JPH11135226A - 嵌合型接続端子の製造方法 - Google Patents
嵌合型接続端子の製造方法Info
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- JPH11135226A JPH11135226A JP9294075A JP29407597A JPH11135226A JP H11135226 A JPH11135226 A JP H11135226A JP 9294075 A JP9294075 A JP 9294075A JP 29407597 A JP29407597 A JP 29407597A JP H11135226 A JPH11135226 A JP H11135226A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅亜鉛合金の母材を使用した場合であっても
安定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下で
きる嵌合型接続端子の製造方法を提供する。 【解決手段】 母材１の表面に近い側から順にニッケル
めっき層２、銅めっき層３、錫めっき層４を形成する。
これに１５０℃以上１７０℃以下の温度条件において熱
処理を施す。この温度域では、銅は錫中を容易に拡散し
て錫めっき層４と銅めっき層３との界面近傍からＣｕ6
Ｓｎ5層５が生成され、合金化が促進される。Ｃｕ6Ｓｎ
5層５は錫めっき層４の表面と平行に均一に成長するた
め、錫めっき層２を薄く残留させるような熱処理条件と
すれば、端子表面の見かけの硬度を高めることができ、
安定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下す
ることができる。ニッケルめっき層２は、亜鉛の拡散防
止層として作用し、母材１中の亜鉛が錫めっき層４の表
面まで拡散して、酸化亜鉛を形成するのを防止できる。
安定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下で
きる嵌合型接続端子の製造方法を提供する。 【解決手段】 母材１の表面に近い側から順にニッケル
めっき層２、銅めっき層３、錫めっき層４を形成する。
これに１５０℃以上１７０℃以下の温度条件において熱
処理を施す。この温度域では、銅は錫中を容易に拡散し
て錫めっき層４と銅めっき層３との界面近傍からＣｕ6
Ｓｎ5層５が生成され、合金化が促進される。Ｃｕ6Ｓｎ
5層５は錫めっき層４の表面と平行に均一に成長するた
め、錫めっき層２を薄く残留させるような熱処理条件と
すれば、端子表面の見かけの硬度を高めることができ、
安定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下す
ることができる。ニッケルめっき層２は、亜鉛の拡散防
止層として作用し、母材１中の亜鉛が錫めっき層４の表
面まで拡散して、酸化亜鉛を形成するのを防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車、産業機器
などの電気配線に用いられる嵌合型接続端子の製造方法
に関する。
などの電気配線に用いられる嵌合型接続端子の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、一般に、自動車、産業機器な
どの電気配線において電線同士の接続に用いられる嵌合
型接続端子には、錫めっきが施されてきた。これは、端
子の接続時に、錫めっきの表面酸化皮膜を摩擦によって
破壊し、新鮮な錫を凝着させることにより、低い接触抵
抗を安定して得ることを目的としたものである。
どの電気配線において電線同士の接続に用いられる嵌合
型接続端子には、錫めっきが施されてきた。これは、端
子の接続時に、錫めっきの表面酸化皮膜を摩擦によって
破壊し、新鮮な錫を凝着させることにより、低い接触抵
抗を安定して得ることを目的としたものである。
【０００３】また、自動車のＡＢＳ（アンチロックブレ
ーキシステム）やエアバックなど、特に重要な信号回路
に用いられる電気配線には、接続端子に金めっきを施し
て使用していた。
ーキシステム）やエアバックなど、特に重要な信号回路
に用いられる電気配線には、接続端子に金めっきを施し
て使用していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記錫めっきの凝着
は、錫の硬度が低い（ビッカース硬度４０〜８０）こと
に起因するものである。しかし、錫の硬度が低いこと
は、接続時の挿入力を上昇させるという問題の原因とも
なっている。すなわち、端子の嵌合接続時には錫めっき
の凝着磨耗が発生し、錫の変形抵抗に逆らって嵌合させ
るため、挿入力が上昇することとなる。
は、錫の硬度が低い（ビッカース硬度４０〜８０）こと
に起因するものである。しかし、錫の硬度が低いこと
は、接続時の挿入力を上昇させるという問題の原因とも
なっている。すなわち、端子の嵌合接続時には錫めっき
の凝着磨耗が発生し、錫の変形抵抗に逆らって嵌合させ
るため、挿入力が上昇することとなる。
【０００５】ところで、自動車などの電気配線では複数
の電線の束（以下、「ワイヤーハーネス」と称する）を
１つのコネクタで接続するのが一般的であり、コネクタ
の接続に必要な力は、端子１個当たりの挿入力に電線の
本数（従来は、一般に１０極〜２０極）を乗じた値とし
て概算することができる。従って、端子１個当たりの挿
入力が高いと、コネクタの接続に必要な力はワイヤーハ
ーネスの電線数に応じた大きな値となる。
の電線の束（以下、「ワイヤーハーネス」と称する）を
