JP2016115825A

JP2016115825A - 被保護物の保護方法

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Publication number: JP2016115825A
Application number: JP2014253689A
Authority: JP
Inventors: 義博川口; Yoshihiro Kawaguchi; 真大小澤; Masahiro Ozawa
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2014-12-16
Filing date: 2014-12-16
Publication date: 2016-06-23

Abstract

【課題】熱源およびノイズ源の少なくとも一方と被保護物との間に十分なスペースが無くても、被保護物を保護できる被保護物の保護方法を提供する。【解決手段】プリント配線基板Ｐ上に、半導体デバイス１０と表面実装部品２０とを実装機によって実装する。熱源およびノイズ源の少なくとも一方と半導体デバイス１０との間に、保護シート１１０を設置する（設置工程）。保護シート１１０を加熱する（加熱工程）。この加熱工程により、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１に含まれるＣｕＮｉ合金粉末３１とＳｎ粉末３２とは、液相拡散接合に伴って反応し、金属間化合物を主相とする導電性耐熱部材１３７を形成する。導電性耐熱部材１３７を接地する（接地工程）。【選択図】図５

Description

本発明は、電子部品等の被保護物の保護方法に関するものである。

従来、様々な被保護物の保護方法が知られている。例えば、特許文献１には、被保護物の一種であるＲＦＩＣチップを耐熱保護素子で保護した通信装置が開示されている。

この通信装置は、ＲＦＩＣチップとＲＦＩＣチップに接続する引出し配線用パッドとが実装されたプリント配線板を備えている。この引出し配線用パッドには、外部回路と接続するためのリード線がはんだ付けされる。しかし、一般的に、ＲＦＩＣチップを含む半導体デバイスの耐熱性は低い。

そこで、特許文献１の通信装置は、ＲＦＩＣチップがはんだ付け時に熱的なダメージを受けるのを防止するため、次の保護方法を採用している。すなわち、特許文献１の通信装置は、はんだ付け用の引出しパッドから半導体デバイスを離して設けたり、ＲＦＩＣチップと引出し配線用パッドとの間に耐熱保護素子を設けたりしている。

特開２０１２−２４８１５４号公報

しかしながら、各種の電子部品が高密度に実装されるプリント配線板では、実装レイアウトの自由度が低い。

そのため、特許文献１の保護方法では、ＲＦＩＣチップと引出し用パッドとの間に十分なスペースを設けることができないことがある。また、特許文献１の保護方法のように耐熱保護素子を部分的に設けるだけでは、はんだ付け時に回り込んできた熱や、はんだ付け部分にて発生したノイズから、ＲＦＩＣチップを保護することは難しい。

本発明の目的は、熱源およびノイズ源の少なくとも一方と被保護物との間に十分なスペースが無くても、被保護物を保護できる被保護物の保護方法を提供することにある。

本発明の被保護物の保護方法は、設置工程と、加熱工程と、を含むことを特徴とする。

設置工程は、Ｓｎを主とする第１金属とＣｕＮｉ合金またはＣｕＭｎ合金を主とする第２金属との複合体を、熱源およびノイズ源の少なくとも一方と被保護物との間に設ける。

加熱工程は、複合体を第１金属の融点以上の温度で加熱し、ＳｎとＣｕＮｉ合金またはＣｕＭｎ合金との反応により、Ｓｎ、ＣｕおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも２種を含む金属間化合物、またはＳｎ、ＣｕおよびＭｎからなる群より選ばれる少なくとも２種を含む金属間化合物を主相とする導電性耐熱部材を形成する。

加熱工程では、ＣｕＮｉ合金またはＣｕＭｎ合金とＳｎとが、例えば液相拡散接合（以下、「ＴＬＰ接合：ＴｒａｎｓｉｅｎｔＬｉｑｕｉｄＰｈａｓｅＤｉｆｆｕｓｉｏｎＢｏｎｄｉｎｇ」）し、液相拡散接合に伴って反応する。

この反応は、比較的低温かつ比較的短時間で進行する。この結果、例えば４００℃以上の融点を有するＳｎ、ＣｕおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも２種を含む金属間化合物、またはＳｎ、ＣｕおよびＭｎからなる群より選ばれる少なくとも２種を含む金属間化合物を主相とする導電性耐熱部材が形成される。この導電性耐熱部材は、熱源およびノイズ源の少なくとも一方と被保護物との間に、設けられる。

