JPS58191456A - 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 - Google Patents
半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法Info
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- JPS58191456A JPS58191456A JP7415882A JP7415882A JPS58191456A JP S58191456 A JPS58191456 A JP S58191456A JP 7415882 A JP7415882 A JP 7415882A JP 7415882 A JP7415882 A JP 7415882A JP S58191456 A JPS58191456 A JP S58191456A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- lead frame
- plastically processing
- thickness
- frame
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、集積回路（以下、ＩＣと略記する）を形成
するリードフレームの材料特性の改良及びその製法に関
し、フレームの構成材料を特定して塑性加工・熱処理を
施すことにより、電気伝導特性、耐久性、耐蝕性及び加
工性を高め、かつコストダウンを図るようにしたもので
ある。
するリードフレームの材料特性の改良及びその製法に関
し、フレームの構成材料を特定して塑性加工・熱処理を
施すことにより、電気伝導特性、耐久性、耐蝕性及び加
工性を高め、かつコストダウンを図るようにしたもので
ある。
従来、この種の半導体用リードフレーム、所謂“ＩＣフ
レーム”と称されるリードフレームにおいては、Ｆｅ−
Ｎ１−ｃｏ金合金商標名：コ／Ｊ−ル）、４２合金ある
いはＯｕ系合金（ＦｅまたはＳｎ少量含有）等の単体を
フレーム素材として薄板化し、この薄板に工Ｃの各種・
母ターンをフオトレソ亥トを使用して形成するとともに
、エツチング装置により化学エツチングするか、まだは
プレス加工を施すことにより製造されている。
レーム”と称されるリードフレームにおいては、Ｆｅ−
Ｎ１−ｃｏ金合金商標名：コ／Ｊ−ル）、４２合金ある
いはＯｕ系合金（ＦｅまたはＳｎ少量含有）等の単体を
フレーム素材として薄板化し、この薄板に工Ｃの各種・
母ターンをフオトレソ亥トを使用して形成するとともに
、エツチング装置により化学エツチングするか、まだは
プレス加工を施すことにより製造されている。
しかしながら、このような従来のリードフレームはコパ
ールあるいは４２合金自体が高価で、しかも電気伝導性
が低く、耐蝕性も悪いなどの欠点を有し、またＣ１ｕ系
合金にあっては、安価で電気伝導性が良い反面、強度的
に弱くリード部の折曲げに対する耐久性に劣るなど、種
々の不具合があった。
ールあるいは４２合金自体が高価で、しかも電気伝導性
が低く、耐蝕性も悪いなどの欠点を有し、またＣ１ｕ系
合金にあっては、安価で電気伝導性が良い反面、強度的
に弱くリード部の折曲げに対する耐久性に劣るなど、種
々の不具合があった。
この発明は、上記した従来の欠点を解消することを目的
としたもので、以下、図示の実施例に基づいて説明する
。
としたもので、以下、図示の実施例に基づいて説明する
。
第１図に示すように、図中１は後述する製造工程により
得られた工Ｃ用リードフレームである。
得られた工Ｃ用リードフレームである。
該リードフレーム１は、ステンレススチール（ＳＵＳ）
からなる基板２の全表面にＣｕメッキ、層からなる表面
材３を被覆形成した好ましくは０．１〜０．５ｍの厚さ
からなっている。
からなる基板２の全表面にＣｕメッキ、層からなる表面
材３を被覆形成した好ましくは０．１〜０．５ｍの厚さ
からなっている。
すなわち、上記したこの発明に係るリードフレーム１を
製造するにおいては、まずＳＯ８基板をエツチング装置
により化学エツチングするか、またはプレス加工を施す
ことにより、所望のフレーム形状に成形加工した後、該
フレームの全表面にＣｕメッキを施す（この際、Ｃｕメ
ッキの下地処理としてＮ１ストライクは有っても無くて
も構わない）。
製造するにおいては、まずＳＯ８基板をエツチング装置
により化学エツチングするか、またはプレス加工を施す
ことにより、所望のフレーム形状に成形加工した後、該
フレームの全表面にＣｕメッキを施す（この際、Ｃｕメ
ッキの下地処理としてＮ１ストライクは有っても無くて
も構わない）。
次いで、該フレームを下記に列挙する工程のいずれか一
つを任意に選択して塑性加工または熱処理、あるいは塑
性加工・熱処理を施す； ａ）塑性加よ り）熱処理 Ｃ）塑性加工→熱処理 ｄ）熱処理→塑性加工 ところで、上記実施例において使用されるステンレスス
チールは、どんな種類のものを用いても良く、またフレ
ームの全表面に被覆形成されるＣｕメッキ層の厚さは片
面側当り２μｍ以上、好ましくは５μｍ以上で全体の板
厚の２５％迄とするもので、厚さが２μｍ以下では電気
伝導性が劣り、全体の板厚の２５チ以上では強度的に弱
くなるからである。さらに、フレームを塑性加工する理
由は、表面のＣｕメッキ層の結晶が塑性加工されて密度
を高めることができ、ＩＣ製造工程、特にリード線によ
るボンディング工程における熱による変化（拡散）を減
少させるもので、その塑性加工量は２〜２０％、好まし
くは５〜１０％の範囲なら良く、２％以下では密度を高
めさせる効果がない。さらにまた、熱処理を施す理由は
、Ｃｕメッキ層の加熱によって結晶の結合が強化され、
