JPH06216308A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH06216308A
JPH06216308A JP5005138A JP513893A JPH06216308A JP H06216308 A JPH06216308 A JP H06216308A JP 5005138 A JP5005138 A JP 5005138A JP 513893 A JP513893 A JP 513893A JP H06216308 A JPH06216308 A JP H06216308A
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孝 高橋
Jiro Honda
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電流検出用チップ抵抗の実装による抵抗値変
動を小さくし、正確な電流検出を行うことができる樹脂
封止型半導体装置を得ることを目的とする。 【構成】 リードフレーム１上には出力用半導体素子５
が搭載されており、リードフレーム３上には制御用半導
体素子７が搭載されている。また、電流検出抵抗である
チップ抵抗１５、１６は、リードフレーム２、３間に半
田等により並列に実装されている。 【効果】 電流検出抵抗の実装による抵抗増加分を減少
でき、電流検出の精度向上及び消費電力低減、及び実装
自由度の向上が図れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体装
置、特に、車両等に用いられる出力用半導体素子及びそ
の制御用半導体素子を同一パッケージ内に内蔵したマル
チチップ型の樹脂封止型半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来のマルチチップ型の樹脂封
止型半導体装置を示す概略平面図であり、図８はその側
面図である。これらの図において、リードフレーム１上
には、出力用半導体素子５が半田付等により固着されて
いる。また、リードフレーム３上には、出力用半導体素
子５の制御用半導体素子７が半田付等により固着されて
いる。出力用半導体素子５、制御用半導体素子７とリー
ドフレーム２〜４とは、ワイヤ９により電気的に接続さ
れている。リードフレーム２、３間には、出力用半導体
素子５に流れる電流を検出するチップ抵抗６が半田等に
より固着されている。樹脂封止型半導体装置は、リード
フレーム１〜４の先端部を除き保護用のモールド樹脂８
により封止されている。なお、リードフレーム１には、
樹脂封止型半導体装置をネジ等により固定するためのネ
ジ穴１０が設けられている。
【０００３】従来の樹脂封止型半導体装置は上述したよ
うに構成され、この装置に印加される電流はリードフレ
ーム１から入力され（図１０中、電源１３）、スイッチ
ングに用いられる出力用半導体素子５からワイヤ９を介
してリードフレーム２に至る。そして、チップ抵抗６を
通りリードフレーム３に至る（同、接地１４）。この
時、数１０ｍΩ程度の低抵抗値を持つチップ抵抗６の両
端に発生した電圧により、チップ抵抗６に流れる電流値
を検出し、この電流値に基づいて制御用半導体素子７に
て電流制御を行う。
【０００４】図９は、チップ抵抗６実装部の等価回路を
示し、図１０は、電流経路の等価回路を示す。これらの
図において、チップ抵抗６の抵抗値をＲ６で表す。ま
た、チップ抵抗６を実装することにより生じた抵抗を抵
抗１１とし、その抵抗値をΔＲ６とする。従って、チッ
プ抵抗６をリードフレーム２、３に実装することによる
電流検出抵抗の全抵抗値Ｒは、Ｒ６＋ΔＲ６となる。ま
た、消費電力Ｗ６は、チップ抵抗６に流れる電流をＩＥ
とすると、ＩＥ２Ｒ６＋ＩＥ２△Ｒ６となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような樹脂封
止型半導体装置では、低抵抗値のチップ抵抗６を実装し
たとき、半田付け等の実装による抵抗値の増加が起こる
ため、たとえ抵抗値の精度が良いチップ抵抗６を使用し
たとしても正確な電流値の検出が困難であるという問題
点があった。
【０００６】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、チップ抵抗を実装する時の抵抗値
の変動を最小にして正確な電流値を検出することができ
る樹脂封止型半導体装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る樹脂封止型半導体装置は、半導体素子に流れる電
流を検出する電流検出抵抗を複数個並列に実装したもの
である。
【０００８】この発明の請求項第２項に係る樹脂封止型
半導体装置は、電流検出抵抗を位置決め手段により所定
の位置に位置決めしてリードフレームに実装したもので
ある。
【０００９】
【作用】この発明の請求項第１項においては、電流検出
抵抗をｎ個並列にリードフレームに実装した場合、電流
検出抵抗実装時の抵抗増加分は１／ｎとなり抵抗増加分
が少なくなるため、実装時の抵抗値の変動を最小にする
ことができ、正確な電流値検出が可能となる。この発明
の請求項第２項においては、位置決め手段により所定の
位置のリードフレームに電流検出抵抗を実装するので、
電流検出抵抗を一定位置に固定し易くなり、実装バラツ
キによる抵抗値の変動を防止する。
【００１０】
【実施例】実施例１．図１は、この発明の実施例１によ
る樹脂封止型半導体装置を示す概略平面図である。な
お、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示してい
る。図において、リードフレーム２、３間には、電流検
出抵抗であるチップ抵抗１５、１６が例えば半田により
並列に実装されている。
【００１１】上述したように構成された樹脂封止型半導
体装置では、電流経路は従来装置と同様である。電流検
出抵抗を２つのチップ抵抗１５、１６の合成抵抗により
構成した場合、図２に示すように、チップ抵抗１５、１
６を実装することにより抵抗分１７、１８が生じる。い
ま、図３の等価回路により、実装により生じた抵抗分１
７、１８を含めた検出抵抗値Ｒ１を求める。チップ抵抗
１５の抵抗値をＲ15、チップ抵抗１６の抵抗値をＲ16、
チップ抵抗１５、１６の実装により生じた抵抗分１７、
１８の抵抗値を△Ｒ15、△Ｒ16とする。すると検出抵抗
Ｒ1は、
【００１２】
【数１】
【００１３】となる。ここで、従来装置のチップ抵抗値
