JPS6020931Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6020931Y2 JPS6020931Y2 JP1088179U JP1088179U JPS6020931Y2 JP S6020931 Y2 JPS6020931 Y2 JP S6020931Y2 JP 1088179 U JP1088179 U JP 1088179U JP 1088179 U JP1088179 U JP 1088179U JP S6020931 Y2 JPS6020931 Y2 JP S6020931Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- plating layer
- iron
- solder
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体装置に関し、とくにその電極引出しリ
ードの構造に関する。
ードの構造に関する。
従来、半導体装置用リードフレームは、素材として鉄、
銅あるいは鉄−ニッケル合金等が一般に用いられるが、
特に大電力用半導体装置でない限り安価な鉄が用いられ
ている。
銅あるいは鉄−ニッケル合金等が一般に用いられるが、
特に大電力用半導体装置でない限り安価な鉄が用いられ
ている。
鉄を素材として用いた場合、表面めっき処理としては、
まず全面に銅めっきを行ない、その後グイボンド、ワイ
ヤーボンドに必要な箇所に貴金属めっき例えば銀めっき
を施行するいわゆる部分銀めっきを行なう表面処理が一
般に採用されている。
まず全面に銅めっきを行ない、その後グイボンド、ワイ
ヤーボンドに必要な箇所に貴金属めっき例えば銀めっき
を施行するいわゆる部分銀めっきを行なう表面処理が一
般に採用されている。
この場合、次工程の半田めっきの品質およびコストの面
から、リード線の箇所には貴金属めっきを行なわないの
が普通である。
から、リード線の箇所には貴金属めっきを行なわないの
が普通である。
即ち、例えば銀めっきがリード線上まで施工された場合
、銀の使用量が増してコスト高につながるのみならずグ
イボンディングの加熱等によって銀の下地酸化を引き起
こし、その結果良好な半田めっき皮膜を得るために銀剥
離が必要なことが知られている。
、銀の使用量が増してコスト高につながるのみならずグ
イボンディングの加熱等によって銀の下地酸化を引き起
こし、その結果良好な半田めっき皮膜を得るために銀剥
離が必要なことが知られている。
然しなから、この部分めっきを行なった半導体装置のリ
ード線表面、例えば銅面ばグイボンディング工程等の熱
履歴により酸化しているのが普通であり、溶融半田めっ
きを行なう際は、酸化膜を除去するために塩酸を主体と
した水溶性フラックスは強酸であるため、排液および水
溶液に対し、排水処理設備が必要なこと、ＣＩイオ賄が
リード線と樹脂の隙間から侵入して素子へ悪影響を与え
る等の点をもっている。
ード線表面、例えば銅面ばグイボンディング工程等の熱
履歴により酸化しているのが普通であり、溶融半田めっ
きを行なう際は、酸化膜を除去するために塩酸を主体と
した水溶性フラックスは強酸であるため、排液および水
溶液に対し、排水処理設備が必要なこと、ＣＩイオ賄が
リード線と樹脂の隙間から侵入して素子へ悪影響を与え
る等の点をもっている。
一方、ロジン系フラックスを用いると排水処理の必要は
なく、ＣＩイオンが極めて少ないため素子への影響も皆
無に近いが、平滑な半田表面が得られない欠点がある。
なく、ＣＩイオンが極めて少ないため素子への影響も皆
無に近いが、平滑な半田表面が得られない欠点がある。
これは、リード素材の鉄の表面にめっきされた銅膜にピ
ンホールがあり、熱履歴の際ピンホール部の鉄が酸化さ
れ、その箇所が半田の濡れを阻害するためである。
ンホールがあり、熱履歴の際ピンホール部の鉄が酸化さ
れ、その箇所が半田の濡れを阻害するためである。
これを改善するためには、銅めつき膜厚をピンホールが
なくなるまで厚くすれば良いが、その結果めっき能率が
著しく低下するか銅めっきラインの大幅な延長が必要で
ある。
なくなるまで厚くすれば良いが、その結果めっき能率が
著しく低下するか銅めっきラインの大幅な延長が必要で
ある。
上述の問題点を図面を用いて説明すると、第１図は、従
来の鉄素材の部分銀めっきり−りを有する半導体装置の
断面を示す。
来の鉄素材の部分銀めっきり−りを有する半導体装置の
断面を示す。
１は鉄素材であり全面に銅めっき層２および分銀めつき
層３が施行され、樹脂４にて封止されたものである。
層３が施行され、樹脂４にて封止されたものである。
ここで銅めつき２の表面にはピンホール５を有している
ことが多い。
ことが多い。
かかる構造の半導体装置のリード線に溶融半田めっきを
行なった例を拡大して第２図の断面図に示す。
行なった例を拡大して第２図の断面図に示す。
一般にロジン系フラックスでは鉄面の半田濡れ性は非常
に悪いため、銅めっきのピンホール５の箇所の鉄表面８
は半田とは十分になじまず、半田めっき層６のような不
連続の層になってしまう。
に悪いため、銅めっきのピンホール５の箇所の鉄表面８
