JPH02213155A - 半導体用パツケージ - Google Patents
半導体用パツケージInfo
- Publication number
- JPH02213155A JPH02213155A JP3436189A JP3436189A JPH02213155A JP H02213155 A JPH02213155 A JP H02213155A JP 3436189 A JP3436189 A JP 3436189A JP 3436189 A JP3436189 A JP 3436189A JP H02213155 A JPH02213155 A JP H02213155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- ceramic
- semiconductor
- metal conductors
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 2
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はマイクロ波用に使用される半導体用パッケー
ジの構造に関するものである。
ジの構造に関するものである。
第２図は従来の半導体用パッケージ上に半導体チップを
アセンブリされた状態の斜視図、第３図は第２図のメタ
ライズめっき構造の断面図である。
アセンブリされた状態の斜視図、第３図は第２図のメタ
ライズめっき構造の断面図である。
図において、セラミック（１）上には各々チップ接着部
・ワイヤ配線部・外部リード１２）との導通部（側面部
含む）及び外部リード（２）の接着部（裏面）にはタン
グステン等を下地メタライズとして金属導体＋３１１４
１が形成されている。外部リード（２）とセラミック（
１）の接着は金属導体を介しセラミック裏面に銀ろう付
等により接着され、パッケージを構成している。
・ワイヤ配線部・外部リード１２）との導通部（側面部
含む）及び外部リード（２）の接着部（裏面）にはタン
グステン等を下地メタライズとして金属導体＋３１１４
１が形成されている。外部リード（２）とセラミック（
１）の接着は金属導体を介しセラミック裏面に銀ろう付
等により接着され、パッケージを構成している。
パッケージ上面の金属導体＋３１の１つには金糸半田（
５）を用い半導体チップ（６）が接着され、半導体チッ
プ１６）上の各々の電極より、セラミック（１）上の各
々の金属導体（３）に金線（７）等のワイヤが配線され
ている。
５）を用い半導体チップ（６）が接着され、半導体チッ
プ１６）上の各々の電極より、セラミック（１）上の各
々の金属導体（３）に金線（７）等のワイヤが配線され
ている。
また、チップ接着面の金属導体（３）上には、半導体チ
ップ（６）を囲む形で、アルミナ等の絶縁物１８）が形
成され、半導体チップ（６）の接着時の半田流れを防止
している。
ップ（６）を囲む形で、アルミナ等の絶縁物１８）が形
成され、半導体チップ（６）の接着時の半田流れを防止
している。
この形成方法をｇＪ３図に示す。セラミック（１）上に
、タングステン等のメタライズ（９）が印刷、焼成され
、その後Ｎｉめつき（ＩＧが施こされ、指定の位置にア
ルミナ等の絶縁物が印刷、焼成され、最終的に外部リー
ド１２）が指定の位置に銀ろう付され、全体に金めつき
ｆｉｌｌが施こされ半導体用パッケージとして仕上がる
。
、タングステン等のメタライズ（９）が印刷、焼成され
、その後Ｎｉめつき（ＩＧが施こされ、指定の位置にア
ルミナ等の絶縁物が印刷、焼成され、最終的に外部リー
ド１２）が指定の位置に銀ろう付され、全体に金めつき
ｆｉｌｌが施こされ半導体用パッケージとして仕上がる
。
従来の半導体用パッケージは以上の様に構成されていた
ので、パッケージ製造上、アルミナ等の絶縁物形成とい
う手間がかかりまた。絶縁物印刷、焼成の作業時にチッ
プ接着面への付着が心配され、この場合半導体チップの
接着の悪さへとつながるなどの問題点があった。
ので、パッケージ製造上、アルミナ等の絶縁物形成とい
う手間がかかりまた。絶縁物印刷、焼成の作業時にチッ
プ接着面への付着が心配され、この場合半導体チップの
接着の悪さへとつながるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためずこなさ
れたもので、半導体用パッケージの低コスト化が計れる
とともに、安定した半導体用パッケージを得ることを引
的とする。
れたもので、半導体用パッケージの低コスト化が計れる
とともに、安定した半導体用パッケージを得ることを引
的とする。
この発明に係る半導体用パッケージはチップ接着部の半
田流れ防止部をめっき工程により形成するようにしたも
のである。
田流れ防止部をめっき工程により形成するようにしたも
のである。
この発明Ｉこおける半田流れ防止部は最終金めつき時の
マスクにより形成され半導体用パッケージを構成する。
マスクにより形成され半導体用パッケージを構成する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。！Ｊ
１図において、セラミック！１１上には、従来と同様に
タングステン等のメタライズ（９）が印刷、焼成され、
その後ＮｉめつきＱｌが施こされ外部リード（２）が蝦
ろう等により接着される。その後の最終金めつき（１１
１時に、従来の絶縁物形成部にあたる部分０２に金めつ
きσＢを行う治具でマスクを行い全体に金めつきを施こ
し、この部分ａ３の最表面をＮｉめつきで仕上げる。こ
れにより、金糸半田を用いる半導体装置の半田流れ防止
部を形成することができる。
１図において、セラミック！１１上には、従来と同様に
タングステン等のメタライズ（９）が印刷、焼成され、
その後ＮｉめつきＱｌが施こされ外部リード（２）が蝦
ろう等により接着される。その後の最終金めつき（１１
１時に、従来の絶縁物形成部にあたる部分０２に金めつ
きσＢを行う治具でマスクを行い全体に金めつきを施こ
し、この部分ａ３の最表面をＮｉめつきで仕上げる。こ
れにより、金糸半田を用いる半導体装置の半田流れ防止
部を形成することができる。
以上の様な構成で半導体用パッケージが構成されている
ため、パッケージの製造工数の減少を計るとともに不要
な絶縁部の形成がないため、品質的にも安定した半導体
用パッケージを得ることができる。