Ｒ6とＲ15，Ｒ16の関係は、 ２・Ｒ6＝Ｒ15＝Ｒ16 とする。また従来のチップ抵抗実装による抵抗値△Ｒ6
は、 △Ｒ6＝△Ｒ15＝△Ｒ16 となる。これより検出抵抗Ｒ1は、
【００１４】
【数２】
【００１５】となり、実装による抵抗値の増加を従来の
１／２にできる。また、チップ抵抗１５、１６に流れる
電流は、チップ抵抗が１つの場合の電流ＩＥの１／２と
なり、これによりチップ抵抗が２つの場合の各チップ抵
抗１５、１６の消費電力Ｗ15，Ｗ16は、
【００１６】
【数３】
【００１７】となり、チップ抵抗の抵抗値を２倍にして
もチップ抵抗の消費電力は１／２となり、動作時の発熱
を低く抑えることができる。これによりチップ抵抗の小
型化も可能である。
【００１８】実施例２．なお、実施例１では、電流検出
用のチップ抵抗が２個の場合について説明したが、従来
のチップ抵抗６の代わりに、チップ抵抗６の抵抗値Ｒ6
のｎ倍の抵抗値を持つチップ抵抗をｎ個並列に実装する
ことにより、実装による抵抗値の変化を１／ｎにでき、
かつ、各チップ抵抗の消費電力も１／ｎにできる。図４
は、チップ抵抗２１、２２を追加し、合計４個のチップ
抵抗を使用した場合を示す。
【００１９】実施例３．図５は、この発明の実施例３に
よる樹脂封止型半導体装置のチップ抵抗を示す平面図で
ある。図において、チップ抵抗１５、１６は、リードフ
レーム２、３上に形成された溝１９に位置決めされ実装
されている。チップ抵抗１５、１６の実装位置を位置決
めマークとしての溝１９により定めることにより、実装
バラツキによる抵抗値の変動を少なくすることが可能で
ある。
【００２０】実施例４．図６は、この発明の実施例４に
よる樹脂封止型半導体装置のチップ抵抗を示す平面図で
ある。図において、チップ抵抗１５、１６は、リードフ
レーム２、３に形成された凹部２０に実装されている。
チップ抵抗１５、１６を凹部２０に実装することによ
り、実装時にチップ抵抗１５、１６を一定位置に固定で
き、実装バラツキによる抵抗値の変動を少なくすること
が可能である。また、実装時の作業性を向上させること
ができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第１項は、リードフレームの主面上に半導体素子及びそ
の制御用半導体素子を搭載し、上記半導体素子に流れる
電流を検出する電流検出抵抗を実装して樹脂封止した樹
脂封止型半導体装置であって、上記電流検出抵抗を複数
個並列に実装したので、電流検出抵抗実装時の抵抗値の
増加を少なくすることができ、高精度で信頼性の高い樹
脂封止型半導体装置が得られるという効果を奏する。ま
た、抵抗公差の絶対値を大きくすることができるので、
電流検出抵抗のコストダウンを図ることができる。さら
に、電流検出抵抗を分割することにより、電流検出抵抗
１個当たりの消費電力が小さくなることによる電流検出
抵抗の形状の小型化、それにより実装の自由度が増すと
いう効果も奏する。
【００２２】この発明の請求項第２項は、位置決め手段
により所定の位置に位置決めして電流検出抵抗をリード
フレームに実装するので、電流検出抵抗を一定位置に実
装でき、実装バラツキによる抵抗値の変動を少なくする
ことができと共に、実装時の作業性を向上させることが
できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例１による樹脂封止型半導体装
置を示す概略平面図である。
【図２】図１に示した樹脂封止型半導体装置におけるチ
ップ抵抗の実装部等価回路図である。
【図３】図１に示した樹脂封止型半導体装置の等価回路
図である。
【図４】この発明の実施例２による樹脂封止型半導体装
置を示す概略平面図である。
【図５】この発明の実施例３による樹脂封止型半導体装
置のチップ抵抗を示す平面図である。
【図６】この発明の実施例４による樹脂封止型半導体装
置のチップ抵抗を示す平面図である。
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置を示す概略平面図
である。
【図８】図７に示した樹脂封止型半導体装置の側面図で
ある。
【図９】図７に示した樹脂封止型半導体装置におけるチ
ップ抵抗の実装部等価回路図である。
【図１０】図７に示した樹脂封止型半導体装置の等価回
路図である。
【符号の説明】
１、２、３、４ リードフレーム ５ 出力用半導体素子 ７ 制御用半導体素子 ８ モールド樹脂 ９ 金属ワイヤ １０ ネジ穴 １３ 電源 １４ 接地 １５、１６ チップ抵抗 １７、１８ チップ抵抗実装により生じた抵抗分 １９ 溝 ２０ 凹部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレームの主面上に半導体素子及
    びその制御用半導体素子を搭載し、上記半導体素子に流
    れる電流を検出する電流検出抵抗を実装して樹脂封止し
    た樹脂封止型半導体装置であって、 上記電流検出抵抗を複数個並列に実装したことを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 電流検出抵抗は、位置決め手段により所
    定の位置に位置決めされてリードフレームに実装される
    ことを特徴とする請求項第１項記載の樹脂封止型半導体
    装置。
JP5005138A 1993-01-14 1993-01-14 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH06216308A (ja)

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JP5005138A JPH06216308A (ja) 1993-01-14 1993-01-14 樹脂封止型半導体装置
US08/182,710 US5399905A (en) 1993-01-14 1994-01-13 Resin sealed semiconductor device including multiple current detecting resistors

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JP5005138A JPH06216308A (ja) 1993-01-14 1993-01-14 樹脂封止型半導体装置

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