は半田とは十分になじまず、半田めっき層６のような不
連続の層になってしまう。
本考案は平滑な半田面が得られるようなリードを有する
半導体装置を提供しようとするものである。
半導体装置を提供しようとするものである。
以下図面にり本考案を説明する。
第３図、第４図は本考案の一実施例を示す半導体装置の
要部断面図である。
要部断面図である。
即ち、第３図において、１′は鉄素材、７′は全面に施
したニッケルめっき層、２′は全面に施した銅めっき層
、３′は部分銀めっき層、４′は樹脂であり、鉄素材１
′と銅めっき層２′との間にニッケルめっき層７′を設
けたことを特徴としている。
したニッケルめっき層、２′は全面に施した銅めっき層
、３′は部分銀めっき層、４′は樹脂であり、鉄素材１
′と銅めっき層２′との間にニッケルめっき層７′を設
けたことを特徴としている。
かかる構造の半導体装置ロジン系フランクスにて溶融半
田めっきを行なった場合、ピンホール５′があってもニ
ッケル面の半田の濡れ性は鉄のそれより良いため、第４
図に示すように、外部引出しリード部の銅めっき層２′
のピンホール５′の箇所のニッケル表面８′は十分半田
と濡れ、平滑な半田めっき層６′が得られる。
田めっきを行なった場合、ピンホール５′があってもニ
ッケル面の半田の濡れ性は鉄のそれより良いため、第４
図に示すように、外部引出しリード部の銅めっき層２′
のピンホール５′の箇所のニッケル表面８′は十分半田
と濡れ、平滑な半田めっき層６′が得られる。
ここでニッケルめっき層７′の厚さは１μｍ適度で十分
であり、銅めっき層２′の厚さは従来の厚さ、例えば２
〜３μｍ程度で十分な効果が得られる。
であり、銅めっき層２′の厚さは従来の厚さ、例えば２
〜３μｍ程度で十分な効果が得られる。
本実施例では、従来のめつき工程にニッケルめっきを一
工程追加する必要はあるが、銅めっきラインは従来のま
まで良く、銅のピンホールを無くするために、銅めっき
時間を延長したり、めっきラインを長くしたりするより
は、はるかに安価で且つ容易に良質の半田めっき層を得
ることができる。
工程追加する必要はあるが、銅めっきラインは従来のま
まで良く、銅のピンホールを無くするために、銅めっき
時間を延長したり、めっきラインを長くしたりするより
は、はるかに安価で且つ容易に良質の半田めっき層を得
ることができる。
第１図および第２図は、従来の半導体装置を示す断面図
、第３図および第４図は、本考案の一実施例の半導体装
置を示す要部断面図である。 １．１′・・・・・・鉄素材、２，２′・・・・・・銅
めっき層、３．３′・・・・・・部分銀めっき層、４，
４′・・・・・・樹脂、５．５′・・・・・・ピンホー
ル、６，６′・・・・・・半田めっき層、７′・・・・
・・ニッケルめっき層、８・・・・・ゼンホールの鉄表
面、８′・・・・・・ピンホールのニッケル表面。
、第３図および第４図は、本考案の一実施例の半導体装
置を示す要部断面図である。 １．１′・・・・・・鉄素材、２，２′・・・・・・銅
めっき層、３．３′・・・・・・部分銀めっき層、４，
４′・・・・・・樹脂、５．５′・・・・・・ピンホー
ル、６，６′・・・・・・半田めっき層、７′・・・・
・・ニッケルめっき層、８・・・・・ゼンホールの鉄表
面、８′・・・・・・ピンホールのニッケル表面。
Claims (1)
- 少なくとも鉄を含む金属素材の表面を銅層で被覆してな
る外部リードと、この外部リードの一部および半導体チ
ップを封止する封止体とを含む半導体装置において、少
なくとも外部リードとなる部分の前記金属素材と銅層と
の間にニッケル層を介在させたそとを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088179U JPS6020931Y2 (ja) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088179U JPS6020931Y2 (ja) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55112859U JPS55112859U (ja) | 1980-08-08 |
| JPS6020931Y2 true JPS6020931Y2 (ja) | 1985-06-22 |
Family
ID=28824284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1088179U Expired JPS6020931Y2 (ja) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020931Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-01-31 JP JP1088179U patent/JPS6020931Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55112859U (ja) | 1980-08-08 |
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