１つのコネクタで接続するのが一般的であり、コネクタ
の接続に必要な力は、端子１個当たりの挿入力に電線の
本数（従来は、一般に１０極〜２０極）を乗じた値とし
て概算することができる。従って、端子１個当たりの挿
入力が高いと、コネクタの接続に必要な力はワイヤーハ
ーネスの電線数に応じた大きな値となる。
【０００６】特に、近年のカーエレクトロニクスの著し
い進歩・発展は、自動車に搭載する電子機器やＣＰＵの
数を飛躍的に増加させ、それに伴ってワイヤーハーネス
の電線本数を増加し、コネクタの多極化（３０極〜４０
極）を図りたいとの要望も強まっている。
い進歩・発展は、自動車に搭載する電子機器やＣＰＵの
数を飛躍的に増加させ、それに伴ってワイヤーハーネス
の電線本数を増加し、コネクタの多極化（３０極〜４０
極）を図りたいとの要望も強まっている。
【０００７】しかしながら、上述の如く、コネクタを多
極化すると当該コネクタの接続に必要な力も電線本数に
比例して上昇し、ボルトやてこなどの補助機構なしで
は、コネクタの接続ができなくなる。このため、端子を
小型化しても、補助機構がコネクタの小型化・軽量化を
阻害することとなる。
極化すると当該コネクタの接続に必要な力も電線本数に
比例して上昇し、ボルトやてこなどの補助機構なしで
は、コネクタの接続ができなくなる。このため、端子を
小型化しても、補助機構がコネクタの小型化・軽量化を
阻害することとなる。
【０００８】端子の挿入力を低減するには、接点圧力
（嵌合部で接点に与える押しつけ力）を低下させること
が考えられるが、この場合は、安定した低い接触抵抗が
得られなくなる。換言すれば、安定した接触抵抗を維持
したまま端子の挿入力を低下させることが困難であるた
め、コネクタを多極化する際に補助機構が不可欠とな
り、コネクタの小型化・軽量化を阻害する要因となって
いる。
（嵌合部で接点に与える押しつけ力）を低下させること
が考えられるが、この場合は、安定した低い接触抵抗が
得られなくなる。換言すれば、安定した接触抵抗を維持
したまま端子の挿入力を低下させることが困難であるた
め、コネクタを多極化する際に補助機構が不可欠とな
り、コネクタの小型化・軽量化を阻害する要因となって
いる。
【０００９】なお、接続端子に金めっきを使用すれば、
低い接点圧力でも低い接触抵抗が安定して得られるた
め、端子の挿入力を低くすることができ、コネクタを多
極化してもその接続に要する力が著しく上昇することは
ないが、金めっきは錫めっきに比較して数倍〜数十倍の
コストを要するため、特に多極化したコネクタには適し
ない。
低い接点圧力でも低い接触抵抗が安定して得られるた
め、端子の挿入力を低くすることができ、コネクタを多
極化してもその接続に要する力が著しく上昇することは
ないが、金めっきは錫めっきに比較して数倍〜数十倍の
コストを要するため、特に多極化したコネクタには適し
ない。
【００１０】そこで、本発明者等は、銅または銅合金の
母材の表面に錫めっき層を形成した後、熱処理を行い、
銅と錫めっき層との界面近傍にＣｕ6Ｓｎ5金属間化合物
を生成させることによって端子の見かけの表面硬度を上
昇させることにより、端子挿入力を低下させる技術を案
出した。この技術によれば、安定した低い接触抵抗を維
持したまま端子の挿入力を低下させることができる。
母材の表面に錫めっき層を形成した後、熱処理を行い、
銅と錫めっき層との界面近傍にＣｕ6Ｓｎ5金属間化合物
を生成させることによって端子の見かけの表面硬度を上
昇させることにより、端子挿入力を低下させる技術を案
出した。この技術によれば、安定した低い接触抵抗を維
持したまま端子の挿入力を低下させることができる。
【００１１】ところが、母材として銅亜鉛合金を使用し
た場合には、熱処理中に亜鉛が銅錫金属間化合物中を極
めて容易に拡散し、上記錫めっき層の表面において酸化
亜鉛の層を形成する。この現象は良く知られており、一
般に当該現象を防ぐためには、錫めっき層の下地めっき
として純銅のめっき層を形成する。
た場合には、熱処理中に亜鉛が銅錫金属間化合物中を極
めて容易に拡散し、上記錫めっき層の表面において酸化
亜鉛の層を形成する。この現象は良く知られており、一
般に当該現象を防ぐためには、錫めっき層の下地めっき
として純銅のめっき層を形成する。
【００１２】しかし、本発明者等が案出した技術におけ
る熱処理では、下地めっきの純銅層がすべて銅錫金属間
化合物となるため、亜鉛は容易に表面まで拡散し、酸化
亜鉛の層を形成する。そして、酸化亜鉛の層が形成され
ると、端子の接触抵抗が上昇するという不具合を生じ
る。
る熱処理では、下地めっきの純銅層がすべて銅錫金属間
化合物となるため、亜鉛は容易に表面まで拡散し、酸化
亜鉛の層を形成する。そして、酸化亜鉛の層が形成され
ると、端子の接触抵抗が上昇するという不具合を生じ
る。
【００１３】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、銅亜鉛合金の母材を使用した場合であっても安
定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下でき
る嵌合型接続端子の製造方法を提供することを目的とす
る。
であり、銅亜鉛合金の母材を使用した場合であっても安
定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下でき
る嵌合型接続端子の製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、銅亜鉛合金を母材とする雄部品
および雌部品の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接