そのため、熱源と被保護物との間に十分なスペースが無くても、熱源で発生した熱によって導電性耐熱部材が溶融しない。よって、導電性耐熱部材は、熱源で発生した熱を、熱源と被保護物との間で遮る。

また、導電性耐熱部材は、導電性を有している。そのため、導電性耐熱部材は、ノイズ源で発生したノイズを、ノイズ源と被保護物との間で遮蔽する。

したがって、本発明の保護方法によれば、熱源およびノイズ源の少なくとも一方と被保護物との間に十分なスペースが無くても、被保護物を保護できる。

なお、複合体は、第１金属で構成される第１金属粉末と第２金属で構成される第２金属粉末とが混合された混合体であることが好ましい。または、複合体は、第１金属で構成される第１金属層と第２金属で構成される第２金属層とが積層された積層体であることが好ましい。そして、複合体は、テープ状に成形されていることが好ましい。

また、設置工程は、複合体を被保護物に設置することが好ましい。

この保護方法では、複合体が被保護物に接触して設置される。そのため、この保護方法は、熱源およびノイズ源の少なくとも一方と被保護物との間にスペースが殆ど無い場合に好適である。

また、設置工程は、複合体を熱源およびノイズ源の少なくとも一方に設置することが好ましい。そのため、この保護方法は、熱源およびノイズ源の少なくとも一方と被保護物との間にスペースが殆ど無い場合に好適である。

この保護方法では、複合体が、熱源およびノイズ源の少なくとも一方に接触して設置される。

また、設置工程は、複合体を、熱源およびノイズ源の少なくとも一方と被保護物とから隙間を空けて設置することが好ましい。

また、導電性耐熱部材を接地する接地工程を含むことが好ましい。

この方法では、導電性耐熱部材が、導電性を有し、接地する。そのため、導電性耐熱部材は、ノイズ源で発生したノイズを、ノイズ源と被保護物との間でより遮蔽できる。

本発明の被保護物の保護方法によれば、熱源およびノイズ源の少なくとも一方と被保護物との間に十分なスペースが無くても、被保護物を保護できる。

本発明の第１実施形態に係る保護方法で保護される半導体デバイス１０が実装されたプリント配線基板Ｐの外観斜視図である。本発明の第１実施形態に係る保護方法で用いられる保護シート１１０の外観斜視図である。図２に示す保護シート１１０の拡大断面図である。設置工程によって保護シート１１０が半導体デバイス１０に貼付されたプリント配線基板Ｐの断面図である。加熱工程および接地工程が終了した後におけるプリント配線基板Ｐの断面図である。図５に示す保護シート１１０の拡大断面図である。本発明の第２実施形態に係る保護方法で保護された半導体デバイス１０が実装されたプリント配線基板Ｐの断面図である。本発明の第３実施形態に係る保護方法で保護された半導体デバイス１０が実装されたプリント配線基板Ｐの断面図である。図３に示す保護シート１１０の第１変形例である保護シート２１０の断面図である。図３に示す保護シート１１０の第２変形例である保護シート３１０の断面図である。図３に示す保護シート１１０の第３変形例である保護シート４１０の断面図である。図３に示す保護シート１１０の第４変形例である保護シート５１０の断面図である。図３に示す保護シート１１０の第５変形例である保護シート６１０の断面図である。図３に示す保護シート１１０の第６変形例である保護シート７１０の断面図である。図３に示す保護シート１１０の第７変形例である保護シート８１０の断面図である。図３に示す保護シート１１０の第８変形例である保護シート９１０の断面図である。

以下、図を用いて、本発明の第１実施形態に係る被保護物の保護方法について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態に係る保護方法で保護される半導体デバイス１０が実装されたプリント配線基板Ｐの外観斜視図である。図２は、本発明の第１実施形態に係る保護方法で用いられる保護シート１１０の外観斜視図である。図３は、図２に示す保護シート１１０の拡大断面図である。図４は、設置工程によって保護シート１１０が半導体デバイス１０に貼付されたプリント配線基板Ｐの断面図である。図５は、加熱工程および接地工程が終了した後におけるプリント配線基板Ｐの断面図である。図６は、図５に示す保護シート１１０の一部拡大断面図である。

