JPS607162A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS607162A JPS607162A JP58114895A JP11489583A JPS607162A JP S607162 A JPS607162 A JP S607162A JP 58114895 A JP58114895 A JP 58114895A JP 11489583 A JP11489583 A JP 11489583A JP S607162 A JPS607162 A JP S607162A
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W70/40—Leadframes
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- H10W70/458—Materials of insulating layers on leadframes
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
- H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
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- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体素子
の電極より延びる金属細線の銅系部材よりなるリードへ
のボンディング方法に関するものである。
の電極より延びる金属細線の銅系部材よりなるリードへ
のボンディング方法に関するものである。
一般に半導体装置は例えば放熱板に半導体素子−１＝
を固定すると共に、半導体素子の！極と一端が半導体素
子の近傍に位置するように配置されたリードと全金属細
線にてボンディングし、かつ半導体素子全含む主要部分
全樹脂材にてモールド被覆して構成されている。
子の近傍に位置するように配置されたリードと全金属細
線にてボンディングし、かつ半導体素子全含む主要部分
全樹脂材にてモールド被覆して構成されている。
ところで、リードは銅系部材にて構成されている関係で
、その表面には半導体装置の製造に利用するまでの間Ｖ
Ｃ１〜とμｍの酸化ｊｑ１１（ａｕｏ）が形成される。
、その表面には半導体装置の製造に利用するまでの間Ｖ
Ｃ１〜とμｍの酸化ｊｑ１１（ａｕｏ）が形成される。
このために、半導体素子の電極より延びる金属細線ｋ
ＩＪ−ドに超音波ボンディングしても安定したボンディ
ング強度が得られない。
ＩＪ−ドに超音波ボンディングしても安定したボンディ
ング強度が得られない。
従って、従来においてはリードにおける金属細線のボン
ディング予定部分に予めニッケル、銀の順にメッキ層全
形成したり、或いは銀又は金のメッキ層全形成したりす
ることによって金属細線のリードへのボンディング性全
良好ならしめている。
ディング予定部分に予めニッケル、銀の順にメッキ層全
形成したり、或いは銀又は金のメッキ層全形成したりす
ることによって金属細線のリードへのボンディング性全
良好ならしめている。
しかし乍ら、金属メッキ層には銀、金などの貴金属が用
いられる上、部分的にメッキ処理される関係で、材料費
は勿論のこと、加工費も高くなり、半導体装置のコスト
が高くなるという問題がある。
いられる上、部分的にメッキ処理される関係で、材料費
は勿論のこと、加工費も高くなり、半導体装置のコスト
が高くなるという問題がある。
このために、近時、金属メッキ層全省略してコスト低減
全図ると共に、酋属細線のリードへのボンディング検音
、金属メッキ層を具えたものに比し余り損なわれないよ
うに配慮した製造方法が提案されている。
全図ると共に、酋属細線のリードへのボンディング検音
、金属メッキ層を具えたものに比し余り損なわれないよ
うに配慮した製造方法が提案されている。
例えば特開昭５６−９３３３８号公報には表面に金属メ
ッキ層の形成されていない銅系部材よりなるリードに金
属細線に超音波ボンディングするに際し、リード表面の
酸化鋼金水素焔又は水素流によって還元する半導体装置
の製造方法が開示されている。
ッキ層の形成されていない銅系部材よりなるリードに金
属細線に超音波ボンディングするに際し、リード表面の
酸化鋼金水素焔又は水素流によって還元する半導体装置
の製造方法が開示されている。
この方法によれば、リード表面の酸化鋼が水素焔によっ
て還元されるために、金属細線のボンディング性全良好
ならしめることができるものの、通常、抽属細線のボン
ディング時間は１個所光り０．２〜０．３秒程度と極め
て短いこともあって・水素焔によるリード表向の還元全
確実に行うことができず、充分に満足しつるボンディン
グ性が得られないという問題がある。
て還元されるために、金属細線のボンディング性全良好
ならしめることができるものの、通常、抽属細線のボン
ディング時間は１個所光り０．２〜０．３秒程度と極め
て短いこともあって・水素焔によるリード表向の還元全
確実に行うことができず、充分に満足しつるボンディン
グ性が得られないという問題がある。
それ故に、本発明の目的は簡単な構成によって金属メッ
キ層の形成されてぃ々いリードに金属細線全確実に超音
波ボンディングできる半導体装置の製造方法全提供する
ことにある。
キ層の形成されてぃ々いリードに金属細線全確実に超音
波ボンディングできる半導体装置の製造方法全提供する
ことにある。
そして、本発明の特徴は半導体素子の電極より延びる金
属細線全表面に金属メッキ層の形成されていない銅系部
材よりなるリードに超音波ボンディングするに先立って
、」−化リードの表面に亜酸化銅全形成することにある
。
属細線全表面に金属メッキ層の形成されていない銅系部
材よりなるリードに超音波ボンディングするに先立って
、」−化リードの表面に亜酸化銅全形成することにある
。
この発明によれば、リードの表面には酸化銅に比し柔ら
かい亜酸化銅（ａ ｕ ｔ ｏ ）が形成されているの
