JPH08264697A - 半導体リードフレーム構造およびその製造方法 - Google Patents

半導体リードフレーム構造およびその製造方法

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JPH08264697A
JPH08264697A JP7956696A JP7956696A JPH08264697A JP H08264697 A JPH08264697 A JP H08264697A JP 7956696 A JP7956696 A JP 7956696A JP 7956696 A JP7956696 A JP 7956696A JP H08264697 A JPH08264697 A JP H08264697A
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JP
Japan
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bonding
lead
die
metal
wire
Prior art date
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Pending
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JP7956696A
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English (en)
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Keith W Bailey
キース・ダブリュ・ベイリー
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Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイ・ボンディング部１２と、このダイ・ボ
ンディング部１２に結合された複数のリード１３とを含
む半導体リードフレーム構造１１，４１を提供する。 【解決手段】 リードフレーム構造１１は、銅または銅
合金などの金属２３からなる。少なくとも１つのリード
２８，２９は、ワイヤ・ボンディングを形成するための
主面３２を有するボンディング・ポスト３１を含む。主
面３２は、リードフレーム金属２３の露出領域３３と、
リードフレーム金属２３に被着された別の金属２４の被
覆領域３４とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に半導体装置に関
し、さらに詳しくは、同一パッケージ内で異なるボンデ
ィング・ワイヤ材料を可能にする電力半導体装置用のリ
ードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】電力半導体装置パッケージ（例えば、Ｔ
Ｏ−２１８，ＴＯ−２２０，ＤＰＡＫ，Ｄ2 ＰＡＫ，Ｄ
3 ＰＡＫ）の従来のリードフレームは、一般に、銅また
は銅合金など単一または二重ゲージ材料のリボンから形
成あるいはスタンピングされる。一般に、スタンピング
の前に、リボン材料のすべてまたは一部は別の金属でメ
ッキされる。スタンピングの次に、一般的な電力半導体
リードフレームは、ダイ・ボンディング・パッドと、こ
のダイ・ボンディング・パッドに接続されるかあるいは
その近傍の複数のリードとによって構成される。リード
のすべてまたは一部は、半導体ダイをリードに接続する
（例えば、ワイヤ・ボンディングする）ボンディング・
ポスト部を含む。
【０００３】より高度な従来の電力半導体パッケージで
は、製造業者は、半導体ダイ上の電流伝達電極（例え
ば、絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ）デ
バイス上のソース電極）をリードにワイヤ・ボンディン
グするため、大きな直径のアルミニウム・ワイヤを利用
する場合が多い。アルミニウム・ワイヤが用いられる場
合、アルミニウムは銅とうまく結合しないので、ボンデ
ィング・ポストはニッケルによって完全に被覆される。
さらに、リードは一般にニッケルでメッキされる。
【０００４】アルミニウム・ワイヤを電流伝達電極のワ
イヤ・ボンディングに利用する場合、製造業者は、半導
体ダイ上の制御電極（例えば、ＩＧＦＥＴデバイスにお
けるゲート電極）をリードの１つにワイヤ・ボンディン
グするためアルミニウムを利用しなければならない。こ
れは、金や銅などの他のボンディング・ワイヤ材料はニ