まず、図１に示すように、ランドＬを含む回路が形成されたプリント配線基板Ｐを用意する。当該回路はたとえばＣｕ箔を所定形状にパターニングしたものである。プリント配線基板Ｐは例えばガラスエポキシ基板である。

そして、図１に示すように、プリント配線基板Ｐ上に、半導体デバイス１０と表面実装部品２０とを実装機によって実装する。

半導体デバイス１０は、耐熱性の低い電子部品である。半導体デバイス１０の形状は、直方体である。半導体デバイス１０は、不図示の配線を介してランドＬに接続している。半導体デバイス１０は、本発明の被保護物の一例に相当する。

表面実装部品２０は、ノイズおよび熱を発生する電子部品とする。表面実装部品２０の形状は、直方体である。表面実装部品２０は、本発明のノイズ源および熱源の一例に相当する。

次に、図２に示すように、保護シート１１０を用意する。保護シート１１０は、本発明の複合体の一例に相当する。保護シート１１０の一方主面には不図示の剥離紙が貼付されており、保護シート１１０はロール状に巻かれている。保護シート１１０はフレキシブルなテープ状に成形されている。

そのため、保護シート１１０は、半導体デバイス１０や表面実装部品２０の形状に応じて密に貼付できる。この保護シート１１０は、後述の図５、図６に示す導電性耐熱部材１３７を生成するための原料成分と、熱処理時に軟化・流動する樹脂成分との混合層を備える。

具体的には、保護シート１１０は、図３に示すように、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１と粘着層３４とが接合して一体化したシートである。粘着層３４は、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１の一方の面を被覆している。

Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１は、層状である。Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１は、例えば粒径０．５以上３０μｍ以下の範囲内のＣｕＮｉ合金粉末（高融点金属粉末）３１、および粒径０．５以上３０μｍ以下の範囲内のＳｎ粉末（低融点金属粉末）３２と、熱処理時に軟化・流動する樹脂成分とを含む。Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１の樹脂成分は主にバインダおよびフラックスである。すなわち、保護シート１１０は、第１金属粉末であるＳｎ粉末３２と第２金属粉末であるＣｕＮｉ合金粉末３１とが混合された混合体である。

なお、本実施形態では、ＣｕＮｉ合金粉末３１を含んだＳｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１を用いているが、これに限るものではない。実施の際は、例えば、ＣｕＭｎ合金を含んだＳｎ＋ＣｕＭｎ厚膜部材を用いてもよい。

ここで、Ｓｎ粉末３２とＣｕＮｉ合金粉末３１の配合比は重量比で８０：２０〜３０：７０の範囲内であることが好ましい。Ｓｎ粉末３２の割合が８０重量％を超えると、加熱時にＳｎ+ＣｕＮｉの厚膜接合が球状化し易くなる。

なお、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１に含まれる全ての金属粉末中に占めるＳｎ粉末３２の割合は９０重量％を超えないことが好ましい。全ての金属粉末中に９０重量％を超えるＳｎ粉末３２が存在する場合、Ｓｎ粉末３２とＣｕＮｉ合金粉末３１とが反応する前に、複数のＳｎ粉末３２が一体化し、球状化してしまう場合があるためである。

次に、図３、図４に示すように、熱源およびノイズ源の少なくとも一方と半導体デバイス１０との間に、保護シート１１０を設置する（設置工程）。本実施形態では、設置工程において、熱源およびノイズ源に対向する半導体デバイス１０の側面およびその側面に隣接する２つの側面と上面に、保護シート１１０を貼付している。

なお、図４では、半導体デバイス１０の上面の一部に保護シート１１０を貼付しているが、これに限るものではない。半導体デバイス１０の上面の全部に保護シート１１０を貼付してもよい。前述の２つの側面も同様に、側面の一部または全部に保護シート１１０を貼付してもよい。ただし、熱源およびノイズ源に対向する半導体デバイス１０の側面は、全部に保護シート１１０を貼付することが好ましい。

