JPH11111422A

JPH11111422A - 嵌合型接続端子の製造方法

Info

Publication number: JPH11111422A
Application number: JP27598397A
Authority: JP
Inventors: Jun Shiotani; 準塩谷; Atsuhiko Fujii; 淳彦藤井; Yoshifumi Saka; 喜文坂; Atsushi Nakamura; 篤中村
Original assignee: Sumitomo Wiring Systems Ltd; Sumitomo Electric Industries Ltd; Harness System Technologies Research Ltd
Current assignee: Sumitomo Wiring Systems Ltd; AutoNetworks Technologies Ltd; Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1997-10-08
Filing date: 1997-10-08
Publication date: 1999-04-23

Abstract

(57)【要約】【課題】安定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入
力を低下できる嵌合型接続端子の製造方法を提供する。【解決手段】銅または銅合金の母材に錫めっきを施し
た後、端子の形状に加工し、炉体３０内において熱処理
を行う。炉体３０には赤外線ランプ３１が備えられてお
り、当該赤外線ランプ３１からの赤外線照射によって雄
端子１０の加熱を行う。雄端子１０のうち電線との圧着
を行う圧着部１１は、その上方が遮蔽板３２によって覆
われるとともに、冷却板３３によって冷却されており、
嵌合部分であるタブ１２のみが昇温される。タブ１２の
温度条件は１５０℃以上１７０℃以下となるようにして
いる。この温度域では、表面と平行に均一に成長するＣ
ｕ₆Ｓｎ₅層が銅錫界面に形成され、錫めっき層を薄く残
留させるような時間条件とすれば、安定した接触抵抗を
維持したまま端子の挿入力を低下することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車、産業機器
などの電気配線に用いられる嵌合型接続端子の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、一般に、自動車、産業機器な
どの電気配線において電線同士の接続に用いられる嵌合
型接続端子には、錫めっきが施されてきた。これは、端
子の接続時に、錫めっきの表面酸化皮膜を摩擦によって
破壊し、新鮮な錫を凝着させることにより、低い接触抵
抗を安定して得ることを目的としたものである。

【０００３】また、自動車のＡＢＳ（アンチロックブレ
ーキシステム）やエアバックなど、特に重要な信号回路
に用いられる電気配線には、接続端子に金めっきを施し
て使用していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記錫めっきの凝着
は、錫の硬度が低い（ビッカース硬度４０〜８０）こと
に起因するものである。しかし、錫の硬度が低いこと
は、接続時の挿入力を上昇させるという問題の原因とも
なっている。すなわち、端子の嵌合接続時には錫めっき
の凝着磨耗が発生し、錫の変形抵抗に逆らって嵌合させ
るため、挿入力が上昇することとなる。

【０００５】ところで、自動車などの電気配線では複数
の電線の束（以下、「ワイヤーハーネス」と称する）を
１つのコネクタで接続するのが一般的であり、コネクタ
の接続に必要な力は、端子１個当たりの挿入力に電線の
本数（従来は、一般に１０極〜２０極）を乗じた値とし
て概算することができる。従って、端子１個当たりの挿
入力が高いと、コネクタの接続に必要な力はワイヤーハ
ーネスの電線数に応じた大きな値となる。

【０００６】特に、近年のカーエレクトロニクスの著し
い進歩・発展は、自動車に搭載する電子機器やＣＰＵの
数を飛躍的に増加させ、それに伴ってワイヤーハーネス
の電線本数を増加し、コネクタの多極化（３０極〜４０
極）を図りたいとの要望も強まっている。

【０００７】しかしながら、上述の如く、コネクタを多
極化すると当該コネクタの接続に必要な力も電線本数に
比例して上昇し、ボルトやてこなどの補助機構なしで
は、コネクタの接続ができなくなる。このため、端子を
小型化しても、補助機構がコネクタの小型化・軽量化を
阻害することとなる。

【０００８】端子の挿入力を低減するには、接点圧力
（嵌合部で接点に与える押しつけ力）を低下させること
が考えられるが、この場合は、安定した低い接触抵抗が
得られなくなる。換言すれば、安定した接触抵抗を維持
したまま端子の挿入力を低下させることが困難であるた
め、コネクタを多極化する際に補助機構が不可欠とな
り、コネクタの小型化・軽量化を阻害する要因となって
いる。