続端子の製造方法であって、(a)前記雄部品または前記
雌部品のうち少なくとも一方の銅亜鉛合金母材の表面に
ニッケルめっき層を形成するニッケルめっき工程と、
(b)前記ニッケルめっき層の表面に銅めっき層を形成す
る銅めっき工程と、(c)前記銅めっき層の表面に錫めっ
き層を形成する錫めっき工程と、(d)前記錫めっき層が
形成された前記銅亜鉛合金母材に熱処理を行って前記錫
めっき層のうち前記銅めっき層との界面近傍のみをＣｕ
6Ｓｎ5に合金化する熱処理工程と、を備えている。
め、請求項１の発明は、銅亜鉛合金を母材とする雄部品
および雌部品の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接
続端子の製造方法であって、(a)前記雄部品または前記
雌部品のうち少なくとも一方の銅亜鉛合金母材の表面に
ニッケルめっき層を形成するニッケルめっき工程と、
(b)前記ニッケルめっき層の表面に銅めっき層を形成す
る銅めっき工程と、(c)前記銅めっき層の表面に錫めっ
き層を形成する錫めっき工程と、(d)前記錫めっき層が
形成された前記銅亜鉛合金母材に熱処理を行って前記錫
めっき層のうち前記銅めっき層との界面近傍のみをＣｕ
6Ｓｎ5に合金化する熱処理工程と、を備えている。
【００１５】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る嵌合型接続端子の製造方法において、前記熱処理
を１５０℃以上１７０℃以下で行っている。
に係る嵌合型接続端子の製造方法において、前記熱処理
を１５０℃以上１７０℃以下で行っている。
【００１６】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２の発明に係る嵌合型接続端子の製造方法におい
て、前記熱処理工程に、前記雄部品または前記雌部品の
うちの一方の前記嵌合による摺動部分に０．１μｍ〜
０．３μｍの厚さの錫めっき層を残留させ、他方の前記
嵌合による摺動部分に０．１μｍ以上の厚さの錫めっき
層を残留させる工程を含ませている。
請求項２の発明に係る嵌合型接続端子の製造方法におい
て、前記熱処理工程に、前記雄部品または前記雌部品の
うちの一方の前記嵌合による摺動部分に０．１μｍ〜
０．３μｍの厚さの錫めっき層を残留させ、他方の前記
嵌合による摺動部分に０．１μｍ以上の厚さの錫めっき
層を残留させる工程を含ませている。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
実施の形態について詳細に説明する。
【００１８】＜Ａ．嵌合型接続端子の形態＞図１は本発
明に係る製造方法によって製造された嵌合型接続端子の
側面図であり、また、図２は当該嵌合型接続端子の接続
部分の一部切欠平面図である。
明に係る製造方法によって製造された嵌合型接続端子の
側面図であり、また、図２は当該嵌合型接続端子の接続
部分の一部切欠平面図である。
【００１９】図示のように、本発明に係る嵌合型接続端
子は雄端子１０と雌端子２０とで構成されている。雄端
子１０は、電線との圧着部であるワイヤバレル１１と、
雌端子２０との嵌合部であるタブ１２とを形成してい
る。また、タブ１２の上面および下面は平滑な摺動面と
している。
子は雄端子１０と雌端子２０とで構成されている。雄端
子１０は、電線との圧着部であるワイヤバレル１１と、
雌端子２０との嵌合部であるタブ１２とを形成してい
る。また、タブ１２の上面および下面は平滑な摺動面と
している。
【００２０】雌端子２０は、電線との圧着部であるワイ
ヤバレル２４と、雄端子１０との嵌合部２５とを形成し
ている。嵌合部２５は、中空の箱形状であり、舌片２
１、エンボス２２およびビード２３とをその内部に備え
ている。なお、図２は、嵌合部２５の内部を示した一部
切欠平面図である。
ヤバレル２４と、雄端子１０との嵌合部２５とを形成し
ている。嵌合部２５は、中空の箱形状であり、舌片２
１、エンボス２２およびビード２３とをその内部に備え
ている。なお、図２は、嵌合部２５の内部を示した一部
切欠平面図である。
【００２１】エンボス２２は、舌片２１の上部に設けら
れた凸状の部材であり、雄端子１０との嵌合時には、タ
ブ１２の摺動面と点接触する。舌片２１は、接点圧力す
なわちエンボス２２をタブ１２に押しつける圧力を作用
させるバネとしての機能を有している。また、ビード２
３も凸状の部材であり、タブ１２とエンボス２２が接触
する面と反対側の摺動面で接触し、当該エンボス２２が
タブ１２に及ぼす接点圧力を受ける。
れた凸状の部材であり、雄端子１０との嵌合時には、タ
ブ１２の摺動面と点接触する。舌片２１は、接点圧力す
なわちエンボス２２をタブ１２に押しつける圧力を作用
させるバネとしての機能を有している。また、ビード２
３も凸状の部材であり、タブ１２とエンボス２２が接触
する面と反対側の摺動面で接触し、当該エンボス２２が
タブ１２に及ぼす接点圧力を受ける。
【００２２】雄端子１０を雌端子２０に嵌合させる際に
は、タブ１２をエンボス２２とビード２３との間隙に挿
入する。そして、このときにタブ１２の上下面のうちの
一方はエンボス２２と、他方はビード２３と摺動する。
エンボス２２はタブ１２と点接触しているため、エンボ
ス２２の摺動部分は点であり、また、タブ１２の摺動部
分は線である。また、ビード２３についてはタブ１２と
の接触部分がそのまま摺動部分となり、タブ１２側の摺
動部分は上記同様線となる。
は、タブ１２をエンボス２２とビード２３との間隙に挿
入する。そして、このときにタブ１２の上下面のうちの
一方はエンボス２２と、他方はビード２３と摺動する。