次に、保護シート１１０を加熱する（加熱工程）。加熱温度は、Ｓｎ粉末３２の融点（２３１．９℃）以上、後述する金属間化合物の融点未満の範囲内の温度に設定する。

加熱工程は、例えば工業用ドライヤー、バーナー、遠赤外線加熱、又は高周波誘導加熱で行う。加熱工程は、フレキシブルなシート状ヒーター（例えばシリコン等の樹脂製シート状ヒーター）を保護シート１１０に押しあてながら行うことが好ましい。加熱温度は例えば２５０以上３５０℃以下である。加熱時間は例えば最高温度到達後３０秒から１２０秒程度で十分である。

この加熱工程により、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１に含まれるＣｕＮｉ合金粉末３１とＳｎ粉末３２とは反応し、金属間化合物を主相とする導電性耐熱部材１３７を形成する（図６参照）。この反応は、例えば、液相拡散接合（「ＴＬＰ接合：ＴｒａｎｓｉｅｎｔＬｉｑｕｉｄＰｈａｓｅＤｉｆｆｕｓｉｏｎＢｏｎｄｉｎｇ」）に伴う反応である。

導電性耐熱部材１３７は、主として金属間化合物で構成されている。この金属間化合物の融点は、３００℃以上、さらには４００℃以上である。この金属間化合物は、例えばＳｎＣｕＮｉ合金又はＳｎＣｕＭｎ合金である。本実施形態では、金属間化合物は、ＳｎＣｕＮｉ合金である。

なお、ＳｎＣｕＮｉ合金は、ＳｎとＣｕＮｉ合金とが反応することによって生成されるものであって、Ｓｎ、ＣｕおよびＮｉのうち少なくとも２種を含む合金である。ＳｎＣｕＭｎ合金は、ＳｎとＣｕＭｎ合金とが反応することによって生成されるものであって、Ｓｎ、ＣｕおよびＭｎのうち少なくとも２種を含む合金である。ＳｎとＣｕＮｉ合金とが反応することによって生成される場合、代表的には、この金属間化合物は（Ｃｕ，Ｎｉ）_６Ｓｎ_５であり、その他、例えばＣｕ_６Ｓｎ_５、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_２ＮｉＳｎ等を含む。

また、導電性耐熱部材１３７は、複数の孔を有する。それぞれの孔は、基本的には導電性耐熱部材１３７の外部に通じるオープンポアである。導電性耐熱部材１３７の空孔率は例えば３０体積％以上７０体積％以下の範囲内である。

なお、粘着層３４は、加熱工程中に焼失する。

次に、導電性耐熱部材１３７を接地する（接地工程）。この実施形態では、導電性耐熱部材１３７を基準電位（グランド）に接続している。

以上のようにして、例えば２５０℃程度の熱処理で、４００℃程度の融点を持つ金属間化合物を主相とする導電性耐熱部材１３７を形成することができる。つまり、比較的低い温度での熱処理によって、高い耐熱性を有する導電性耐熱部材１３７を形成することができる。

また、この組成系のシートは、その熱処理時、はんだシートやはんだペーストのように凝集（玉化）しない。よって、半導体デバイス１０の表面に均一な導電性耐熱部材の膜を付与できる。

次に、図１に示すように、はんだゴテ５０等を用いて、外部回路と接続するためのリード線５１をランドＬ上にはんだペーストＨによってはんだ付けする。この際、はんだ付けによりランドＬ上において高い熱が発生する。

そのため、ランドＬ上においてはんだ付けする際のはんだゴテ５０の先端も熱源である。はんだペーストＨは、Ｓｎ系はんだである。はんだペーストＨは例えば、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等で構成される。

また、表面実装部品２０は、前述したように、ノイズ源および熱源である。

この実施形態の保護方法では、熱源およびノイズ源の両方と半導体デバイス１０との間に、導電性耐熱部材１３７が設けられる。具体的には、導電性耐熱部材１３７が半導体デバイス１０に貼付されている。また、前述したように、導電性耐熱部材１３７を構成する金属間化合物は、４００℃程度の高い融点を有する。

そのため、熱源と半導体デバイス１０との間に十分なスペースが無くても、熱源で発生した熱によって導電性耐熱部材１３７が溶融しない。よって、導電性耐熱部材１３７は、熱源で発生した熱を、熱源と半導体デバイス１０との間で遮る。

