JP2007262458A - 耐ウィスカー性リフローSnめっき材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属材料表面にリフローSnを施しためっき材において、下地めっきとしてNiまたはNi合金めっきを有し、下地めっきの上の表面めっきに存在する純Sn層の平均厚みが0.05μm〜0.6μmであり、かつ表面めっきの断面に存在するNiとSnの合金層の割合が50%95%であることを特徴とする低ウィスカー性リフローSnめっき材。
【選択図】図1
Description
しかし、前記鉛フリーめっきには、ウィスカーの発生を抑制するPbが含有されていないため、ウィスカーが発生しやすいという問題があり、その中でもSnめっきはウィスカーが発生しやすい。
上記のようなウィスカー現象の発生を制御するためにこれまでめっき浴の改善による方法や熱処理する方法などの技術が提案されている。
また、非特許文献2では、リフロー錫めっきによって内部応力が緩和されてウィスカーの発生が抑えられることが報告されている。
そのため、上で例示したウィスカー問題を巡る背景はウィスカー抑制問題の一側面を示しているに過ぎず、ウィスカー問題の解決には難しい側面が多い。例えば、先に例示したSn、Sn−Cu、Sn−Bi及びSn−Agめっきにも一長一短があるため、これらの中でどのめっきを選択することがもっともウィスカー対策を含めてはんだめっきの代替として有効であるかということすら方向性が定まっていないのが現状である。
上記のような現状にも拘らず、急速に展開するIT化に伴う情報機器の高機能化及び小型化は否応にもウィスカー抑制技術の更なる向上を迫っており、より進んだウィスカー抑制技術の開発が求められる。新たな設備投資の少ない簡便な方法によって実施可能なウィスカー抑制技術が提供されれば、産業の発達に資するであろう。
本発明者は、上記課題を解決すべく更に鋭意研究を続けたところ、リフローSnめっき条または端子を製造する際に、下地めっきの種類、Snめっき皮膜内の構造を特定の条件を満たすように製造すれば、ウィスカーの抑制できることを見出した。
本発明は一側面において、金属材料表面に、下地めっきとしてNiまたはNi合金めっき、リフローSnを施すめっき材においてめっき表面に存在する純Sn層の平均厚みが0.05μm〜0.6μmであり、かつ、めっき断面に存在するNiとSnの合金層の純Sn層とNiとSnの合金層を合わせた層に対する割合が、NiとSnの合金層の形状が針状であることを特徴とする耐ウィスカー性リフローSnめっき材である。
また本発明は別の一側面において、前記に記載のめっき材を加工したことを特徴とする電子部品である。
なお、本発明における「電子部品」とは、コネクタ、端子、スイッチ及びリードフレームのアウターリード部等の部品をいう。
本発明では、リフローSnめっきの下地めっきとしてNiまたはNi合金めっきを施す。リフローめっきは、Snめっき皮膜を形成した後に皮膜を加熱溶融させて、次に冷却してリフローめっき膜を得るが、加熱溶融する工程においてSnと下地のNiまたはNi合金めっきが相互拡散して、SnとNiの合金層(Sn−Ni合金層)を形成する。
このようにNiまたはNi合金下地のリフローSnめっきではウィスカーを抑制することが可能であるが、後述する純Sn層めっきの厚みや拡散層の存在比率、めっき断面の純Sn層内のSn結晶粒径に関しては、めっき条件やリフロー条件を調整し、最適な構造、大きさにすることが必要である。
下地のNiめっきは一般的に行われている方法、たとえばワット浴やウッド浴などを用いて、通常めっき厚み0.1μm〜5μmなるように形成する。
下地めっきにはNi合金めっきも利用することができる。Ni合金めっきとしては、Ni−Co、Ni−Fe、Ni−Cr、Ni−Sn、Ni−Cu、などの各種合金めっきが挙げられ、めっき厚みはNi下地めっきの場合と同様に0.1μm〜5μmである。
本発明では下地めっきの上の表面めっきとして、リフローSnめっきを特定の条件を満たすように形成する。
リフローSnめっきは、半光沢のめっき皮膜を形成した後に、めっきをSnの融点以上に加熱して溶融させ、その後冷却してめっき皮膜を得る。加熱溶融する工程において、SnとNiめっきが相互拡散し、Ni下地層の上にSn−Ni合金層が形成される。
その際、純Sn層(Snのみで形成されるめっき層)を残す必要がある。具体的には、純Sn層の厚みは0.05μm以上必用である。0.05μm未満では、はんだ付け性が悪くなるなどの問題が生じ、Snめっきを施す本来の目的が失われるからである。
Sn−Ni合金層の割合が50%未満の場合には、純Sn層がSn−Ni合金層に比べて厚くなり、ウィスカー抑制効果が弱くなるからである。但し、厚みが0.6μmを超える場合はSn-Ni合金層を厚くしてもウィスカー抑制効果が弱くなり、ウィスカーが発生しやすくなる。