【０００９】なお、接続端子に金めっきを使用すれば、
低い接点圧力でも低い接触抵抗が安定して得られるた
め、端子の挿入力を低くすることができ、コネクタを多
極化してもその接続に要する力が著しく上昇することは
ないが、金めっきは錫めっきに比較して数倍〜数十倍の
コストを要するため、特に多極化したコネクタには適し
ない。

【００１０】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、安定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力
を低下できる嵌合型接続端子の製造方法を提供すること
を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、雄部品および雌部品の嵌合によ
って電気的接触を得る嵌合型接続端子の製造方法であっ
て、(a)前記雄部品または前記雌部品のうち少なくとも
一方の銅母材の表面に錫めっき層を形成するめっき工程
と、(b)前記錫めっき層が形成された前記銅母材のうち
前記嵌合における嵌合部分のみに熱処理を行って、前記
嵌合部分における前記錫めっき層のうち前記銅母材との
界面近傍のみをＣｕ₆Ｓｎ₅に合金化する熱処理工程と、
を備えている。

【００１２】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る嵌合型接続端子の製造方法において、前記熱処理
を赤外線ランプによる赤外線照射としている。

【００１３】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２の発明に係る嵌合型接続端子の製造方法におい
て、(c)前記錫めっき層が形成された前記銅母材のうち
電線と圧着を行う圧着部分のみを冷却する冷却工程、を
さらに備え、前記冷却工程と前記熱処理工程とを並行し
て行わせている。

【００１４】また、請求項４の発明は、請求項１ないし
請求項３のいずれかの発明に係る嵌合型接続端子の製造
方法において、前記熱処理を１５０℃以上１７０℃以下
で行わせている。

【００１５】また、請求項５の発明は、請求項１ないし
請求項４のいずれかに記載の嵌合型接続端子の製造方法
において、前記熱処理工程に、前記雄部品または前記雌
部品のうちの一方の前記嵌合部分のみに０．１μｍ〜
０．３μｍの厚さの錫めっき層を残留させ、他方の前記
嵌合部分のみに０．１μｍ以上の厚さの錫めっき層を残
留させる工程を含ませている。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１７】＜Ａ．嵌合型接続端子の形態＞図１は本発
明に係る製造方法によって製造された嵌合型接続端子の
側面図であり、また、図２は当該嵌合型接続端子の接続
部分の一部切欠平面図である。

【００１８】図示のように、本発明に係る嵌合型接続端
子は雄端子１０と雌端子２０とで構成されている。雄端
子１０は、電線との圧着を行う圧着部分である圧着部１
１と、雌端子２０との嵌合部分であるタブ１２とを形成
している。また、タブ１２の上面および下面は平滑な摺
動面としている。

【００１９】雌端子２０は、電線との圧着を行う圧着部
分である圧着部２４と、雄端子１０との嵌合部分である
嵌合部２５とを形成している。嵌合部２５は、中空の箱
形状であり、舌片２１、エンボス２２およびビード２３
とをその内部に備えている。なお、図２は、嵌合部２５
の内部を示した一部切欠平面図である。

【００２０】エンボス２２は、舌片２１の上部に設けら
れた凸状の部材であり、雄端子１０との嵌合時には、タ
ブ１２の摺動面と点接触する。舌片２１は、接点圧力す
なわちエンボス２２をタブ１２に押しつける圧力を作用
させるバネとしての機能を有している。また、ビード２
３も凸状の部材であり、タブ１２とエンボス２２が接触
する面と反対側の摺動面で接触し、当該エンボス２２が
タブ１２に及ぼす接点圧力を受ける。

【００２１】雄端子１０を雌端子２０に嵌合させる際に
は、タブ１２をエンボス２２とビード２３との間隙に挿
入する。そして、このときにタブ１２の上下面のうちの
一方はエンボス２２と、他方はビード２３と摺動する。
エンボス２２はタブ１２と点接触しているため、エンボ
ス２２の摺動部分は点であり、また、タブ１２の摺動部
分は線である。また、ビード２３についてはタブ１２と
の接触部分がそのまま摺動部分となり、タブ１２側の摺
動部分は上記同様線となる。

