JP2001040498A - 錫−銅合金めっき皮膜で被覆された電子部品 - Google Patents
錫−銅合金めっき皮膜で被覆された電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 錫−鉛合金めっき皮膜に代替することができ
る、加熱処理後のハンダ付け性に優れた錫−銅合金皮膜
及び該皮膜で被覆された電子部品を提供する。 【解決手段】 炭素含有量が０．３重量％以下である錫
−銅合金皮膜及び該皮膜で被覆された電子部品。
る、加熱処理後のハンダ付け性に優れた錫−銅合金皮膜
及び該皮膜で被覆された電子部品を提供する。 【解決手段】 炭素含有量が０．３重量％以下である錫
−銅合金皮膜及び該皮膜で被覆された電子部品。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、優れたハンダ付け
性を有する錫−銅合金めっき皮膜で被覆された電子部品
に関する。
性を有する錫−銅合金めっき皮膜で被覆された電子部品
に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子工業の分野では電子部品をハンダで
接合することが行われている。また、ハンダ接合を良好
に行うためにハンダ接合に先立って、電子部品にハンダ
下地として、ハンダめっきを施すことが行われている。
接合することが行われている。また、ハンダ接合を良好
に行うためにハンダ接合に先立って、電子部品にハンダ
下地として、ハンダめっきを施すことが行われている。
【０００３】これらのハンダ接合やハンダめっきの材料
には、従来より錫−鉛合金が広く用いられてきた。ハン
ダめっき材料には錫も用いられてきたが、めっき皮膜に
ホイスカーが発生するため、ハンダ下地としては不適切
である。錫−鉛合金は優れたハンダ付け性を有している
が、有害な鉛が含まれているため、鉛を含まないハンダ
めっきが要望されてきた。
には、従来より錫−鉛合金が広く用いられてきた。ハン
ダめっき材料には錫も用いられてきたが、めっき皮膜に
ホイスカーが発生するため、ハンダ下地としては不適切
である。錫−鉛合金は優れたハンダ付け性を有している
が、有害な鉛が含まれているため、鉛を含まないハンダ
めっきが要望されてきた。
【０００４】近年、鉛を含まないハンダめっきとして、
錫−銀合金めっき、錫−インジウム合金めっき及び錫−
亜鉛合金めっきが提案された。しかし、錫−銀合金めっ
きは、該合金めっき浴に合金めっき析出のために強力な
錯化剤を使用するので、浴管理が煩雑であり、また高価
な銀を用いるので、得られる皮膜が高価であるという欠
点があった。また錫−インジウム合金めっきは、皮膜の
融点が低いため、ハンダ接合したときの接合強度が低
く、価格も高いという欠点があった。さらに錫−亜鉛合
金めっきは、皮膜が酸化し易いため、空気中でのハンダ
付けが困難であるという欠点があった。このような状況
から、鉛を含まないハンダめっきとして錫−銅合金めっ
きが要望されている。
錫−銀合金めっき、錫−インジウム合金めっき及び錫−
亜鉛合金めっきが提案された。しかし、錫−銀合金めっ
きは、該合金めっき浴に合金めっき析出のために強力な
錯化剤を使用するので、浴管理が煩雑であり、また高価
な銀を用いるので、得られる皮膜が高価であるという欠
点があった。また錫−インジウム合金めっきは、皮膜の
融点が低いため、ハンダ接合したときの接合強度が低
く、価格も高いという欠点があった。さらに錫−亜鉛合
金めっきは、皮膜が酸化し易いため、空気中でのハンダ
付けが困難であるという欠点があった。このような状況
から、鉛を含まないハンダめっきとして錫−銅合金めっ
きが要望されている。
【０００５】錫−銅合金めっき皮膜を得るためのめっき
浴としては、特開昭58-48689号公報、特開昭58-56089号
公報、特開昭58-61295号公報、特公昭60-12435号公報、
特公平1-33557号公報、特公平4-13434号公報、特開平5-
287578号公報、特開平8-27590号公報及び特開平8-27591
号公報に記載のシアン浴が知られている。また、錫−銅
合金めっき皮膜を得るためのシアンを含まないめっき浴
として、特開昭57-177987号公報に芳香族スルホン酸
浴、特開昭61-272394号公報にピロリン酸浴が開示され
ている。
浴としては、特開昭58-48689号公報、特開昭58-56089号
公報、特開昭58-61295号公報、特公昭60-12435号公報、
特公平1-33557号公報、特公平4-13434号公報、特開平5-
287578号公報、特開平8-27590号公報及び特開平8-27591
号公報に記載のシアン浴が知られている。また、錫−銅
合金めっき皮膜を得るためのシアンを含まないめっき浴
として、特開昭57-177987号公報に芳香族スルホン酸
浴、特開昭61-272394号公報にピロリン酸浴が開示され
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記め
っき浴から得られる皮膜は、装飾に用いられる金めっき
皮膜やニッケルめっき皮膜に代替することを目的として
おり、いずれの文献もハンダめっき用として利用するこ
とについて何ら言及していない。一般的に、めっき皮膜
のハンダ付け性は、皮膜の金属組成、結晶サイズ、平滑
性、不純物に影響される。ハンダ付けの信頼性の目安と
される加熱処理後のハンダ付け性は、ハンダ付け性に優
れている錫−鉛合金めっき皮膜の場合、皮膜に光沢があ
るからといって良いとは限らない。
っき浴から得られる皮膜は、装飾に用いられる金めっき
皮膜やニッケルめっき皮膜に代替することを目的として
おり、いずれの文献もハンダめっき用として利用するこ
とについて何ら言及していない。一般的に、めっき皮膜
のハンダ付け性は、皮膜の金属組成、結晶サイズ、平滑
性、不純物に影響される。ハンダ付けの信頼性の目安と
される加熱処理後のハンダ付け性は、ハンダ付け性に優
れている錫−鉛合金めっき皮膜の場合、皮膜に光沢があ
るからといって良いとは限らない。
【０００７】本発明の目的は、錫−鉛合金めっき皮膜に
代替することができる、加熱処理後のハンダ付け性に優
れた錫−銅合金めっき皮膜で被覆された電子部品を提供
することにある。
代替することができる、加熱処理後のハンダ付け性に優
れた錫−銅合金めっき皮膜で被覆された電子部品を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するため鋭意検討を重ねた結果、錫−銅合金めっき
皮膜中の不純物炭素の含有量がハンダ付け性に重要な影
