JP2003082499A - 錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子 - Google Patents
錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 挿入力が低く、耐食性に優れ、経時後の接触
抵抗が低く、加工性のよい嵌合型端子を提供する。 【解決手段】 銅又は銅合金からなる母材の表面に、錫
−銅金属間化合物が分散した錫めっき層を有する端子。
錫−銅金属間化合物が分散した錫めっき層の下地とし
て、ニッケル合金めっき層（図２（ｂ））、錫めっき層
（図２（ｃ））、錫めっき層及びニッケル合金めっき層
（図２（ｄ））等を形成してもよい。錫−銅金属間化合
物が分散した錫めっき層及び下地の錫又は錫合金めっき
層は合計で０．５μｍ以上の厚さを有するのが望まし
い。
抵抗が低く、加工性のよい嵌合型端子を提供する。 【解決手段】 銅又は銅合金からなる母材の表面に、錫
−銅金属間化合物が分散した錫めっき層を有する端子。
錫−銅金属間化合物が分散した錫めっき層の下地とし
て、ニッケル合金めっき層（図２（ｂ））、錫めっき層
（図２（ｃ））、錫めっき層及びニッケル合金めっき層
（図２（ｄ））等を形成してもよい。錫−銅金属間化合
物が分散した錫めっき層及び下地の錫又は錫合金めっき
層は合計で０．５μｍ以上の厚さを有するのが望まし
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車及び電子部
品等に用いられる銅又は銅合金製嵌合型端子において、
特に接合時の挿入力が低く、接触抵抗が安定しており、
耐食性や曲げ加工性に優れる銅又は銅合金製嵌合型端子
に関する。
品等に用いられる銅又は銅合金製嵌合型端子において、
特に接合時の挿入力が低く、接触抵抗が安定しており、
耐食性や曲げ加工性に優れる銅又は銅合金製嵌合型端子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】自動車の電装化の進展と居住性の向上に
伴い、電子制御装置に要求される機能が増加し、端子の
小型化とともにピン数の増加が進んでいる。現在、電子
制御端子は増加して２０ピンを超え、５０ピンに到る数
となっており、挿入力の増加が作業性を悪くさせる原因
となっている。このような嵌合型端子には、従来、銅合
金に直接、又は下地に銅めっきを施した後に錫めっきを
施したものが用いられているが、錫は柔らかく、そのた
め挿入力が高くなっている。
伴い、電子制御装置に要求される機能が増加し、端子の
小型化とともにピン数の増加が進んでいる。現在、電子
制御端子は増加して２０ピンを超え、５０ピンに到る数
となっており、挿入力の増加が作業性を悪くさせる原因
となっている。このような嵌合型端子には、従来、銅合
金に直接、又は下地に銅めっきを施した後に錫めっきを
施したものが用いられているが、錫は柔らかく、そのた
め挿入力が高くなっている。
【０００３】特開昭５６−１５５６９号公報には、りん
青銅に錫めっきを施した後、加熱溶融処理を行った端子
が記載されている。しかし、加熱溶融させた錫層は電気
めっき直後の錫層より柔らかく、挿入力は電気錫めっき
より高くなる傾向があった。一方、錫めっき層の厚さを
薄くして挿入力を低くすることが考えられるが、錫めっ
きを薄くすると耐食性が低下する。この耐食性の低下を
防止するため、錫めっきの下地としてニッケルめっきを
施したものが提案されている。そのほか、錫めっきの下
地としてニッケルめっきを施すものとして、特公平１−
４８３５５号公報や特開平８−７９６０号公報が提案さ
れているが、いずれも、錫めっき層の厚さが薄いとニッ
ケルめっき成分が錫めっき層の表層に拡散し、接触抵抗
が増加する問題がある。
青銅に錫めっきを施した後、加熱溶融処理を行った端子
が記載されている。しかし、加熱溶融させた錫層は電気
めっき直後の錫層より柔らかく、挿入力は電気錫めっき
より高くなる傾向があった。一方、錫めっき層の厚さを
薄くして挿入力を低くすることが考えられるが、錫めっ
きを薄くすると耐食性が低下する。この耐食性の低下を
防止するため、錫めっきの下地としてニッケルめっきを
施したものが提案されている。そのほか、錫めっきの下
地としてニッケルめっきを施すものとして、特公平１−
４８３５５号公報や特開平８−７９６０号公報が提案さ
れているが、いずれも、錫めっき層の厚さが薄いとニッ
ケルめっき成分が錫めっき層の表層に拡散し、接触抵抗
が増加する問題がある。
【０００４】また、錫合金めっきとして鉛やビスマス、
カドミウム、アンチモン、インジウム、アルミニウム、