以上から本発明において、純Sn層は0.05μm〜0.6μmが好ましく、Sn−Ni合金層の純Sn層とSn−Ni合金層と合わせた層に対する割合が50%以上であることが好ましい。
なお、めっき断面に占めるSn−Ni合金層の割合の測定は、まずめっきを研磨して断面を露出させ,電子顕微鏡を用いて断面のCOMPO(組成)像を撮影する。COMPO像では、Sn-Ni合金層はやや灰色がかった色を呈するため、純Sn層と区別することが可能である。こうして得られたCOMPO像を画像解析装置に入力し、めっき断面積全体に占めるSn-Ni合金層面積の割合を算出させる。
純Sn層の厚みは、リフローする前のSnめっき厚と相関があり、リフロー前のめっき厚とともに厚くなる傾向があるが、リフロー条件の影響も受ける。例えば、リフロー温度が高い場合、あるいはリフロー時間が長い場合にはSn−Ni合金層が厚くなるため、純Sn層は薄くなる。逆にリフロー温度が低い場合、あるいは短い場合にはSn−Ni合金層が成長しないか、あるいは成長したとしても針状にならない場合が多い。目標とする純Sn層厚みを得るためには、リフローめっき厚みとリフロー温度およびリフロー時間を制御し、ウィスカーが発生しにくい最適な厚みを得る。
幅50mm、長さ100mm、厚み0.64mmの黄銅板に、Niめっき(ワット浴使用)の下地めっきを行い、その上に厚みを変えたSnめっき(メタンスルホン酸浴使用)を施した。
Snめっき後の試料を窒素雰囲気下、300〜400℃で8〜20秒加熱溶融(リフロー)処理してSnめっき皮膜を溶融させ、次に約60℃に維持した3Lの冷却水中に材料を10秒浸漬させて冷却処理した
各実施例に使用した試料を表1に示す。
電解液としてコクール社製R−50を用い、リフローSnめっきを陽極にして電解し純Sn層を除去した。溶解前後のめっき厚みを蛍光X線膜厚計で測定し,純Snめっき層平均厚みを測定した。
クロスセクションポリシャー(日本電子製)を使用してめっき試料の断面を研磨し,研磨後の断面を走査電子顕微鏡で用いてCOMPO像を撮影した。この像からSn-Ni合金層の面積比率を測定した。
SII製収束イオンビーム(FIB)装置を使用してめっき膜を切断し、切断後のめっき断面をこの装置に付随している二次イオン顕微鏡により写真撮影した。この写真から、平均Sn粒径を測定した。
ウィスカーの評価は、Snめっき表面に圧子(直径1.4mmのステンレス球)を接触させ、1.5Nの荷重をかけて168時間室温で、空気雰囲気中に放置させ、試料を取り出しSEMでその表面を観察した。
ウィスカー平均長さは、SEMにより試料表面の中央付近を1000〜2000倍の倍率で1枚撮影し、写真の中のウィスカーから最も長いものを3本選び、その平均値とした。
試験条件は下記とし、はんだ濡れ時間が3秒未満の場合を○、はんだ濡れ時間が3秒以上の場合を×と評価した。
・はんだ:Sn60%−Pb40%はんだ(235℃)
・フラックス:ロジン−イソプロピルアルコール溶液
・測定装置:レスカ(株)製SA−5000
(7)各試料(発明例、比較例)の評価結果
各試料(発明例、比較例)の評価結果を表2に示す。
比較例1〜2は、下地めっきがないかあるいはNi以外の下地めっきを施した場合であり、本発明例に比較するとウィスカーが長くなっている。
比較例3は、拡散層の割合が小さい場合であり、ウィスカーが長くなっている。
比較例4は、純Sn層が薄い、あるいはSn-Cu合金層の割合が95%より大きい場合であり、この場合にははんだ付け性が悪かった。
比較例5は、純Sn層が厚い、あるいはSn-Cu合金層の割合が50%より小さい場合であり、この場合にもウィスカーは長く成長する
比較例6は純Sn層内のSn粒径が小さい場合であり、ウィスカーがやや長く成長している。
Claims (3)
- 金属材料表面に、下地めっきとしてNiまたはNi合金めっき、リフローSnを施すめっき材においてめっき表面に存在する純Sn層の平均厚みが0.05μm〜0.6μmであり、めっき断面に存在するNiとSnの合金層の純Sn層とNiとSnの合金層を合わせた層に対する割合が50%以上であり、かつ、NiとSnの合金層の形状が針状であることを特徴とする耐ウィスカー性リフローSnめっき材。
- めっき断面の純Sn層に存在するSn結晶粒径が3μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の耐ウィスカー性リフローSnめっき材。
- 請求項1または2に記載のめっき材を加工したことを特徴とする電子部品。
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