響を及ぼすことを見出し、本発明を完成した。すなわち
本発明は、炭素含有量が０．３重量％以下である錫−銅
合金めっき皮膜で被覆された電子部品を提供する。
達成するため鋭意検討を重ねた結果、錫−銅合金めっき
皮膜中の不純物炭素の含有量がハンダ付け性に重要な影
響を及ぼすことを見出し、本発明を完成した。すなわち
本発明は、炭素含有量が０．３重量％以下である錫−銅
合金めっき皮膜で被覆された電子部品を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の錫−銅合金めっき皮膜で
被覆された電子部品は、リードフレーム、コネクター、
チップコンデンサー、チップ抵抗器等の電子部品に電気
めっきにより錫−銅合金めっき皮膜を形成することによ
り製造される。こうして形成される錫−銅合金めっき皮
膜は、炭素含有量が０．３重量％以下であればよい。銅
含有量は好ましくは０．１〜２．５重量％、さらに好ま
しくは０．５〜２．０重量％である。なお、残部は錫で
ある。
被覆された電子部品は、リードフレーム、コネクター、
チップコンデンサー、チップ抵抗器等の電子部品に電気
めっきにより錫−銅合金めっき皮膜を形成することによ
り製造される。こうして形成される錫−銅合金めっき皮
膜は、炭素含有量が０．３重量％以下であればよい。銅
含有量は好ましくは０．１〜２．５重量％、さらに好ま
しくは０．５〜２．０重量％である。なお、残部は錫で
ある。
【００１０】めっき法で形成される錫−銅合金めっき皮
膜中には不純物として炭素が含有されている。めっき直
後では、炭素は皮膜表面にほとんど存在しないためハン
ダ付け性を阻害しない。しかし、室温で長期間保存した
場合やハンダ付けの信頼性を評価するための加熱処理後
では、室温での拡散や加熱による熱拡散が起こり、炭素
が皮膜表面に浮上し、ハンダ付け性を著しく阻害する。
本発明者は、錫−銅合金めっき皮膜中の炭素含有量を
０．３重量％以下にすると、皮膜のハンダ付け性が格段
に向上することを見出した。
膜中には不純物として炭素が含有されている。めっき直
後では、炭素は皮膜表面にほとんど存在しないためハン
ダ付け性を阻害しない。しかし、室温で長期間保存した
場合やハンダ付けの信頼性を評価するための加熱処理後
では、室温での拡散や加熱による熱拡散が起こり、炭素
が皮膜表面に浮上し、ハンダ付け性を著しく阻害する。
本発明者は、錫−銅合金めっき皮膜中の炭素含有量を
０．３重量％以下にすると、皮膜のハンダ付け性が格段
に向上することを見出した。
【００１１】錫−銅合金めっき皮膜の合金組成は、ハン
ダ下地として用いられる限り特に制限はない。錫−鉛合
金めっき皮膜に代替すること、及び電子部品間のハンダ
接合強度やハンダ付け温度が２５０〜３００℃であるこ
とを考慮すると、皮膜中の銅含有量は０．１〜２．５重
量％であることが好ましく、０．５〜２．０重量％であ
ることがさらに好ましい。すなわち、銅含有量が０．１
重量％より少ないと、錫のホイスカーが発生し易くな
り、回路短絡の原因となる。また銅含有量が２．５重量
部より多くなると、めっき皮膜の融点が３００℃を超
え、良好なハンダ付けができないことがある。
ダ下地として用いられる限り特に制限はない。錫−鉛合
金めっき皮膜に代替すること、及び電子部品間のハンダ
接合強度やハンダ付け温度が２５０〜３００℃であるこ
とを考慮すると、皮膜中の銅含有量は０．１〜２．５重
量％であることが好ましく、０．５〜２．０重量％であ
ることがさらに好ましい。すなわち、銅含有量が０．１
重量％より少ないと、錫のホイスカーが発生し易くな
り、回路短絡の原因となる。また銅含有量が２．５重量
部より多くなると、めっき皮膜の融点が３００℃を超
え、良好なハンダ付けができないことがある。
【００１２】上記錫−銅合金めっき皮膜の厚さは、ハン
ダ下地としての目的に適っていれば特に制限はないが、
１〜３０μｍが好ましい。厚さが１μｍより小さいと、
ハンダ付け性が低下し易くなり、３０μｍを超えると、
それに見合うハンダ付け性の向上が得られず不経済であ
る。
ダ下地としての目的に適っていれば特に制限はないが、
１〜３０μｍが好ましい。厚さが１μｍより小さいと、
ハンダ付け性が低下し易くなり、３０μｍを超えると、
それに見合うハンダ付け性の向上が得られず不経済であ
る。
【００１３】錫−銅合金めっき皮膜を電気めっきにより
形成する際のめっき方法としては、ラック式めっき法、
バレル式めっき法、オーバーフロー式めっき法、ジェッ
ト式めっき法等慣用の方法を用いることができる。
形成する際のめっき方法としては、ラック式めっき法、
バレル式めっき法、オーバーフロー式めっき法、ジェッ
ト式めっき法等慣用の方法を用いることができる。
【００１４】用いられるめっき浴も、本発明の上記錫−
銅合金めっき皮膜が得られる限り特に制約はないが、炭
素含有量を０．３重量％以下に抑えるとともに、結晶組
織が緻密で、めっきムラやめっきヤケがなく、かつハン
ダ付け性がいっそう向上した皮膜を得るためには、例え
ば(A)アルカンスルホン酸第一錫塩及びアルカノールス
ルホン酸第一錫塩から選ばれる少なくとも１種、(B)ア
ルカンスルホン酸銅塩及びアルカノールスルホン酸銅塩
から選ばれる少なくとも１種、(C)アルカンスルホン酸
及びアルカノールスルホン酸よりなる群から選ばれる少
なくとも１種、(D)非イオン性界面活性剤及び(E)上記錫
塩の酸化防止剤等を含む浴を用いることが好ましい。上
記のめっき浴において、（Ａ）〜（Ｅ）成分の具体例は
次のとおりである。
銅合金めっき皮膜が得られる限り特に制約はないが、炭
素含有量を０．３重量％以下に抑えるとともに、結晶組
織が緻密で、めっきムラやめっきヤケがなく、かつハン
ダ付け性がいっそう向上した皮膜を得るためには、例え
ば(A)アルカンスルホン酸第一錫塩及びアルカノールス
ルホン酸第一錫塩から選ばれる少なくとも１種、(B)ア
ルカンスルホン酸銅塩及びアルカノールスルホン酸銅塩
から選ばれる少なくとも１種、(C)アルカンスルホン酸
及びアルカノールスルホン酸よりなる群から選ばれる少
なくとも１種、(D)非イオン性界面活性剤及び(E)上記錫
塩の酸化防止剤等を含む浴を用いることが好ましい。上
記のめっき浴において、（Ａ）〜（Ｅ）成分の具体例は
次のとおりである。
【００１５】（Ａ）アルカンスルホン酸第一錫塩・アル
カノールスルホン酸第一錫塩：アルカンスルホン酸第一
錫塩としては、例えばメタンスルホン酸第一錫、エタン
スルホン酸第一錫、プロパンスルホン酸第一錫、２−プ
ロパンスルホン酸第一錫等が挙げられる。またアルカノ
ールスルホン酸第一錫塩としては、例えばヒドロキシメ
