JP5319101B2 - 電子部品用Snめっき材 - Google Patents
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Description
また、該文献には、Cu又はCu合金からなる母材表面に、厚さ0.1〜1.0μmのNiめっき層、厚さ0.1〜0.45μmのCuめっき層及び0.001〜0.1質量%のカーボンを含有する厚さ0.4〜1.1μmのSnめっき層からなる表面めっき層をこの順に形成した後、熱処理を行ってCu−Sn合金層を形成し、前記表面めっき層をNi層、Cu−Sn合金層及びSn層とすることを特徴とする接続部品用導電材料の製造方法が記載されている(請求項10)。熱処理としてリフロー処理を行う場合、230〜600℃の温度で3〜30秒間とすることが記載されている(段落0019)。
また、該文献には、銅または銅合金の表面上に、厚さ0.05〜1.0μmのNiまたはNi合金めっきを施し、次いで厚さ0.03〜1.0μmのCuめっきを施し、最表面に厚さ0.15〜3.0μmであるめっき厚のSnまたはSn合金めっきを施した後、少なくとも1回以上の加熱処理を行って冷却することによって、前記NiまたはNi合金めっきと前記SnまたはSn合金層の間にSnとCuを含む中間層を1層以上形成する、めっきを施した銅または銅合金の製造方法であって、400〜900℃の温度で前記加熱処理を行い且つ前記SnまたはSn合金層が溶融してから凝固するまでの時間が0.05〜60秒になるように前記冷却を行うことによって、前記中間層のうち前記SnまたはSn合金層と接している中間層の平均結晶粒径を0.5〜3.0μmにすることを特徴とする、めっきを施した銅または銅合金の製造方法が記載されている。
本発明者の実験結果によれば、Cu−Sn合金層を断面から観察したときのCu−Sn合金層の平均結晶粒径を0.05μm以上、0.5μm未満とすることにより、耐熱性が向上することが分かった。
本発明に使用することのできる銅又は銅合金母材は、特に制限はなく、公知の任意の銅又は銅合金母材を使用することができる。例えば、銅合金としては黄銅、りん青銅、ベリリウム銅、洋白、丹銅、チタン銅及びコルソン合金などが挙げられ、端子やコネクタ等の各種電子部品の要求特性に従い、適宜選択でき、何等制限されない。
銅又は銅合金母材の表面にはNi又はNi合金からなる下地めっき層が形成される。Ni合金としては、例えばNi−Pd合金、Ni−Co合金、Ni−Sn合金が挙げられる。下地めっきの中ではめっき速度が早い、コストが低い等の理由から特にNi単独めっきが好ましい。下地めっき層は例えば電気ニッケルめっきや無電解ニッケルめっきのような湿式めっき、或いはCVDやPVDのような乾式めっきにより得ることができる。生産性、コストの観点から電気めっきが好ましい。
リフロー処理後の下地めっき層の厚みは0.2〜1.5μm、好ましくは0.3〜1.0μmとする。下地めっき層の厚みが0.2μm未満では、加熱したときの母材成分の拡散を抑制できず、接触抵抗が増大する。一方、リフロー後の下地めっき層の厚みが1.0μmを超えると曲げ加工で割れ発生の原因となる。下地めっき層はリフロー処理によってもほとんど厚みが変わらないので、リフロー処理後に下地めっき層の厚みを上記範囲とするためにはリフロー処理前に上記範囲の厚みで下地めっきを行えば足りる。
リフロー処理後のCu−Sn合金からなる中間めっき層の厚みは0.1〜1.5μm、好ましくは0.3〜1.0μmとする。Cu−Sn合金は硬質なため、中間めっき層が0.1μm以上の厚さで存在すると、挿入力の低減に寄与する。一方、中間めっき層の厚さが1.5μmを超えると、曲げ加工で割れ発生の原因となる。