銀、亜鉛などを含むものをめっきすることも提案されて
いるが、錫合金めっきのみでは挿入力が高く、高温で使
用される場合（エンジンルーム等）に接触抵抗が高くな
るという問題がある。そのほか、厚い錫めっき層を形成
した後、加熱処理により該錫めっき層をすべて錫−銅金
属間化合物にして、耐食性と低挿入力を確保する方法も
提案されているが、全部を合金化させるには加熱時間が
長くなり、生産性が悪いとともに、加工性が悪く、Ｃｕ
６Ｓｎ５（η相）だけでなくＣｕ３Ｓｎが成長するた
め、めっき剥離が発生しやすいという問題がある。さら
に最近、錫と鉛のはんだ合金めっき代替として錫と銅の
合金めっき浴が開発されているが、錫と銅の合金めっき
を施した材料でも、めっき厚さが厚いと挿入力が高くな
るという問題がある。
カドミウム、アンチモン、インジウム、アルミニウム、
銀、亜鉛などを含むものをめっきすることも提案されて
いるが、錫合金めっきのみでは挿入力が高く、高温で使
用される場合（エンジンルーム等）に接触抵抗が高くな
るという問題がある。そのほか、厚い錫めっき層を形成
した後、加熱処理により該錫めっき層をすべて錫−銅金
属間化合物にして、耐食性と低挿入力を確保する方法も
提案されているが、全部を合金化させるには加熱時間が
長くなり、生産性が悪いとともに、加工性が悪く、Ｃｕ
６Ｓｎ５（η相）だけでなくＣｕ３Ｓｎが成長するた
め、めっき剥離が発生しやすいという問題がある。さら
に最近、錫と鉛のはんだ合金めっき代替として錫と銅の
合金めっき浴が開発されているが、錫と銅の合金めっき
を施した材料でも、めっき厚さが厚いと挿入力が高くな
るという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】自動車の電装化が進展
し、電子制御端子が増加すると、多数の嵌合型端子を同
時に接続する必要があり、挿入力の増加による作業性の
低下が問題となっている。さらに、耐食性や安定した接
触抵抗、加工性などの特性も当然要求されている。従っ
て、本発明は、挿入力が低く、耐食性に優れ、経時後の
接触抵抗が低く、加工性のよい端子材を提供することを
目的とする。
し、電子制御端子が増加すると、多数の嵌合型端子を同
時に接続する必要があり、挿入力の増加による作業性の
低下が問題となっている。さらに、耐食性や安定した接
触抵抗、加工性などの特性も当然要求されている。従っ
て、本発明は、挿入力が低く、耐食性に優れ、経時後の
接触抵抗が低く、加工性のよい端子材を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】先にも述べたように、挿
入力を下げるためには錫めっき厚を薄くすることが有効
であるが、錫めっき層の厚さを薄くすると、耐食性が低
下する。しかし、本発明者らは、錫めっき層の全部又は
一部を錫−銅金属間化合物（η相）が分散した錫めっき
層とすることにより、錫めっき層全体の厚さを厚くして
も、錫めっき層を薄くしたと同じく挿入力を低下させる
ことができることを見い出した。また、同時に、錫−銅
金属間化合物が分散した上記錫めっき層は生産性が高
く、加工性に優れ、かつめっき剥離もおきにくいことを
見い出した。
入力を下げるためには錫めっき厚を薄くすることが有効
であるが、錫めっき層の厚さを薄くすると、耐食性が低
下する。しかし、本発明者らは、錫めっき層の全部又は
一部を錫−銅金属間化合物（η相）が分散した錫めっき
層とすることにより、錫めっき層全体の厚さを厚くして
も、錫めっき層を薄くしたと同じく挿入力を低下させる
ことができることを見い出した。また、同時に、錫−銅
金属間化合物が分散した上記錫めっき層は生産性が高
く、加工性に優れ、かつめっき剥離もおきにくいことを
見い出した。
【０００７】本発明は上記知見に基づいてなされたもの
で、本発明に係る錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子
は、銅又は銅合金からなる母材の表面に錫−銅金属間化
合物が分散した錫めっき層が形成されていることを特徴
とする。この場合、錫−銅金属間化合物が分散した前記
錫めっき層の下地に、ニッケル又はニッケル合金めっき
層、錫又は錫合金めっき層あるいは銅又は銅合金層のい
ずれかが形成され、若しくは、錫−銅金属間化合物が分
散した前記錫めっき層の下地に、錫又は錫合金めっき層
と、その下にニッケル又はニッケル合金めっき層が形成
されていてもよい。また、下地めっき層の構成は上記の
例に限定されるものではなく、前記下地錫又は錫合金の
さらに下地として例えば銅又は銅合金層が形成されてい
てもよく、さらに、前記錫−銅金属間化合物が分散した
錫めっき層の下地としてあるいは前記下地錫又は錫合金