また、導電性耐熱部材１３７は、導電性を有し、接地している。そのため、導電性耐熱部材１３７は、ノイズ源で発生したノイズを、ノイズ源と半導体デバイス１０との間で遮蔽する。

したがって、この実施形態の保護方法によれば、熱源およびノイズ源の少なくとも一方と半導体デバイス１０との間に十分なスペースが無くても、半導体デバイス１０を保護できる。

以下、図を用いて、本発明の第２実施形態に係る被保護物の保護方法について説明する。

図７は、本発明の第２実施形態に係る保護方法で保護された半導体デバイス１０が実装されたプリント配線基板Ｐの断面図である。

第２実施形態の保護方法が、第１実施形態の保護方法と相違する点は、設置工程において、半導体デバイス１０に対向する表面実装部品２０の側面およびその側面に隣接する２つの側面と上面に、保護シート１１０を貼付する点である。その他の工程に関しては同じであるため、説明を省略する。

なお、図７では、表面実装部品２０の上面の一部に保護シート１１０を貼付しているが、これに限るものではない。表面実装部品２０の上面の全部に保護シート１１０を貼付してもよい。前述の２つの側面も同様に、側面の一部または全部に保護シート１１０を貼付してもよい。ただし、半導体デバイス１０に対向する表面実装部品２０の側面は、全部に保護シート１１０を貼付することが好ましい。

第２実施形態の保護方法においても、表面実装部品２０（熱源およびノイズ源）と半導体デバイス１０との間に、導電性耐熱部材１３７が設けられる。また、導電性耐熱部材１３７を構成する金属間化合物は、４００℃程度の高い融点を有する。

そのため、表面実装部品２０と半導体デバイス１０との間に十分なスペースが無くても、表面実装部品２０で発生した熱によって導電性耐熱部材１３７が溶融しない。よって、導電性耐熱部材１３７は、表面実装部品２０で発生した熱を、表面実装部品２０と半導体デバイス１０との間で遮る。

また、導電性耐熱部材１３７は、導電性を有し、接地している。そのため、導電性耐熱部材１３７は、表面実装部品２０で発生したノイズを、表面実装部品２０と半導体デバイス１０との間で遮蔽する。

したがって、第２実施形態の保護方法によれば、第１実施形態の保護方法と同様に、表面実装部品２０と半導体デバイス１０との間に十分なスペースが無くても、半導体デバイス１０を保護できる。

以下、図を用いて、本発明の第３実施形態に係る被保護物の保護方法について説明する。

図８は、本発明の第３実施形態に係る保護方法で保護された半導体デバイス１０が実装されたプリント配線基板Ｐの断面図である。

第３実施形態の保護方法が、第１実施形態の保護方法と相違する点は、設置工程において、保護シート１１０を、熱源およびノイズ源の両方と半導体デバイス１０とから隙間を空けて設置する点である。その他の工程に関しては同じであるため、説明を省略する。

第３実施形態の保護方法においても、熱源およびノイズ源の両方と半導体デバイス１０との間に、導電性耐熱部材１３７が設けられる。また、導電性耐熱部材１３７を構成する金属間化合物は、４００℃程度の高い融点を有する。

したがって、第３実施形態の保護方法によれば、第１実施形態の保護方法と同様に、熱源およびノイズ源の少なくとも一方と半導体デバイス１０との間に十分なスペースが無くても、半導体デバイス１０を保護できる。

また、前述の保護シート１１０は、以下の変形例を採用できる。

まず、保護シート１１０の第１変形例である保護シート２１０について説明する。
図９は、図３に示す保護シート１１０の第１変形例である保護シート２１０の断面図である。保護シート２１０が保護シート１１０と相違する点は、Ｓｎ厚膜部材１４２を有する点である。その他の構成については同じであるため、説明を省略する。

この保護シート２１０は、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１とＳｎ厚膜部材１４２と粘着層３４とが接合して一体化したシートである。粘着層３４は、Ｓｎ厚膜部材１４２の一方の面を被覆している。すなわち、保護シート２１０は、第１金属粉末であるＳｎ粉末３２と第２金属粉末であるＣｕＮｉ合金粉末３１とが混合された混合体である。

