JP3014814B2 - スズメッキホイスカーの抑制方法 - Google Patents
スズメッキホイスカーの抑制方法Info
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Description
ターン上にスズメッキを施す場合にショートの原因とな
るスズメッキホイスカーを抑制する方法に関する。
は光沢のある外観を有し、耐食性及びハンダ付け性に優
れていることから、電子、電気機器等に広範に使用され
ている。これらスズメッキ皮膜にはいわゆる真正スズホ
イスカーが発生することが知られており、特に線幅及び
ギャップ幅が小さいフィルムキャリアーのインナーリー
ド部等の微細パターンでは、ホイスカーの発生がショー
トの原因となるため、従来から種々の対策が講じられて
いる。
ば、Cu,Ni,Pb,Sn−Pb,Sn−Ni,S
n−Cu等の下地メッキを施す、メッキ後にリフロー
処理を施す、メッキ後にアニール処理を施す、スズ
メッキを他の金属又は合金メッキに代える、スズメッ
キを鉛を数%以上含む半田メッキに代える、等が知られ
ている。
工程が付加されるので、その分工程が長くなり、コスト
アップとなる。の方法は最初に厚くメッキを施してお
かないと、銅−スズ拡散により、純スズのメッキ厚が減
ってしまい、最初に均一なメッキを施したとしても、リ
フロー後は、メッキ厚に偏りが生じてしまい、さらには
スズメッキ皮膜表面が酸化してしまうという問題点を有
する。の方法は短期間のホイスカー発生防止にはなる
が、2〜3ヶ月程度の長期間には完全なホイスカー発生
防止対策にはならない。及びの方法として金メッ
キ、半田メッキを行うことがあるが、金メッキは高価で
あり、またフィルムキャリアーの場合はICとのボンデ
イング温度、圧力をスズメッキより高く設定しなければ
ならず、半田メッキの場合は、メッキ皮膜の組成、膜厚
をコントロールすることが難しいという問題点を有す
る。
方法のようにスズ以外の金属をメッキ皮膜とすることな
く、安価で、しかも信頼性の高いスズメッキホイスカー
を抑制する方法を提供することにある。
金の微細パターン上にスズメッキを施すに際し、まず厚
さ0.15μm以上のスズメッキを施し、次いで加熱処
理して該純スズ層をすべて銅素地とのCu−Sn拡散層
とし、その上にスズメッキを施し、純スズメッキ厚を
0.15〜0.8μmとすることにより、前記問題点を
解決したものである。
て説明する。図1は本発明の工程説明図であり、この図
1において、(a)はポリイミド層1上に銅層2が形成
された銅素地フィルムキャリアーを示し、(b)はこの
フィルムキャリアー上に、スズメッキ層3をメッキ処理
により形成した状態を示す。このスズメッキ層3は厚さ
0.15μm以上とする。厚さが0.15μm未満であ
ると、ホイスカー抑制効果が不十分となる。次いで、7
0℃〜200℃で5分〜1時間の加熱処理を行い、スズ
メッキ層3を全て銅−スズ拡散層(合金層)4に変える
(c)。この後、(d)に示すように、このスズ拡散層
4の上に更に純スズ層5を施し、メッキ皮膜表面の純ス
ズ層5の厚さを0.15〜0.8μm(メッキ厚はコク
ール膜厚計により測定)とする。メッキ厚が0.15μ
mでボンディングが困難となり、0.8μm以上ではメ
ッキだれを生じ、短絡の原因となる。
ッキ、すなわちスズメッキをアニール処理しただけのス
ズメッキ皮膜とが区別できるかどうかを、x線回折、A
ES分析等で調べたところ、Cu3SnとCu6Sn5の
x線回折強度比の値が、本発明に係るメッキでは1:
0.3〜0.5であるのに対し、通常のメッキでは1:
1〜1.5であった。さらに、本発明に係るメッキ表面
付近は純スズ層であるのに対し、通常メッキでは銅が表
面医付近まで拡散しており(AES分析)、両メッキ皮
膜は明瞭に区別できることが判明した。
スカーが発生しないのは次のような理由によるものと思
われる。すなわち、スズホイスカーの成長の駆動力の1
つは、銅−スズ拡散層(合金層)の成長(メッキ皮膜の
内部応力が増加する)であると言われている。しかる
に、本発明では、銅−スズ拡散層を積極的に形成したた
め、その上に再スズメッキ層をつけても、それ以上の銅
−スズ拡散が進まない、もしくは進み難いため、スズホ
イスカーが生長し難くなっているのだと考えられる。ま
た、再スズメッキによる下地メッキ表面の整面効果によ
り、スズホイスカーの芽が出難くなり、スズホイスカー
が発生し難くなっているのだと考えられる。
及び無電解メッキのいずれの方法で形成してもよいが、
メッキ厚のバラツキが少ないことから無電解メッキとす
ることが好ましい。また、銅−スズ拡散層の形成は、ア
ニール処理で行っても、リフロー処理で行っても良い。
キや合金メッキ方法のように、スズ以外の金属をメッキ
皮膜として導入すること無く、比較的安価な手段でスズ
ホイスカーを抑制することができ、微細パターンにおけ