で、金属細線の超音波ボンディング時に、亜酸化銅の被
膜全超音波エネルギーによって確実に破壊できることも
あって、金属細線のリードに対するボンディング強度全
充分に確保することができる。
かい亜酸化銅（ａ ｕ ｔ ｏ ）が形成されているの
で、金属細線の超音波ボンディング時に、亜酸化銅の被
膜全超音波エネルギーによって確実に破壊できることも
あって、金属細線のリードに対するボンディング強度全
充分に確保することができる。
又、リード表面の亜酸化銅は室温程度では安定であり、
酸化銅に変換されることも々いので、特別な保管状態を
設定する必要がなく、在庫管理全容易化できる。
酸化銅に変換されることも々いので、特別な保管状態を
設定する必要がなく、在庫管理全容易化できる。
次に不発明の一実施例について説明する。
まず、鋼材よりなるリードフレームを水素炉に挿入し、
放熱板、リードの表面に形成されている酸化鋼（ＣＵＯ
）全還元する。次に、このリードフレームを酸素が不足
する加熱雰囲気内に配置し１それの表面に１〜２μｍの
亜酸化銅（０ｕｔＯ）全形成する。次に、リードフレー
ムの放熱板に半導体素子全導電性ペーストを用いて固定
する。次に、半導体素子の電極とリードと全金属細線に
て超音波ボンディング法によりボンディングする。以下
、通常の方法にて半導体装置全製造する。
放熱板、リードの表面に形成されている酸化鋼（ＣＵＯ
）全還元する。次に、このリードフレームを酸素が不足
する加熱雰囲気内に配置し１それの表面に１〜２μｍの
亜酸化銅（０ｕｔＯ）全形成する。次に、リードフレー
ムの放熱板に半導体素子全導電性ペーストを用いて固定
する。次に、半導体素子の電極とリードと全金属細線に
て超音波ボンディング法によりボンディングする。以下
、通常の方法にて半導体装置全製造する。
この実施例によれば、リードフレームにおけるリードに
は亜酸化銅が形成されているので、金属細線の超音波ボ
ンディング時に、亜酸化銅被膜が破壊さｔ易い。このた
めに、金属細線のリードに対するボンディング強度全充
分に高めることができる。
は亜酸化銅が形成されているので、金属細線の超音波ボ
ンディング時に、亜酸化銅被膜が破壊さｔ易い。このた
めに、金属細線のリードに対するボンディング強度全充
分に高めることができる。
又１リードフレームには貴金属によるメッキ層が全く形
成されないので、コスト全大巾に低減できる。
成されないので、コスト全大巾に低減できる。
５−
さらには亜酸化銅の形成により酸化銅の生成を防止でき
るために、金属細線のボンディング検音常に良好ならし
めることができる。
るために、金属細線のボンディング検音常に良好ならし
めることができる。
６−
Claims (1)
- 半導体素子の電極より延びる金属細ｍ全表面に金属メッ
キ層の形成されていない銅系部材よりなるリードに超音
波ボンディングするに先立って、上記リードの表面に亜
酸化鋼を形成すること全特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58114895A JPS607162A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58114895A JPS607162A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607162A true JPS607162A (ja) | 1985-01-14 |
| JPH0228260B2 JPH0228260B2 (ja) | 1990-06-22 |
Family
ID=14649331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58114895A Granted JPS607162A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607162A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130274A (en) * | 1991-04-05 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Copper alloy metallurgies for VLSI interconnection structures |
| US5243222A (en) * | 1991-04-05 | 1993-09-07 | International Business Machines Corporation | Copper alloy metallurgies for VLSI interconnection structures |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP58114895A patent/JPS607162A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130274A (en) * | 1991-04-05 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Copper alloy metallurgies for VLSI interconnection structures |
| US5243222A (en) * | 1991-04-05 | 1993-09-07 | International Business Machines Corporation | Copper alloy metallurgies for VLSI interconnection structures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0228260B2 (ja) | 1990-06-22 |
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