ため、パッケージの製造工数の減少を計るとともに不要
な絶縁部の形成がないため、品質的にも安定した半導体
用パッケージを得ることができる。
以上のようにこの発明によれば、半田流れ防止部の形成
を最終金めつき工程で形成できるため、半導体用パッケ
ージのコストダウンが計れると共に、不要な絶縁物の形
成がないため製品製造上も安定した半導体装置を得るこ
とができる。
を最終金めつき工程で形成できるため、半導体用パッケ
ージのコストダウンが計れると共に、不要な絶縁物の形
成がないため製品製造上も安定した半導体装置を得るこ
とができる。
第１図はこの発明の一実施例である半導体用パッケージ
の断面図、第２図は従来の半導体用パッケージ上の組立
後の斜視図、＠３図は＠２図のパッケージの断面図を示
す。 図中、１１）はセラミック、（２）は外部リード、（９
）はタングステン等のメタライズ、 ＧＯはＮｉめっき
、０１１は金めつき、１１３は本発明により形成された
半田流れ防止部を示す。 なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
の断面図、第２図は従来の半導体用パッケージ上の組立
後の斜視図、＠３図は＠２図のパッケージの断面図を示
す。 図中、１１）はセラミック、（２）は外部リード、（９
）はタングステン等のメタライズ、 ＧＯはＮｉめっき
、０１１は金めつき、１１３は本発明により形成された
半田流れ防止部を示す。 なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- セラミック上に各々の電極に分離された金属導体を有し
、この金属導体の下地にＮｉめつきを行い最表面に仕上
げめつきを施した構造で、前記金属導体のうち、半導体
素子装着部の周囲をＮｉめつきとしたことを特徴とする
半導体用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3436189A JPH02213155A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 半導体用パツケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3436189A JPH02213155A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 半導体用パツケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02213155A true JPH02213155A (ja) | 1990-08-24 |
Family
ID=12412024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3436189A Pending JPH02213155A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 半導体用パツケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02213155A (ja) |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP3436189A patent/JPH02213155A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08321671A (ja) | バンプ電極の構造およびその製造方法 | |
| JPS5821847A (ja) | 電子部品取付用構成体の製造方法 | |
| JPH02213155A (ja) | 半導体用パツケージ | |
| JPS61147555A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6016749B2 (ja) | 集積回路用パツケ−ジ | |
| JPH01244653A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59178768A (ja) | 複合部品 | |
| JPS62263665A (ja) | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置 | |
| JPH10303227A (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JPH11126853A (ja) | 厚膜回路基板の製造方法 | |
| JPS60194545A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS605224B2 (ja) | 集積回路用パツケ−ジ | |
| JPS62226649A (ja) | ハイブリツド型半導体装置 | |
| JPH0341475Y2 (ja) | ||
| JPH0298187A (ja) | 厚膜集積回路およびその製造方法 | |
| JPH06151494A (ja) | 混成集積回路のワイヤーボンディング方法及びそれに使用するワイヤーボンディング用チップ状体 | |
| GB2147457A (en) | Encapsulated semiconductor device with composite conductive leads | |
| JPS6244688B2 (ja) | ||
| JPS62173746A (ja) | リ−ドフレ−ムとその製造方法 | |
| JPS6292354A (ja) | ハイブリツドｉｃ | |
| JPH05343604A (ja) | ハイブリッドｉｃとその製造方法 | |
| JPS5834953A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61280639A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03116846A (ja) | 混成集積回路及びその製造方法 | |
| JPS624348A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジの製造方法 |