JPS5948546B2 - リ−ドフレ−ム用金属ストリップ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ｐｎ接合半導体装置の製造方法に関するも
のである。
のである。
ＧａＡｓ半導体材料を用いたｐｎ接合変調用ダイオード
は、Ｓｉ半導体材料を用いた場合３００゜に付近でＳｉ
の移動度が１５００ｄ／Ｖ−Ｓ程度であるのに対し、Ｇ
ａＡｓのそれは８０００ｃｍ２／Ｖ−Ｓ程度とかなり大
きく、高周波領域では優れた特性を示すため、重要な半
導体装置となつている。
は、Ｓｉ半導体材料を用いた場合３００゜に付近でＳｉ
の移動度が１５００ｄ／Ｖ−Ｓ程度であるのに対し、Ｇ
ａＡｓのそれは８０００ｃｍ２／Ｖ−Ｓ程度とかなり大
きく、高周波領域では優れた特性を示すため、重要な半
導体装置となつている。
しかし、この優れた特性に反して製造方法は難しく、Ｓ
ｉ半導体材料を用いた場合に比べ特性のバラツキ、歩留
りはかなり低くなつている。以下に一般に行われている
この種の半導体装置の製造方法について説明する。
ｉ半導体材料を用いた場合に比べ特性のバラツキ、歩留
りはかなり低くなつている。以下に一般に行われている
この種の半導体装置の製造方法について説明する。
第１図ａ、ｂ、ｃ、は従来のｐｎ接合変調用ダイオード
の製造方法の工程を示す断面図で、まず、第１図ａのよ
うに不純物濃度が約１×１０”゜Ｃｍ−”のｎ”ＧａＡ
ｓ基板１と不純物濃度が約１〜３×１０”゜Ｃｍ−゜の
ｎ−層２からなるＧａＡｓウェハを封管法あるいは開管
法により、ｐ形の不純物をドープしｐ層３を形成した後
、ｐ形のオーミック電極４を、例えばＡｕ−Ｎｉをメッ
キあるいは蒸着により形成し、ｐｎ接合形ＧａＡｓウェ
ハを構成する。
の製造方法の工程を示す断面図で、まず、第１図ａのよ
うに不純物濃度が約１×１０”゜Ｃｍ−”のｎ”ＧａＡ
ｓ基板１と不純物濃度が約１〜３×１０”゜Ｃｍ−゜の
ｎ−層２からなるＧａＡｓウェハを封管法あるいは開管
法により、ｐ形の不純物をドープしｐ層３を形成した後
、ｐ形のオーミック電極４を、例えばＡｕ−Ｎｉをメッ
キあるいは蒸着により形成し、ｐｎ接合形ＧａＡｓウェ
ハを構成する。
次いで、第１図ｂのように写真製版技術を用いて所望の
大きさのリード電極５を、例えばＡｕをメッキあるいは
蒸着等によりカサ状に形成し、その後、第１図ｃのよう
にＧａＡｓ用エッチング液を用いてメサ形にエッチング
を施し、これを第２図のようにペレット状にダイシンン
グしてこれにワイヤ６をボンディングしてペレットを構
成していた。上記従来の方法で作成されたペレットはエ
ッチングの際にサイドエッチングされることが多く、そ
のためリード電極５はカサ状に形成するので、この様な
状態では電極面積が小さくなるとネイルヘッドボンディ
ングあるいはウェッジボンディングを行つた場合、ワイ
ヤ６の球状部によつて押されリード電極５のエッジ部は
ｐ層３およびｎ−層２等のＧａＡＳ面に接触する可能性
が大きく、不良の原因となり、またメサエツチングの際
リード電路はシリコン金共融体又は銀充填エポキシ樹脂
接着剤等によつてリードフレームに取付けられる。
大きさのリード電極５を、例えばＡｕをメッキあるいは
蒸着等によりカサ状に形成し、その後、第１図ｃのよう
にＧａＡｓ用エッチング液を用いてメサ形にエッチング
を施し、これを第２図のようにペレット状にダイシンン
グしてこれにワイヤ６をボンディングしてペレットを構
成していた。上記従来の方法で作成されたペレットはエ
ッチングの際にサイドエッチングされることが多く、そ
のためリード電極５はカサ状に形成するので、この様な
状態では電極面積が小さくなるとネイルヘッドボンディ
ングあるいはウェッジボンディングを行つた場合、ワイ
ヤ６の球状部によつて押されリード電極５のエッジ部は
ｐ層３およびｎ−層２等のＧａＡＳ面に接触する可能性
が大きく、不良の原因となり、またメサエツチングの際
リード電路はシリコン金共融体又は銀充填エポキシ樹脂
接着剤等によつてリードフレームに取付けられる。
集積回路は通常セラミツク又はプラスチツクの包装体に
よつてカプセル化される。集積回路を支持するためにリ
ードフレームには包装体を貫通する連結部が設けられる
。これら連結部は集積回路をそれが使用される装置に取
付けるために使用される。集積回路は通常リードフレー
ムに熱圧縮又は超音波接着によって集積回路上に連結点
とリードフレーム上の連結点とを非常に小さい金又はア
ルミニウム線によつて連結することによつて接続される
。例えば直径０．０２５ｍｍ（１ミル）の金線が熱１圧
縮接着によつてリードフレームに連結される。リードフ
レームに対して電気的に接続された後に集積回路はカプ
セル化され、リードフレームに接続された導線がセラミ
ツク又はプラスチツクのカプセルに接着され且つ該カプ
セルを貫通して伸長，する。リードフレームは要求され