エンボス２２はタブ１２と点接触しているため、エンボ
ス２２の摺動部分は点であり、また、タブ１２の摺動部
分は線である。また、ビード２３についてはタブ１２と
の接触部分がそのまま摺動部分となり、タブ１２側の摺
動部分は上記同様線となる。
【００２３】＜Ｂ．嵌合型接続端子の製造方法＞次に、
嵌合型接続端子の製造方法について説明する。本実施形
態における嵌合型接続端子は、母材として亜鉛を含む銅
合金を使用し、例えば丹銅（亜鉛の含有量が２０％以下
の銅亜鉛合金）、黄銅（亜鉛の含有量３０％〜４０％の
銅亜鉛合金）、洋白（銅ニッケル亜鉛合金）などを使用
する。製造工程としては、まず母材となる板状の条材に
めっき処理を行った後、その条材を上記形態に加工し、
さらに加工後の端子に熱処理を施して嵌合型接続端子を
製造する。
嵌合型接続端子の製造方法について説明する。本実施形
態における嵌合型接続端子は、母材として亜鉛を含む銅
合金を使用し、例えば丹銅（亜鉛の含有量が２０％以下
の銅亜鉛合金）、黄銅（亜鉛の含有量３０％〜４０％の
銅亜鉛合金）、洋白（銅ニッケル亜鉛合金）などを使用
する。製造工程としては、まず母材となる板状の条材に
めっき処理を行った後、その条材を上記形態に加工し、
さらに加工後の端子に熱処理を施して嵌合型接続端子を
製造する。
【００２４】＜Ｂ−１．めっき工程＞まず、めっき層の
密着性を高めるため、板状の条材表面の洗浄や酸化皮膜
の除去などの前処理を行う。そして、次に、条材の表面
にめっき処理を施し、めっき層を形成する。本実施形態
でのめっき工程は、 ニッケルめっき 銅めっき 錫めっき の順に行われ、母材表面に近い側から順にニッケルめっ
き層、銅めっき層、錫めっき層を形成する。
密着性を高めるため、板状の条材表面の洗浄や酸化皮膜
の除去などの前処理を行う。そして、次に、条材の表面
にめっき処理を施し、めっき層を形成する。本実施形態
でのめっき工程は、 ニッケルめっき 銅めっき 錫めっき の順に行われ、母材表面に近い側から順にニッケルめっ
き層、銅めっき層、錫めっき層を形成する。
【００２５】このときに、ニッケルめっき層の厚さは
０．３μｍ以上１．０μｍ以下とし、銅めっき層の厚さ
は０．３μｍ以上０．８μｍ以下とし、錫めっき層の厚
さは０．５μｍ以上２．０μｍ以下としている。ニッケ
ルめっき層の厚さを０．３μｍ以上１．０μｍ以下とし
ているのは、０．３μｍ未満では後述する亜鉛の遮蔽効
果が不足し、１．０μｍより大きいとき端子への加工時
における加工性が低下するからである。また、銅めっき
層の厚さを０．３μｍ以上０．８μｍ以下としているの
は、０．３μｍ未満では後述する合金化の制御が困難と
なり、０．８μｍより大きいとめっき層のき裂が発生し
て耐食性が低下するおそれがあるからである。さらに、
錫めっき層の厚さを０．５μｍ以上２．０μｍ以下とし
ているのは、銅めっき層と同様に、０．５μｍ未満では
合金化の制御が困難となり、２．０μｍより大きいとめ
っき層のき裂が発生して耐食性が低下するおそれがある
からである。
０．３μｍ以上１．０μｍ以下とし、銅めっき層の厚さ
は０．３μｍ以上０．８μｍ以下とし、錫めっき層の厚
さは０．５μｍ以上２．０μｍ以下としている。ニッケ
ルめっき層の厚さを０．３μｍ以上１．０μｍ以下とし
ているのは、０．３μｍ未満では後述する亜鉛の遮蔽効
果が不足し、１．０μｍより大きいとき端子への加工時
における加工性が低下するからである。また、銅めっき
層の厚さを０．３μｍ以上０．８μｍ以下としているの
は、０．３μｍ未満では後述する合金化の制御が困難と
なり、０．８μｍより大きいとめっき層のき裂が発生し
て耐食性が低下するおそれがあるからである。さらに、
錫めっき層の厚さを０．５μｍ以上２．０μｍ以下とし
ているのは、銅めっき層と同様に、０．５μｍ未満では
合金化の制御が困難となり、２．０μｍより大きいとめ
っき層のき裂が発生して耐食性が低下するおそれがある
からである。
【００２６】また、めっきの手法としては、電気めっ
き、無電解めっきなどの湿式めっきが適用可能な他に蒸
着やスパッタリングなどの乾式めっきを用いてもよい。
き、無電解めっきなどの湿式めっきが適用可能な他に蒸
着やスパッタリングなどの乾式めっきを用いてもよい。
【００２７】上記の各めっき処理後、条材を加工して図
１および図２に示すような形態の雄端子１０および雌端
子２０に成形する。熱処理前に成形加工を行うのは、後
述するように熱処理後は錫めっき層の一部が金属間化合
物に合金化されて硬化し、成形性が劣化するからであ
る。
１および図２に示すような形態の雄端子１０および雌端
子２０に成形する。熱処理前に成形加工を行うのは、後
述するように熱処理後は錫めっき層の一部が金属間化合
物に合金化されて硬化し、成形性が劣化するからであ
る。
【００２８】＜Ｂ−２．熱処理工程＞次に、成形後の端
子の熱処理を行う。熱処理時の錫めっき層の変化につい
て図３を用いて説明する。
子の熱処理を行う。熱処理時の錫めっき層の変化につい
て図３を用いて説明する。
【００２９】熱処理前においては、図３（ａ）に示す如
く、銅亜鉛合金の母材１の表面に近い側から順にニッケ
ルめっき層２、銅めっき層３、錫めっき層４が形成され
た状態となっている。そして、この状態で１５０℃以上
１７０℃以下の温度条件において熱処理を施す。錫中に
おける銅の拡散係数は常温においても比較的大きいが、
１５０℃以上１７０℃以下の温度条件ではさらに大きく
なり、銅は錫中を容易に拡散して錫めっき層４と銅めっ
き層３との界面近傍から順にＣｕ6Ｓｎ5層５が生成さ
れ、合金化が促進される（図３（ｂ）の状態）。ここ
で、熱処理の温度条件を１５０℃以上１７０℃以下にし