タンスルホン酸第一錫、２−ヒドロキシエタン−１−ス
ルホン酸第一錫、２−ヒドロキシブタン−１−スルホン
酸第一錫等が挙げられる。これらは１種単独で用いても
よいし、２種以上混合して用いてもよい。これらの塩の
めっき浴中の含有量は、金属錫として、好ましくは５〜
１００ｇ／Ｌ（リットル、以下同じ）、さらに好ましく
は１０〜６０ｇ／Ｌである。
カノールスルホン酸第一錫塩：アルカンスルホン酸第一
錫塩としては、例えばメタンスルホン酸第一錫、エタン
スルホン酸第一錫、プロパンスルホン酸第一錫、２−プ
ロパンスルホン酸第一錫等が挙げられる。またアルカノ
ールスルホン酸第一錫塩としては、例えばヒドロキシメ
タンスルホン酸第一錫、２−ヒドロキシエタン−１−ス
ルホン酸第一錫、２−ヒドロキシブタン−１−スルホン
酸第一錫等が挙げられる。これらは１種単独で用いても
よいし、２種以上混合して用いてもよい。これらの塩の
めっき浴中の含有量は、金属錫として、好ましくは５〜
１００ｇ／Ｌ（リットル、以下同じ）、さらに好ましく
は１０〜６０ｇ／Ｌである。
【００１６】（Ｂ）アルカンスルホン酸銅塩・アルカノ
ールスルホン酸銅塩：アルカンスルホン酸銅塩として
は、例えばメタンスルホン酸銅、エタンスルホン酸銅、
プロパンスルホン酸銅、２−プロパンスルホン酸銅等が
挙げられる。またアルカノールスルホン酸銅塩として
は、例えば、ヒドロキシメタンスルホン酸銅、２−ヒド
ロキシエタン−１−スルホン酸銅、２−ヒドロキシブタ
ン−１−スルホン酸銅等が挙げられる。これらは１種単
独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
これらの塩のめっき浴中の含有量は、得られる皮膜中の
銅含有量が好ましくは０．１〜２．５重量％、さらに好
ましくは０．５〜２．０重量％となるような量であれば
よく、具体的には、金属銅として、好ましくは０．０１
〜３０ｇ／Ｌ、さらに好ましくは０．１〜１０ｇ／Ｌで
ある。
ールスルホン酸銅塩：アルカンスルホン酸銅塩として
は、例えばメタンスルホン酸銅、エタンスルホン酸銅、
プロパンスルホン酸銅、２−プロパンスルホン酸銅等が
挙げられる。またアルカノールスルホン酸銅塩として
は、例えば、ヒドロキシメタンスルホン酸銅、２−ヒド
ロキシエタン−１−スルホン酸銅、２−ヒドロキシブタ
ン−１−スルホン酸銅等が挙げられる。これらは１種単
独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
これらの塩のめっき浴中の含有量は、得られる皮膜中の
銅含有量が好ましくは０．１〜２．５重量％、さらに好
ましくは０．５〜２．０重量％となるような量であれば
よく、具体的には、金属銅として、好ましくは０．０１
〜３０ｇ／Ｌ、さらに好ましくは０．１〜１０ｇ／Ｌで
ある。
【００１７】（Ｃ）アルカンスルホン酸・アルカノール
スルホン酸：アルカンスルホン酸またはアルカノールス
ルホン酸は、上記錫塩および銅塩の錯化剤として、ま
た、浴中の電気伝導成分としての役割を果たす。アルカ
ンスルホン酸としては、例えばメタンスルホン酸、エタ
ンスルホン酸、プロパンスルホン酸、２−プロパンスル
ホン酸等が挙げられる。またアルカノールスルホン酸と
しては、ヒドロキシメタンスルホン酸、２−ヒドロキシ
エタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシブタン−１−
スルホン酸等が挙げられる。これらは１種単独で用いて
もよいし、２種以上混合して用いてもよい。これらのめ
っき浴中の含有量は特に限定されないが、好ましくは３
０〜５００ｇ／Ｌ、さらに好ましくは１００〜２５０ｇ
／Ｌである。
スルホン酸：アルカンスルホン酸またはアルカノールス
ルホン酸は、上記錫塩および銅塩の錯化剤として、ま
た、浴中の電気伝導成分としての役割を果たす。アルカ
ンスルホン酸としては、例えばメタンスルホン酸、エタ
ンスルホン酸、プロパンスルホン酸、２−プロパンスル
ホン酸等が挙げられる。またアルカノールスルホン酸と
しては、ヒドロキシメタンスルホン酸、２−ヒドロキシ
エタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシブタン−１−
スルホン酸等が挙げられる。これらは１種単独で用いて
もよいし、２種以上混合して用いてもよい。これらのめ
っき浴中の含有量は特に限定されないが、好ましくは３
０〜５００ｇ／Ｌ、さらに好ましくは１００〜２５０ｇ
／Ｌである。
【００１８】（Ｄ）非イオン性界面活性剤：非イオン性
界面活性剤としては公知の非イオン性界面活性剤、例え
ばＣ1〜Ｃ２０のアルカノール、フェノール、ナフトー
ル、ビスフェノール類、Ｃ１〜Ｃ２５のアルキルフェノ
ール、アリールアルキルフェノール、Ｃ１〜Ｃ２５のア
ルキルナフトール、Ｃ１〜Ｃ２５のアルコキシル化リン
酸またはその塩、ソルビタンエステル、スチレン化フェ
ノール、ポリアルキレングリコール、Ｃ１〜Ｃ２２の脂
肪族アミン、Ｃ１〜Ｃ２２の脂肪族アミド等に、エチレ
ンオキサイド（ＥＯ）および／またはプロピレンオキサ
イド（ＰＯ）を２〜３００モル付加縮合させたもの；Ｃ
１〜Ｃ２５のアルコキシル化リン酸またはその塩；一般
式(1)： ＲＮ（Ｒ’）2→Ｏ (1) 〔式中、ＲはＣ５〜Ｃ２５のアルキル基または−ＣＯＮ
ＨＲ"（Ｒ"はＣ１〜Ｃ５のアルキレン基を表す）を表
し、Ｒ’はＣ１〜Ｃ５のアルキル基で同一でもよいし、
異なっていてもよい。〕で表されるアミンオキサイド等
が挙げられる。
界面活性剤としては公知の非イオン性界面活性剤、例え
ばＣ1〜Ｃ２０のアルカノール、フェノール、ナフトー
ル、ビスフェノール類、Ｃ１〜Ｃ２５のアルキルフェノ
ール、アリールアルキルフェノール、Ｃ１〜Ｃ２５のア
ルキルナフトール、Ｃ１〜Ｃ２５のアルコキシル化リン
酸またはその塩、ソルビタンエステル、スチレン化フェ
ノール、ポリアルキレングリコール、Ｃ１〜Ｃ２２の脂
肪族アミン、Ｃ１〜Ｃ２２の脂肪族アミド等に、エチレ
ンオキサイド（ＥＯ）および／またはプロピレンオキサ
イド（ＰＯ）を２〜３００モル付加縮合させたもの；Ｃ
１〜Ｃ２５のアルコキシル化リン酸またはその塩；一般
式(1)： ＲＮ（Ｒ’）2→Ｏ (1) 〔式中、ＲはＣ５〜Ｃ２５のアルキル基または−ＣＯＮ
ＨＲ"（Ｒ"はＣ１〜Ｃ５のアルキレン基を表す）を表
し、Ｒ’はＣ１〜Ｃ５のアルキル基で同一でもよいし、
異なっていてもよい。〕で表されるアミンオキサイド等
が挙げられる。
【００１９】市販の非イオン性界面活性剤としては、商
品名で例示すると、エマルゲン９１１（花王製）、エマ
