TW200925319A - Tin-plated material for electronic part - Google Patents
Tin-plated material for electronic part Download PDFInfo
- Publication number
- TW200925319A TW200925319A TW097141946A TW97141946A TW200925319A TW 200925319 A TW200925319 A TW 200925319A TW 097141946 A TW097141946 A TW 097141946A TW 97141946 A TW97141946 A TW 97141946A TW 200925319 A TW200925319 A TW 200925319A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- alloy
- thickness
- tin
- copper
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1689—After-treatment
- C23C18/1692—Heat-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
- C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
- C25D5/505—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment of electroplated tin coatings, e.g. by melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/615—Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
- C25D5/617—Crystalline layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12063—Nonparticulate metal component
- Y10T428/12069—Plural nonparticulate metal components
- Y10T428/12076—Next to each other
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
200925319 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電子零件,尤其是關於一種適合作 為連接器或端子等導電性彈性材料之鍍錫材。 【先前技術】 作為端子或連接器等導電性彈性材料,係使用實施有 鍛錫之銅或銅合金條(以下,稱作「鍍錫材」)^鍍錫材 一般係以下述步驟來進行製造,即,於連續锻敷線上,進 © 打脫脂及酸洗之後,藉由電鍍法形成Cu基底鍍敷層,接著 * 藉由電鍍法形成“層,最後實施熔焊處理(reflow treatment) • 使Sn層熔融。 近年來,因電子、電氣零件之電路數之增加,用以對 電路供給電信號的連接器係朝著多極化發展。鍍錫材由於 其柔軟度,而於連接器之接點採用使公接頭與母接頭固著 之氣密(gas tight)構造,故相較於由鍍金等所構成的連接 器每1極的連接器插入力較高。因此,因連接器的多極 化所造成之連接器插入力的增大,係演變成問題。 例如,於汽車組裝線上,使連接器嵌合之作業目前幾 乎均以人力來進行。若連接器之插入力變大,則於組裝線 上將會對作業者造成負擔,而直接關係到作業效率之下 降。並且,亦指出有可能會傷害作業者之健康。因此,強 烈期望降低鍍錫材之插入力。 另一方面,於鍍錫材,隨著時間之經過,母材或基底 鍍敷之成分會擴散至Sn層而形成合金相,從而導致811層 5 200925319 消失’且接觸電阻、焊接性等諸特性產生劣化。於對銅或 銅合金鑛覆Cu基底糾,此合金相主要係CUM、 等金屬間化合物,且溫度,越高,越會促進特性之經時劣化。 隨著連接器廠商之生產基地轉移至海外,存在鍛敷素 材後放置長時間後再使用之情形。因&,逐漸要求即使長 時間保存後鍍敷材之諸特性亦不會產生劣化之材料,即要 求耐時效性高之材料。鍍敷材之特性劣化於高溫下會受到 促進。因Λ,高溫下之特性劣化少,即耐熱性高之材料, 可說是即使長時間保存,特性亦不會產生劣化之材料。 並且,作為環境對策,正發展焊料之無鉛化。由於焊 料之構裝溫度高於先前之Pb-Sn焊料,故就此觀點而言,亦 需要南耐熱性。 如上所述,於鍍錫材,插入力之降低及耐熱性之改善 係成為近年來的課題。 於鑛錫材,係藉由減薄鍍錫層來降低插拔力。