JPS58169947A - 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 - Google Patents
半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法Info
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- JPS58169947A JPS58169947A JP1856582A JP1856582A JPS58169947A JP S58169947 A JPS58169947 A JP S58169947A JP 1856582 A JP1856582 A JP 1856582A JP 1856582 A JP1856582 A JP 1856582A JP S58169947 A JPS58169947 A JP S58169947A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、集積回路（以下、ＩＣと略記する）を形成
するリードフレームの材料特性の改良及びその製法に関
し、フレーム素材の構成材料を特定して圧延・熱処理を
施すことにより、電気伝導特性、耐久性、耐蝕性及び加
工性を高め、かつコストダウンを図るようにしたもので
ある。
するリードフレームの材料特性の改良及びその製法に関
し、フレーム素材の構成材料を特定して圧延・熱処理を
施すことにより、電気伝導特性、耐久性、耐蝕性及び加
工性を高め、かつコストダウンを図るようにしたもので
ある。
従来、この種の半導体用リードフレーム、所謂１工Ｏフ
レーム″と称されるリードフレームにおいては、Ｆｅ−
Ｎｉ −Ｃｏ 合金（商標名：コバール）、４２合金あ
るいはＣｕ系合金（ＦｅまたはＳｎ少量含有）等の単体
をフレーム素材として薄板化し、この薄板にＩＣの各種
ノ４ターン金フォトレジストを使用して形成するととも
に、エツチング装置により化学エツチングするか、また
はゾレス加工を施すことにより製造されている。
レーム″と称されるリードフレームにおいては、Ｆｅ−
Ｎｉ −Ｃｏ 合金（商標名：コバール）、４２合金あ
るいはＣｕ系合金（ＦｅまたはＳｎ少量含有）等の単体
をフレーム素材として薄板化し、この薄板にＩＣの各種
ノ４ターン金フォトレジストを使用して形成するととも
に、エツチング装置により化学エツチングするか、また
はゾレス加工を施すことにより製造されている。
しかしながら、このような従来のリードフレームはコパ
ールあるいは４２合金自体が高価で、しか屯電気伝導性
が低く、耐蝕性も悪いなどの欠点を有し、またＣｕ系合
金にあっては、安価で電気伝導性が良い反面、強度的に
弱くリード部の折曲げに対する耐久性に劣るなど、種々
の不具合があった。
ールあるいは４２合金自体が高価で、しか屯電気伝導性
が低く、耐蝕性も悪いなどの欠点を有し、またＣｕ系合
金にあっては、安価で電気伝導性が良い反面、強度的に
弱くリード部の折曲げに対する耐久性に劣るなど、種々
の不具合があった。
この発明は、上記した従来の欠点を解消することを目的
としたもので、以下、図示の実施例に基づいて説明する
。
としたもので、以下、図示の実施例に基づいて説明する
。
第１図に示すように、図中１は後述する製造工程により
得られた工Ｃ用リードフレームである。
得られた工Ｃ用リードフレームである。
該’）−Ｐフレーム１は、ステンレススチール（５ｔｙ
ｓ ）からなる基板２の両表面にＣｕメッキ層からなる
表面材３．３を被覆形成した厚さ０．１〜０．５ｍのＯ
ｕ ＝ＳＵ８− Ｏｕからなる断面サンドウィッチ構造
を有している。
ｓ ）からなる基板２の両表面にＣｕメッキ層からなる
表面材３．３を被覆形成した厚さ０．１〜０．５ｍのＯ
ｕ ＝ＳＵ８− Ｏｕからなる断面サンドウィッチ構造
を有している。
すなわち、上記したこの発明に係るリードフレーム１を
製造するにおいては、まずＳＵＳ基板の両表面に予めＯ
ｕメッキを施してフレーム素材を成形する（この際、Ｏ
ｕメッキの下地処理としてＮ１ストライクは有っても無
＜七も構わない）。次いで、該フレーム素材を、下記に
列挙する工程のいずれか一つを任意に選択して圧延また
は熱処理、あるいは圧延・熱処理を施した後、所望のＩ
Ｃパターンにプレス加工することによ抄得るものである
：ａ）圧延 ｂ）熱処理 （ Ｃ）圧延→熱処理 ｄ）熱処理→圧延 ところで、上記実施例において使用されるステンレスス
チールは、どんな種類のものを用いても良く、また基板
の両表面に被覆形成されるＣｕメッキ層の厚さは片面側
当り２μｍ以上、好ましくは５μｍ以上で全体の板厚の
２５嘩迄とするもので、厚さが２μｍ以下では電気伝導
性が劣ね、全体の板厚の２５畳以上では強度的に弱くな
るからである。さらに、フレーム素材を圧延する理由は
、表面のＣｕメッキ層の結晶が圧延されて密度を高める
ことができ、ＩＣの製造工程、特にリード線によるゲン
デイング工程における熱による変化（拡散）を減少させ