ルゲン９５０（花王製）、レオドールＴＷＰ１２（花王
製）、ニッサンナイミーンＳ−２２０（日本油脂製）、
ノイゲンＥＴ−１４７（第一工業製薬製）、ノイゲンＥ
Ａ−１５７（第一工業製薬製）、エパン４８５（第一工
業製薬製）、ラミゲンＥＳ６０（第一工業製薬製）、プ
ライサーフ２１５Ｃ（第一工業製薬製）、ノニポールソ
フトＤＯ−７０（三洋化成製）、ニューポールＰＥ−７
８（三洋化成製）、ファスファノールＬＥ−５００（東
邦化学工業製）等が挙げられる。これらの非イオン性界
面活性剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上混合し
て用いてもよい。非イオン性界面活性剤のめっき浴中の
含有量は特に限定されないが、好ましくは０．５〜５０
ｇ／Ｌ、さらに好ましくは１〜１０ｇ／Ｌである。
品名で例示すると、エマルゲン９１１（花王製）、エマ
ルゲン９５０（花王製）、レオドールＴＷＰ１２（花王
製）、ニッサンナイミーンＳ−２２０（日本油脂製）、
ノイゲンＥＴ−１４７（第一工業製薬製）、ノイゲンＥ
Ａ−１５７（第一工業製薬製）、エパン４８５（第一工
業製薬製）、ラミゲンＥＳ６０（第一工業製薬製）、プ
ライサーフ２１５Ｃ（第一工業製薬製）、ノニポールソ
フトＤＯ−７０（三洋化成製）、ニューポールＰＥ−７
８（三洋化成製）、ファスファノールＬＥ−５００（東
邦化学工業製）等が挙げられる。これらの非イオン性界
面活性剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上混合し
て用いてもよい。非イオン性界面活性剤のめっき浴中の
含有量は特に限定されないが、好ましくは０．５〜５０
ｇ／Ｌ、さらに好ましくは１〜１０ｇ／Ｌである。
【００２０】（Ｅ）酸化防止剤：酸化防止剤としては、
例えばアスコルビン酸またはその塩（塩の種類として
は、例えばナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩
等）、ハイドロキノン、クレゾールスルホン酸またはそ
の塩（塩の種類としては、例えばナトリウム、カリウム
等のアルカリ金属塩等）、フェノールスルホン酸または
その塩（塩の種類としては、例えばナトリウム、カリウ
ム等のアルカリ金属塩等）、ピロカテコール、レゾルシ
ン、フロログルシン等が挙げられる。これらは１種単独
で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。酸
化防止剤のめっき浴中の含有量は特に限定されないが、
好ましくは０．１〜２５ｇ／Ｌ、さらに好ましくは０．
５〜１０ｇ／Ｌである。
例えばアスコルビン酸またはその塩（塩の種類として
は、例えばナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩
等）、ハイドロキノン、クレゾールスルホン酸またはそ
の塩（塩の種類としては、例えばナトリウム、カリウム
等のアルカリ金属塩等）、フェノールスルホン酸または
その塩（塩の種類としては、例えばナトリウム、カリウ
ム等のアルカリ金属塩等）、ピロカテコール、レゾルシ
ン、フロログルシン等が挙げられる。これらは１種単独
で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。酸
化防止剤のめっき浴中の含有量は特に限定されないが、
好ましくは０．１〜２５ｇ／Ｌ、さらに好ましくは０．
５〜１０ｇ／Ｌである。
【００２１】また上記のめっき浴は、浴安定剤（例えば
グルコン酸、酒石酸、フマル酸等の有機カルボン酸）、
光沢剤[例えばベンザルアセトン、グルタルアルデヒ
ド、ベンズアルデヒド等]や、皮膜の合金組成安定化等
のためにアニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両
性界面活性剤等を、本発明の効果を損なわない範囲の量
で含有してもよい。
グルコン酸、酒石酸、フマル酸等の有機カルボン酸）、
光沢剤[例えばベンザルアセトン、グルタルアルデヒ
ド、ベンズアルデヒド等]や、皮膜の合金組成安定化等
のためにアニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両
性界面活性剤等を、本発明の効果を損なわない範囲の量
で含有してもよい。
【００２２】電気めっきに使用される陽極、及び陰極電
流密度、浴温等のめっき条件は、用いる浴の種類や所望
する皮膜厚さ等に応じて適宜選定すればよい。例えば陽
極としては、錫や錫−銅合金等の可溶性陽極の他に、白
金、ロジウムやこれらの金属で被覆されたチタンまたは
タンタル等の不溶性陽極を使用することができる。な
お、陰極は電子部品である。めっき浴の温度（以下、浴
温という）は１０〜７０℃、好ましくは２０〜５０℃で
ある。
流密度、浴温等のめっき条件は、用いる浴の種類や所望
する皮膜厚さ等に応じて適宜選定すればよい。例えば陽
極としては、錫や錫−銅合金等の可溶性陽極の他に、白
金、ロジウムやこれらの金属で被覆されたチタンまたは
タンタル等の不溶性陽極を使用することができる。な
お、陰極は電子部品である。めっき浴の温度（以下、浴
温という）は１０〜７０℃、好ましくは２０〜５０℃で
ある。
【００２３】陰極電流密度は、通常０．１〜１００Ａ／
ｄｍ2の範囲であり、好ましくはバレル式めっきでは
０．２〜１Ａ／ｄｍ2、ラック式めっきでは０．５〜４
Ａ／ｄｍ2、オーバーフロー式めっきでは４〜３０Ａ／
ｄｍ2、ジエツト式めっきでは３０〜６０Ａ／ｄｍ2であ
る。
ｄｍ2の範囲であり、好ましくはバレル式めっきでは
０．２〜１Ａ／ｄｍ2、ラック式めっきでは０．５〜４
Ａ／ｄｍ2、オーバーフロー式めっきでは４〜３０Ａ／
ｄｍ2、ジエツト式めっきでは３０〜６０Ａ／ｄｍ2であ
る。
【００２４】本発明に使用される錫−銅合金めっき皮膜
は電子部品のみならず、他の分野でのハンダ下地用とし
ても用いることができる。以上のようにして、有害な鉛
を含まない、安価で優れたハンダ付け性を有する錫−銅
合金めっき皮膜で被覆された電子部品を得ることができ
る。
は電子部品のみならず、他の分野でのハンダ下地用とし
ても用いることができる。以上のようにして、有害な鉛
を含まない、安価で優れたハンダ付け性を有する錫−銅
合金めっき皮膜で被覆された電子部品を得ることができ
る。
【００２５】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明をより具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