保護シート２１０は、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１とＳｎ厚膜部材１４２とを積層後に圧着や熱圧着することにより、または、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１とＳｎ厚膜部材１４２との内いずれか一方の上に他方をコーティングされることにより、一体化されている。

Ｓｎ厚膜部材１４２は、層状である。Ｓｎ厚膜部材１４２は、粒径０．５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内のＳｎ粉末３２と、熱処理時に軟化・流動する樹脂成分とを含む。Ｓｎ厚膜部材１４２の樹脂成分は主にバインダおよびフラックスである。

なお、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１とＳｎ厚膜部材１４２とに含まれる全ての金属粉末中に占めるＳｎ粉末３２の割合は９０重量％を超えないことが好ましい。全ての金属粉末中に９０重量％を超えるＳｎ粉末３２が存在する場合、Ｓｎ粉末３２とＣｕＮｉ合金粉末３１とが反応する前に、複数のＳｎ粉末３２が一体化し、球状化してしまう場合があるためである。

次に、保護シート１１０の第２変形例である保護シート３１０について説明する。
図１０は、図３に示す保護シート１１０の第２変形例である保護シート３１０の断面図である。保護シート３１０が保護シート２１０と相違する点は、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１とＳｎ厚膜部材１４２との積層の順番を入れ替えた点である。保護シート３１０のその他の構成については保護シート２１０と同じであるため、説明を省略する。

次に、保護シート１１０の第３変形例である保護シート４１０について説明する。
図１１は、図３に示す保護シート１１０の第３変形例である保護シート４１０の断面図である。保護シート４１０が保護シート２１０と相違する点は、Ｓｎ厚膜部材１４２を２つのＳｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材４４１Ａ，４４１Ｂで挟んでいる点である。Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材４４１Ａ，４４１Ｂのそれぞれの構成は、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１の構成と同じである。保護シート４１０のその他の構成については保護シート２１０と同じであるため、説明を省略する。

次に、保護シート１１０の第４変形例である保護シート５１０について説明する。
図１２は、図３に示す保護シート１１０の第４変形例である保護シート５１０の断面図である。

保護シート５１０が保護シート２１０と相違する点は、Ｓｎ粉末３２とＣｕＮｉ合金粉末３１で構成されるＳｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１を、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ箔で構成されるＳｎ＋ＣｕＮｉ層５４１に置き換え、Ｓｎ粉末３２で構成されるＳｎ厚膜部材１４２を、Ｓｎ箔で構成されるＳｎ層５４２に置き換えた点である。

すなわち、保護シート５１０は、第１金属層であるＳｎ層５４２と第２金属層であるＳｎ＋ＣｕＮｉ層５４１とが積層された積層体である。なお、保護シート５１０のその他の構成については保護シート２１０と同じであるため、説明を省略する。

次に、保護シート１１０の第５変形例である保護シート６１０について説明する。
図１３は、図３に示す保護シート１１０の第５変形例である保護シート６１０の断面図である。

保護シート６１０が保護シート３１０と相違する点は、Ｓｎ粉末３２とＣｕＮｉ合金粉末３１で構成されるＳｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１を、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ箔で構成されるＳｎ＋ＣｕＮｉ層５４１に置き換え、Ｓｎ粉末３２で構成されるＳｎ厚膜部材１４２を、Ｓｎ箔で構成されるＳｎ層５４２に置き換えた点である。保護シート６１０のその他の構成については保護シート３１０と同じであるため、説明を省略する。

次に、保護シート１１０の第６変形例である保護シート７１０について説明する。
図１４は、図３に示す保護シート１１０の第６変形例である保護シート７１０の断面図である。

保護シート７１０が保護シート４１０と相違する点は、Ｓｎ粉末３２とＣｕＮｉ合金粉末３１で構成されるＳｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材４４１Ａ、４４１Ｂを、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ箔で構成されるＳｎ＋ＣｕＮｉ層７４１Ａ、７４１Ｂに置き換え、Ｓｎ粉末３２で構成されるＳｎ厚膜部材１４２を、Ｓｎ箔で構成されるＳｎ層５４２に置き換えた点である。