る機能を果たすためにつぎの主特性を持つ材料から作ら
れる。
よつてカプセル化される。集積回路を支持するためにリ
ードフレームには包装体を貫通する連結部が設けられる
。これら連結部は集積回路をそれが使用される装置に取
付けるために使用される。集積回路は通常リードフレー
ムに熱圧縮又は超音波接着によって集積回路上に連結点
とリードフレーム上の連結点とを非常に小さい金又はア
ルミニウム線によつて連結することによつて接続される
。例えば直径０．０２５ｍｍ（１ミル）の金線が熱１圧
縮接着によつてリードフレームに連結される。リードフ
レームに対して電気的に接続された後に集積回路はカプ
セル化され、リードフレームに接続された導線がセラミ
ツク又はプラスチツクのカプセルに接着され且つ該カプ
セルを貫通して伸長，する。リードフレームは要求され
る機能を果たすためにつぎの主特性を持つ材料から作ら
れる。
すなわちリードフレームは集積回路へ又は集積回路から
の電気的インパルスを伝達するため良好な電導性２の材
料からつくる。つぎにリードフレームはこれを通して熱
伝達することが集積回路内で発生した熱を除去する主要
手段であるから、良好な熱伝導性材料から作る。熱伝導
性が電気的伝導性に直接に関連するというウイードマン
・フランツの法則が一存在するので、これら２つの要求
条件を共に満足することができる。良好な熱伝導性を持
つことはすべてのリードフレームにとつて必要であるが
、特に高出力集積回路をその包装体と共に連結する場合
には重要である。さらにリードフレームは集．積回路を
支持しこれを装置内の所定の位置に維持しなければなら
ないから、良好な機械的特性を持つものでなければなら
ない。またリードフレームは僅小の公差を持つた正確な
厚さに圧延加工することを含む精密な成形加工を可能と
するために＋．分な延性を持つものでなければならない
。さらにリードフレームは正確な寸法の形状模様のもの
とするためにパンチ加工又はエツチング加工ができるも
のでなければならない。集積回路を組付けるときに腐食
が生ずることを防止するためにリードフレームを耐食性
の材料から作る必要がある。さらに、現在の製造技術で
はリードフレームを容易に金又は銀メツキができる材料
から作る必要がある。例えばリードフレームの限定され
た一部分は適切な電気的接続を与えるために金又は銀メ
ツキをなされる。金又は銀メツキはリードフレームの限
定された一部分のみに行われ外部リード部分はメツキさ
れないから、各集積回路を他の装置に接続するためにリ
ードフレームは軟質はんだ付けが容易な材料から作る必
要がある。さらにリードフレームはカプセル材料との間
に適切な密着封止を与え得る材料から作る必要がある。
すなわちりードフレームの表面は集積回路をカプセル化
するためのプラスチツク又はセラミツクに対して濡れる
性質のものでなければならない。密封カプセルをつくる
ためにセラミツク材料を使用する場合にはリードフレー
ムを熱膨張の小さい材料から作り、製作時又はその後の
使用中の熱応力によつてりードフレームとカプセル材料
との間の密封封止が破壊することのないようにする。ま
た広範な用途を有するこの装置が著しく高価なものとな
らないようにするため、リードフレームを適正な価格の
材料からつくることも重要である。これらすべての要求
を満足することは困難であり、その結果として妥協が行
われる。
の電気的インパルスを伝達するため良好な電導性２の材
料からつくる。つぎにリードフレームはこれを通して熱
伝達することが集積回路内で発生した熱を除去する主要
手段であるから、良好な熱伝導性材料から作る。熱伝導
性が電気的伝導性に直接に関連するというウイードマン
・フランツの法則が一存在するので、これら２つの要求
条件を共に満足することができる。良好な熱伝導性を持
つことはすべてのリードフレームにとつて必要であるが
、特に高出力集積回路をその包装体と共に連結する場合
には重要である。さらにリードフレームは集．積回路を
支持しこれを装置内の所定の位置に維持しなければなら
ないから、良好な機械的特性を持つものでなければなら
ない。またリードフレームは僅小の公差を持つた正確な
厚さに圧延加工することを含む精密な成形加工を可能と
するために＋．分な延性を持つものでなければならない
。さらにリードフレームは正確な寸法の形状模様のもの
とするためにパンチ加工又はエツチング加工ができるも
のでなければならない。集積回路を組付けるときに腐食
が生ずることを防止するためにリードフレームを耐食性
の材料から作る必要がある。さらに、現在の製造技術で
はリードフレームを容易に金又は銀メツキができる材料
から作る必要がある。例えばリードフレームの限定され
た一部分は適切な電気的接続を与えるために金又は銀メ
ツキをなされる。金又は銀メツキはリードフレームの限
定された一部分のみに行われ外部リード部分はメツキさ