るもので、その圧延量は２〜２０％、好ましくは５〜１
０−の範囲なら良く、２チ以下では密度を高めさせる効
果がない。さらにまた、熱処理を施す理由は、Ｃｕメッ
キ層の加熱によって結晶の結合が強化され、ＩＣの製造
工程における熱による変化（拡散）を減少させることが
できるためで、処理温度は３５０〜９５０°Ｃ１時間は
１０秒〜加分までである。また、フレーム素材を圧延し
た後、熱処理する手段では、上記した圧延効果と熱処理
効果とによる相乗効果を図ってなるもので、この場合の
熱処理条件は、圧延でＣｕメッキ層の密度が高くなって
いるため、３００〜９５０°Ｃで１０秒〜領分１でであ
り、また熱処理した後に圧延する手段でも同様な相乗効
果を得るもので、その熱処理条件は熱処理における条件
と同じである。
製造するにおいては、まずＳＵＳ基板の両表面に予めＯ
ｕメッキを施してフレーム素材を成形する（この際、Ｏ
ｕメッキの下地処理としてＮ１ストライクは有っても無
＜七も構わない）。次いで、該フレーム素材を、下記に
列挙する工程のいずれか一つを任意に選択して圧延また
は熱処理、あるいは圧延・熱処理を施した後、所望のＩ
Ｃパターンにプレス加工することによ抄得るものである
：ａ）圧延 ｂ）熱処理 （ Ｃ）圧延→熱処理 ｄ）熱処理→圧延 ところで、上記実施例において使用されるステンレスス
チールは、どんな種類のものを用いても良く、また基板
の両表面に被覆形成されるＣｕメッキ層の厚さは片面側
当り２μｍ以上、好ましくは５μｍ以上で全体の板厚の
２５嘩迄とするもので、厚さが２μｍ以下では電気伝導
性が劣ね、全体の板厚の２５畳以上では強度的に弱くな
るからである。さらに、フレーム素材を圧延する理由は
、表面のＣｕメッキ層の結晶が圧延されて密度を高める
ことができ、ＩＣの製造工程、特にリード線によるゲン
デイング工程における熱による変化（拡散）を減少させ
るもので、その圧延量は２〜２０％、好ましくは５〜１
０−の範囲なら良く、２チ以下では密度を高めさせる効
果がない。さらにまた、熱処理を施す理由は、Ｃｕメッ
キ層の加熱によって結晶の結合が強化され、ＩＣの製造
工程における熱による変化（拡散）を減少させることが
できるためで、処理温度は３５０〜９５０°Ｃ１時間は
１０秒〜加分までである。また、フレーム素材を圧延し
た後、熱処理する手段では、上記した圧延効果と熱処理
効果とによる相乗効果を図ってなるもので、この場合の
熱処理条件は、圧延でＣｕメッキ層の密度が高くなって
いるため、３００〜９５０°Ｃで１０秒〜領分１でであ
り、また熱処理した後に圧延する手段でも同様な相乗効
果を得るもので、その熱処理条件は熱処理における条件
と同じである。
次に、この発明に係るＩＣ用リードフレームの緒特性を
従来の試料１（４２合金）、試料２（ステンレス単体）
、試料３ （２，４Ｆｅ −０，１２Ｚｎ −０，０３
Ｐ−残Ｏｕ）、試料４ （１，５ＩＦｅ −０，８Ｃｏ
−０，６８ｎ−０，ＩＰ−残Ｏｕ）及び試料５ （１
，２５８ｎ −０，７５Ｆｅ −０，０３Ｆ ）と比較
して下表に示す；（尚、ステンレススチール基板として
、Ｏｒ：１８％、Ｎｉ：８チ、Ｍｎ ： ２．０ ％、
ｃ ： ０．０８ ％、Ｓｉ１．０％、ＩＦａ ：残の
組成のもの、所謂１８−８ステンレスまたはＳＵＢ ２
７と称されるものを使用した。）以上説明したように、
この発明に係るリードフレームによれば、ＳＵＥ基板の
両表面［Ｃｕメッキを施したフレーム素材を圧延または
熱処理、あるいは圧延・熱処理することにより得ること
から、従来の４２合金と比較して安価で、電気伝導性、
伸び、折曲げ性及び耐蝕性にすぐれ、またＯｕ系のもの
と比較しても、引張り強さ、伸び、硬度及び折曲げ性に
すぐれ、ステンレスとＯｕとの特性を含んだ強度的にか
つ電気的に良好な作用を及ぼすものであり、また基板の
表面にＣｕメッキ層を被覆形成するに際して、Ｃｕメッ
キ層の圧延により微視的な凹凸面が平滑化され、メッキ
層の結晶構造も改善されるため、ＩＣ製造工程における
熱による変化（拡散）を減少させることができるなど、
加工性にもすぐれた効果を奏するものである。
従来の試料１（４２合金）、試料２（ステンレス単体）
、試料３ （２，４Ｆｅ −０，１２Ｚｎ −０，０３
Ｐ−残Ｏｕ）、試料４ （１，５ＩＦｅ −０，８Ｃｏ
−０，６８ｎ−０，ＩＰ−残Ｏｕ）及び試料５ （１
，２５８ｎ −０，７５Ｆｅ −０，０３Ｆ ）と比較
して下表に示す；（尚、ステンレススチール基板として
、Ｏｒ：１８％、Ｎｉ：８チ、Ｍｎ ： ２．０ ％、
ｃ ： ０．０８ ％、Ｓｉ１．０％、ＩＦａ ：残の
組成のもの、所謂１８−８ステンレスまたはＳＵＢ ２
７と称されるものを使用した。）以上説明したように、
この発明に係るリードフレームによれば、ＳＵＥ基板の
両表面［Ｃｕメッキを施したフレーム素材を圧延または
熱処理、あるいは圧延・熱処理することにより得ること
から、従来の４２合金と比較して安価で、電気伝導性、
伸び、折曲げ性及び耐蝕性にすぐれ、またＯｕ系のもの
と比較しても、引張り強さ、伸び、硬度及び折曲げ性に