【００２２】なお、圧着部１１、２４のうち厳密な意味
で電線との接続に供されるのはワイヤバレル１１ａ、２
４ａであるが、以降の説明の都合上、本明細書では圧着
部１１、２４を圧着部分とする。

【００２３】＜Ｂ．嵌合型接続端子の製造方法＞次に、
嵌合型接続端子の製造方法について説明する。本実施形
態における嵌合型接続端子は、まず板状の条材に錫めっ
き処理を行った後、その条材を上記形態に加工し、さら
に加工後の端子に熱処理を施して製造する。そして、製
造された嵌合型接続端子は電線と圧着によって接続され
る。

【００２４】＜Ｂ−１．錫めっき工程＞本実施形態で
は、嵌合型接続端子の母材として銅または銅合金を使用
する。これは、本発明に係る嵌合型接続端子において
は、後述する錫との合金化工程が重要であり、銅または
銅合金は錫と金属間化合物を形成しやすいためである。

【００２５】まず、錫めっき層の密着性を高めるために
銅または銅合金の板状条材表面の洗浄や酸化皮膜の除去
などの前処理を行う。そして、次に、条材の表面に錫め
っき処理を施し、錫めっき層を形成する。なお、錫めっ
き層は条材の両面の表面全面に形成する。このときの錫
めっき層の厚さは０．５μｍ以上２．０μｍ以下であれ
ばよく、０．８μｍ以上１．２μｍ以下とするのが望ま
しい。本実施形態では錫めっき層の厚さを１．０μｍと
している。

【００２６】錫めっき処理後、条材を加工して図１およ
び図２に示すような形態の雄端子１０および雌端子２０
に成形する。熱処理前に成形加工を行うのは、後述する
ように熱処理後は錫めっき層の一部が金属間化合物に合
金化されて硬化し、成形性が劣化するからである。

【００２７】＜Ｂ−２．熱処理工程＞次に、上記錫めっ
き処理が施された条材の熱処理を行う。図３は、本発明
に係る嵌合型接続端子に熱処理を施すための熱処理炉を
示す概略構成図である。炉体３０の内部には、赤外線ラ
ンプ３１と、遮蔽板３２と、支持部材３４と、冷却板３
３とが設けられている。なお、同図では、雄端子１０に
熱処理を行うときの状態を示している。

【００２８】赤外線ランプ３１は、炉体３０内の天井部
分に設けられており、下方に赤外線を照射して、被照射
体に光化学反応を起こさせることなく、当該被照射体を
加熱することができる。

【００２９】本実施形態では、雄端子１０が被照射体と
なるが、後述する理由により、雄端子１０の全体を加熱
しないようにしている。すなわち、図示のように、雄端
子１０は支持部材３４および冷却板３３によって水平姿
勢に支持されているが、雄端子１０のうち圧着部１１は
冷却板３３に接触して支持されるとともに、遮蔽板３２
によってその上方が覆われ、赤外線が照射されないよう
にされている。冷却板３３は、水冷銅で構成されてお
り、当該冷却板３３に接触する圧着部１１を冷却するこ
とができる。なお、冷却板３３はペルチェ素子などの冷
却機能を備えた他の部材であってもよい。また、遮蔽板
３２は、赤外線を透過しない板であればよい。

【００３０】一方、雄端子１０のうちタブ１２は、冷却
機能を有しない支持部材３４によって支持されている。
また、タブ１２の上方には、赤外線を遮蔽する部材が存
在しないため、赤外線ランプ３１からの赤外線照射を受
けることができる。

【００３１】したがって、炉体３０内において、雄端子
１０のタブ１２には赤外線照射による加熱処理を行える
一方、圧着部１１には遮蔽板３２により赤外線が照射さ
れないようにするとともに冷却板３３によって冷却し、
タブ１２からの伝熱によって昇温するのを防止すること
ができる。また、タブ１２の熱処理温度は１５０℃以上
１７０℃以下となるようにしている。