ッケル被覆したボンディング・ポストと整合性がないた
めである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】制御電極用のアルミニ
ウム・ボンディング・ワイヤは、一般に、０．１０〜
０．１３ミリメートル（ｍｍ）（約４〜５ミル）のオー
ダの直径を有する。この直径の制御電極ボンディング・
ワイヤを利用することによって、いくつかの制限が生じ
る。例えば、このとき製造業者は、大きい直径の制御電
極ボンディング・ワイヤに対処するため半導体ダイ上で
大きな制御電極パッドを利用する必要がある。これは、
製造業者によるダイの小型化を著しく制限し、製造コス
トおよび設計上の柔軟性に影響を及ぼす。
【０００６】
【課題を解決するための手段】必要なのは、製造業者が
同一電力半導体パッケージ内で異なるボンディング・ワ
イヤ材料を利用することを可能にするコスト効率的なリ
ードフレーム構造である。
【０００７】
【実施例】一般に、本発明は、同一パッケージ内で異な
る種類のボンディング・ワイヤ材料に対処する電力半導
体装置の半導体リードフレーム構造を提供する。特に、
リードフレーム構造は、タブ部と、ダイ・ボンディング
部に結合された少なくとも１つのリードとを含む。リー
ドフレーム構造は、第１金属材料からなる。リードは、
接続ワイヤをボンディングするための主面を有するボン
ディング・ポストを含む。主面の一部は第１金属の露出
面からなり、主面の残りの部分は第１金属に被着された
第２金属からなる。
【０００８】以下の詳細な説明とともに図１ないし図４
を参照して本発明は詳しく理解できよう。図１は、本発
明によるリードフレーム構造またはリードフレーム１１
の拡大上面図を示す。一般に、リードフレーム１１は、
ダイ・ボンディング部１２，複数のリード１３および上
部１４を含む。ダイ・ボンディング部１２と上部１４と
は一緒に「タブ」部という場合が多い。ダイ・ボンディ
ング部１２は、ダイ・ボンディング・パッドまたは領域
２１を含む。リードフレーム１１は、好ましくは、銅，
銅合金（例えば、ＴＯＭＡＣ４，ＴＡＭＡＣ５，２ＺＦ
ＲＯＲＦＣ，ＣＤＡ１９４），銅メッキ鉄／ニッケル合
金（例えば、銅メッキAlloy 42）などからなる。以下で
詳細に説明するように、リードフレーム１１は、図１に
示すような形状など、所定の構造または形状にリボン基
板からスタンピングされる。
【０００９】リード１３は、例えば、中央リード２７，
制御リード２８および電流伝達リード２９を含む。中央
リード２７は、ダイボンディング部１２に直接接続され
て示される。ある用途では、中央リード２７は電流伝達
リードでもよい。リードフレーム１１は、制御リード２
８および電流伝達リード２９をダイ・ボンディング部１
２に（中央リード２７を介して）結合するダムバー(dam
bar)１８と底部レール１９とともに示される。当技術分
野で周知なように、ダムバー１８および底部レール１９
は、それ以降において最終パッケージ組立中に除去され
る。リード１３はそれ以下またはそれ以上のリードを含
むことができることが理解される。
【００１０】制御リード２８および電流伝達リード２９
のそれぞれは、ボンディング・ポスト３１を含む。各ボ
ンディング・ポスト３１は、ワイヤ・ボンディングを形
成するための主面３２を含む。図示の実施例では、主面
３２はボンディング・ポスト３１の上面である。主面３
２は、本発明の重要な特徴を有する。特に、主面３２
は、露出部分または露出領域３３と被覆部分または残り
部分３４とを含む。
【００１１】図１の基準線２から見たボンディング・ポ
スト３１の拡大断面図である図２に示すように、露出部
分３３は露出したリードフレーム金属または材料２３か
らなり、被覆部分３４はリードフレーム材料２３に被着
された第２金属２４からなる。製造業者が１つの金属か
らなるボンディング・ワイヤを制御リード２８上の露出
部分３３にワイヤ・ボンディングでき、かつ第２材料か
らなるボンディング・ワイヤを電流伝達リード２９上の
被覆部分３４にワイヤボンディングでき、あるいはその
逆が可能なため、ボンディング・ポスト３１の構造は重
要な特徴である。これについては、図３を参照して容易
にわかる。
【００１２】図３は、本発明によるリードフレーム構造
またはリードフレーム４１を含む電力半導体装置４０の
拡大斜視図を示す。電力半導体装置４０は、一般に「Ｄ
ＰＡＫ」装置パッケージと呼ばれる。この実施例は一例
としてのみ示し、他のパッケージ構造（例えば、ＴＯ−
２１８，ＴＯ−２２０，ＴＯ−２４７，Ｄ2 ＰＡＫ，Ｄ
3 ＰＡＫなど）も可能であることが理解される。リード