れないから、各集積回路を他の装置に接続するためにリ
ードフレームは軟質はんだ付けが容易な材料から作る必
要がある。さらにリードフレームはカプセル材料との間
に適切な密着封止を与え得る材料から作る必要がある。
すなわちりードフレームの表面は集積回路をカプセル化
するためのプラスチツク又はセラミツクに対して濡れる
性質のものでなければならない。密封カプセルをつくる
ためにセラミツク材料を使用する場合にはリードフレー
ムを熱膨張の小さい材料から作り、製作時又はその後の
使用中の熱応力によつてりードフレームとカプセル材料
との間の密封封止が破壊することのないようにする。ま
た広範な用途を有するこの装置が著しく高価なものとな
らないようにするため、リードフレームを適正な価格の
材料からつくることも重要である。これらすべての要求
を満足することは困難であり、その結果として妥協が行
われる。
これら特性を比較的満足する材料の一つに純ニツケルが
ある。しかし純ニツケルは圧延加工によつて精密な厚さ
の薄層に製作することが著しく高価であり、大量のスク
ラツプ損失が発生し、特に価格が高いものとなる。４２
％がニツケル、残りが鉄の合金すなわち４２％ニツケル
合金もリードフレーム用として広く使用される。
ある。しかし純ニツケルは圧延加工によつて精密な厚さ
の薄層に製作することが著しく高価であり、大量のスク
ラツプ損失が発生し、特に価格が高いものとなる。４２
％がニツケル、残りが鉄の合金すなわち４２％ニツケル
合金もリードフレーム用として広く使用される。
これは価格が高＜、比較的に熱伝導性が低い。熱伝導性
を所望の価とするためには十分な厚さの金又は銀メツキ
を行う必要があり、価格が高＜なる。４２％ニツケル合
金の硬度は集積回路の接続導線を熱圧縮によつて接着す
ることに耐えられない。
を所望の価とするためには十分な厚さの金又は銀メツキ
を行う必要があり、価格が高＜なる。４２％ニツケル合
金の硬度は集積回路の接続導線を熱圧縮によつて接着す
ることに耐えられない。
銅及び銅合金もリードフレーム用として使用される場合
もあるが耐腐食性が低いので著しく使用が制限される。
本発明の目的は上述従来技術の欠点を除去することにあ
り、本発明によれば上述特性を満足するリードフレーム
を製造することのできる金属ストリツプ材の製造方法が
提供される。
もあるが耐腐食性が低いので著しく使用が制限される。
本発明の目的は上述従来技術の欠点を除去することにあ
り、本発明によれば上述特性を満足するリードフレーム
を製造することのできる金属ストリツプ材の製造方法が
提供される。
本発明方法によればフエライト・ステンレス鋼すなわち
鉄クロム合金を最終製品よりも実質的に厚い（望ましく
は約２倍の厚さの）薄板すなわちストリツプとして準備
する。このストリツプにニツケルストライクを施し、そ
の表面をその後の被覆処理を受入れるように調整する。
ニツケルストライクは、酸化クロムの被覆層がステンレ
ス鋼の表面に存在しない状態の下で非常に薄いニツケル
の層をフエライト・ステンレス鋼に接着、接合せしめる
工程をいニツケルストライクがその表面に施されたフエ
ライト・ステンレス鋼に銅が電着される。ニツケルスト
ライク層上に電着される銅の層は最終厚さまで圧延加工
された状態で少くとも０．００１３ｍｍ（５０マイクロ
インチ）以上とするが、望ましくは約０．００８８〜０
．０１４ｍｍ（３５０〜６００マイクロインチ）の厚さ
となるようにする。銅で被覆されたフエライト・ステン
レス鋼にはつぎにニツケル又は錫の連続的な層が被覆さ
れるが、その厚さは最終圧延加工後に少くとも０．００
１３ｍｍ（５０マイクロインチ）の厚さを持つに十分な
ものとする。上述各被覆を施したフエライト・ステンレ
ス鋼はつぎに精密冷間圧延加工され、その厚さを減少し
且つ所望の機械的特性が与えられると共に光沢のある滑
かな緻密な表面を持つものとなる。
鉄クロム合金を最終製品よりも実質的に厚い（望ましく
は約２倍の厚さの）薄板すなわちストリツプとして準備
する。このストリツプにニツケルストライクを施し、そ
の表面をその後の被覆処理を受入れるように調整する。
ニツケルストライクは、酸化クロムの被覆層がステンレ
ス鋼の表面に存在しない状態の下で非常に薄いニツケル
の層をフエライト・ステンレス鋼に接着、接合せしめる
工程をいニツケルストライクがその表面に施されたフエ
ライト・ステンレス鋼に銅が電着される。ニツケルスト
ライク層上に電着される銅の層は最終厚さまで圧延加工
された状態で少くとも０．００１３ｍｍ（５０マイクロ
インチ）以上とするが、望ましくは約０．００８８〜０
．０１４ｍｍ（３５０〜６００マイクロインチ）の厚さ
となるようにする。銅で被覆されたフエライト・ステン
レス鋼にはつぎにニツケル又は錫の連続的な層が被覆さ
れるが、その厚さは最終圧延加工後に少くとも０．００
１３ｍｍ（５０マイクロインチ）の厚さを持つに十分な