【００２６】実施例１ ４２アロイ（鉄５８重量％、ニッケル４２重量％）製Ｄ
ＩＰ(Dual Inline Packageの略称)２４ピン(板厚０．２
５ｍｍ)リードフレームを、アルカリ脱脂、水洗、アル
カリ電解脱脂、水洗、１０重量％硫酸浸漬、水洗の順で
処理したものを試料とした。この試料に下記のめっき浴
およびめっき条件でめっきした。 めっき浴： メタンスルホン酸第一錫(錫として) ５５ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅(銅として) １．８ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 ２５０ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル ５ｇ／Ｌ ピロカテコール ５ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ４０℃ 陰極電流密度 １２Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は０．７重量％、炭素含有量は０．００８重量％であっ
た。
ＩＰ(Dual Inline Packageの略称)２４ピン(板厚０．２
５ｍｍ)リードフレームを、アルカリ脱脂、水洗、アル
カリ電解脱脂、水洗、１０重量％硫酸浸漬、水洗の順で
処理したものを試料とした。この試料に下記のめっき浴
およびめっき条件でめっきした。 めっき浴： メタンスルホン酸第一錫(錫として) ５５ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅(銅として) １．８ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 ２５０ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル ５ｇ／Ｌ ピロカテコール ５ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ４０℃ 陰極電流密度 １２Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は０．７重量％、炭素含有量は０．００８重量％であっ
た。
【００２７】実施例２ 実施例１と同様の試料に、下記のめっき浴およびめっき
条件でめっきした。 めっき浴： メタンスルホン酸第一錫(錫として) ２０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅(銅として) １．０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １２０ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル ５ｇ／Ｌ ピロカテコール ３ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ３０℃ 陰極電流密度 ２Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は１．８重量％、炭素含有量は０．０６重量％であっ
た。
条件でめっきした。 めっき浴： メタンスルホン酸第一錫(錫として) ２０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅(銅として) １．０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １２０ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル ５ｇ／Ｌ ピロカテコール ３ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ３０℃ 陰極電流密度 ２Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は１．８重量％、炭素含有量は０．０６重量％であっ
た。
【００２８】実施例３ 実施例１と同様の試料に、下記のめっき浴およびめっき
条件でめっきした。 めっき浴： ２−ヒドロキシエタン−１−スルホン酸第一錫(錫として) ３６ｇ／Ｌ ２−ヒドロキシエタン−１−スルホン酸銅(銅として) １．０ｇ／Ｌ ２−ヒドロキシエタン−１−メタンスルホン酸 １２０ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンアルキルアミン ５ｇ／Ｌ アスコルビン酸 ３ｇ／Ｌ ベンザルアセトン ０．２ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ２５℃ 陰極電流密度 ４Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１．５μｍであり、皮膜の銅含有
量は１．２重量％、炭素含有量は０．１５重量％であっ
た。
条件でめっきした。 めっき浴： ２−ヒドロキシエタン−１−スルホン酸第一錫(錫として) ３６ｇ／Ｌ ２−ヒドロキシエタン−１−スルホン酸銅(銅として) １．０ｇ／Ｌ ２−ヒドロキシエタン−１−メタンスルホン酸 １２０ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンアルキルアミン ５ｇ／Ｌ アスコルビン酸 ３ｇ／Ｌ ベンザルアセトン ０．２ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ２５℃ 陰極電流密度 ４Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１．５μｍであり、皮膜の銅含有
量は１．２重量％、炭素含有量は０．１５重量％であっ
た。
【００２９】実施例４ 実施例１と同様の試料に、下記のめっき浴およびめっき
条件でめっきした。 めっき浴： メタンスルホン酸第一錫(錫として) ４５ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅(銅として) １．２ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １００ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル ８ｇ／Ｌ ハイドロキノン ３ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ３０℃ 陰極電流密度 ９Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが２５μｍであり、皮膜の銅含有量