ているのは、１５０℃未満では錫中における銅の拡散速
度が遅く合金化に長時間を要し、また１７０℃より大き
いと錫めっき層４と銅めっき層３との界面近傍からＣｕ
3Ｓｎが生成されるからである。
く、銅亜鉛合金の母材１の表面に近い側から順にニッケ
ルめっき層２、銅めっき層３、錫めっき層４が形成され
た状態となっている。そして、この状態で１５０℃以上
１７０℃以下の温度条件において熱処理を施す。錫中に
おける銅の拡散係数は常温においても比較的大きいが、
１５０℃以上１７０℃以下の温度条件ではさらに大きく
なり、銅は錫中を容易に拡散して錫めっき層４と銅めっ
き層３との界面近傍から順にＣｕ6Ｓｎ5層５が生成さ
れ、合金化が促進される（図３（ｂ）の状態）。ここ
で、熱処理の温度条件を１５０℃以上１７０℃以下にし
ているのは、１５０℃未満では錫中における銅の拡散速
度が遅く合金化に長時間を要し、また１７０℃より大き
いと錫めっき層４と銅めっき層３との界面近傍からＣｕ
3Ｓｎが生成されるからである。
【００３０】１７０℃よりも大きい温度領域では、低温
域あるいは早期にできた金属間化合物Ｃｕ6Ｓｎ5が金属
間化合物Ｃｕ3Ｓｎに変化して成長するのであるが、こ
の金属間化合物Ｃｕ3Ｓｎ層６は柱状に成長する（図３
（ｃ）の状態）。このような状態になると、端子の表面
の凹凸が激しくなるため、端子の接触抵抗が上昇する。
なお、図３（ｃ）において点線で示しているのは、熱処
理前の錫めっき層４の表面である。
域あるいは早期にできた金属間化合物Ｃｕ6Ｓｎ5が金属
間化合物Ｃｕ3Ｓｎに変化して成長するのであるが、こ
の金属間化合物Ｃｕ3Ｓｎ層６は柱状に成長する（図３
（ｃ）の状態）。このような状態になると、端子の表面
の凹凸が激しくなるため、端子の接触抵抗が上昇する。
なお、図３（ｃ）において点線で示しているのは、熱処
理前の錫めっき層４の表面である。
【００３１】これに対して、Ｃｕ6Ｓｎ5層５は錫めっき
層４の表面と平行に均一に成長するため、錫めっき層４
の表面が凹凸になることもなく、また、錫めっき層４の
表面は純錫のみであるため耐食性が低下することもな
い。
層４の表面と平行に均一に成長するため、錫めっき層４
の表面が凹凸になることもなく、また、錫めっき層４の
表面は純錫のみであるため耐食性が低下することもな
い。
【００３２】熱処理中、金属間化合物Ｃｕ6Ｓｎ5層５は
時間とともに成長し、それに従って残留錫めっき層４の
厚さが薄くなる。錫めっき層２が完全に金属間化合物Ｃ
ｕ6Ｓｎ5層５に変化すると、当該金属間化合物Ｃｕ6Ｓ
ｎ5層５は硬度が高いため、端子の接触抵抗が高くなる
こともある。そこで、本実施形態では、熱処理温度と時
間とを調節して錫めっき層４を残留させるとともに、端
子挿入力の低下を目的としてその残留厚さを制御してい
る。この技術についてはさらに後述する。
時間とともに成長し、それに従って残留錫めっき層４の
厚さが薄くなる。錫めっき層２が完全に金属間化合物Ｃ
ｕ6Ｓｎ5層５に変化すると、当該金属間化合物Ｃｕ6Ｓ
ｎ5層５は硬度が高いため、端子の接触抵抗が高くなる
こともある。そこで、本実施形態では、熱処理温度と時
間とを調節して錫めっき層４を残留させるとともに、端
子挿入力の低下を目的としてその残留厚さを制御してい
る。この技術についてはさらに後述する。
【００３３】ところで、銅亜鉛合金の母材１の表面に直
接錫めっき層４を形成し、１５０℃以上１７０℃以下の
温度条件において熱処理を行っても、Ｃｕ6Ｓｎ5層５を
生成させることはできる（図３（ｄ）の状態）。しかし
ながら、既述したように、この場合は熱処理中に母材１
中の亜鉛がＣｕ6Ｓｎ5層５内を極めて容易に拡散し、錫
めっき層４の表面において酸化亜鉛を形成し、端子の接
触抵抗を上昇させることとなる。
接錫めっき層４を形成し、１５０℃以上１７０℃以下の
温度条件において熱処理を行っても、Ｃｕ6Ｓｎ5層５を
生成させることはできる（図３（ｄ）の状態）。しかし
ながら、既述したように、この場合は熱処理中に母材１
中の亜鉛がＣｕ6Ｓｎ5層５内を極めて容易に拡散し、錫
めっき層４の表面において酸化亜鉛を形成し、端子の接
触抵抗を上昇させることとなる。
【００３４】これに対して、本実施形態では、母材１の
直上にはニッケルめっき層２を形成している。亜鉛はニ
ッケル中においてはほとんど拡散しないため、母材１中
の亜鉛が錫めっき層４の表面まで拡散して、酸化亜鉛を
形成することはなくなり、その結果端子の接触抵抗の上
昇を抑制することができる。すなわち、ニッケルめっき
層２は亜鉛の拡散防止層としての役割を果たすこととな
る。
直上にはニッケルめっき層２を形成している。亜鉛はニ
ッケル中においてはほとんど拡散しないため、母材１中
の亜鉛が錫めっき層４の表面まで拡散して、酸化亜鉛を
形成することはなくなり、その結果端子の接触抵抗の上
昇を抑制することができる。すなわち、ニッケルめっき
層２は亜鉛の拡散防止層としての役割を果たすこととな
る。
【００３５】ここで、亜鉛の拡散防止という観点から
は、ニッケルめっき層２の代わりに銅のめっき層を使用
することもできるが、銅のめっき層は錫との反応速度が
速く、急速に銅錫金属間化合物に変換され、亜鉛の拡散
防止層としての役割を果たせなくなる。これに対して、
ニッケルは銅に比べて錫との反応速度が遅いため、熱処
理中においても純ニッケルの層が残留し、亜鉛の拡散を
防止する。
は、ニッケルめっき層２の代わりに銅のめっき層を使用
することもできるが、銅のめっき層は錫との反応速度が
速く、急速に銅錫金属間化合物に変換され、亜鉛の拡散
防止層としての役割を果たせなくなる。これに対して、
ニッケルは銅に比べて錫との反応速度が遅いため、熱処