ＩＣの製造工程における熱による変化（拡散）を減少さ
せることができるためで、使用ガスとしてはメッキ直後
のメッキ層はピンホール等の微小孔がおいているため、
ＳＵＳ基板の表面の酸化を防ぐため、不活性ガスまたは
Ｎ２ 々どの非酸化性ガスを用い、処理温度は３５０
〜９５ｏ０ｃ１時間は１０秒〜（資）分までである。ま
た、フレームを塑性加工した後、熱処理する手段では、
上記した塑性加工効果と熱処理効果とによる相乗効果を
図って々るもの干、この場合の熱処理条件は、塑性加工
τＵメッキ層の密度が高くなっているため、３００〜９
５０８Ｃで１０秒〜加分までであり、また熱処理した後
に塑性加工する手段でも同様な相乗効果を得るもので、
その熱処理条件は熱処理における条件と同じである。
つを任意に選択して塑性加工または熱処理、あるいは塑
性加工・熱処理を施す； ａ）塑性加よ り）熱処理 Ｃ）塑性加工→熱処理 ｄ）熱処理→塑性加工 ところで、上記実施例において使用されるステンレスス
チールは、どんな種類のものを用いても良く、またフレ
ームの全表面に被覆形成されるＣｕメッキ層の厚さは片
面側当り２μｍ以上、好ましくは５μｍ以上で全体の板
厚の２５％迄とするもので、厚さが２μｍ以下では電気
伝導性が劣り、全体の板厚の２５チ以上では強度的に弱
くなるからである。さらに、フレームを塑性加工する理
由は、表面のＣｕメッキ層の結晶が塑性加工されて密度
を高めることができ、ＩＣ製造工程、特にリード線によ
るボンディング工程における熱による変化（拡散）を減
少させるもので、その塑性加工量は２〜２０％、好まし
くは５〜１０％の範囲なら良く、２％以下では密度を高
めさせる効果がない。さらにまた、熱処理を施す理由は
、Ｃｕメッキ層の加熱によって結晶の結合が強化され、
ＩＣの製造工程における熱による変化（拡散）を減少さ
せることができるためで、使用ガスとしてはメッキ直後
のメッキ層はピンホール等の微小孔がおいているため、
ＳＵＳ基板の表面の酸化を防ぐため、不活性ガスまたは
Ｎ２ 々どの非酸化性ガスを用い、処理温度は３５０
〜９５ｏ０ｃ１時間は１０秒〜（資）分までである。ま
た、フレームを塑性加工した後、熱処理する手段では、
上記した塑性加工効果と熱処理効果とによる相乗効果を
図って々るもの干、この場合の熱処理条件は、塑性加工
τＵメッキ層の密度が高くなっているため、３００〜９
５０８Ｃで１０秒〜加分までであり、また熱処理した後
に塑性加工する手段でも同様な相乗効果を得るもので、
その熱処理条件は熱処理における条件と同じである。
次に、この発明に係るＩＣ用リードフレームの緒特性を
従来の試料１（４２合金）、試料２（ステンレス単体）
、試料３ （２，４Ｆｅ −０，１２−Ｚｎ −０−０
３Ｐ−残Ｃｕ）、試料４ （１，５Ｆｅ−０，８ｃｏ−
０，６８ｎ−０、Ｉ Ｐ−残Ｃｕ ）及び試料５ （１
，２５５ｎ−０，７５Ｆｅ−０，０３Ｆ ） と比較
して下表に示す；（尚、ステンレススチール基板として
、Ｏｒ：１８％、Ｎｉ：８％、Ｍｎ ： ２．０％、Ｃ
： ０．０８％、Ｓｉ ： １．０％、Ｆｅ：残の組成
のもの、所謂１８−８ステンレスまたはＳＯ８２７と称
されるものを使用した。） 以上説明したように、この発明に係るリードフレームに
よれば、ＳＯ６基板からなるクレームの全表面にＯｕメ
ッキを施して塑性加工または熱処理、あるいは塑性加工
・熱処理することにより得ることから、従来の４２合金
と比較して安価で、電気伝導性、伸び、折曲げ性及び耐
蝕性にすぐれ、またＣｕ 系のものと比較しても、引張
り強さ、伸び、硬度及び折曲げ性にすぐれ、ステンレス
とＯｕとの特性を含んだ強度的にかつ電気的に良好な作
用を及ぼすものであり、また基板の表面にＣｕメッキ層
を被覆形成するに際して、Ｃｕメッキ層の塑性加工によ
シ微視的な凹凸面が平滑化され、メッキ層の結晶構造も
改善されるため、ＩＣ製造工程における熱による変化（
拡散）を減少させることができる。
従来の試料１（４２合金）、試料２（ステンレス単体）
、試料３ （２，４Ｆｅ −０，１２−Ｚｎ −０−０
３Ｐ−残Ｃｕ）、試料４ （１，５Ｆｅ−０，８ｃｏ−
０，６８ｎ−０、Ｉ Ｐ−残Ｃｕ ）及び試料５ （１
，２５５ｎ−０，７５Ｆｅ−０，０３Ｆ ） と比較
して下表に示す；（尚、ステンレススチール基板として
、Ｏｒ：１８％、Ｎｉ：８％、Ｍｎ ： ２．０％、Ｃ
： ０．０８％、Ｓｉ ： １．０％、Ｆｅ：残の組成
のもの、所謂１８−８ステンレスまたはＳＯ８２７と称
されるものを使用した。） 以上説明したように、この発明に係るリードフレームに
よれば、ＳＯ６基板からなるクレームの全表面にＯｕメ
ッキを施して塑性加工または熱処理、あるいは塑性加工
・熱処理することにより得ることから、従来の４２合金
と比較して安価で、電気伝導性、伸び、折曲げ性及び耐
蝕性にすぐれ、またＣｕ 系のものと比較しても、引張
り強さ、伸び、硬度及び折曲げ性にすぐれ、ステンレス
とＯｕとの特性を含んだ強度的にかつ電気的に良好な作
用を及ぼすものであり、また基板の表面にＣｕメッキ層
を被覆形成するに際して、Ｃｕメッキ層の塑性加工によ
シ微視的な凹凸面が平滑化され、メッキ層の結晶構造も
改善されるため、ＩＣ製造工程における熱による変化（
拡散）を減少させることができる。
さらに、フレーム成形加工後にＯｕメッキを施しでなる
ことから、加工によシ基板の断面が露出状態にあっても
、メッキ処理で該断面を覆うために、この部分への半田
付特性が良いなど加工性にもすぐれた効果を奏するもの
である。
ことから、加工によシ基板の断面が露出状態にあっても
、メッキ処理で該断面を覆うために、この部分への半田
付特性が良いなど加工性にもすぐれた効果を奏するもの
である。
第１図はこの発明に係るＩＣ用リードフレームの一実施