ものとする。上述各被覆を施したフエライト・ステンレ
ス鋼はつぎに精密冷間圧延加工され、その厚さを減少し
且つ所望の機械的特性が与えられると共に光沢のある滑
かな緻密な表面を持つものとなる。
望ましい実施例において少くとも５０％の減少率を持つ
て冷間圧延加工を行うことによつて光沢のあるストリツ
プ材がその外側にニツケル又は錫の密着した層を持つて
正確な寸法に製造される。このストリツプ材はパンチン
グ加工又はエツチング加工に７よつて所望の形状のリー
ドフレームに製造される。フエライト・ステンレス鋼の
芯部はリードフレームに十分な機械的強度を与える。
て冷間圧延加工を行うことによつて光沢のあるストリツ
プ材がその外側にニツケル又は錫の密着した層を持つて
正確な寸法に製造される。このストリツプ材はパンチン
グ加工又はエツチング加工に７よつて所望の形状のリー
ドフレームに製造される。フエライト・ステンレス鋼の
芯部はリードフレームに十分な機械的強度を与える。
フエライト・ステンレス鋼はニツケル、銅、銅合金より
も低い熱膨張係数を持つており、純ニツケル、ニツケル
合金、銅、銅合金よりも価格が安い。銅の中間層を有す
る複合組織であるから熱および電気的伝導性が良好であ
る。銅とニツケルとが外層として設けられているが低い
熱膨張性を持つフエライト・ステンレス鋼の層に拘束さ
れるので熱膨張性が小である。ニツケルの外層を持つ複
合組織の場合には熱および電気的伝導性が純ニツケルの
場合と同様に良好であり、且つ金又は銀メツキが容易で
ある。これら貴金属をメツキすることによつて熱圧５縮
又は超音波接着が容易であり、はんだ付けも容易である
。錫の外層を持つ複合組織の場合は金又は銀メツキを行
わずに上述特性が得られ、また連結導線の熱圧縮又は超
音波による接着が容易であると考えられる。いずれの場
合にもフエライト・ステンレス鋼の良好な機械的強度と
低い熱膨張性とは維持され、銅の中間層の存在によつて
熱および電気的伝導性は改善される。錫の外層を有する
複合組織の場合もフエライト・ステンレス鋼の上述望ま
しい各特性を有し、銅の良好な熱および電気的伝導性を
有し且つ錫の良好な表面特性を持つものである。
も低い熱膨張係数を持つており、純ニツケル、ニツケル
合金、銅、銅合金よりも価格が安い。銅の中間層を有す
る複合組織であるから熱および電気的伝導性が良好であ
る。銅とニツケルとが外層として設けられているが低い
熱膨張性を持つフエライト・ステンレス鋼の層に拘束さ
れるので熱膨張性が小である。ニツケルの外層を持つ複
合組織の場合には熱および電気的伝導性が純ニツケルの
場合と同様に良好であり、且つ金又は銀メツキが容易で
ある。これら貴金属をメツキすることによつて熱圧５縮
又は超音波接着が容易であり、はんだ付けも容易である
。錫の外層を持つ複合組織の場合は金又は銀メツキを行
わずに上述特性が得られ、また連結導線の熱圧縮又は超
音波による接着が容易であると考えられる。いずれの場
合にもフエライト・ステンレス鋼の良好な機械的強度と
低い熱膨張性とは維持され、銅の中間層の存在によつて
熱および電気的伝導性は改善される。錫の外層を有する
複合組織の場合もフエライト・ステンレス鋼の上述望ま
しい各特性を有し、銅の良好な熱および電気的伝導性を
有し且つ錫の良好な表面特性を持つものである。
銅は耐食性に欠けるからリードフレームの表面に露出し
ないようにする必要がある。例えば銅は、シリコン単結
晶ウエハ一上に形成された集積回路に接しないように防
護しなければならず、さもないと銅はシリコン中に拡散
して集積回路の特性を変化せしめる。従つて本発明によ
れば銅は常にニツケル又は錫の連続する被覆層の下方に
存在するようになされ、ニツケル又は錫は安定した耐食
性表面を与えると共に他の材料に容易に接着されるとい
う特性を有して銅の持つ欠点をカバーする。さらに本発
明は上述方法によつて作られた製品も含む。
ないようにする必要がある。例えば銅は、シリコン単結
晶ウエハ一上に形成された集積回路に接しないように防
護しなければならず、さもないと銅はシリコン中に拡散
して集積回路の特性を変化せしめる。従つて本発明によ
れば銅は常にニツケル又は錫の連続する被覆層の下方に
存在するようになされ、ニツケル又は錫は安定した耐食
性表面を与えると共に他の材料に容易に接着されるとい
う特性を有して銅の持つ欠点をカバーする。さらに本発
明は上述方法によつて作られた製品も含む。
この製品はフエライト・ステンレス鋼の芯部と、銅の中
間層と、ニツケル又は錫の連続する外層とを有する複合
金属ストリツプ材であつて、望ましくは４０〜６０％の
減少率で最終厚さまで冷間圧延され、最終厚さは０．３
８ｍｍ（０．０１５インチ）以下である。本発明による
製品は容易にりードフレームに形成することが可能であ
り、前述した熱的、電気的、機械的特性を持つものとな
される。本発明方法による製品は従来の高価なリードフ