このような厚みの中間めっき層を得るには、リフロー処理前のCu又はCu合金めっき層の厚さを0.05〜1.2μm、好ましくは0.1〜0.5μmとするのがよい。Cu又はCu合金めっき層の厚さが0.05μm未満だと得られるCu−Sn合金層の厚みが不充分となり、逆にCu又はCu合金めっき層の厚さが1.2μmを超えるとCu−Sn合金層が厚くなり過ぎてしまうか、リフロー処理後にもCuめっき層が残存しやすくなる。
従って、Cu又はCu合金めっきとしてCu合金めっきを採用した場合や、後述するようにSn又はSn合金めっきとしてSn合金めっきを採用した場合には、Cu−Sn合金めっきにはCu及びSn以外の元素が含まれることもあるが、本発明においては、そのような場合でも「Cu−Sn合金めっき」と呼ぶこととする。
表面Sn層が溶融してから冷却されて凝固するまでの時間は、反射濃度計で表面の光沢度を測定し、Snの溶融を確認してから、冷却を開始し、めっき材の温度がSnの融点を下回るまでの時間を測定することで与えられる。
リフロー処理のトータルの時間は、めっき材の温度が50℃に到達したときからリフロー温度に達した後再び50℃に戻るまでの時間を計測することで与えられる。
リフロー処理後のSn又はSn合金からなる表面めっき層の厚みは0.1〜1.5μm、好ましくは0.2〜1.0μmとする。厚みが0.1μm未満となると高温環境下における半田濡れ性や接触抵抗の劣化が著しく促進され、1.5μmを超えると、挿入力が顕著に増大する。リフロー処理後に表面めっき層の厚みを上記の範囲にするためには、リフロー処理前の表面めっき層の厚さを0.3〜1.7μm、好ましくは0.4〜1.2μmとするのがよい。リフロー処理前の表面めっき層の厚さが0.3μm未満だと、リフロー処理によってSn成分がCu又はCu合金めっき層へ拡散して消費されるため、リフロー処理後に必要な厚さの表面めっき層が残存しなくなる。また、厚さが1.7μmを超えるとリフロー処理後にも必要以上に厚い表面めっき層が残存することになる。
各試験片の評価は以下のようにして行った。
リフロー処理前のNiめっき層の厚みは蛍光X線膜厚計(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、型式SEA5100)で測定した。Cuめっき層の厚みは、Niめっき上にCuめっきを行った状態で電解式膜厚計(電測株式会社製、型式CT−3)によって測定した。Snめっき層の厚みは蛍光X線膜厚計(同上)によって測定した。各めっき層につき、5箇所の平均値をめっき層の厚みとした。
リフロー処理後のNiめっき層の厚みは蛍光X線膜厚計(同上)で測定した。Cuめっき層、Snめっき層の厚みは電解式膜厚計(同上)で測定した。各めっき層につき、5箇所の平均値をめっき層の厚みとした。また、TEMによる断面観察を行い、観察視野を幅方向に9等分し、幅全体を9として0、1、2、3、4、5、6、7、8、9のところのCu−Sn拡散層の厚み(計10点)を実測し、その平均値をCu−Sn拡散層の厚みとした。
各試験片を日立製の集束イオンビーム加工観察装置FB−2100にて加工し、めっき断面を露出させた後、日立製の走査透過電子顕微鏡(TEM)HD−2700(加速電圧:200kv、ビームサイズ:0.2nm)でCu−Sn合金の中間めっき層の断面を観察した(倍率27800倍、観察視野1.3μm×1.3μm)。Cu−Sn合金の各結晶粒についてめっき厚み方向に引ける最も長い直線と、めっき厚み方向と垂直方向に引ける最も長い直線の長さを実測し、両者の平均から個々の結晶粒径を算出した。このようにして視野中のすべてのCu−Sn合金の結晶粒径を算出しその平均をCu−Sn合金の平均結晶粒径とした。図1にNo.3についてCu−Sn合金の中間めっき層の断面を観察したときのTEM画像を例示的に示す。