めっき層のさらに下地として、例えばニッケル又はニッ
ケル合金めっき層と銅又は銅合金層が多層に形成されて
いてもよい。上記錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子
において、錫−銅金属間化合物が分散した錫めっき層と
下地錫めっき層（下地錫めっき層が形成されている場
合）が合計で０．５μｍ以上の厚さ施されていることが
望ましい。
で、本発明に係る錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子
は、銅又は銅合金からなる母材の表面に錫−銅金属間化
合物が分散した錫めっき層が形成されていることを特徴
とする。この場合、錫−銅金属間化合物が分散した前記
錫めっき層の下地に、ニッケル又はニッケル合金めっき
層、錫又は錫合金めっき層あるいは銅又は銅合金層のい
ずれかが形成され、若しくは、錫−銅金属間化合物が分
散した前記錫めっき層の下地に、錫又は錫合金めっき層
と、その下にニッケル又はニッケル合金めっき層が形成
されていてもよい。また、下地めっき層の構成は上記の
例に限定されるものではなく、前記下地錫又は錫合金の
さらに下地として例えば銅又は銅合金層が形成されてい
てもよく、さらに、前記錫−銅金属間化合物が分散した
錫めっき層の下地としてあるいは前記下地錫又は錫合金
めっき層のさらに下地として、例えばニッケル又はニッ
ケル合金めっき層と銅又は銅合金層が多層に形成されて
いてもよい。上記錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子
において、錫−銅金属間化合物が分散した錫めっき層と
下地錫めっき層（下地錫めっき層が形成されている場
合）が合計で０．５μｍ以上の厚さ施されていることが
望ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】錫−銅金属間化合物が分散した錫
めっき層は、錫と銅を同時にめっき（錫−銅合金めっ
き）した後、熱処理することにより製造できる。下地め
っきを形成する場合は、下地めっきを行い、その上に錫
−銅合金めっきを行った後、熱処理を行う。錫−銅合金
めっきのめっき浴として、硫酸と硫酸第一錫、硫酸銅５
水和物をベースとする硫酸系錫−銅合金めっき浴を挙げ
ることができる。加熱するとめっき皮膜中の不純物成分
が表面に拡散・濃縮し、接触抵抗などの特性を低下させ
るため、めっき皮膜中の不純物や有機成分は０．１質量
％以下にすることが望ましい。めっき添加剤として、ポ
リオキシエチレンクミルフェニルエーテル、ポリオキシ
エチレンラウリルエーテルなどの分散剤、クレゾールス
ルホン酸、アセトアルデヒド、アセチルアセトンなどの
光沢剤、ホルマリン、カテコール、ヒドロキノンなどの
酸化防止剤を少量添加する。めっき温度は液の劣化、錫
と銅の置換・酸化を少なくするため３０℃以下、例えば
１５〜２０℃が好適である。また電流密度が変化すると
錫−銅合金の組成が変化するため、めっき液中の金属濃
度比と電流密度（例えば１〜１０Ａ／ｄｍ２）を調整
し、所望の錫−銅合金組成のめっき皮膜を得る。熱処理
としては、加熱溶融しない範囲の１００〜３００℃で、
５〜３０秒程度加熱することにより、いずれも表層に形
成された錫−銅合金めっき層の錫と銅が金属間化合物を
形成し、前記のような錫−銅金属間化合物が分散した錫
めっき層が形成される。
めっき層は、錫と銅を同時にめっき（錫−銅合金めっ
き）した後、熱処理することにより製造できる。下地め
っきを形成する場合は、下地めっきを行い、その上に錫
−銅合金めっきを行った後、熱処理を行う。錫−銅合金
めっきのめっき浴として、硫酸と硫酸第一錫、硫酸銅５
水和物をベースとする硫酸系錫−銅合金めっき浴を挙げ
ることができる。加熱するとめっき皮膜中の不純物成分
が表面に拡散・濃縮し、接触抵抗などの特性を低下させ
るため、めっき皮膜中の不純物や有機成分は０．１質量
％以下にすることが望ましい。めっき添加剤として、ポ
リオキシエチレンクミルフェニルエーテル、ポリオキシ
エチレンラウリルエーテルなどの分散剤、クレゾールス
ルホン酸、アセトアルデヒド、アセチルアセトンなどの
光沢剤、ホルマリン、カテコール、ヒドロキノンなどの
酸化防止剤を少量添加する。めっき温度は液の劣化、錫
と銅の置換・酸化を少なくするため３０℃以下、例えば
１５〜２０℃が好適である。また電流密度が変化すると
錫−銅合金の組成が変化するため、めっき液中の金属濃
度比と電流密度（例えば１〜１０Ａ／ｄｍ２）を調整
し、所望の錫−銅合金組成のめっき皮膜を得る。熱処理
としては、加熱溶融しない範囲の１００〜３００℃で、