レーム用材料によるものと同等又はそれ以上の特性を有
するものである。高価な材料の使用は必要とする局部に
限定され、浪費されることがない。最終製品は優れた制
御可能の機械的特性を有し、光沢のある平滑な美麗な緻
密な表面を有し、物理的にも化学的にもリードフレーム
として使用するに適している。本発明の実施例について
以下に説明する。
間層と、ニツケル又は錫の連続する外層とを有する複合
金属ストリツプ材であつて、望ましくは４０〜６０％の
減少率で最終厚さまで冷間圧延され、最終厚さは０．３
８ｍｍ（０．０１５インチ）以下である。本発明による
製品は容易にりードフレームに形成することが可能であ
り、前述した熱的、電気的、機械的特性を持つものとな
される。本発明方法による製品は従来の高価なリードフ
レーム用材料によるものと同等又はそれ以上の特性を有
するものである。高価な材料の使用は必要とする局部に
限定され、浪費されることがない。最終製品は優れた制
御可能の機械的特性を有し、光沢のある平滑な美麗な緻
密な表面を有し、物理的にも化学的にもリードフレーム
として使用するに適している。本発明の実施例について
以下に説明する。
実施例 １
１３〜１４％のクロムを含みＡＩＳＩ４Ｏ４ステンレス
鋼として知られるフエライト系鉄クロム合金を厚さ約０
．６４ｍｍ（０．０２５インチ）のストリツプに圧延し
焼鈍した。
鋼として知られるフエライト系鉄クロム合金を厚さ約０
．６４ｍｍ（０．０２５インチ）のストリツプに圧延し
焼鈍した。
ストリツプを１１当り塩化ニツケルのヘキサハイドレー
ト２４０ｇｒと、３７％塩化水素水溶液７１ｍ１とを含
む水溶液に浸漬してニツケルストライクを行つた。スト
リツプをカソードに接続し純ニツケルをアノードとし、
浴を２７℃（８０゜Ｆ）に維持してカソードの面積に対
して０．０７８Ａ／―（０．５Ａ／平方インチ）の電流
を３０秒通電した。力ソート上に形成されたニツケルス
トライク層の厚さは０．０００８Ｉｎ［ｎ（３０マイク
ロインチ）以下であつた。表面にニツケルストライク層
が形成された試料を１１当り硫酸銅２４０ｇｒ′と９０
％硫酸３１ｍ１とを含む水溶液に浸漬し、試料をカソー
ドとし純銅アノードとした。
ト２４０ｇｒと、３７％塩化水素水溶液７１ｍ１とを含
む水溶液に浸漬してニツケルストライクを行つた。スト
リツプをカソードに接続し純ニツケルをアノードとし、
浴を２７℃（８０゜Ｆ）に維持してカソードの面積に対
して０．０７８Ａ／―（０．５Ａ／平方インチ）の電流
を３０秒通電した。力ソート上に形成されたニツケルス
トライク層の厚さは０．０００８Ｉｎ［ｎ（３０マイク
ロインチ）以下であつた。表面にニツケルストライク層
が形成された試料を１１当り硫酸銅２４０ｇｒ′と９０
％硫酸３１ｍ１とを含む水溶液に浸漬し、試料をカソー
ドとし純銅アノードとした。
浴を２４℃（７５゜Ｆ）に維持し、カソード面積当り０
．０２４Ａ／―（０．１５２Ａ／平方インチ）の電流を
６．４分間通電した。０．００７５ｍｍ（２９５マイク
ロインチ）の銅の層が形成された。
．０２４Ａ／―（０．１５２Ａ／平方インチ）の電流を
６．４分間通電した。０．００７５ｍｍ（２９５マイク
ロインチ）の銅の層が形成された。
つぎに試料を浴から取出し完全に洗滌した後に、１１当
り塩化ニツケルヘキサハイドレート鯵３８．４ｇｒ、硫
酸ニツケルヘキサハイドレート２７３．５ｇｒ、及び硼
酸２６ｇｒを含む浴に浸漬した。
り塩化ニツケルヘキサハイドレート鯵３８．４ｇｒ、硫
酸ニツケルヘキサハイドレート２７３．５ｇｒ、及び硼
酸２６ｇｒを含む浴に浸漬した。
試料をカソードとし純ニツケルをアノードとし、浴を２
４℃（７５゜Ｆ）に維持し、カソード面積について０．
０３９Ａ／―（０．２５Ａ／平方インチ）の電流を６．
４分通電した。これによつて厚さ０．００６４［［１１
ｎ（２５０マイクロインチ）のニツケル層が形成された
。浴から取出し洗滌した試料は鈍い光沢のものであつた
。つぎに試料を厚さ０．２５ｍｍ（０．０１０インチ）
に精密冷間圧延し、鏡面仕上状態のものとした。目視お
よび顕微鏡検査の結果は亀裂、破断、割れ等のない連続
的なニツケル層が作られていることが判つた。このスト
リツプの物理的特性をＡＩＳＩ４Ｏ４ステンレス鋼と対
比して第１表に示す。
４℃（７５゜Ｆ）に維持し、カソード面積について０．
０３９Ａ／―（０．２５Ａ／平方インチ）の電流を６．
４分通電した。これによつて厚さ０．００６４［［１１
ｎ（２５０マイクロインチ）のニツケル層が形成された
。浴から取出し洗滌した試料は鈍い光沢のものであつた
。つぎに試料を厚さ０．２５ｍｍ（０．０１０インチ）
に精密冷間圧延し、鏡面仕上状態のものとした。目視お
よび顕微鏡検査の結果は亀裂、破断、割れ等のない連続
的なニツケル層が作られていることが判つた。このスト
リツプの物理的特性をＡＩＳＩ４Ｏ４ステンレス鋼と対
比して第１表に示す。