理中においても純ニッケルの層が残留し、亜鉛の拡散を
防止する。
【００３６】＜Ｂ−３．残留錫めっき層の厚さ制御＞残
留錫めっき層４の厚さ制御は、主として端子の挿入力低
下の観点から行われる。すなわち、安定して低い接触抵
抗を得るためには錫めっき層４を残留させる必要がある
が、当該錫めっき層４が厚いと既述したように錫の凝着
に起因して挿入力が上昇する。
留錫めっき層４の厚さ制御は、主として端子の挿入力低
下の観点から行われる。すなわち、安定して低い接触抵
抗を得るためには錫めっき層４を残留させる必要がある
が、当該錫めっき層４が厚いと既述したように錫の凝着
に起因して挿入力が上昇する。
【００３７】そこで本実施形態においては、錫めっき層
４を厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの範囲内で残留させる
ことによって端子の接触部分の見かけの硬度を高くし、
挿入力を低減させている。このことを以下に示す実験結
果を使用して説明する。
４を厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの範囲内で残留させる
ことによって端子の接触部分の見かけの硬度を高くし、
挿入力を低減させている。このことを以下に示す実験結
果を使用して説明する。
【００３８】実験は、雄端子１０および雌端子２０の残
留錫めっき層４の厚さをそれぞれ０．１μｍ〜１．０μ
ｍまで変化させ、当該雄端子１０を雌端子２０に嵌合さ
せるときの挿入力を測定して行った。次の表１はその実
験結果である。
留錫めっき層４の厚さをそれぞれ０．１μｍ〜１．０μ
ｍまで変化させ、当該雄端子１０を雌端子２０に嵌合さ
せるときの挿入力を測定して行った。次の表１はその実
験結果である。
【００３９】
【表１】
【００４０】従来における端子への錫めっき厚さを１．
０μｍとすると、端子挿入力は０．７４ｋｇｆである。
以下、この従来の挿入力を基準値として説明を続ける。
０μｍとすると、端子挿入力は０．７４ｋｇｆである。
以下、この従来の挿入力を基準値として説明を続ける。
【００４１】実験結果が示すように、雄端子１０または
雌端子２０のうちの一方の錫めっき層４の厚さを０．１
μｍ〜０．３μｍとし、他方の錫めっき層４の厚さを
０．１μｍ以上とすると、基準値と比較して挿入力を少
なくとも１０％以上低減（０．６７ｋｇｆ以下）でき
る。これは、錫めっき層４が薄くなるにしたがって、金
属間化合物Ｃｕ6Ｓｎ5層５の硬度が端子の硬度に影響す
るようになり、端子の見かけの硬度が高くなる。そし
て、端子の見かけの硬度が高くなることによって、錫め
っきの凝着が抑制され、挿入力が低くなったものであ
る。
雌端子２０のうちの一方の錫めっき層４の厚さを０．１
μｍ〜０．３μｍとし、他方の錫めっき層４の厚さを
０．１μｍ以上とすると、基準値と比較して挿入力を少
なくとも１０％以上低減（０．６７ｋｇｆ以下）でき
る。これは、錫めっき層４が薄くなるにしたがって、金
属間化合物Ｃｕ6Ｓｎ5層５の硬度が端子の硬度に影響す
るようになり、端子の見かけの硬度が高くなる。そし
て、端子の見かけの硬度が高くなることによって、錫め
っきの凝着が抑制され、挿入力が低くなったものであ
る。
【００４２】また、発明者等は、錫めっき層４の厚さが
０．１μｍ以上あれば、耐食性および接触抵抗について
端子に要求される条件を満たすことを実験によって確認
している。
０．１μｍ以上あれば、耐食性および接触抵抗について
端子に要求される条件を満たすことを実験によって確認
している。
【００４３】従って、必要な挿入力低減効果を得るため
には、雄端子１０および雌端子２０の錫めっき層４を所
定の厚さだけ残留させるように熱処理の温度および時間
を制御すればよい。以下、一例として、雌端子２０の錫
めっき層４の厚さを１．０μｍとしたとき（雌端子２０
についてはめっき処理のままで熱処理を行わない）に、
雄端子１０の熱処理条件を変化させて所定の厚さの錫め
っき層４を残留させ、必要な挿入力低減効果を得る手法
について説明する。
には、雄端子１０および雌端子２０の錫めっき層４を所
定の厚さだけ残留させるように熱処理の温度および時間
を制御すればよい。以下、一例として、雌端子２０の錫
めっき層４の厚さを１．０μｍとしたとき（雌端子２０
についてはめっき処理のままで熱処理を行わない）に、
雄端子１０の熱処理条件を変化させて所定の厚さの錫め
っき層４を残留させ、必要な挿入力低減効果を得る手法
について説明する。
【００４４】図４は、雌端子２０の錫めっき層４の厚さ
を１．０μｍとしたときの、雄端子１０の残留錫めっき
層４の厚さと端子挿入力との相関を示す図である。な
お、この図は表１の結果の一部を示したものである。
を１．０μｍとしたときの、雄端子１０の残留錫めっき
層４の厚さと端子挿入力との相関を示す図である。な
お、この図は表１の結果の一部を示したものである。
【００４５】図４より、端子挿入力を１０％低減するた
めには雄端子１０の錫めっき層４の厚さを０．４０μ
ｍ、また、２０％低減するためには０．２３μｍ、３０
％低減するためには０．１６μｍそれぞれ残留させれば
よいことが分かる。
めには雄端子１０の錫めっき層４の厚さを０．４０μ
ｍ、また、２０％低減するためには０．２３μｍ、３０
％低減するためには０．１６μｍそれぞれ残留させれば
よいことが分かる。
【００４６】次に、図５は、熱処理時間と残留錫めっき
層４の厚さとの相関を示す図である。なお、この図は初
期の錫めっき層４の厚さを１．０μｍとして予め行った
実験から求められた結果である。
層４の厚さとの相関を示す図である。なお、この図は初