５〜３０秒程度加熱することにより、いずれも表層に形
成された錫−銅合金めっき層の錫と銅が金属間化合物を
形成し、前記のような錫−銅金属間化合物が分散した錫
めっき層が形成される。
【０００９】なお、従来方法のように、銅又は銅合金か
らなる母材に錫めっきを行い、その後に熱処理を行い、
下地銅の拡散により錫−銅金属間化合物層を形成させる
とＣｕ６Ｓｎ５だけでなく、Ｃｕ３Ｓｎが成長するた
め、めっき剥離が発生しやすくなる。実際には、めっき
剥離を起こさせないために、錫−銅金属間化合物層を
０．５μｍ以上にすることは難しかった。そして、この
場合、耐食性及び加工性に問題があった。
らなる母材に錫めっきを行い、その後に熱処理を行い、
下地銅の拡散により錫−銅金属間化合物層を形成させる
とＣｕ６Ｓｎ５だけでなく、Ｃｕ３Ｓｎが成長するた
め、めっき剥離が発生しやすくなる。実際には、めっき
剥離を起こさせないために、錫−銅金属間化合物層を
０．５μｍ以上にすることは難しかった。そして、この
場合、耐食性及び加工性に問題があった。
【００１０】錫−銅金属間化合物が分散した錫めっき層
の下地として必要に応じて形成される錫又は錫合金めっ
きは、耐食性及びはんだ付け性を向上させる作用があ
る。また、下地として形成されるニッケル又はニッケル
合金めっき層などのバリア層は、めっき皮膜の耐熱信頼
性を高める。例えば自動車のエンジンルーム内などの高
温雰囲気中で長期間使用される場合に、母材の銅が錫め
っき層（錫−銅金属間化合物が分散した錫めっき、下地
錫又は錫合金めっき）へ拡散するのを阻み、接触抵抗が
増加したり、錫−銅金属間化合物の成長によるめっき剥
離が発生するのを防止する。なお、ニッケル合金として
は、母材元素の拡散防止効果が得られる組成であれば、
鉄、錫、亜鉛、銅、コバルト、リン、銀、ボロンなどの
１、２種類を含むものが使用でき、これは長期加熱後に
ニッケルと錫又はニッケルと銅の２元合金層が層状に成
長して合金層界面を形成するのを防ぎ、めっき剥離を防
止する効果がある。錫−銅金属間化合物が分散した錫め
っき層及び下地錫又は錫合金めっき層は、要求される耐
食性にあわせて厚みを選定でき、例えば、前者は０．１
〜１．５μｍ、後者は０．１〜１０μｍの間で選択すれ
ばよい。両者の合計厚みは、０．５μｍ以上が望まし
い。これが０．５μｍより薄いと下地金属の拡散を抑え
る効果が弱く、耐食性の低下、接触抵抗の増加など、長
期使用時の信頼性が低下するためである。なお、この合
計厚みが０．５μｍ以上になると、はんだ付け性が向上
するので、特に良好なはんだ付け性が必要とされるメス
端子等に好適である。ニッケル又はニッケル合金めっき
層などのバリア層を形成する場合、その厚みは０．１〜
３μｍ程度が望ましい。また、耐食性を得るためトータ
ルめっき厚みは０．８μｍ以上あることが望ましい。
の下地として必要に応じて形成される錫又は錫合金めっ
きは、耐食性及びはんだ付け性を向上させる作用があ
る。また、下地として形成されるニッケル又はニッケル
合金めっき層などのバリア層は、めっき皮膜の耐熱信頼
性を高める。例えば自動車のエンジンルーム内などの高
温雰囲気中で長期間使用される場合に、母材の銅が錫め
っき層（錫−銅金属間化合物が分散した錫めっき、下地
錫又は錫合金めっき）へ拡散するのを阻み、接触抵抗が
増加したり、錫−銅金属間化合物の成長によるめっき剥
離が発生するのを防止する。なお、ニッケル合金として
は、母材元素の拡散防止効果が得られる組成であれば、
鉄、錫、亜鉛、銅、コバルト、リン、銀、ボロンなどの
１、２種類を含むものが使用でき、これは長期加熱後に
ニッケルと錫又はニッケルと銅の２元合金層が層状に成
長して合金層界面を形成するのを防ぎ、めっき剥離を防
止する効果がある。錫−銅金属間化合物が分散した錫め
っき層及び下地錫又は錫合金めっき層は、要求される耐
食性にあわせて厚みを選定でき、例えば、前者は０．１
〜１．５μｍ、後者は０．１〜１０μｍの間で選択すれ
ばよい。両者の合計厚みは、０．５μｍ以上が望まし
い。これが０．５μｍより薄いと下地金属の拡散を抑え
る効果が弱く、耐食性の低下、接触抵抗の増加など、長
期使用時の信頼性が低下するためである。なお、この合
計厚みが０．５μｍ以上になると、はんだ付け性が向上
するので、特に良好なはんだ付け性が必要とされるメス
端子等に好適である。ニッケル又はニッケル合金めっき
層などのバリア層を形成する場合、その厚みは０．１〜
３μｍ程度が望ましい。また、耐食性を得るためトータ
ルめっき厚みは０．８μｍ以上あることが望ましい。
【００１１】錫−銅金属間化合物が分散した錫めっき層
の銅含有量は５０原子％以下とする。これは、銅の含有
