕ材のみを使用しないで、貴金属以
外の金属（Ｆ・−Ｎｉ系合金、Ｆｅ、　Ａｔ、　Ｃｕ系
合金等）にＣｕをめっきすることによ？）、Ｃｕ材のみ
の場合よシリー−ドフレームの硬度を上げ、リード曲シ
の発生を防止するものである。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第１図は半導体集積回路装置用リードフレーム１の平面
図を示すもので、２は半導体ｒｃ　（集積回路）チップ
載置台である。このすれている、このリードフレーム１
の両面又は片面には、図に斜線で示すようにチップ載置
台２及びボンディング部３にはスーット状にＣｕのめり
き４が施されている。このＣｏのめつき４の形成形する
前でもよく、あるいはその後に行ってもよい。
すなわち、このリードフレーム１によれば、表面にＣｕ
のめりき４が施されているので、リードフレーム１の素
材をＣ１１のみとした場合と同様にＡｕ細線のダイレフ
）＆ンディングが可能となる。この場合、加熱工程にお
いてはＣｕの酸化対策として不活性ガスの使用が必要で
ある。このリードフレーム１はムｕ１ムｇの賞金輌めっ
きの場合に比べ安価である。かつ、ｃＩＩ材のみのリー
ドフレームに比して、硬度を高くすることができるので
、リード曲りが発生しにくくなる。
また、両面の全面にＣｏのめりき４を施したリードフレ
ーム１の場合は、アウターリード部がＦ・−Ｎｉ系合金
のリードフレームに比して次の利点がある。
■　表面がＣｕであるためやわらかく、モールド金型と
のなじみの関係で隙間が出にくくなル、樹脂パリが発生
しにくくなる。
■　表面がＣｕであるため、外装めっき又は半田ディツ
プする場合の処理が簡単になる。
尚、Ｃｕのめっき４は第２図に示すようにビンディング
に必要な個所にのみ行ってもよく、またリードフレーム
１の両面又は片面の全面に行うようにしてもよい。また
、リードフレーム１の素材としては、Ｆ・−Ｎ１合金以
外にＦ＠、Ａｕ、。
Ｃｕ系合金であってもよいことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例に係るリードフレームの平
面図、第２図はこの発明の他の実施例に係る平面図であ
る。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体ＩＣチップ載
置台、３・・・？ンディング部、４・・・めりき（Ｃｕ
　）。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 鉄−ニッケル系合金、鉄、アルミニウム、銅系合金のう
    ちいずれか一種によシ形成され、−その両面又は片面の
    全面、あるいは一部に銅めっきが施されていることを特
    徴とするリードフレーム。
JP16674581A 1981-10-19 1981-10-19 リ−ドフレ−ム Pending JPS5867053A (ja)

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JP16674581A JPS5867053A (ja) 1981-10-19 1981-10-19 リ−ドフレ−ム

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JP16674581A JPS5867053A (ja) 1981-10-19 1981-10-19 リ−ドフレ−ム

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JPS5867053A true JPS5867053A (ja) 1983-04-21

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JP16674581A Pending JPS5867053A (ja) 1981-10-19 1981-10-19 リ−ドフレ−ム

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JP (1) JPS5867053A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6180844A (ja) * 1984-09-28 1986-04-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体リ−ドフレ−ム用条材
JPS61201762A (ja) * 1985-03-05 1986-09-06 Furukawa Electric Co Ltd:The リードフレーム用Ｃｕ系条材の製造方法
JPS6442845A (en) * 1987-08-10 1989-02-15 Rohm Co Ltd Electronic component and manufacture thereof

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