JPH01244653A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01244653A JPH01244653A JP7227588A JP7227588A JPH01244653A JP H01244653 A JPH01244653 A JP H01244653A JP 7227588 A JP7227588 A JP 7227588A JP 7227588 A JP7227588 A JP 7227588A JP H01244653 A JPH01244653 A JP H01244653A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止型の半導体装
置に関する。
置に関する。
従来より安価で多量生産に適する半導体装置として樹脂
封止型半導体装置が広く採用されている。
封止型半導体装置が広く採用されている。
第2図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例の断面図で
ある。
ある。
リードフレーム1は中央に半導体素子を固着するアイラ
ンド2とアイランドの周囲に配置されたリードとから成
り、リードはインナーリード3aとこれに連結して外へ
延びるアウターリード3bとを有する。インナーリード
3aの先端には銀被膜4が設けられる。
ンド2とアイランドの周囲に配置されたリードとから成
り、リードはインナーリード3aとこれに連結して外へ
延びるアウターリード3bとを有する。インナーリード
3aの先端には銀被膜4が設けられる。
アイランド2に半導体素子6を固着し、ワイヤーボンデ
ィング法によって半導体素子の電極と銀被膜との間を金
属線7で接続し、樹脂8で封止する。
ィング法によって半導体素子の電極と銀被膜との間を金
属線7で接続し、樹脂8で封止する。
リードフレームのフレーム及びタイバーを切断除去した
後、錫−鉛合金めっきを行ってアウターリード3bを錫
−鉛合金被膜5で覆って、半導体装置、を完成させる。
後、錫−鉛合金めっきを行ってアウターリード3bを錫
−鉛合金被膜5で覆って、半導体装置、を完成させる。
上述した従来の方法では、インナーリード3aの先端部
に金又は銀のめつき被膜を形成し、アイランド2に搭載
した半導体素子6の電極とボンディング結線を行ない、
その後樹脂封止してからアウターリード部に錫又は錫・
鉛合金のめつき被膜を形成していたため、リードフレー
ム上のめつき工程が別々の工程で行なわれ、生産性が悪
く、このため生産日程が長くかかりコストが上がるとい
う欠点がある。
に金又は銀のめつき被膜を形成し、アイランド2に搭載
した半導体素子6の電極とボンディング結線を行ない、
その後樹脂封止してからアウターリード部に錫又は錫・
鉛合金のめつき被膜を形成していたため、リードフレー
ム上のめつき工程が別々の工程で行なわれ、生産性が悪
く、このため生産日程が長くかかりコストが上がるとい
う欠点がある。
本発明は、半導体素子を搭載したアイランドと、該アイ
ランドに近接し、前記半導体素子の電極と電気的に接続
する複数のインナーリードと該各インナーリードに連続
して外へ延びるアウターリードとを有する樹脂封止型の
半導体装置に於いて、前記インナーリードの先端部及び
アウターリードの表面が少くとも二層の金属被膜で覆う
ことによって構成される。
ランドに近接し、前記半導体素子の電極と電気的に接続
する複数のインナーリードと該各インナーリードに連続
して外へ延びるアウターリードとを有する樹脂封止型の
半導体装置に於いて、前記インナーリードの先端部及び
アウターリードの表面が少くとも二層の金属被膜で覆う
ことによって構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。
リードフレーム素材を用いインナーリード3aの先端部
及びアウターリード3bの表面にめっき法でニッケル被
膜9を形成し、ニッケル被膜9上の0,2μm厚の金被
膜10を形成する。次に、アイランド2に半導体素子6
を搭載し、ワイヤーボンディング法で金属線7の結線を
行ない樹脂8で封止する。上記以外は第2図の従来例と
同じである。
及びアウターリード3bの表面にめっき法でニッケル被
膜9を形成し、ニッケル被膜9上の0,2μm厚の金被
膜10を形成する。次に、アイランド2に半導体素子6
を搭載し、ワイヤーボンディング法で金属線7の結線を
行ない樹脂8で封止する。上記以外は第2図の従来例と
同じである。
ニッケルめっき、金めつきは通常の電気めっき法により
形成したものでありニッケルめっき厚は0.1〜3.0
μmがリードフレーム素材と金めっき膜の密着性のため
望ましい。また、金めつき厚は厚いほどボンディング性
、半田付性が良いが、下地膜にニッケル被膜があると0
.1μm厚の薄い金被膜でも、組立工程性の熱エージン
グに於いても半田付性は劣化しない。
形成したものでありニッケルめっき厚は0.1〜3.0
μmがリードフレーム素材と金めっき膜の密着性のため
望ましい。また、金めつき厚は厚いほどボンディング性
、半田付性が良いが、下地膜にニッケル被膜があると0
.1μm厚の薄い金被膜でも、組立工程性の熱エージン
グに於いても半田付性は劣化しない。
また、銅、ニッケル、金等の三層めっき被膜の構造を用
いても問題は無く、めっき厚としては下層膜の銅めっき
は0.1〜2.0μmあれば良い。
いても問題は無く、めっき厚としては下層膜の銅めっき
は0.1〜2.0μmあれば良い。
以上説明したように、本発明は、樹脂封止した半導体装