【００３２】図１に示す雌端子２０に熱処理を施すとき
も上記雄端子１０と同様に、雌端子２０の嵌合部２５に
は赤外線ランプ３１からの赤外線照射による加熱処理を
行い、圧着部２４には遮蔽板３２によって赤外線が照射
されないようにするとともに冷却板３３によって冷却
し、嵌合部２５からの伝熱によって昇温するのを防止し
ている。また、嵌合部２５の熱処理温度も１５０℃以上
１７０℃以下となるようにしている。

【００３３】＜Ｂ−２−１．嵌合部分における合金化＞
以上のように、雄端子１０および雌端子２０の嵌合部分
（タブ１２および嵌合部２５）は加熱されて温度が上昇
し、当該嵌合部分に形成された錫めっき層と母材との間
で合金化が促進される。このときの錫めっき層の変化に
ついて図４を用いて説明する。

【００３４】熱処理前においては、図４（ａ）に示す如
く、銅または銅合金の母材１の表面に錫めっき層２が形
成された状態となっている。そして、この状態で１５０
℃以上１７０℃以下の温度条件において熱処理を施す。
錫中における銅の拡散係数は常温においても比較的大き
いが、１５０℃以上１７０℃以下の温度条件ではさらに
大きくなり、銅は錫中を容易に拡散して錫めっき層２が
母材１との界面近傍から順にＣｕ₆Ｓｎ₅層３に変換さ
れ、合金化が促進される（図４（ｂ）の状態）。ここ
で、熱処理の温度条件を１５０℃以上１７０℃以下にし
ているのは、１５０℃未満では錫中における銅の拡散速
度が著しく遅く合金化に長時間を要し、また１７０℃よ
り大きいと錫めっき層２がＣｕ₃Ｓｎに変換されるから
である。

【００３５】金属間化合物Ｃｕ₃Ｓｎは１７０℃よりも
大きい温度領域では、金属間化合物Ｃｕ₆Ｓｎ₅よりも安
定して成長するのであるが、この金属間化合物Ｃｕ₃Ｓ
ｎ層４は柱状に成長し、やがてその先端が錫めっき層２
の表面に現出する（図４（ｃ）の状態）。このような状
態になると、嵌合部分の錫めっき層２の表面の凹凸が激
しくなるため、端子の接触抵抗が上昇する。また、当該
嵌合部分の錫めっき層２の表面では異種金属が接触した
状態となるため腐食が進行しやすくなり、耐食性が低下
する。

【００３６】これに対して、Ｃｕ₆Ｓｎ₅層３は錫めっき
層２の表面と平行に均一に成長するため、嵌合部分の錫
めっき層２の表面が凹凸になることもなく、また、錫め
っき層２の表面は純錫のみであるため耐食性が低下する
こともない。

【００３７】熱処理中、金属間化合物Ｃｕ₆Ｓｎ₅層３は
時間とともに成長し、それに従って残留錫めっき層２の
厚さが薄くなる。嵌合部分の錫めっき層２が完全に金属
間化合物Ｃｕ₆Ｓｎ₅層３に変化すると、当該金属間化合
物Ｃｕ₆Ｓｎ₅層３は硬度が高いため、端子の接触抵抗が
高くなることもある。そこで、本実施形態では、熱処理
温度と時間とを調節して嵌合部分の錫めっき層２を残留
させるとともに、端子挿入力の低下を目的としてその残
留厚さを制御している。以下この技術について説明す
る。

【００３８】＜Ｂ−２−２．嵌合部分における残留錫め
っき層の厚さ制御＞嵌合部分における残留錫めっき層２
の厚さ制御は、主として端子の挿入力低下の観点から行
われる。すなわち、安定して低い接触抵抗を得るために
は錫めっき層２を残留させる必要があるが、当該錫めっ
き層２が厚いと既述したように錫の凝着に起因して挿入
力が上昇する。

【００３９】そこで本実施形態においては、嵌合部分の
錫めっき層２を厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの範囲内で
残留させることによって端子の接触部分の見かけの硬度
を高くし、挿入力を低減させている。このことを以下に
示す実験結果を使用して説明する。

【００４０】実験は、雄端子１０および雌端子２０の嵌
合部分における残留錫めっき層２の厚さをそれぞれ０．
１μｍ〜１．０μｍまで変化させ、当該雄端子１０を雌
端子２０に嵌合させるときの挿入力を測定して行った。
次の表１はその実験結果である。