量が５０原子％を越えると、層全体が金属間化合物自体
の特性を示し、変色しやすくなり、耐食性が低下すると
ともにはんだ濡れ性が悪くなるためである。加熱による
変色を防止するため、銅含有量は１０原子％以下が望ま
しく、銅含有量３．５原子％以下でも挿入力を低くする
効果が得られる。一方、銅含有量が１原子％より少ない
と挿入力を低くする効果がなくなる。従って、挿入力を
低くする度合及び上記の点を考慮して、この錫めっき層
に含まれる銅含有量を１〜５０％原子の間で選定すれば
よい。特に１〜１０原子％の範囲で選択することが望ま
しい。なお、本発明のめっきは、板・条を端子に成形加
工した後に施してもかまわない。その場合、熱処理によ
り錫−銅金属間化合物が形成されると同時に端子加工時
の応力が緩和される。
の銅含有量は５０原子％以下とする。これは、銅の含有
量が５０原子％を越えると、層全体が金属間化合物自体
の特性を示し、変色しやすくなり、耐食性が低下すると
ともにはんだ濡れ性が悪くなるためである。加熱による
変色を防止するため、銅含有量は１０原子％以下が望ま
しく、銅含有量３．５原子％以下でも挿入力を低くする
効果が得られる。一方、銅含有量が１原子％より少ない
と挿入力を低くする効果がなくなる。従って、挿入力を
低くする度合及び上記の点を考慮して、この錫めっき層
に含まれる銅含有量を１〜５０％原子の間で選定すれば
よい。特に１〜１０原子％の範囲で選択することが望ま
しい。なお、本発明のめっきは、板・条を端子に成形加
工した後に施してもかまわない。その場合、熱処理によ
り錫−銅金属間化合物が形成されると同時に端子加工時
の応力が緩和される。
【００１２】
【実施例】下記実施例１〜４及び比較例１〜５に示す錫
めっき銅又は銅合金板（厚さ０．３０ｍｍ）を作成し、
これを供試材として、下記に示す各種試験を行った。そ
の結果を表１に示す。 ・実施例１；Ｃｕ−０．１質量％Ｆｅ−０．０３質量％
Ｐ−２．０質量％Ｓｎ−２．２５質量％Ｚｎで強度５４
０Ｎ／ｍｍ２の銅合金板の表面に銅を３．５原子％含む
錫−銅合金めっきを１．２μｍ厚施し、その後２００℃
で１０秒間加熱した。 ・実施例２；Ｃｕ−０．１質量％Ｆｅ−０．０３質量％
Ｐ−２．０質量％Ｓｎで強度４００Ｎ／ｍｍ２の銅合金
板の表面にコバルトを１質量％含むニッケル合金めっき
を０．３μｍ厚施し、その上に銅を３．５原子％含む錫
−銅合金めっきを０．８μｍ厚施し、その後２００℃で
１０秒間加熱した。
めっき銅又は銅合金板（厚さ０．３０ｍｍ）を作成し、
これを供試材として、下記に示す各種試験を行った。そ
の結果を表１に示す。 ・実施例１；Ｃｕ−０．１質量％Ｆｅ−０．０３質量％
Ｐ−２．０質量％Ｓｎ−２．２５質量％Ｚｎで強度５４
０Ｎ／ｍｍ２の銅合金板の表面に銅を３．５原子％含む
錫−銅合金めっきを１．２μｍ厚施し、その後２００℃
で１０秒間加熱した。 ・実施例２；Ｃｕ−０．１質量％Ｆｅ−０．０３質量％
Ｐ−２．０質量％Ｓｎで強度４００Ｎ／ｍｍ２の銅合金
板の表面にコバルトを１質量％含むニッケル合金めっき
を０．３μｍ厚施し、その上に銅を３．５原子％含む錫
−銅合金めっきを０．８μｍ厚施し、その後２００℃で
１０秒間加熱した。
【００１３】・実施例３；Ｃｕ−３０．０質量％Ｚｎで
強度４１０Ｎ／ｍｍ２の銅合金板の表面に錫めっきを
０．８μｍ厚施し、その上に銅を３．５原子％含む錫−
銅合金めっきを０．３μｍ厚施し、その後２００℃で１
０秒間加熱した。 ・実施例４；Ｃｕ−１．８質量％Ｎｉ−０．４質量％Ｓ
ｉ−０．１質量％Ｓｎ−１．１質量％Ｚｎで強度６５０
Ｎ／ｍｍ２の銅合金板の表面にコバルトを１質量％含む
ニッケル合金めっきを０．５μｍ厚施し、その上に錫め
っきを０．８μｍ厚施し、その上に銅を３．５原子％含
む錫−銅合金めっきを０．３μｍ厚施し、その後２００
℃で１０秒間加熱した。
強度４１０Ｎ／ｍｍ２の銅合金板の表面に錫めっきを
０．８μｍ厚施し、その上に銅を３．５原子％含む錫−
銅合金めっきを０．３μｍ厚施し、その後２００℃で１
０秒間加熱した。 ・実施例４；Ｃｕ−１．８質量％Ｎｉ−０．４質量％Ｓ
ｉ−０．１質量％Ｓｎ−１．１質量％Ｚｎで強度６５０
Ｎ／ｍｍ２の銅合金板の表面にコバルトを１質量％含む
ニッケル合金めっきを０．５μｍ厚施し、その上に錫め
っきを０．８μｍ厚施し、その上に銅を３．５原子％含
む錫−銅合金めっきを０．３μｍ厚施し、その後２００
℃で１０秒間加熱した。
【００１４】・比較例１；Ｃｕ−０．１質量％Ｆｅ−
０．０３質量％Ｐで強度３５０Ｎ／ｍｍ ２の銅合金板の
表面に１．２μｍ厚の錫−銅合金をめっきし、加熱処理
はしなかった。 ・比較例２；Ｃｕ−０．１質量％Ｆｅ−０．０３質量％