第１表に明かのように銅およびニツケル層を形成するこ
とによつて著しく導電率が改善されることが判る。
とによつて著しく導電率が改善されることが判る。
ニツケル層は金、銀、はんだ、プラスチツク、セラミツ
ク等の材料に対する親和性という点で純ニツケルの特性
をすべて有しており、この複合組織を有するストリツプ
は熱膨張特性においてＡＩＳＩ４Ｏ４ステンレス鋼と実
質的に同一であり、ニツケルに比して実質的に小である
。このストリツプに通常の装置、技術およびエツチング
材料を使用してパンチング加工、エツチング加工を行つ
てリードフレームを製造した。
ク等の材料に対する親和性という点で純ニツケルの特性
をすべて有しており、この複合組織を有するストリツプ
は熱膨張特性においてＡＩＳＩ４Ｏ４ステンレス鋼と実
質的に同一であり、ニツケルに比して実質的に小である
。このストリツプに通常の装置、技術およびエツチング
材料を使用してパンチング加工、エツチング加工を行つ
てリードフレームを製造した。
これはメツキ等の附着が容易であり、従来の材料を使用
して製造されたリードフレームに対比して正確な寸法を
持つものとすることができる。実施例 ２ ＡＩＳＩ４０４ステンレス鋼を使用して実施例１と同様
に圧延、焼鈍、ニツケルストライク、銅メツキを行つた
。
して製造されたリードフレームに対比して正確な寸法を
持つものとすることができる。実施例 ２ ＡＩＳＩ４０４ステンレス鋼を使用して実施例１と同様
に圧延、焼鈍、ニツケルストライク、銅メツキを行つた
。
つぎに試料は１１当りＳｎ（ＢＦ４）２２００．７ｇｒ
′、金属錫８０．９ｇｒ′、ＨＢＦ７５．Ｏｇｒ″、Ｈ
３ＢＯ３２４．７ｇｒ、ゼラチン６．０ｇｒ′（それぞ
れガロン当り２６．８オンス、１０．８オンス、１０．
０オンス、３．３オンス、０．８オンス）を含む浴に浸
漬した。金属錫は粉末である。試料をカソードとし純錫
をアノードとして、浴を２４℃（７５゜Ｆ）に維持し、
カソード面積について０．０１７Ａ／Ｃｆｆ（０．１１
Ａ／平方インチ）の電流を１０分間通電して０．００２
７［［１１ｎ（１０５マイクロインチ）の錫のメツキ層
を形成した。
′、金属錫８０．９ｇｒ′、ＨＢＦ７５．Ｏｇｒ″、Ｈ
３ＢＯ３２４．７ｇｒ、ゼラチン６．０ｇｒ′（それぞ
れガロン当り２６．８オンス、１０．８オンス、１０．
０オンス、３．３オンス、０．８オンス）を含む浴に浸
漬した。金属錫は粉末である。試料をカソードとし純錫
をアノードとして、浴を２４℃（７５゜Ｆ）に維持し、
カソード面積について０．０１７Ａ／Ｃｆｆ（０．１１
Ａ／平方インチ）の電流を１０分間通電して０．００２
７［［１１ｎ（１０５マイクロインチ）の錫のメツキ層
を形成した。
錫は良好に接着した。試料を冷間圧延して０．２５ｗｉ
（０．０１０インチ）の厚さとした。平滑な連続的な厚
さ０．００２７Ｉｎ１１の錫の外層を持つストリツプが
得られ、この表面特性は錫の持つ優れた接着特性と耐腐
食性とを示している。通常の技術、材料を使用してパン
チング、エツチング加工を行つて製造したリードフレー
ムは優れた特性と正確な寸法とを持つものであつた。
（０．０１０インチ）の厚さとした。平滑な連続的な厚
さ０．００２７Ｉｎ１１の錫の外層を持つストリツプが
得られ、この表面特性は錫の持つ優れた接着特性と耐腐
食性とを示している。通常の技術、材料を使用してパン
チング、エツチング加工を行つて製造したリードフレー
ムは優れた特性と正確な寸法とを持つものであつた。
銅メツキ浴中に光沢付与添加剤および平滑化添加剤を使
用することによつてさらに良好な結果を得ることができ
る。添加剤の使用によつて銅メツキ層は均一な厚さのも
のとなり、銅の層が冷間圧延工程中に上層の錫又はニツ
ケルの層に入りこむことを防止することができる。
用することによつてさらに良好な結果を得ることができ
る。添加剤の使用によつて銅メツキ層は均一な厚さのも
のとなり、銅の層が冷間圧延工程中に上層の錫又はニツ
ケルの層に入りこむことを防止することができる。
特に銅メツキ層が上述実施例よりも厚い場合にはこれら
添加剤が有効である。最終的ストリツプの機械的性質は
冷間圧延の量によつて制御することができる。
添加剤が有効である。最終的ストリツプの機械的性質は
冷間圧延の量によつて制御することができる。
Claims (1)
- １ ｎ＾＋−ｎ＾−−ｐ形ＧａＡｓ半導体ウェハのｐ層
側にオーミック電極を形成し、このオーミック電極上に
酸化膜を施した後、所望の形状の酸化膜を残し、他の部
分を除去してからメサエツチングを施し、残された酸化
膜に所望の形状に穴あけを行い、これにリード電極を取
着することを特徴とするｐｎ接合半導体装置の製造方法