【００４１】

【表１】

【００４２】従来における端子への錫めっき厚さを１．
０μｍとすると、端子挿入力は０．７４ｋｇｆである。
以下、この従来の挿入力を基準値として説明を続ける。

【００４３】実験結果が示すように、雄端子１０または
雌端子２０のうちの一方の嵌合部分の錫めっき層２の厚
さを０．１μｍ〜０．３μｍとし、他方の錫めっき層２
の厚さを０．１μｍ以上とすると、基準値と比較して挿
入力を少なくとも１０％以上低減（０．６７ｋｇｆ以
下）できる。これは、錫めっき層２が薄くなるにしたが
って、金属間化合物Ｃｕ₆Ｓｎ₅層３の硬度が嵌合部分の
硬度に影響するようになり、当該嵌合部分の見かけの硬
度が高くなる。そして、嵌合部分の見かけの硬度が高く
なることによって、錫めっきの凝着が抑制され、挿入力
が低くなったものである。

【００４４】また、発明者等は、錫めっき層２の厚さが
０．１μｍ以上あれば、耐食性および接触抵抗について
端子に要求される条件を満たすことを実験によって確認
している。

【００４５】従って、必要な挿入力低減効果を得るため
には、雄端子１０および雌端子２０の嵌合部分の錫めっ
き層２を所定の厚さだけ残留させるように熱処理の温度
および時間を制御すればよい。以下、一例として、雌端
子２０の嵌合部２５の錫めっき層２の厚さを１．０μｍ
としたとき（雌端子２０についてはめっき処理のままで
熱処理を行わない）に、雄端子１０の熱処理条件を変化
させてタブ１２に所定の厚さの錫めっき層２を残留さ
せ、必要な挿入力低減効果を得る手法について説明す
る。

【００４６】図５は、雌端子２０の嵌合部２５の錫めっ
き層２の厚さを１．０μｍとしたときの、雄端子１０の
タブ１２の残留錫めっき層２の厚さと端子挿入力との相
関を示す図である。なお、この図は表１の結果の一部を
示したものである。

【００４７】図５より、端子挿入力を１０％低減するた
めには雄端子１０の錫めっき層２の厚さを０．４０μ
ｍ、また、２０％低減するためには０．２３μｍ、３０
％低減するためには０．１６μｍそれぞれ残留させれば
よいことが分かる。

【００４８】次に、図６は、熱処理時間と残留錫めっき
層２の厚さとの相関を示す図である。なお、この図は初
期の錫めっき層２の厚さを１．０μｍとして予め行った
実験から求められた結果である。

【００４９】図６によれば、雄端子１０のタブ１２の残
留錫めっき層２の厚さを０．４０μｍに（端子挿入力を
１０％低減）するためには、温度１５０℃で２．７時
間、温度１６０℃では１．６時間、温度１７０℃では
０．８時間それぞれ熱処理を行えばよい。また、雄端子
１０の残留錫めっき層２の厚さを０．２３μｍに（端子
挿入力を２０％低減）するためには、温度１６０℃で
３．８時間、温度１７０℃で２時間熱処理を行えばよ
い。さらに、雄端子１０の残留錫めっき層２の厚さを
０．１６μｍに（端子挿入力を３０％低減）するために
は、温度１７０℃で３．５時間熱処理を行えばよい。

【００５０】なお、上記熱処理パターンは一例であり、
雄端子１０または雌端子２０のうちの一方または両方に
ついて同様の熱処理を行い、所定の錫めっき層２の厚さ
を残留させるようにして、必要な挿入力低減効果を得れ
ばよい。

【００５１】＜Ｂ−３．圧着工程＞以上のようにして赤
外線照射による熱処理が終了すると、雄端子１０および
雌端子２０の嵌合部分については適度に錫めっき層を残
留させることにより安定した接触抵抗を維持したまま端
子の挿入力を低下させることができる。一方、雄端子１
０および雌端子２０の圧着部分（圧着部１１、２４）に
ついては、熱処理時に昇温させないようにしているた
め、錫めっき層と母材との間で合金化が促進されること
もない。