Ｐ−２．０質量％Ｓｎで強度４００Ｎ／ｍｍ２の銅合金
板の表面に０．３μｍ厚の錫をめっきし、加熱処理はし
なかった。 ・比較例３；Ｃｕ−０．１質量％Ｆｅ−０．０３質量％
Ｐで強度３５０Ｎ／ｍｍ ２の銅合金板の表面に錫をめっ
きした後、加熱処理を行い、錫層すべてをＳｎ−Ｃｕ金
属間化合物層とした。 ・比較例４；Ｃｕ−４．０質量％Ｓｎ−０．１質量％Ｐ
で強度４５０Ｎ／ｍｍ２の銅合金板の表面に１．０μｍ
厚の錫をめっきした後、加熱処理を行い、めっき皮膜の
一部（下層域）を錫−銅金属間化合物層とした。 ・比較例５；Ｃｕ−４０．０質量％Ｚｎで強度４１０Ｎ
／ｍｍ２の銅合金板の表面にコバルトを１％含むニッケ
ル合金めっきを０．３μｍ厚施し、その上に０．２μｍ
厚の銅めっきを施し、さらにその上に０．２μｍ厚のＳ
ｎめっきを施した後、加熱処理３５０℃により錫層と銅
層すべてを金属間化合物層とした。
０．０３質量％Ｐで強度３５０Ｎ／ｍｍ ２の銅合金板の
表面に１．２μｍ厚の錫−銅合金をめっきし、加熱処理
はしなかった。 ・比較例２；Ｃｕ−０．１質量％Ｆｅ−０．０３質量％
Ｐ−２．０質量％Ｓｎで強度４００Ｎ／ｍｍ２の銅合金
板の表面に０．３μｍ厚の錫をめっきし、加熱処理はし
なかった。 ・比較例３；Ｃｕ−０．１質量％Ｆｅ−０．０３質量％
Ｐで強度３５０Ｎ／ｍｍ ２の銅合金板の表面に錫をめっ
きした後、加熱処理を行い、錫層すべてをＳｎ−Ｃｕ金
属間化合物層とした。 ・比較例４；Ｃｕ−４．０質量％Ｓｎ−０．１質量％Ｐ
で強度４５０Ｎ／ｍｍ２の銅合金板の表面に１．０μｍ
厚の錫をめっきした後、加熱処理を行い、めっき皮膜の
一部（下層域）を錫−銅金属間化合物層とした。 ・比較例５；Ｃｕ−４０．０質量％Ｚｎで強度４１０Ｎ
／ｍｍ２の銅合金板の表面にコバルトを１％含むニッケ
ル合金めっきを０．３μｍ厚施し、その上に０．２μｍ
厚の銅めっきを施し、さらにその上に０．２μｍ厚のＳ
ｎめっきを施した後、加熱処理３５０℃により錫層と銅
層すべてを金属間化合物層とした。
【００１５】＜摩擦係数の評価＞嵌合型端子の接点部の
形状を模擬し、図１に示すように、各供試材から切り出
した板状のオス試験片１を水平な台２に固定し、その上
に供試材を内径１．５ｍｍで半球加工したメス試験片３
を置いてめっき面同士を接触させ、メス試験片３に２．
９４Ｎ（３００ｇｆ）の荷重（錘４）をかけてオス試験
片を押え、横型荷重測定機（アイコーエンジニアリング
株式会社製）を用いてオス試験片１を水平方向に引っ張
り（摺動速度８０ｍｍ／ｍｉｎ）、摺動距離５ｍｍまで
の最大摩擦力Ｆを測定した。摩擦係数を下記式（１）に
より求めた。なお、５はロードセル、矢印は摺動方向で
ある。 摩擦係数＝Ｆ／２．９４・・・・（１） 摩擦係数０．５０以下を○（良好）とし、０．５０を超
えるものは×（不良）と評価した。
形状を模擬し、図１に示すように、各供試材から切り出
した板状のオス試験片１を水平な台２に固定し、その上
に供試材を内径１．５ｍｍで半球加工したメス試験片３
を置いてめっき面同士を接触させ、メス試験片３に２．
９４Ｎ（３００ｇｆ）の荷重（錘４）をかけてオス試験
片を押え、横型荷重測定機（アイコーエンジニアリング
株式会社製）を用いてオス試験片１を水平方向に引っ張
り（摺動速度８０ｍｍ／ｍｉｎ）、摺動距離５ｍｍまで
の最大摩擦力Ｆを測定した。摩擦係数を下記式（１）に
より求めた。なお、５はロードセル、矢印は摺動方向で
ある。 摩擦係数＝Ｆ／２．９４・・・・（１） 摩擦係数０．５０以下を○（良好）とし、０．５０を超
えるものは×（不良）と評価した。
【００１６】＜接触抵抗の評価＞供試材に対し大気中に
おいて１６０℃で１２０時間の加熱を行った後、接触抵
抗を四端子法により、解放電圧２０ｍＶ、電流１０ｍ
Ａ、摺動ありの条件にて測定した。接触抵抗が３ｍΩ以
下のものを○（良好）とし、３ｍΩを超えたものは×
（不良）と評価した。
おいて１６０℃で１２０時間の加熱を行った後、接触抵
抗を四端子法により、解放電圧２０ｍＶ、電流１０ｍ
Ａ、摺動ありの条件にて測定した。接触抵抗が３ｍΩ以
下のものを○（良好）とし、３ｍΩを超えたものは×
（不良）と評価した。
【００１７】＜亜硫酸ガス耐食性試験＞１６０℃で１２
０時間加熱した供試材について、亜硫酸ガス濃度２５ｐ
ｐｍ、温度３５℃、湿度７５％ＲＨの雰囲気に９６時間
保管後、外観と腐食孔断面を評価した。素材が腐食して
いなものを○（良好）とし、素材にまで腐食が達したも
のものは×（不良）と評価した。 ＜曲げ加工性の評価＞試験片を圧延方向が長手となるよ
うに切り出し、１８０°の曲げ試験を行い、外観と曲げ
断面を評価した。めっき皮膜の剥離がないものを○（良
好）とし、めっき皮膜の剥離や金属間化合物の形成によ