フレーム４１は、封止材(encapsulant) ７２で封止ある
いは被覆されて示される。封止材７２は、一般に不透明
であるが、封止デバイス内部の要素を示すため透明に
（すなわち、点線で示されるように）示される。リード
フレーム構造４１は、リードの形状を除いて、リードフ
レーム１１と同様である。リードフレーム構造４１は、
ダイ・ボンディング部４２，上部４３，中央リード４
７，制御リード４８および電流伝達リード４９を含む。
ダイ・ボンディング部４２は、ダイ・ボンディング領域
５１を含む。
【００１３】制御リード４８は、露出部分６３と被覆部
分６４とを含む、上面または主面を有するボンディング
・ポスト６１を含む。電流伝達リード４９は、好ましく
は露出部分６８と被覆部分６９の両方を含む、上面を有
するボンディング・ポスト６６を含む。図２に示すボン
ディング・ポスト３１と同様に、露出部分６３，６８は
露出リードフレーム材料からなり、被覆部分６４，６９
はリードフレーム材料に被着された第２金属からなる。
【００１４】電力半導体装置４０はさらに、ダイ装着領
域５１にボンディングされた半導体ダイまたはデバイス
５２を含む。半導体ダイ５２の下面は、例えば、鉛／錫
（Ｐｂ／Ｓｎ）半田などのソフト半田システムを利用し
て、ダイ装着領域５１にボンディングされる。半導体ダ
イ５２は、電力バイポーラ・トランジスタ・デバイス，
サイリスタ・デバイス，絶縁ゲート・バイポーラ・トラ
ンジスタ（ＩＧＢＴ）デバイス，電力絶縁ゲート電界効
果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ）デバイス，整流器デバイ
スなどからなる。半導体ダイ５２は、半導体ダイ５２の
上面に形成された制御電極パッド５３および電流伝達電
極パッド５４を一般に含む。
【００１５】図３において、半導体ダイ５２は、図示の
ためにのみＩＧＦＥＴデバイスとして示される。ＩＧＦ
ＥＴデバイスにおいて、制御電極パッド５３は一般に
「ゲート・パッド」と呼ばれ、電流伝達電極パッド５４
は一般に「ソース・パッド」と呼ばれる。制御電極パッ
ド５３は、ボンディング・ワイヤ４６を利用して露出領
域６３に接続またはワイヤ・ボンディングされて示さ
れ、電流伝達電極パッド５４は、ボンディング・ワイヤ
４４を利用して被覆領域６９に接続またはワイヤ・ボン
ディングされる。制御電極パッド５３および電流伝達電
極パッド５４は、ボンディング・ワイヤ４４，４６と整
合性がある（すなわち、良好なボンディングを形成す
る）金属からなる。一般に、制御電極パッド５３および
電流伝達電極パッド５４は、アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金（例えば、アルミニウム／シリコン）からな
り、周知の方法を利用して形成される。
【００１６】一般に、高電流用途では、ボンディング・
ワイヤ４４はアルミニウムからなり、０．１３〜０．３
８ｍｍ（５〜１５ミル）の範囲の直径を有する。ボンデ
ィング・ワイヤ４４がアルミニウムからなる場合、被覆
部分６４，６９に被着される第２金属は、一般にニッケ
ル・ベースの金属（例えば、ニッケルおよび／またはリ
ンでドーピングされたニッケル）からなる。露出部分６
３では、製造業者は同一パッケージ内で異なるボンディ
ング・ワイヤ材料を利用できる。ボンディング・ワイヤ
４６は、好ましくは、金または銅ボンディング・ワイヤ
など直径の小さいボンディング・ワイヤからなり、露出
部分６３にボンディングされる。従来のリードフレーム
では、ボンディング・ポストの主面は完全に被着第２金
属（例えば、ニッケル）からなり、このような構造は不
可能であった。これは、金または銅からなるボンディン
グ・ワイヤはニッケルと整合性がない（例えば、これら
はボンディング特性が悪い）ためである。
【００１７】露出部分６３は、製造業者がボンディング
・ワイヤ４６として直径の小さいワイヤを利用すること
を可能にするので、重要な効果が得られる。金および銅
ワイヤは、信頼性が実証済みで、ワイヤ・ボンディング
・プロセスを確立しているので、ボンディング・ワイヤ
４６として好適である。ボンディング・ワイヤ４６が金
または銅からなる場合、ボンディング・ワイヤ４６の直
径は、ボンディング・ワイヤ４６がアルミニウムからな
る場合の０．１０から０．１３ｍｍ（４〜５ミル）に比
べて、０．０２〜０．２５ｍｍ（０．８〜１．０ミル）
のオーダになる。このようにボンディング・ワイヤの直
径が小さくなることにより、とりわけ、製造業者は制御
電極パッド５３の寸法を小さくできる。その結果、ダイ