例を示す一部拡大断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、 ２・・・・・・ステンレススチール基板、３・・・・・
・ Ｃｕメッキ層。
例を示す一部拡大断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、 ２・・・・・・ステンレススチール基板、３・・・・・
・ Ｃｕメッキ層。
Claims (2)
- （１） ステンレススチール基板からなるフレームの
全表面にＯｕメッキ層を被覆形成した半導体用リードフ
レー”ム。 - （２） ステンレススチール基板をフレーム形状に成
形加工する第１工程と、 該第１工程で得られたフレームの全表面にＣｕ メッ
キを施す第２工程と からなる半導体用リードフレームの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7415882A JPS58191456A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7415882A JPS58191456A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58191456A true JPS58191456A (ja) | 1983-11-08 |
Family
ID=13539064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7415882A Pending JPS58191456A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58191456A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6180844A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体リ−ドフレ−ム用条材 |
| EP0219812A2 (en) * | 1985-10-25 | 1987-04-29 | Analog Devices, Inc. | Packaged semiconductor device having solderable external leads and process for its production |
| JPS63107054A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | リ−ドフレ−ム材料 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49121746A (ja) * | 1973-03-26 | 1974-11-21 | ||
| JPS5211865A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-29 | Allegheny Ludlum Ind Inc | Metal strips for lead frame and method of the same |
| JPS5643747A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Mitsui Haitetsuku:Kk | Lead frame |
| JPS5690546A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Composite material for semiconductor part |
| JPS56127792A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-06 | Furukawa Kinzoku Kogyo Kk | Production of partly coated composite bar |
| JPS5649154B2 (ja) * | 1974-08-07 | 1981-11-19 |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP7415882A patent/JPS58191456A/ja active Pending
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| EP0219812A2 (en) * | 1985-10-25 | 1987-04-29 | Analog Devices, Inc. | Packaged semiconductor device having solderable external leads and process for its production |
| EP0219812A3 (en) * | 1985-10-25 | 1987-09-30 | Analog Devices, Inc. | Packaged semiconductor device having solderable external leads and process for its production |
| JPS63107054A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | リ−ドフレ−ム材料 |
| JPH0582979B2 (ja) * | 1986-10-23 | 1993-11-24 | Mitsubishi Electric Corp |
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