は１．２重量％、炭素含有量は０．００８重量％であっ
た。
条件でめっきした。 めっき浴： メタンスルホン酸第一錫(錫として) ４５ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅(銅として) １．２ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １００ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル ８ｇ／Ｌ ハイドロキノン ３ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ３０℃ 陰極電流密度 ９Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが２５μｍであり、皮膜の銅含有量
は１．２重量％、炭素含有量は０．００８重量％であっ
た。
【００３０】実施例５ 実施例１において、４２アロイ製ＤＩＰ２４ピンリード
フレームの代わりに、厚さ２μｍのニッケルめっきを施
したオーリン１９５(銅)製２４ピンリードフレームを用
いた他は実施例１と同様に処理して試料を作製した。こ
の試料に下記のめっき浴およびめっき条件でめっきし
た。 めっき浴： メタンスルホン酸第一錫(錫として) ５５ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅(銅として) ２．５ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 ２００ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンソルビタンエステル ８ｇ／Ｌ ピロカテコール ０．３ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ４５℃ 陰極電流密度 ２０Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は１．２重量％、炭素含有量は０．００５重量％であっ
た。
フレームの代わりに、厚さ２μｍのニッケルめっきを施
したオーリン１９５(銅)製２４ピンリードフレームを用
いた他は実施例１と同様に処理して試料を作製した。こ
の試料に下記のめっき浴およびめっき条件でめっきし
た。 めっき浴： メタンスルホン酸第一錫(錫として) ５５ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅(銅として) ２．５ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 ２００ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンソルビタンエステル ８ｇ／Ｌ ピロカテコール ０．３ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ４５℃ 陰極電流密度 ２０Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は１．２重量％、炭素含有量は０．００５重量％であっ
た。
【００３１】実施例６ 実施例５と同様の試料に、下記のめっき浴およびめっき
条件でめっきした。 めっき浴： メタンスルホン酸第一錫(錫として) ３５ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅(銅として) ２．５ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル ０．５ｇ／Ｌ ピロカテコール １．０ｇ／Ｌ ベンザルアセトン ０．２ｇ／Ｌ グルタルアルデヒド ５ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ３５℃ 陰極電流密度 ６Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は０．８重量％、炭素含有量は０．１３重量％であっ
た。
条件でめっきした。 めっき浴： メタンスルホン酸第一錫(錫として) ３５ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅(銅として) ２．５ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル ０．５ｇ／Ｌ ピロカテコール １．０ｇ／Ｌ ベンザルアセトン ０．２ｇ／Ｌ グルタルアルデヒド ５ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ３５℃ 陰極電流密度 ６Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は０．８重量％、炭素含有量は０．１３重量％であっ
た。
【００３２】比較例１ 実施例１と同様の試料に、下記のめっき浴およびめっき
条件でめっきした。 めっき浴： 錫酸ナトリウム １００ｇ／Ｌ シアン化銅 ２ｇ／Ｌ シアン化ナトリウム １２ｇ／Ｌ 水酸化ナトリウム １０ｇ／Ｌ チオシアン酸ナトリウム ４０ｇ／Ｌ ポリエチレンイミン ０．１ｇ／Ｌ 硫酸ニッケル(ニッケルとして) ０．１ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ６５℃ 陰極電流密度 ２Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は０．８重量％、炭素含有量は０．６３重量％であっ
た。
条件でめっきした。 めっき浴： 錫酸ナトリウム １００ｇ／Ｌ シアン化銅 ２ｇ／Ｌ シアン化ナトリウム １２ｇ／Ｌ 水酸化ナトリウム １０ｇ／Ｌ チオシアン酸ナトリウム ４０ｇ／Ｌ ポリエチレンイミン ０．１ｇ／Ｌ 硫酸ニッケル(ニッケルとして) ０．１ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ６５℃ 陰極電流密度 ２Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は０．８重量％、炭素含有量は０．６３重量％であっ
た。
【００３３】比較例２ 実施例１と同様の試料に、下記のめっき浴およびめっき