の小型化が達成され、コスト節減につながる。さらに、
ダイの小型化により、製造業者は半導体パッケージの小
型化が可能になり、携帯性が改善される（すなわち、軽
量化および占有面積の縮小）。
【００１８】ボンディング・ポスト６１およびボンディ
ング・ポスト６６はそれぞれ露出部分６３，６８を有し
て示したが、異なるボンディング・ワイヤ材料に対処す
るためには露出部分６３だけでよいことが理解される。
あるいは、ボンディング・ポスト６１の主面全体が露出
リードフレーム材料からなり、ボンディング・ポスト６
６の主面の全体または一部が第２金属で被覆される。た
だし、以下でさらに説明するように、両方のボンディン
グ・ポストが製造のしやすさおよび設計上の柔軟性を得
るために露出部分を有することが好ましい。また、中央
リード４７は、同様に露出された領域を含んでもよい。
【００１９】好ましくは、両方のボンディング・ポスト
６１，６６が露出部分を含む場合、露出部分６３，６６
は、被覆部分６４，６９がアルミニウム・ボンディング
・ワイヤ（例えば、電流伝達リード４９上のボンディン
グ・ワイヤ４４）を収容するのに十分な寸法となるよう
な幅７６を有する。これにより、製造業者は、ボンディ
ング・ワイヤ４４としてアルミニウム・ワイヤを利用で
き、必要に応じてボンディング・ワイヤ４６としてアル
ミニウム・ワイヤを利用できるので、設計上の柔軟性が
得られる。すなわち、幅７６が少なくとも０．１３ｍｍ
で、約０．５０ｍｍ以下（５〜２０ミル）の場合、ボン
ディング・ポスト６１は、用途条件に応じて、例えば、
金，銅またはアルミニウム・ボンディング・ワイヤに対
処できる。これにより、製造業者は、同一リードフレー
ム構造を利用して、制御用ワイヤ・ボンディングおよび
電流伝達用ワイヤ・ボンディングについて同じ種類のボ
ンディング・ワイヤを有する装置や、電流伝達ワイヤボ
ンドについて１つの種類のボンディング・ワイヤを有
し、制御ワイヤ・ボンディングについて別の種類のボン
ディング・ワイヤを有する装置を製造できる。
【００２０】図３に示すように、制御リード４８および
電流伝達リード４９は、ダイ・ボンディング部４２に近
接あるいは離間している。すなわち、制御リード４８上
のボンディング・ポスト６１と、電流伝達リード４９上
のボンディング・ポスト６６とは、本実施例ではダイ・
ボンディング部４２の上にある。図１に示すように、制
御リード４８および電流伝達リード４９は、ダムバー
（例えば、図１に示すダムバー１８）および底部レール
（例えば、図１に示す底部レール１９）によって封止さ
れる前に固定され（すなわち、ダイ・ボンディング部４
２に結合され）、ダムバーおよび底部レールはその後除
去されて、図３に示す構成となる。封止材７２は、少な
くともダイ・ボンディング領域５１，半導体ダイ５２，
ボンディング・ワイヤ４４，４６およびボンディング・
ポスト６１，６６を被覆する。電力半導体装置４０を形
成する方法は、当技術分野で周知である。
【００２１】被覆部分６４，６９以外にも、リードフレ
ーム材料に被着された第２金属（例えば、図２に示す第
２金属２４）を有してもよいことが理解される。例え
ば、ある用途では、上部４３，ダイ・ボンディング部４
２および中央リード，制御リード４８，電流伝達リード
４９の残りの部分（露出部分６３，６８を除く）は、リ
ードフレーム材料に被着された第２金属を有する。ある
いは、上部４３および中央リード４７，制御リード４
８，電流伝達リード４９の残りの部分（露出部分６３，
６８を除く）のみがリードフレーム材料に被着された第
２金属を含む。本発明では、少なくとも１つのボンディ
ング・ポストはリードフレーム材料の露出領域を含み、
少なくとも１つの別のボンディング・ポストはリードフ
レーム材料に被着された第２金属の被覆領域を含む。
【００２２】本発明によるリードフレーム構造を形成す
る好適な方法を説明するため、図４は、製造初期段階に
おけるリボン基板８１の拡大断面図を示す。この例は、
非メッキ・ダイ・ボンディング部を有するリードフレー
ム構造を形成するものである。もちろん、この方法は、
リードフレーム材料からなる露出領域を有する１つのボ
ンディング・ポストが少なくとも得られる任意のマスキ
ング構成（例えば、図２に示す構成）に適する。
【００２３】リボン基板８１は、タブ部８２とこのタブ
部８２よりも薄いリード部８３とを含む二重ゲージ（す
なわち、２つの厚さ）構成で示される。タブ部８２は、
一般に０．５０〜１．５ｍｍ（２０〜６０ミル）の範囲
の厚さを有し、リード部８３は、一般に０．４５〜０．
８０ｍｍ（１８〜３０ミル）の範囲の厚さを有する。リ