る信頼性の高いスズメッキのみのメッキ皮膜が得られ
る。
上に無電解スズメッキ液として、TINPOSTjLT
−34(シプレイ・ファーイースト(株)製)を使用
し、60℃、7分間の下地無電解スズメッキを施した。
130℃〜200℃で1〜2時間のアニール処理を施し
た後に、再び無電解スズメッキを60℃で1分行い、サ
ンプルとした。これらスズメッキのアニール処理条件、
スズメッキ厚(螢光x線膜厚計、コクール膜厚計により
測定)等を表1に示し、1〜5ヶ月後にIL部(インナ
ーリード部)に発生したスズホイスカー数を表2に示
す。ここで、スズメッキ厚は螢光x線膜厚計を用い、こ
の場合Cu−Sn拡散層中のSnは測定値に入ることに
なる。また、純スズメッキ厚はコクール膜厚計を用い測
定したが、この場合Cu−Sn拡散層中のSnは測定値
に入らないことになる。
ール処理により、メッキ皮膜中に純スズ層が残らないよ
うなメッキ皮膜を作製し(アニール温度180℃以
上)、さらにスズメッキを行ったサンプルからは、スズ
ホイスカーの発生は見られていない(メッキ後5ヶ月経
過)。また、2回目のスズメッキ後のCu−Sn拡散層
厚が厚ければ厚いほど、スズホイスカーの発生を抑える
傾向があることがわかる。これに対し、No.1〜5の
サンプルのように、アニール処理後に純スズ層が残って
しまうと、その後の再スズメッキ後に、ホイスカーが発
生してきていることがわかる。
上に無電解スズメッキ液として、TINPOSTjLT
−34(シプレイ・ファーイースト(株)製)を使用
し、60℃で0.5〜7分間の下地無電解スズメッキを
施した。110℃〜180℃で1時間のアニール処理を
施した後に、再び無電解スズメッキを60℃で1分行
い、サンプルとした。これらスズメッキのアニール処理
条件、スズメッキ厚(螢光x線膜厚計、コクール膜厚計
により測定)等を表3に示し、メッキ直後〜90日後に
IL部に発生したスズホイスカー数を表4に示す。
も、アニール処理により、メッキ皮膜中に純スズ層が残
らないようなメッキ皮膜を作製し、再スズメッキを行え
ば、メッキ後90日後でもスズホイスカーの発生は見ら
れなかった。これに対し、No.8のサンプルのよう
に、アニール処理後に純スズ層が残ってしまうと、その
後の再スズメッキ後にホイスカーが発生してきているこ
とがわかる。
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 銅又は銅合金の微細パターン上にスズメ
ッキを施すに際し、まず厚さ0.15μm以上のスズメ
ッキを施し、次いで加熱処理して該純スズ層をすべて銅
素地とのCu−Sn拡散層とし、その上にスズメッキを
施し、純スズメッキ厚を0.15〜0.8μmとするこ
とを特徴とするスズメッキホイスカーの抑制方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3207236A JP3014814B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | スズメッキホイスカーの抑制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3207236A JP3014814B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | スズメッキホイスカーの抑制方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0533187A JPH0533187A (ja) | 1993-02-09 |
JP3014814B2 true JP3014814B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=16536481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3207236A Expired - Lifetime JP3014814B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | スズメッキホイスカーの抑制方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3014814B2 (ja) |
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-
1991
- 1991-07-25 JP JP3207236A patent/JP3014814B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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