すぐれ、ステンレスとＯｕとの特性を含んだ強度的にか
つ電気的に良好な作用を及ぼすものであり、また基板の
表面にＣｕメッキ層を被覆形成するに際して、Ｃｕメッ
キ層の圧延により微視的な凹凸面が平滑化され、メッキ
層の結晶構造も改善されるため、ＩＣ製造工程における
熱による変化（拡散）を減少させることができるなど、
加工性にもすぐれた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に係る工？用リードフレームの一実施
例を示す一部拡大断面図である。 ｌ・・・・・・リードフレーム、 ２・・・・・・ステンレススチール基板、３・・・・・
・Ｃｕメッキ層。
例を示す一部拡大断面図である。 ｌ・・・・・・リードフレーム、 ２・・・・・・ステンレススチール基板、３・・・・・
・Ｃｕメッキ層。
Claims (2)
- （１）ステンレススチールからなる基板の両表面にＣｕ
メッキ層を被覆形成した半導体用リードフレーム。 - （２） ステンレススチールからなる基板の両表面に
予めＯｕメッキを施してフレーム素材を得る工程と、 該フレーム素材に少なくとも圧延または熱処理のいずれ
か一方又は両方を施す工程とからなる半導体用リードフ
レームの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1856582A JPS58169947A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1856582A JPS58169947A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169947A true JPS58169947A (ja) | 1983-10-06 |
Family
ID=11975134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1856582A Pending JPS58169947A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58169947A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6180844A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体リ−ドフレ−ム用条材 |
| JPS61201762A (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | リードフレーム用Ｃｕ系条材の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5211865A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-29 | Allegheny Ludlum Ind Inc | Metal strips for lead frame and method of the same |
| JPS5690546A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Composite material for semiconductor part |
-
1982
- 1982-02-08 JP JP1856582A patent/JPS58169947A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5211865A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-29 | Allegheny Ludlum Ind Inc | Metal strips for lead frame and method of the same |
| JPS5690546A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Composite material for semiconductor part |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6180844A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体リ−ドフレ−ム用条材 |
| JPH0160948B2 (ja) * | 1984-09-28 | 1989-12-26 | Furukawa Electric Co Ltd | |
| JPS61201762A (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | リードフレーム用Ｃｕ系条材の製造方法 |
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