条件でめっきした。 めっき浴： ピロリン酸錫 ３０ｇ／Ｌ ピロリン酸銅 １．５ｇ／Ｌ ピロリン酸カリウム ２７０ｇ／Ｌ ニトリロトリアセテート １．５ｇ／Ｌ ベンズアルデヒド ０．２ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ３０℃ 陰極電流密度 １Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は１．８重量％、炭素含有量は０．４５重量％であっ
た。
条件でめっきした。 めっき浴： ピロリン酸錫 ３０ｇ／Ｌ ピロリン酸銅 １．５ｇ／Ｌ ピロリン酸カリウム ２７０ｇ／Ｌ ニトリロトリアセテート １．５ｇ／Ｌ ベンズアルデヒド ０．２ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ３０℃ 陰極電流密度 １Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は１．８重量％、炭素含有量は０．４５重量％であっ
た。
【００３４】比較例３ 実施例１と同様の試料に、下記のめっき浴およびめっき
条件でめっきした。 めっき浴： メタンスルホン酸第一錫(錫として) ４０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅(銅として) ７．８ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル ５ｇ／Ｌ ベンザルアセトン ０．２ｇ／Ｌ グルタルアルデヒド １０ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ３０℃ 陰極電流密度 １２Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は０．７重量％、炭素含有量は０．３３重量％であっ
た。
条件でめっきした。 めっき浴： メタンスルホン酸第一錫(錫として) ４０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸銅(銅として) ７．８ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／Ｌ ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル ５ｇ／Ｌ ベンザルアセトン ０．２ｇ／Ｌ グルタルアルデヒド １０ｇ／Ｌ めっき条件： 浴温 ３０℃ 陰極電流密度 １２Ａ／ｄｍ2 得られた皮膜は厚さが１０μｍであり、皮膜の銅含有量
は０．７重量％、炭素含有量は０．３３重量％であっ
た。
【００３５】性能評価例 各実施例および比較例で得られためっき皮膜について、
次の方法でハンダ付け性を評価した。めっきを施したリ
ードフレームを熱風炉で１５０℃で１６８時間加熱した
後、リードフレームの外部リード部を５ｍｍの長さに切
断し試料とした。
次の方法でハンダ付け性を評価した。めっきを施したリ
ードフレームを熱風炉で１５０℃で１６８時間加熱した
後、リードフレームの外部リード部を５ｍｍの長さに切
断し試料とした。
【００３６】エコソルダーＭ３１(千住金属工業製ハン
ダの商品名、組成は錫：９５．８重量％、銀：３．５重
量％、銅：０．７重量％)を溶融して２６０℃に保持し
たハンダ浴に、ラピックスＲ(ニホンハンダ製、非活性
タイプのロジンフラックス)を塗布した上記試料を１０
秒間浸漬し、メニスコグラフ法によるゼロクロスタイム
（ハンダ付け性評価用試料を溶融ハンダ槽に浸漬し始め
た後、溶融ハンダ液による浮力と引力とが同一となるま
での時間で、この時間が短いほど、ハンダ付け性が良好
と判断する。）を測定した。また、１０秒間浸漬した上
記試料を４０倍の顕微鏡で観察し、次の基準でハンダ濡
れ外観を評価した。
ダの商品名、組成は錫：９５．８重量％、銀：３．５重
量％、銅：０．７重量％)を溶融して２６０℃に保持し
たハンダ浴に、ラピックスＲ(ニホンハンダ製、非活性
タイプのロジンフラックス)を塗布した上記試料を１０
秒間浸漬し、メニスコグラフ法によるゼロクロスタイム
（ハンダ付け性評価用試料を溶融ハンダ槽に浸漬し始め
た後、溶融ハンダ液による浮力と引力とが同一となるま
での時間で、この時間が短いほど、ハンダ付け性が良好
と判断する。）を測定した。また、１０秒間浸漬した上
記試料を４０倍の顕微鏡で観察し、次の基準でハンダ濡
れ外観を評価した。
【００３７】 ◎：濡れ面積１００％で鏡面外観を呈す。 ○：濡れ面積９５％以上１００％未満で一部ピットあ
り。 △：濡れ面積７０％以上９５％未満でピット多数あり。 結果を表１に示す。
り。 △：濡れ面積７０％以上９５％未満でピット多数あり。 結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１より、各実施例で得られた錫−銅合金
めっき皮膜被覆電子部品の皮膜は、めっきムラやめっき
ヤケがなく、緻密で、かつ炭素含有量が０．３重量％以
下と低いため、加熱処理後であってもゼロクロスタイム
が短く、ハンダ濡れ外観も良好であり、優れたハンダ付
け性を示した。一方、各比較例で得られた錫−銅合金め
っき皮膜被覆電子部品の皮膜は、炭素含有量が０．３重
量％を超えているため、ゼロクロスタイムが実施例の平
均値の４倍以上であり、ハンダ濡れ外観も劣悪で、ハン
ダ付け性が劣っていた。
めっき皮膜被覆電子部品の皮膜は、めっきムラやめっき
ヤケがなく、緻密で、かつ炭素含有量が０．３重量％以
下と低いため、加熱処理後であってもゼロクロスタイム
が短く、ハンダ濡れ外観も良好であり、優れたハンダ付
け性を示した。一方、各比較例で得られた錫−銅合金め
っき皮膜被覆電子部品の皮膜は、炭素含有量が０．３重
量％を超えているため、ゼロクロスタイムが実施例の平
均値の４倍以上であり、ハンダ濡れ外観も劣悪で、ハン
ダ付け性が劣っていた。
【００４０】
【発明の効果】本発明に使用される錫−銅合金めっき皮
膜は、皮膜の結晶が緻密で、めっきムラやめっきヤケが
なく、炭素含有量が０．３重量％以下と低いため、長期
間の保存後や加熱処理後、さらにスチームエージング後
でも優れたハンダ付け性を有している。このため、有害
な鉛を含むハンダめっき皮膜に代替することができ、人
体に対する安全面およびコスト面から産業上極めて有用
である。したがって本発明に使用される錫−銅合金めっ
き皮膜は、特に電子部品の被覆に好適である。
膜は、皮膜の結晶が緻密で、めっきムラやめっきヤケが
なく、炭素含有量が０．３重量％以下と低いため、長期
間の保存後や加熱処理後、さらにスチームエージング後