。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/596,039 US3999955A (en) | 1975-07-15 | 1975-07-15 | Strip for lead frames |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5211865A JPS5211865A (en) | 1977-01-29 |
| JPS5948546B2 true JPS5948546B2 (ja) | 1984-11-27 |
Family
ID=24385748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51084454A Expired JPS5948546B2 (ja) | 1975-07-15 | 1976-07-15 | リ−ドフレ−ム用金属ストリップ及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3999955A (ja) |
| JP (1) | JPS5948546B2 (ja) |
| DE (1) | DE2631904C3 (ja) |
| MX (1) | MX142892A (ja) |
| NL (1) | NL7607771A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827357B2 (ja) * | 1980-03-03 | 1983-06-08 | 日本鉱業株式会社 | リ−ド材用被覆鉄基合金 |
| JPS58169947A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-10-06 | Nippon Gakki Seizo Kk | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 |
| JPS58191456A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-08 | Nippon Gakki Seizo Kk | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 |
| US4441118A (en) * | 1983-01-13 | 1984-04-03 | Olin Corporation | Composite copper nickel alloys with improved solderability shelf life |
| JPS59141324U (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-21 | 株式会社三工光学 | 眼鏡の蝶番のねじ機構 |
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| JPS59191359A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-10-30 | Masami Kobayashi | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム |
| JPS59219945A (ja) * | 1983-05-28 | 1984-12-11 | Masami Kobayashi | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム |
| DE3379761D1 (en) * | 1983-06-16 | 1989-06-01 | Olin Corp | Multi-gauge metal strip, method of forming same and leadframes produced therefrom |
| JPS607157A (ja) * | 1983-06-25 | 1985-01-14 | Masami Kobayashi | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム |
| US5001546A (en) * | 1983-07-27 | 1991-03-19 | Olin Corporation | Clad metal lead frame substrates |
| US4707418A (en) * | 1985-06-26 | 1987-11-17 | National Semiconductor Corporation | Nickel plated copper tape |
| US4767049A (en) * | 1986-05-19 | 1988-08-30 | Olin Corporation | Special surfaces for wire bonding |
| JPS63105353U (ja) * | 1986-08-07 | 1988-07-08 | ||