【００５２】このようにしているのは、圧着部分については嵌合させることがないため、挿入
力を低減させたいという要望もなく、錫めっき層と母材
との間で合金化を促進させる必要性に乏しいという消極
的理由、圧着部分は電線との圧着を行う部分であり、圧着に際
しては錫めっき層を厚くする必要があるという積極的理
由、に基づくものである。

【００５３】これらのうち理由については上記記載の
通りであり、以下理由について説明する。図７は、電
線Ｌとワイヤバレル１１ａ（図１）との圧着の様子を説
明する図である。

【００５４】図示のように、ワイヤバレル１１ａの内側
には電線Ｌが置かれ、当該ワイヤバレル１１ａは下金型
４５にはめ込まれている。そして、上金型４０が降下す
ることによってワイヤバレル１１ａが内側に曲げられ
て、電線Ｌとの圧着が行われる。

【００５５】圧着に際し、ワイヤバレル１１ａは変形を
受けつつその外面が上金型４０に対して摺動することに
なるが、ワイヤバレル１１ａの錫めっき層が厚いと軟ら
かい錫がワイヤバレル１１ａの外面と上金型４０との間
に薄く延び潤滑剤としての役割を果たすこととなる。し
たがって、硬い金属間化合物によって上金型４０が磨耗
されることはなくなり、その寿命を縮める懸念はない。

【００５６】また、ワイヤバレル１１ａの曲げ加工にと
もなって、ワイヤバレル１１ａの外面の錫めっき層に割
れが生じることもあるが、軟らかい錫めっき層が厚けれ
ばき裂が伝播して、母材表面に達することはない。その
結果、母材の露出にともなう耐食性の低下や母材自身に
割れが伝播するおそれもない。

【００５７】さらに、ワイヤバレル１１ａの内面の錫め
っき層が厚ければ、電線Ｌと錫めっき層とが密に凝着す
るため、圧着部分における接触抵抗は十分に低いものと
なる。

【００５８】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではなく、
例えば、初期の錫めっき層２の厚さを０．５μｍ以上
２．０μｍ以下としてもよい。勿論、初期の錫めっき層
２の厚さが１．０μｍ以外の場合は、図５の相関関係が
異なるため、それに応じた熱処理時間とする必要があ
る。

【００５９】また、雄端子１０および雌端子２０の形態
も図１および図２に記載した形態に限定されるものでは
なく、雄端子および雌端子の嵌合によって電気的接触を
得る嵌合型接続端子であればよい。

【００６０】また、上記実施形態では銅または銅合金の
母材上に直接錫めっき層を形成していたが、母材の影響
を防止するとともに残留錫めっき層の厚さの制御性を向
上させるため、母材上にニッケルまたは銀の下地めっき
を行った後、その上に錫めっき層を形成するようにして
もよい。これらの場合は、錫銅金属間化合物の代わりに
錫ニッケル金属間化合物または錫銀金属間化合物が生成
して錫銅金属間化合物と同様の役割を果たすこととな
る。

【００６１】また、熱処理方法は、赤外線ランプ３１に
よる赤外線照射に限られるものではなく、被熱処理物の
一部のみを安定して昇温できるような熱処理方法であれ
ばよい。

【００６２】さらに、上記実施形態では、錫めっき後の
条材を端子形状に加工した後に熱処理を行っていたが、
熱処理後に雄端子１０および雌端子２０の形状に加工す
るようにしてもよい。もっとも、熱処理後は母材と錫め
っき層との界面に金属間化合物Ｃｕ₆Ｓｎ₅が生成されて
硬化するため、熱処理前に端子形状に加工する方が好ま
しい。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、雄部品または雌部品のうち少なくとも一方の銅
母材の表面に錫めっき層を形成するめっき工程と、錫め
っき層が形成された銅母材のうち嵌合における嵌合部分
のみに熱処理を行って、嵌合部分における錫めっき層の
うち銅母材との界面近傍のみをＣｕ₆Ｓｎ₅に合金化する
熱処理工程と、を備えているため、当該嵌合部分におい
ては厚さの薄い錫めっき層を残留させることができ、安
定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下する
ことができる。

