JPS5868958A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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Publication number
JPS5868958A
JPS5868958A JP16816881A JP16816881A JPS5868958A JP S5868958 A JPS5868958 A JP S5868958A JP 16816881 A JP16816881 A JP 16816881A JP 16816881 A JP16816881 A JP 16816881A JP S5868958 A JPS5868958 A JP S5868958A
Authority
JP
Japan
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lead frame
lead
frame
hardness
alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16816881A
Other languages
English (en)
Inventor
Iwao Yamazaki
山崎　「巌」
Yoshio Shimizu
義男 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP16816881A priority Critical patent/JPS5868958A/ja
Publication of JPS5868958A publication Critical patent/JPS5868958A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体集積回路装置用のリードフレームに関
する。
通常、半導体集積回路装置用のリードフレームは、ワイ
ヤーがンディングを行うために必要なＡｕ（金）又はＡ
ｇ（銀）のめっきを、リードフレーム素材であるＦｅ（
鉄）−Ｎｓ（二ｙケル）系合金、Ｆｅ、　Ａ／（アルミ
ニウム）、Ｃｕ（鋼）、Ｃｕ系合金のエツチング、文は
ブレス成形を行う前あるいはその後に、全面又は部分的
に施している。Ａｕ。
Ａｇ１ｄ４レントマウント時の加熱ワイヤデンディング
時の加熱によって酸化などがされることはなく１安定性
がありかつぎンデイング性に優れているため、広く採用
されている。
゛しかしながら、これら・Ａｇ、Ａｕは貴金属であるた
めに、リードフレームの価格を引き′上げる大きな要因
となっている。
また、貴金属めっきを使用しない方法として、リードフ
レームの素材としてＣｕを用い、このＱ材へＡｍ細線を
ダイレフ）＆ンディングする方法もある。この場合、こ
のリードフレームにベレ、トをマウントした後樹脂封止
するまでの加熱工程において、Ｃｕの酸化防止策として
不活性ガスが使用される。
しかしながら、Ａｕ、Ａｚのめっきの有無にか必・わら
ず、Ｃｍ材を使用した場合、硬度が低くなるため一組立
工程においてリードが曲り易いという欠点がある。特に
、リードの数が多い半導体集積回路装置においては、生
産性を低下させる大きな要因゛の一つとなる。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
は、安価で、Ｃｕ材のみで形成した場合よりも硬度が上
がり、リード曲がりの発生を防止し得るリードフレーム
を提供することにある。
すなわち、この発明は、リードフレーム素材としてＣｕ
を用い、Ａｕ細線をダイレクトポンディングして低価格
化を図るに際し、Ｃｕ材のみを１史用しないで、貴金属
以外の金ｆ４　（Ｆｅ−Ｎｊ系合金Ｆｅ、Ａ／、Ｃｕ系
合金等）にＣｕ材を圧着（り”う、ト）することにより
、Ｃｕ材のみの場１合より゛リードフレームの硬度を上
げ、リー、ド曲りの発生を防止するものである。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第１図は牛導体集積画路装置用リート０フレーム工の平
面図を示すもので、２は半導体ＩＣ（集積回路）チ、グ
献置台である。このリードフレームＬは例えばＦｅ−Ｎ
１系合金で形成さｎている。このリードフレームのチア
ゾ載置台２及びがンディング部；はＣｕ材４によりクラ
。
ドされている。このＣｕ材４のグラ、ドは、リードフレ
ーム素材（Ｆｓ＝Ｎｌ系合金）の工、テングわれる。第
２図は第１図の一部を断面して示す図である。
すなわち、このリードフレーム１によれば、表面にＣｕ
材４のクラ、Ｐが行われているので、リードフレームｌ
の素材をＣｕのみとした場合と同様に＊ｕＭｌｌのタイ
レフ）＆ンディングが可能となる。この場合、加熱工程
にお゛いてはＣｕの酸化対策として不活性ガスの使用が
必要である。
このリードフレームＩ　Ｆｉ、Ａｕ、Ａｇの貴金属めっ
きの場合に比べて安価であ慝、かつ、Ｃｕ材のみのリー
ドフレームに比して、硬度を大きくすることができるの
で、リード曲りが発生しにくくなる。
また、第３図に示すように両面の全面にＣｕ材４の／ｌ
ｌラド行ったリードフレーム１の場合は、アクタ−リー
ド部がＦ・−Ｎｌ系合金のり−Ｐフレームに比して次の
利点がある。
■表面がＣｕ材４であるためやわらかく、モールド金型
とのなじみの関係で隙間が出にくくなり、樹脂パリが発
生しにくくなる。
■表面がＣｕ材４であるため、外装めっき又は半田ディ
ランする場合の処理が簡単になる。
尚、Ｃｕ材４のレラッドはデンディングに必要な個所に
のみ行ってもよく、またリードフレーム１の両面又は片
面の全面に行うようにしてもよい。また、リードフレー
ムエの素材としては、Ｆ”ｅ−Ｎ１合金以斜にＦｅ、Ａ
ｕ、Ｃｕ系合金であってもよいことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の二実施例に係るリードフレームの平
面図、第２図社第１図の一部断面図、第３図はとの発明
の他の実施例に係るリードフレームの断面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体ＩＣチ、ｆ載
１．６台、３・・・デクディング部、４・・・Ｃｕ材。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第１図 １ 第２図 第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 鉄−二、ケル系合金、鉄、アルミニウム、銅系合金のう
    ちいずれか一声により形成さｎｌその両面又は片面の全
    面、あるいは一部が鋼材によりり２．ドされていること
    を特徴とするリードフレーム。
JP16816881A 1981-10-21 1981-10-21 リ−ドフレ−ム Pending JPS5868958A (ja)

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JPS5868958A true JPS5868958A (ja) 1983-04-25

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JP16816881A Pending JPS5868958A (ja) 1981-10-21 1981-10-21 リ−ドフレ−ム

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