期の錫めっき層４の厚さを１．０μｍとして予め行った
実験から求められた結果である。
【００４７】図５によれば、雄端子１０の残留錫めっき
層４の厚さを０．４０μｍに（端子挿入力を１０％低
減）するためには、温度１５０℃で２．７時間、温度１
６０℃では１．６時間、温度１７０℃では０．８時間そ
れぞれ熱処理を行えばよい。また、雄端子１０の残留錫
めっき層４の厚さを０．２３μｍに（端子挿入力を２０
％低減）するためには、温度１６０℃で３．８時間、温
度１７０℃で２時間熱処理を行えばよい。さらに、雄端
子１０の残留錫めっき層４の厚さを０．１６μｍに（端
子挿入力を３０％低減）するためには、温度１７０℃で
３．５時間熱処理を行えばよい。
層４の厚さを０．４０μｍに（端子挿入力を１０％低
減）するためには、温度１５０℃で２．７時間、温度１
６０℃では１．６時間、温度１７０℃では０．８時間そ
れぞれ熱処理を行えばよい。また、雄端子１０の残留錫
めっき層４の厚さを０．２３μｍに（端子挿入力を２０
％低減）するためには、温度１６０℃で３．８時間、温
度１７０℃で２時間熱処理を行えばよい。さらに、雄端
子１０の残留錫めっき層４の厚さを０．１６μｍに（端
子挿入力を３０％低減）するためには、温度１７０℃で
３．５時間熱処理を行えばよい。
【００４８】なお、上記熱処理パターンは一例であり、
雄端子１０または雌端子２０のうちの一方または両方に
ついて同様の熱処理を行い、所定の錫めっき層４の厚さ
を残留させるようにして、必要な挿入力低減効果を得れ
ばよい。例えば、初期の錫めっき層４の厚さが１．０μ
ｍ以外の場合は、図５の相関関係が異なるため、それに
応じた熱処理時間とする必要がある。
雄端子１０または雌端子２０のうちの一方または両方に
ついて同様の熱処理を行い、所定の錫めっき層４の厚さ
を残留させるようにして、必要な挿入力低減効果を得れ
ばよい。例えば、初期の錫めっき層４の厚さが１．０μ
ｍ以外の場合は、図５の相関関係が異なるため、それに
応じた熱処理時間とする必要がある。
【００４９】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、雄端子１０および雌端子２０の形態は図１およ
び図２に記載した形態に限定されるものではなく、雄端
子および雌端子の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型
接続端子であればよい。
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、雄端子１０および雌端子２０の形態は図１およ
び図２に記載した形態に限定されるものではなく、雄端
子および雌端子の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型
接続端子であればよい。
【００５０】また、端子の成型加工は熱処理後に行って
もよい。もっとも、熱処理後は金属間化合物Ｃｕ6Ｓｎ5
層５が生成して加工性が低下するため、本実施形態のよ
うに、端子の成型加工はめっき処理後熱処理前に行う方
が好ましい。
もよい。もっとも、熱処理後は金属間化合物Ｃｕ6Ｓｎ5
層５が生成して加工性が低下するため、本実施形態のよ
うに、端子の成型加工はめっき処理後熱処理前に行う方
が好ましい。
【００５１】また、亜鉛の拡散防止層としては、ニッケ
ルめっき層２に限らず、導電性を有しかつ亜鉛を拡散さ
せることのない物質層であればよく、例えばチタンナイ
トライドなどであってもよい。
ルめっき層２に限らず、導電性を有しかつ亜鉛を拡散さ
せることのない物質層であればよく、例えばチタンナイ
トライドなどであってもよい。
【００５２】さらに、雄端子１０および雌端子２０の摺
動部分にのみ錫めっき層４を形成した後、熱処理を行え
ば、当該摺動部分については上記の効果が得られ、摺動
部分以外については金属間化合物が形成されないため、
電線との圧着時の加工性が低下するのを防止することが
できる。
動部分にのみ錫めっき層４を形成した後、熱処理を行え
ば、当該摺動部分については上記の効果が得られ、摺動
部分以外については金属間化合物が形成されないため、
電線との圧着時の加工性が低下するのを防止することが
できる。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、雄部品または雌部品のうち少なくとも一方の銅
亜鉛合金母材の表面にニッケルめっき層を形成するニッ
ケルめっき工程と、当該ニッケルめっき層の表面に銅め
っき層を形成する銅めっき工程と、当該銅めっき層の表
面に錫めっき層を形成する錫めっき工程と、錫めっき層
が形成された銅亜鉛合金母材に熱処理を行って錫めっき
層のうち銅めっき層との界面近傍のみをＣｕ6Ｓｎ5に合
金化する熱処理工程と、を備えているため、厚さの薄い
錫めっき層を残留させることができ、安定した接触抵抗
を維持したまま端子の挿入力を低下することができる。
また、母材は銅亜鉛合金であるが、亜鉛はニッケル中に
おいてはほとんど拡散しないため、母材中の亜鉛が錫め
っき層の表面まで拡散して、酸化亜鉛を形成することは
なくなり、その結果安定した接触抵抗を維持することが
できる。
よれば、雄部品または雌部品のうち少なくとも一方の銅
亜鉛合金母材の表面にニッケルめっき層を形成するニッ
ケルめっき工程と、当該ニッケルめっき層の表面に銅め
っき層を形成する銅めっき工程と、当該銅めっき層の表
面に錫めっき層を形成する錫めっき工程と、錫めっき層
が形成された銅亜鉛合金母材に熱処理を行って錫めっき
層のうち銅めっき層との界面近傍のみをＣｕ6Ｓｎ5に合
金化する熱処理工程と、を備えているため、厚さの薄い