すなわち、保護シート７１０は、第１金属層であるＳｎ層５４２と第２金属層であるＳｎ＋ＣｕＮｉ層７４１Ａ、７４１Ｂとが積層された積層体である。なお、保護シート７１０のその他の構成については保護シート４１０と同じであるため、説明を省略する。

次に、保護シート１１０の第７変形例である保護シート８１０について説明する。
図１５は、図３に示す保護シート１１０の第７変形例である保護シート８１０の断面図である。

保護シート８１０が保護シート２１０と相違する点は、Ｓｎ粉末３２で構成されるＳｎ厚膜部材１４２を、Ｓｎ箔で構成されるＳｎ層５４２に置き換えた点である。保護シート８１０のその他の構成については保護シート２１０と同じであるため、説明を省略する。

次に、保護シート１１０の第８変形例である保護シート９１０について説明する。
図１６は、図３に示す保護シート１１０の第８変形例である保護シート９１０の断面図である。

保護シート９１０が保護シート３１０と相違する点は、Ｓｎ粉末３２とＣｕＮｉ合金粉末３１で構成されるＳｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材１４１を、Ｓｎ＋ＣｕＮｉ箔で構成されるＳｎ＋ＣｕＮｉ層５４１に置き換えた点である。保護シート９１０のその他の構成については保護シート３１０と同じであるため、説明を省略する。

《その他の実施形態》
なお、前述の実施形態において、保護シート１１０〜９１０の形状は、シート状であるが、これに限るものではない。実施の際、保護シートの形状は、その他の形状であっても良い。例えば保護シートの形状がペースト状である場合、前述の設置工程において、ペーストを、半導体デバイス１０や表面実装部品２０等に塗布する。

最後に、前述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

Ｈ…はんだペースト
Ｌ…ランド
Ｐ…プリント配線基板
１０…半導体デバイス
２０…表面実装部品
３１…ＣｕＮｉ合金粉末
３２…Ｓｎ粉末
３４…粘着層
５０…はんだゴテ
５１…リード線
１１０…保護シート
１３７…導電性耐熱部材
１４１…Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材
１４２…Ｓｎ厚膜部材
２１０、３１０、４１０…保護シート
４４１Ａ，４４１Ｂ…Ｓｎ＋ＣｕＮｉ厚膜部材
５１０…保護シート
５４１…Ｓｎ＋ＣｕＮｉ層
５４２…Ｓｎ層
６１０、７１０…保護シート
７４１Ａ、７４１Ｂ…Ｓｎ＋ＣｕＮｉ層
８１０、９１０…保護シート

Claims

Ｓｎを主とする第１金属とＣｕＮｉ合金またはＣｕＭｎ合金を主とする第２金属との複合体を、熱源およびノイズ源の少なくとも一方と被保護物との間に設ける設置工程と、
前記複合体を前記第１金属の融点以上の温度で加熱し、前記Ｓｎと前記ＣｕＮｉ合金または前記ＣｕＭｎ合金との反応により、Ｓｎ、ＣｕおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも２種を含む金属間化合物、またはＳｎ、ＣｕおよびＭｎからなる群より選ばれる少なくとも２種を含む金属間化合物を主相とする導電性耐熱部材を形成する加熱工程と、を含む被保護物の保護方法。
前記複合体は、前記第１金属で構成される第１金属粉末と前記第２金属で構成される第２金属粉末とが混合された混合体である、請求項１に記載の被保護物の保護方法。
前記複合体は、前記第１金属で構成される第１金属層と前記第２金属で構成される第２金属層とが積層された積層体である、請求項１に記載の被保護物の保護方法。
前記複合体はテープ状に成形されている、請求項２または３に記載の被保護物の保護方法。
前記設置工程は、前記複合体を前記被保護物に設置する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の被保護物の保護方法。
前記設置工程は、前記複合体を前記熱源および前記ノイズ源の少なくとも一方に設置する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の被保護物の保護方法。
前記設置工程は、前記複合体を、前記熱源および前記ノイズ源の少なくとも一方と前記被保護物とから隙間を空けて設置する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の被保護物の保護方法。
前記導電性耐熱部材を接地する接地工程を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の被保護物の保護方法。