るボイドが発生したものは×（不良）と評価した。
０時間加熱した供試材について、亜硫酸ガス濃度２５ｐ
ｐｍ、温度３５℃、湿度７５％ＲＨの雰囲気に９６時間
保管後、外観と腐食孔断面を評価した。素材が腐食して
いなものを○（良好）とし、素材にまで腐食が達したも
のものは×（不良）と評価した。 ＜曲げ加工性の評価＞試験片を圧延方向が長手となるよ
うに切り出し、１８０°の曲げ試験を行い、外観と曲げ
断面を評価した。めっき皮膜の剥離がないものを○（良
好）とし、めっき皮膜の剥離や金属間化合物の形成によ
るボイドが発生したものは×（不良）と評価した。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１に示すように、実施例１〜４は、摩擦
係数が低く、接触抵抗の信頼性に優れ、加熱後にも良好
な耐食性を有し、かつ加工性にも優れている。なお、実
施例１〜４の断面模式図を図２（ａ）〜（ｄ）に示す。
一方、比較例１は、加熱処理されていないため錫−銅合
金めっき層のままであり、摩擦係数が大きかった。その
ため多ピン嵌合型端子に使用すると挿入力が高く、作業
性・生産性が悪くなる。比較例２は、錫めっき層が薄い
ため、摩擦係数は小さいが、耐食性が劣る。比較例３
は、加熱処理により母材の銅が拡散して錫−銅金属間化
合物層が形成されている。錫−銅金属間化合物層の厚さ
が薄いため耐食性が悪く、錫層すべてが金属間化合物と
なっているため加工性も悪い。なお、このタイプでＳｎ
−Ｃｕ金属間化合物層をさらに厚くしたものは、加熱処
理後に錫めっきの剥離が発生した。比較例４は、加熱処
理により母材の銅が拡散して錫めっき層の下層部分に錫
−銅金属間化合物層が形成されている。錫めっき層が厚
いため摩擦係数が大きい。そのため多ピン嵌合型端子に
使用すると挿入力が高く、作業性・生産性が悪くなる。
比較例５は、加熱処理により銅めっき層と錫めっき層か
ら錫−銅金属間化合物層が形成されている。この加熱処
理には時間がかかるため、下地ニッケルが表面に拡散し
て接触抵抗が大きくなっている。耐食性や加工性も悪
い。なお、比較例１〜５の断面模式図を図３（ａ）〜
（ｅ）に示す。
係数が低く、接触抵抗の信頼性に優れ、加熱後にも良好
な耐食性を有し、かつ加工性にも優れている。なお、実
施例１〜４の断面模式図を図２（ａ）〜（ｄ）に示す。
一方、比較例１は、加熱処理されていないため錫−銅合
金めっき層のままであり、摩擦係数が大きかった。その
ため多ピン嵌合型端子に使用すると挿入力が高く、作業
性・生産性が悪くなる。比較例２は、錫めっき層が薄い
ため、摩擦係数は小さいが、耐食性が劣る。比較例３
は、加熱処理により母材の銅が拡散して錫−銅金属間化
合物層が形成されている。錫−銅金属間化合物層の厚さ
が薄いため耐食性が悪く、錫層すべてが金属間化合物と
なっているため加工性も悪い。なお、このタイプでＳｎ
−Ｃｕ金属間化合物層をさらに厚くしたものは、加熱処
理後に錫めっきの剥離が発生した。比較例４は、加熱処
理により母材の銅が拡散して錫めっき層の下層部分に錫
−銅金属間化合物層が形成されている。錫めっき層が厚
いため摩擦係数が大きい。そのため多ピン嵌合型端子に
使用すると挿入力が高く、作業性・生産性が悪くなる。
比較例５は、加熱処理により銅めっき層と錫めっき層か
ら錫−銅金属間化合物層が形成されている。この加熱処
理には時間がかかるため、下地ニッケルが表面に拡散し
て接触抵抗が大きくなっている。耐食性や加工性も悪
い。なお、比較例１〜５の断面模式図を図３（ａ）〜
（ｅ）に示す。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、挿入力が低く、接触抵
抗が安定しており、耐食性や曲げ加工性に優れ、特に多
ピン嵌合型端子として作業性、生産性、信頼性に優れた
嵌合型端子を得ることができる。
抗が安定しており、耐食性や曲げ加工性に優れ、特に多
ピン嵌合型端子として作業性、生産性、信頼性に優れた
嵌合型端子を得ることができる。
【図１】 摩擦係数測定機の概念図である。
【図２】 実施例のめっき層の断面模式図である。
【図３】 比較例のめっき層の断面模式図である。
１ オス試験片
２ 台
３ メス試験片
４ 錘
５ ロードセル
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K024 AA21 AB02 AB03 AB12 BA09
BB10 BC10 CB21 DB01 GA04
GA07 GA16
Claims (4)
- 【請求項１】 銅又は銅合金からなる母材の表面に錫−
銅金属間化合物が分散した錫めっき層が形成されている