ード部８３は、特定のパッケージ条件に依存する長さを
有する。あるいは、単一ゲージ・リボン基板も用いられ
る。
【００２４】リボン基板８１は、銅，銅合金，銅メッキ
鉄／ニッケル合金（例えば、Alloy42）などからなる。
リボン基板８１などのリボン基板は、神戸製鋼，Olin B
rassCorp. of East Alton, Illinois，Pongsan Materia
ls Corp. of Pongsan, Korea などの供給業者から入手
可能である。スタンピング・プロセス中に、リボン基板
８１は、中心線８６に沿って互いに平行な２つのリード
フレーム構造に一般にスタンピングされる。
【００２５】タブ部８２およびリード部８３の領域がマ
スキング層８４によってマスキングされた後のリボン基
板８１が示される。マスキング層８４は、以降の第２金
属被着プロセス中に、第２金属がリボン基板８１の被マ
スク部分に被着することを防ぐ。マスキング層８４は、
好ましくは、Mylar （登録商標）などのマスキング・テ
ープからなり、周知の処理方法を利用してリボン基板８
１に適用される。
【００２６】マスキング層８４の下のタブ部８２の領域
は、ダイ・ボンディング部（例えば、図１におけるダイ
・ボンディング部１２）となる。さらに、本発明に従っ
て、マスキング層８４は、このマスキング層８４がリー
ド部８３上に延在するような幅８７を有する。この追加
幅により、第２金属は、露出部３３（図１に図示）のよ
うな露出部を形成するためのマスキング層８４の下のリ
ード部８３の領域（スタンピング後にボンディング・ポ
ストになる部分を含む）に被着しない。ダイ・ボンディ
ング部がマスキングされる（すなわち、ダイ・ボンディ
ング部がメッキされず、少なくとリードがメッキされ
る）従来のプロセスでは、マスキング層は、リード部が
開始するところで終端する。これは、図４における矢印
８８によって示される。
【００２７】好ましくは、マスキング層８４は、リード
フレーム構造がリボン基板８１からスタンピングされる
か形成された後に、十分な量の露出領域がリード部８３
に残るように、リード部８３上にある距離だけ延在す
る。これは、スタンピング・プロセス中に、一部のリー
ドがタブ部８２から切断される際に除去され、タブ部８
２に近接して配置されるためである（これについては、
例えば、図３においてより明確に示され、ここで制御リ
ード４８および電流伝達リード４９はダイ・ボンディン
グ部４２の上にある）。好ましくは、マスキング層８４
は、リードフレーム構造がスタンピングされた後に約
０．２５ｍｍ（１０ミル）の幅を有する露出領域を設け
るため、少なくとも約０．８０ｍｍ（３０ミル）だけリ
ード部８３上に延在する。
【００２８】リボン基板８１が図４に示すようにマスキ
ングされた後、第２金属層がリボン基板８１の非マスク
領域に被着される。好ましくは、第２金属は、周知の電
気メッキ方法を利用してリボン基板８１の非マスク領域
にメッキされる。例えば、電流伝達ボンディング・ワイ
ヤ（例えば、図３に示すボンディング・ワイヤ４４）用
のアルミニウム・ワイヤを収容するため、リボン基板８
１は、約１．３〜５．０ミクロン（５０〜２００マイク
ロインチ）の範囲の厚さを有するニッケル・ベース金属
でメッキされる。
【００２９】マスキング層がリード部８３上に延在する
ようにマスキング層８４の幅を増加することによって、
第１金属と整合性があるボンディング・ワイヤをワイヤ
・ボンディングするための露出領域（例えば、図１に示
す露出領域３３）を形成するコスト効率的な方法が達成
される。マスキング層８４の形状は、完成リードフレー
ムのリードのすべて，一部あるいは１つが第１金属の露
出領域を含むように容易に修正できる。ただし、コスト
が問題になる場合には、すべてのリードが露出部分を含
むことが好ましい。
【００３０】電気メッキの次に、マスキング層８４は除
去され、リボン基板８１は、周知の処理方法を利用して
所望の形状または構造（例えば、図１に示す構造）にス
タンピングされる。尚、いくつかのリードフレーム構造
がリボン基板８１にスタンピングされることが理解され
る。次に、いくつかのリードフレーム構造は、ダイ・ボ
ンディング，ワイヤ・ボンディングおよび封止を含むプ
ロセス工程を介して一緒に処理され、パッケージングさ
れた半導体装置を形成する。次に装置は分離され、図３
に示す電力半導体装置４０など個別ユニットを形成す
る。
【００３１】以上、製造業者が同一電力半導体パッケー
ジ内で異なる種類のボンディング・ワイヤを利用できる
リードフレーム構造および方法が提供された。これは、