各試験片を日立製の集束イオンビーム加工観察装置FB−2100にて加工し、めっき断面を露出させた後、日立製の走査透過電子顕微鏡(TEM)HD−2700(加速電圧:200kv、ビームサイズ:0.2nm)でCu−Sn合金の中間めっき層の断面を観察した(倍率27800倍、観察視野1.3μm×1.3μm)。隣接するめっき層(Niめっき層又はCuめっき層とSn層)両方と接している結晶粒を貫通粒とし、視野中のすべてのCu−Sn合金の結晶粒の数とそのうちの貫通粒の数をカウントし、貫通粒の割合を算出した。図1にNo.3についてCu−Sn合金の中間めっき層の断面を観察したときのTEM画像を例示的に示す。また、図2は図1にめっき層界面及び結晶粒界を書き足して、各結晶粒にアルファベットを付けたものである。19個の結晶粒A〜Sのうち、A、C、D、H、L、R及びSの7個は貫通粒であるから、この場合、貫通粒の割合は7/19=36.8%(約35%)である。
各試験片の表面Sn層を化学的に研磨し、完全に除去した後、三鷹光器製の非接触型3次元形状測定装置NH−3(He−Neレーザー、波長:633nm出力:1.8mW)でCu―Sn合金層表面の粗さを測定した。
各試験片を155℃で16時間大気加熱した後に半田付け性を測定した。レスカ社製ソルダーチェッカーSAT−5000を使用し、メニスコグラフ法で半田濡れ時間T2を測定した。試料サイズ:幅10mm×長さ20mm、フラックス:25%ロジン‐メタノール溶液、半田温度:250℃、半田組成:Sn−3.0Ag−0.5Cu(千住金属製705M)、浸漬速さ:20mm/sec、浸漬時間:10秒間、浸漬深さ:2mm。
各試験片を155℃で1000時間大気加熱した後に接触抵抗を測定した。山崎精機社製の電気接点シミュレータCRS−1を使い、四端子法で測定した。プローブ:金プローブ、接触荷重:50g、摺動速度:1mm/min、摺動距離:1mm。
各試験片を090型オス端子(幅:2.3mm、厚さ:0.64mm)の形状にプレス加工した後に、アイコーエンジニアリング製の卓上荷重測定器1310NRを使用して、メス端子と嵌合させたときの荷重を測定。メス端子:住友電装製090型SMTS端子、挿入速度:50mm/min、挿入距離:5mm/min
Zn:30質量%−残部Cu及び不可避的不純物の組成を有する銅合金条(板厚0.32mm×幅30mm×長さ100mm)を17枚用意し、それぞれに対して以下の手順でめっきを施した。
(手順1)アルカリ水溶液中で試料をカソードとして、電解脱脂を行った。
(手順2)10質量%硫酸水溶液を用いて酸洗した。
(手順3)硫酸ニッケル250g/L、塩化ニッケル45g/L、ホウ酸40g/Lを含有するニッケルめっき浴を用いて、温度55℃、電流密度4.0A/dm2の条件でNiめっきを施した。Niめっき層の厚みは、電着時間により調整した。この時点における各試験片のNiめっき層の厚みは表1に示した。
(手順4)硫酸銅200g/L、硫酸60g/Lを含有する銅めっき浴を用いて、温度30℃、電流密度2.3A/dm2の条件でCuめっきを施した。Cuめっき層の厚みは、電着時間により調整した。この時点における各試験片のCuめっき層の厚みは表1に示した。
(手順5)酸化第一錫40g/L、フェノールスルホン酸270g/L、界面活性剤5g/Lを含有するSnめっき浴を用いて、温度45℃、電流密度4.0A/dm2の条件でSnめっきを施した。Snめっき層の厚みは、電着時間により調整した。この時点における各試験片のSnめっき層の厚みを表1に示した。
(手順6)表1に記載の条件でリフロー処理を行った。リフロー処理後の各試験片のめっき厚みも表1に示した。