ことを特徴とする錫−銅金属間化合物分散錫めっき端
子。 - 【請求項２】 錫−銅金属間化合物が分散した錫めっき
層の下地に、ニッケル又はニッケル合金めっき層、錫又
は錫合金めっき層あるいは銅又は銅合金めっき層のいず
れかが形成されていることを特徴とする請求項１に記載
された錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子。 - 【請求項３】 錫−銅金属間化合物が分散した錫めっき
層の下地に、錫又は錫合金めっき層と、その下にニッケ
ル又はニッケル合金めっき層が形成されていることを特
徴とする請求項１に記載された錫−銅金属間化合物分散
錫めっき端子。 - 【請求項４】 錫−銅金属間化合物が分散した錫めっき
層及び下地の錫又は錫合金めっき層が合計で０．５μｍ
以上の厚さ施されていることを特徴とする請求項１〜３
のいずれかに記載された錫−銅金属間化合物分散錫めっ
き端子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001275793A JP4753502B2 (ja) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | 錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001275793A JP4753502B2 (ja) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | 錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003082499A true JP2003082499A (ja) | 2003-03-19 |
| JP4753502B2 JP4753502B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=19100597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001275793A Expired - Lifetime JP4753502B2 (ja) | 2001-09-11 | 2001-09-11 | 錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4753502B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007009304A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Dowa Holdings Co Ltd | 複合めっき材およびその製造方法 |
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| CN100428573C (zh) * | 2006-07-13 | 2008-10-22 | 番禺得意精密电子工业有限公司 | 一种导电端子 |
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-
2001
- 2001-09-11 JP JP2001275793A patent/JP4753502B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US8304908B2 (en) | 2008-03-19 | 2012-11-06 | Semiconductor Technology Academic Research Center | Semiconductor device having a multilevel interconnect structure and method for fabricating the same |
| US8709939B2 (en) | 2008-03-19 | 2014-04-29 | Semiconductor Technology Academic Research Center | Semiconductor device having a multilevel interconnect structure and method for fabricating the same |
| JP2016115825A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 株式会社村田製作所 | 被保護物の保護方法 |
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