【００６４】また、請求項２の発明によれば、熱処理を
赤外線ランプによる赤外線照射としているため、雄部品
または雌部品のうちの嵌合部分のみを熱処理するのに適
している。

【００６５】また、請求項３の発明によれば、錫めっき
層が形成された銅母材のうち電線と圧着を行う圧着部分
のみを冷却する冷却工程を備えているため、当該圧着部
分には硬い金属間化合物が生成せず軟らかい錫めっき層
が厚く残留することとなり、その結果、圧着用の金型を
磨耗させることがなくなるとともに圧着部分に割れが生
じることもない。

【００６６】また、請求項４の発明によれば、熱処理を
１５０℃以上１７０℃以下で行っているため、Ｃｕ₆Ｓ
ｎ₅を安定して成長させることができる。

【００６７】また、請求項５の発明によれば、雄部品ま
たは雌部品のうちの一方の嵌合部分に０．１μｍ〜０．
３μｍの厚さの錫めっき層を残留させ、他方の嵌合部分
に０．１μｍ以上の厚さの錫めっき層を残留させている
ため、従来と比較して挿入力を少なくとも１０％以上低
減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る製造方法によって製造された嵌合
型接続端子の側面図である。

【図２】図１の嵌合型接続端子の接続部分の一部切欠平
面図である。

【図３】本発明に係る嵌合型接続端子に熱処理を施すた
めの熱処理炉を示す概略構成図である。

【図４】熱処理時の嵌合部分の錫めっき層の変化を説明
するための図である。

【図５】雄端子の嵌合部分の残留錫めっき層厚さと端子
挿入力との相関を示す図である。

【図６】熱処理時間と残留錫めっき層の厚さとの相関を
示す図である。

【図７】電線とワイヤバレルとの圧着の様子を説明する
図である。

【符号の説明】

１０雄端子１１、２４圧着部１１ａ、２４ａワイヤバレル１２タブ２０雌端子２１舌片２２エンボス２３ビード２５嵌合部３１赤外線ランプ３２遮蔽板３３冷却板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者藤井淳彦愛知県名古屋市南区菊住１丁目７番10号株式会社ハーネス総合技術研究所内 (72)発明者坂喜文愛知県名古屋市南区菊住１丁目７番10号株式会社ハーネス総合技術研究所内 (72)発明者中村篤三重県四日市市西末広町１番14号住友電装株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】雄部品および雌部品の嵌合によって電気
的接触を得る嵌合型接続端子の製造方法であって、 (a) 前記雄部品または前記雌部品のうち少なくとも一方
の銅母材の表面に錫めっき層を形成するめっき工程と、 (b) 前記錫めっき層が形成された前記銅母材のうち前記
嵌合における嵌合部分のみに熱処理を行って、前記嵌合
部分における前記錫めっき層のうち前記銅母材との界面
近傍のみをＣｕ₆Ｓｎ₅に合金化する熱処理工程と、を備
えることを特徴とする嵌合型接続端子の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の嵌合型接続端子の製造方
法において、前記熱処理は、赤外線ランプによる赤外線照射であるこ
とを特徴とする嵌合型接続端子の製造方法。
【請求項３】請求項１または請求項２記載の嵌合型接
続端子の製造方法において、 (c) 前記錫めっき層が形成された前記銅母材のうち電線
と圧着を行う圧着部分のみを冷却する冷却工程、をさら
に備え、前記冷却工程と前記熱処理工程とは並行して行
われることを特徴とする嵌合型接続端子の製造方法。
【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の嵌合型接続端子の製造方法において、前記熱処理は１５０℃以上１７０℃以下で行うことを特
徴とする嵌合型接続端子の製造方法。
【請求項５】請求項１ないし請求項４のいずれかに記
載の嵌合型接続端子の製造方法において、前記熱処理工程は、前記雄部品または前記雌部品のうち
の一方の前記嵌合部分のみに０．１μｍ〜０．３μｍの
厚さの錫めっき層を残留させ、他方の前記嵌合部分のみ
に０．１μｍ以上の厚さの錫めっき層を残留させる工程
を含むことを特徴とする嵌合型接続端子の製造方法。