以上の手順で得られた各試験片について、各特性を評価した結果を表2に示す。
No.6はCu−Sn合金めっき層表面の粗さが小さい例である。No.2とNo.6を比較すると、これらはリフロー後の各めっき厚みが近似し、Cu−Sn合金めっき層の結晶粒の粒径及び貫通粒の割合も近似している。しかしながら、No.2の方がCu−Sn合金めっき層表面の粗さが大きく、挿入力が小さい。
No.7はCu−Sn合金めっき層表面の粗さが高い例である。このため、加熱後の接触抵抗が高い。
No.8はCu−Sn合金めっき層の貫通粒の割合が高い例である。No.1とNo.8を比較すると、これらはリフロー後の各めっき厚みが近似し、Cu−Sn合金めっき層の結晶粒の粒径及び表面粗さも近似している。しかしながら、No.8はCu−Sn合金めっき層を貫通する結晶粒の割合が大きく、加熱後の接触抵抗が高い。
No.9はCu−Sn合金めっき層の結晶粒の平均粒径が大きい例である。No.2とNo.9を比較すると、これらはリフロー後の各めっき厚みは近似し、Cu−Sn合金めっき層を貫通する結晶粒の割合も近似している。しかしながら、Cu−Sn合金めっき層を形成する結晶粒の大きさがNo.2と比べてかなり大きかったため、接触抵抗が悪化した。
No.10はCu−Sn合金めっき層の結晶粒の平均粒径が更に大きい例である。No.1とNo.10を比較すると、これらはリフロー後の各めっき厚みは近似し、Cu−Sn合金めっき層を貫通する結晶粒の割合も近似している。しかしながら、Cu−Sn合金めっき層を形成する結晶粒の大きさがNo.1と比べてかなり大きかったため、接触抵抗が悪化した。
No.11はNiめっき層の厚みが小さすぎた例であり、No.12はCuめっき層の厚みが大きすぎた例であり、No.13はCu−Sn合金めっき層の厚みが小さすぎた例であり、No.14はSnめっき層の厚みが小さすぎた例である。何れも、耐熱性が著しく低い。
No.15はSnめっき層の厚みが大きすぎた例である。挿入力が著しく高い。
No.16はCu下地めっきとSn表面めっきのみ行った例である。耐熱性が低い。
No.17はNi下地めっきとSn表面めっきのみ行った例である。半田付け性も耐熱性が低い。
2 Ni層
3 Cu層
4 Cu−Sn合金層
5 Sn層
Claims (4)
- 銅又は銅合金の表面に、厚さ0.2〜1.5μmのNi又はNi合金からなる下地めっき層と、厚さ0.1〜1.5μmのCu−Sn合金からなる中間めっき層と、厚さ0.1〜1.5μmのSn又はSn合金からなる表面めっき層がこの順に形成されており、前記中間めっき層を形成するCu−Sn合金の平均結晶粒径が、該めっき層の断面を観察したときに、0.05μm以上、0.5μm未満であり、前記中間めっき層を形成するCu−Sn合金の結晶粒のうち、該めっき層に隣接する両側の層と同時に接する結晶粒の数の割合が60%以下であるSnめっき材。
- 前記中間めっき層表面の平均粗さRaが0.1〜0.5μmである請求項1記載のSnめっき材。
- 前記下地めっき層と前記中間めっき層の間に層状又は島状にCuめっき層が厚み0.3μm以下で形成されている請求項1又は2記載のSnめっき材。
- 銅又は銅合金の表面に、厚さ0.2〜1.5μmのNi又はNi合金めっき層、厚さ0.05〜1.2μmのCu又はCu合金めっき層、及び厚さ0.3〜1.7μmのSn又はSn合金めっき層をこの順に形成する工程と、次いで、めっき材の最高到達温度を250〜350℃とし、表面Sn層が溶融してから冷却されて凝固するまでの時間を0.5〜5秒とし、かつリフロー処理のトータルの時間を5〜15秒とするリフロー処理を行う工程とを含むSnめっき材の製造方法。
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