でも優れたハンダ付け性を有している。このため、有害
な鉛を含むハンダめっき皮膜に代替することができ、人
体に対する安全面およびコスト面から産業上極めて有用
である。したがって本発明に使用される錫−銅合金めっ
き皮膜は、特に電子部品の被覆に好適である。
Claims (3)
- 【請求項１】 炭素含有量が０．３重量％以下である錫
−銅合金めっき皮膜で被覆された電子部品。 - 【請求項２】 皮膜中の銅含有量が０．１〜２．５重量
％である請求項１に記載の電子部品。 - 【請求項３】 皮膜の厚さが１〜３０μｍである請求項
１又は２に記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21275599A JP2001040498A (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 錫−銅合金めっき皮膜で被覆された電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21275599A JP2001040498A (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 錫−銅合金めっき皮膜で被覆された電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001040498A true JP2001040498A (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=16627886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21275599A Pending JP2001040498A (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 錫−銅合金めっき皮膜で被覆された電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001040498A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003082499A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Kobe Steel Ltd | 錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子 |
| JP2006009102A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Bunsei Ko | フェロ−マンガン−アルミ合金の表面めっき処理方法 |
| JP2006193778A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Fujitsu Ltd | 電子部品のＳｎめっき皮膜 |
| JP2009299123A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 電気錫めっき液および電気錫めっき方法 |
| USRE45987E1 (en) | 2003-09-11 | 2016-04-26 | Renesas Electronics Coporation | Electronic component and method of manufacturing the same |
| CN114990651A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-09-02 | 沈阳飞机工业（集团）有限公司 | 一种镀铜镀镉镀锡的多重电镀工艺方法 |
| WO2024022535A1 (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 元心科技(深圳)有限公司 | 一种电镀件及其制备方法和制备用夹具、设备 |
-
1999
- 1999-07-27 JP JP21275599A patent/JP2001040498A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003082499A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Kobe Steel Ltd | 錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子 |
| JP4753502B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2011-08-24 | 株式会社神戸製鋼所 | 錫−銅金属間化合物分散錫めっき端子 |
| USRE45987E1 (en) | 2003-09-11 | 2016-04-26 | Renesas Electronics Coporation | Electronic component and method of manufacturing the same |
| JP2006009102A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Bunsei Ko | フェロ−マンガン−アルミ合金の表面めっき処理方法 |
| JP2006193778A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Fujitsu Ltd | 電子部品のＳｎめっき皮膜 |
| JP2009299123A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 電気錫めっき液および電気錫めっき方法 |
| CN114990651A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-09-02 | 沈阳飞机工业（集团）有限公司 | 一种镀铜镀镉镀锡的多重电镀工艺方法 |
| WO2024022535A1 (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 元心科技(深圳)有限公司 | 一种电镀件及其制备方法和制备用夹具、设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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