置のインナーリードの先端部とアウターリードをニッケ
ルめっき被膜と金めっき被膜の二層構造にし、同一工程
でめっき被膜を形成したので、従来のインナーリードと
アウターリードのめっき被膜の形成に比べ生産性が向上
するという効果を有する。
置のインナーリードの先端部とアウターリードをニッケ
ルめっき被膜と金めっき被膜の二層構造にし、同一工程
でめっき被膜を形成したので、従来のインナーリードと
アウターリードのめっき被膜の形成に比べ生産性が向上
するという効果を有する。
また、めっき表面が金めつき被膜を施こされていること
により半田付性、ボンディング性が良好であり、半導体
装置の信頼性が著しく向上するという効果も有する。
により半田付性、ボンディング性が良好であり、半導体
装置の信頼性が著しく向上するという効果も有する。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は従来の樹
脂封止型半導体装置の一例の断面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・アイランド、3a・
・・インナーリード、3b・・・アウターリード、4・
・・銀被膜、5・・・錫−鉛合金被膜、6・・・半導体
素子、7・・・金属線、8・・・樹脂、9・・・ニッケ
ル被膜、1o・・・金被膜。
脂封止型半導体装置の一例の断面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・アイランド、3a・
・・インナーリード、3b・・・アウターリード、4・
・・銀被膜、5・・・錫−鉛合金被膜、6・・・半導体
素子、7・・・金属線、8・・・樹脂、9・・・ニッケ
ル被膜、1o・・・金被膜。
Claims (1)
- 半導体素子を搭載したアイランドと、該アイランドに
近接し、前記半導体素子の電極と電気的に接続する複数
のインナーリードと該各インナーリードに連続して外へ
延びるアウターリードとを有する樹脂封止型の半導体装
置に於いて、前記インナーリードの先端部及びアウター
リードの表面が少くとも二層の金属被膜で覆われている
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7227588A JPH01244653A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7227588A JPH01244653A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01244653A true JPH01244653A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13484571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7227588A Pending JPH01244653A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01244653A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04115558A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
JPH06163783A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Goto Seisakusho:Kk | 半導体装置用リードフレーム及びそのメッキ方法 |
EP0778618A3 (en) * | 1992-12-23 | 1998-05-13 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing it |
KR19990016048A (ko) * | 1997-08-12 | 1999-03-05 | 윤종용 | 솔더가 도금된 리드 프레임 및 그를 사용한 반도체 칩패키지의 제조방법 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP7227588A patent/JPH01244653A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04115558A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
JPH06163783A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Goto Seisakusho:Kk | 半導体装置用リードフレーム及びそのメッキ方法 |
EP0778618A3 (en) * | 1992-12-23 | 1998-05-13 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing it |
US5909053A (en) * | 1992-12-23 | 1999-06-01 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
KR19990016048A (ko) * | 1997-08-12 | 1999-03-05 | 윤종용 | 솔더가 도금된 리드 프레임 및 그를 사용한 반도체 칩패키지의 제조방법 |
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