錫めっき層を残留させることができ、安定した接触抵抗
を維持したまま端子の挿入力を低下することができる。
また、母材は銅亜鉛合金であるが、亜鉛はニッケル中に
おいてはほとんど拡散しないため、母材中の亜鉛が錫め
っき層の表面まで拡散して、酸化亜鉛を形成することは
なくなり、その結果安定した接触抵抗を維持することが
できる。
【００５４】また、請求項２の発明によれば、熱処理を
１５０℃以上１７０℃以下で行っているため、Ｃｕ6Ｓ
ｎ5を安定して成長させることができる。
１５０℃以上１７０℃以下で行っているため、Ｃｕ6Ｓ
ｎ5を安定して成長させることができる。
【００５５】また、請求項３の発明によれば、雄部品ま
たは雌部品のうちの一方の嵌合による摺動部分に０．１
μｍ〜０．３μｍの厚さの錫めっき層を残留させ、他方
の嵌合による摺動部分に０．１μｍ以上の厚さの錫めっ
き層を残留させているため、従来と比較して挿入力を少
なくとも１０％以上低減することができる。
たは雌部品のうちの一方の嵌合による摺動部分に０．１
μｍ〜０．３μｍの厚さの錫めっき層を残留させ、他方
の嵌合による摺動部分に０．１μｍ以上の厚さの錫めっ
き層を残留させているため、従来と比較して挿入力を少
なくとも１０％以上低減することができる。
【図１】本発明に係る製造方法によって製造された嵌合
型接続端子の側面図である。
型接続端子の側面図である。
【図２】図１の嵌合型接続端子の接続部分の一部切欠平
面図である。
面図である。
【図３】熱処理時の錫めっき層の変化を説明するための
図である。
図である。
【図４】雄端子の残留錫めっき層の厚さと端子挿入力と
の相関を示す図である。
の相関を示す図である。
【図５】熱処理時間と残留錫めっき層の厚さとの相関を
示す図である。
示す図である。
１ 母材 ２ ニッケルめっき層 ３ 銅めっき層 ４ 錫めっき層 ５ Ｃｕ6Ｓｎ5層 １０ 雄端子 １２ タブ ２０ 雌端子 ２１ 舌片 ２２ エンボス ２３ ビード ２５ 嵌合部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩谷 準 愛知県名古屋市南区菊住１丁目７番10号 株式会社ハーネス総合技術研究所内 (72)発明者 藤井 淳彦 愛知県名古屋市南区菊住１丁目７番10号 株式会社ハーネス総合技術研究所内 (72)発明者 坂 喜文 愛知県名古屋市南区菊住１丁目７番10号 株式会社ハーネス総合技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 銅亜鉛合金を母材とする雄部品および雌
部品の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接続端子の
製造方法であって、 (a) 前記雄部品または前記雌部品のうち少なくとも一方
の銅亜鉛合金母材の表面にニッケルめっき層を形成する
ニッケルめっき工程と、 (b) 前記ニッケルめっき層の表面に銅めっき層を形成す
る銅めっき工程と、 (c) 前記銅めっき層の表面に錫めっき層を形成する錫め
っき工程と、 (d) 前記錫めっき層が形成された前記銅亜鉛合金母材に
熱処理を行って前記錫めっき層のうち前記銅めっき層と
の界面近傍のみをＣｕ6Ｓｎ5に合金化する熱処理工程
と、を備えることを特徴とする嵌合型接続端子の製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の嵌合型接続端子の製造方
法において、 前記熱処理は１５０℃以上１７０℃以下で行うことを特
徴とする嵌合型接続端子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の嵌合型接
続端子の製造方法において、 前記熱処理工程は、前記雄部品または前記雌部品のうち
の一方の前記嵌合による摺動部分に０．１μｍ〜０．３
μｍの厚さの錫めっき層を残留させ、他方の前記嵌合に
よる摺動部分に０．１μｍ以上の厚さの錫めっき層を残
留させる工程を含むことを特徴とする嵌合型接続端子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9294075A JPH11135226A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 嵌合型接続端子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9294075A JPH11135226A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 嵌合型接続端子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135226A true JPH11135226A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17802970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9294075A Pending JPH11135226A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 嵌合型接続端子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135226A (ja) |
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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