| US5015803A (en) * | 1989-05-31 | 1991-05-14 | Olin Corporation | Thermal performance package for integrated circuit chip |
| TW406454B (en) | 1996-10-10 | 2000-09-21 | Berg Tech Inc | High density connector and method of manufacture |
| JP2006006529A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Olympus Corp | 内視鏡 |
| US20080198565A1 (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Tyco Electronics Corporation | Surface mount foot with coined edge surface |
| JP5040791B2 (ja) * | 2008-04-23 | 2012-10-03 | トヨタ自動車株式会社 | Ｐｂフリーの光沢Ｓｎめっき層を有するめっき基材の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2490700A (en) * | 1943-08-24 | 1949-12-06 | John S Nachtman | Production of alloy coating on base metal material |
| US3076260A (en) * | 1959-01-20 | 1963-02-05 | Pittsburgh Steel Co | Strip and method for manufacturing bundy tubing and method of making the same |
| US3249409A (en) * | 1963-01-23 | 1966-05-03 | Du Pont | Chromium plated metal structures |
| DE1514822A1 (de) * | 1964-08-14 | 1969-06-26 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
| DE1564708A1 (de) * | 1966-09-14 | 1970-02-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Kontaktierung von elektrischen Bauelementen,insbesondere von Dioden-,Transistorsystemen und integrierten Systemen |
| GB1258870A (ja) * | 1969-09-29 | 1971-12-30 | ||
| FR2077770B1 (ja) * | 1970-02-12 | 1973-03-16 | Michelin & Cie |
-
1975
- 1975-07-15 US US05/596,039 patent/US3999955A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-07-14 NL NL7607771A patent/NL7607771A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-07-15 DE DE2631904A patent/DE2631904C3/de not_active Expired
- 1976-07-15 MX MX16553076A patent/MX142892A/es unknown
- 1976-07-15 JP JP51084454A patent/JPS5948546B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3999955A (en) | 1976-12-28 |
| NL7607771A (nl) | 1977-01-18 |
| DE2631904B2 (de) | 1980-10-30 |
| DE2631904C3 (de) | 1981-06-25 |
| DE2631904A1 (de) | 1977-02-10 |
| JPS5211865A (en) | 1977-01-29 |
| MX142892A (es) | 1981-01-14 |
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