製造上の柔軟性を大幅に向上させる。さらに、製造業者
は制御電極パッドを制御リードにワイヤ・ボンディング
するため、より直径の小さいワイヤを利用できる。直径
の小さいワイヤにより、製造業者は制御電極パッドの大
きさを小さくでき、これはダイの小型化，コスト節減お
よび可搬性の向上につながる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるリードフレーム構造の拡大上面図
である。
【図２】基準線２から見た図１のリードフレーム構造の
一部の拡大断面図である。
【図３】本発明によるリードフレーム構造を含む電力半
導体パッケージの斜視図である。
【図４】本発明によるリードフレーム構造を形成するた
めのリボン基板の断面図である。
【符号の説明】
１１ リードフレーム １２ ダイ・ボンディング部 １３ リード １４ 上部 １８ ダムバー １９ 底部レール ２１ ダイ・ボンディング・パッド（領域） ２３ リードフレーム材料 ２４ 第２金属 ２７ 中央リード ２８ 制御リード ２９ 電流伝達リード ３１ ボンディング・ポスト ３２ 主面 ３３ 露出領域 ３４ 被覆領域（残り部分） ４０ 電力半導体装置 ４１ リードフレーム構造 ４２ ダイ・ボンディング部 ４３ 上部 ４４ ボンディング・ワイヤ ４６ ボンディング・ワイヤ ４７ 中央リード ４８ 制御リード ４９ 電流伝達リード ５１ ダイ・ボンディング領域 ５２ 半導体ダイ（デバイス） ５３ 制御電極パッド ５４ 電流伝達電極パッド ６１ ボンディング・ポスト ６３ 露出部分 ６４ 被覆部分 ６６ ボンディング・ポスト ６８ 露出部分 ６９ 被覆部分 ７２ 封止材 ７６ 幅 ８１ リボン基板 ８２ タブ部 ８３ リード部 ８４ マスキング層 ８６ 中心線 ８７ 幅

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１金属（２３）からなるタブ部；およ
    び前記タブ部に結合された第１リード（２８）であっ
    て、前記第１リードは前記第１金属（２３）からなり、
    かつ接続ワイヤをボンディングするための第１主面（３
    ２）を有する第１ボンディング・ポストを含み、前記第
    １主面（３２）は、前記第１金属からなる第１露出領域
    （３３）と、前記第１金属（２３）上に被着された第２
    金属（２４）からなる第１残り領域（３４）とを含む、
    第１リード（２８）；によって構成されることを特徴と
    する半導体リードフレーム構造。
  2. 【請求項２】 第１金属からなるリードフレーム構造で
    あって、前記リードフレーム構造は、ダイボンディング
    部（４２）と複数のリードとを含み、前記ダイ・ボンデ
    ィング部はダイ・ボンディング領域（５１）を有し、前
    記複数のリードは、第１ボンディング・ポスト（６１）
    を有する第１リード（４８）と、第２ボンディング・ポ
    スト（６６）を有する第２リード（４９）と、第３リー
    ド（４７）とを含み、前記第１および第２リードは前記
    ダイ・ボンディング部から離間され、前記第３リードは
    前記ダイ・ボンディング部に接続され、前記第１ボンデ
    ィング・ポストは、前記第１金属の第１露出部分（６
    ３）を含み、前記第２ボンディング・ポストは、第２金
    属からなる第１被覆部分（６９）を含む第２主面を有す
    る、リードフレーム構造（４１）；前記ダイ・ボンディ
    ング領域にボンディングされた半導体ダイ（５２）であ
    って、前記半導体ダイは、上面に形成された制御電極パ
    ッド（５３）および電流伝達電極パッド（５４）を含
    む、半導体ダイ（５２）；前記制御電極パッドを前記第
    １ボンディング・ポストに接続する第１ボンディング・
    ワイヤ（４６）；前記電流伝達電極を前記第２ボンディ
    ング・ポストに接続する第２ボンディング・ワイヤ（４
    ４）；および少なくとも前記ダイ・ボンディング・パッ
    ド，前記半導体ダイ，前記第１および第２ボンディング
    ・ワイヤならびに前記第１および第２ボンディング・ポ
    ストを被覆する封止材（７２）；によって構成されるこ
    とを特徴とする電力半導体装置。
JP7956696A 1995-03-06 1996-03-06 半導体リードフレーム構造およびその製造方法 Pending JPH08264697A (ja)

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