另一方 面,藉由增厚鍍錫層來提高耐熱性。因此,於鑛錫材,為 了兼顧低插入力與高耐熱性’係使基底鍍敷層為Ni及cu 之2層,於進行表面鍍錫後進行溶焊處理,藉此製成具有 Νι層、Cu-Sn合金層及Sn層之3層構造的鍍錫材,藉此設 法一邊減薄鍍錫之厚度,一邊提高耐熱性。 於曰本特開2002-226982號公報中,記載有一種方法, 其係於素材表面上,自該表面側起依序被覆Ni或Ni合金 層、Cu層、Sn或Sn合金層之後,實施溶焊處理,藉此來 製造耐熱性被膜(申請專利範圍第6項)。該耐熱性被膜 200925319 係於最表面形成有厚度X為0.05〜2/^m之Sn或Sn合金 層,於其内側形成有厚度Y為0.05〜2/z m之包含以Cu-Sn 為主體之金屬間化合物的合金層,並且於其内侧形成有厚 度Z為〇.〇1〜lym之Ni或Ni合金層(申請專利範圍第1 項)。於該文獻中’亦記載有應使素材表面之粗糙度處於 規定範圍,藉此使被覆於素材上之各層之表面平滑度穩 定’從而提高密著性及外觀等(段落0010)。並且記載有: 熔焊處理條件,較佳為300〜9001之溫度、1〜30〇秒鐘之 ® 條件(段落0011)。 於曰本特開2004-68026號公報中,記載有一種連接零 件用導電材料,其特徵在於,在由Cu & Cu合金所構成之 母材表面,依序形成Ni層、Cu_Sn合金層、由以層所構成 之表面鍍敷層,且,上述Ni層之厚度為〇1〜1〇Vm,上 述Cu-Sn合金層之厚度為ο.κορ,其cu漢度為 75at%,上述Sn層之厚度為〇 m以下(申請專利範圍第 Q 2項)。又,於該文獻中記載有:就鍍錫之均勻電鍍性等觀 點而言,應將Sn層中之碳量限制為〇.〇〇1〜〇」質量, 落 0013 ) 。 〇 (段 必琢又獻肀,—禋逕接零件用導電材料之 製造方法,其特徵在於,於由Cu或Cu合金所構成 表面’依序形成由厚度(UH.0心之鑛錄層、厚度 0·45# m之鍍銅層、及含有〇 〇〇1〜〇」 0 4〜]〗 貝罝%之碳之厚度 而了m的鐘錫層所構成的表面鍵敷層後,進行熱處理 乂 u_Sn合金層,使上述表面鍍敷層為犯 w nsn 7 200925319 合金層及Sn層(申請專利範圍第ι〇項)。並且記載有: 當進行熔烊處理作為熱處理時,係以230〜600它之溫度進 行3〜30秒鐘(段落0019) 〇 於曰本特許第3880877號公報中,則記載有一種實施 有鍍敷之銅或銅合金,其特徵在於,於銅或銅合金之表面 上,形成有Ni或Ni合金層,於最表面侧形成厚度〇 25〜 1.5em之Sn或Sn合金層,於上述Ni或Ni合金層與上述 Sn或Sn合金層之間形成i層以上之包含(^與Sn之中間 層,此等中間層中,與上述Sn或Sn合金層接觸之中間層 的Cu含量為50重量%以下,Ni含量為2〇重量%以下且 平均結晶粒徑為0.5〜3·0 // m。其中,中間層之平均結晶粒 徑,係使用電解式膜厚計,藉由SEM ( scanning /咖⑽ miCroscope,掃描式電子顯微鏡)對經剝離&層後之材料 表面進行表面觀察,再根據JISH〇5〇1(值積法)來求出(段 落 0063 )。 Q 又,於該文獻中,記載有一種實施有鍍敷之銅或銅合 金之製造方法,係於銅或銅合金之表面上,實施厚度〇㈦ 〜l.〇"m之鍍Ni或Ni合金,接著,實施厚度 M m之鍍敷厚的鍍 m之鍍銅,於最表面實施厚度0.15〜3 ()
Sn或Sn合金後’進行至少1次以上 人μ上之加熱處理後進行冷 卻,藉此,於上述鍍Ni或m合金與上述Sn或sn合金層 之間形成1層以上之包含Sn與Cu之中間層其特徵在於, 以400〜900〇C之溫度進行上述加熱處理, 1 Μ上迷Sn或
Sn合金層發生熔融後至凝固為止之時p卩 又砰間為〇·〇5〜60秒之方 8 200925319 式進行上述冷卻,藉乐由
Sn合 藉此使上述中間層中與上述Sn 金層接觸的中間層的平於 的十均結晶粒徑為0·5〜3,〇^m。 [專利文獻1]日本特開2002-226982號公報。 [專利文獻2]日本特開_4·68026號公報 [專利文獻3]日本特許第3880877號公報 【發明内容】 ❹ ❹ 如上述,對於具有Ni層、Cu_Sn合金層及%層之Μ 構造的鑛錫材,除了各鍍敷層之厚度以外,藉由對素材之 粗糙度、層中之特定元素之含量、剝離〜層後自鍍敷面觀 察時之Cu-Sn擴散層之平均結晶粒徑等進行控制,以謀求 其特性之提升。然而’具有Ni層、Cu_Sn合金層及k層之 3層構造之鍵錫材尚留有改良之空間。 因此,本發明之課罈在於,於具有Ni層、CuSn合金 層及Sn層之3層構造之鍍錫材中,自與迄今為止不同之觀 點來謀求插入力之降低及财熱性之改善。 本發明,針對會對該3層構造之鍍錫材之插入力及耐 熱性造成影響之其他因素進行研究後,發現自剖面觀察 Cu-Sn合金層時之平均結晶粒徑非常重要。 根據本發明人之實驗結果,可知藉由使自剖面觀察 Cu-Sn合金層時之Cu-Sn合金層的平均結晶粒徑為〇 〇5// m 以上、未達0.5;tim,可提高耐熱性。 又,若形成Cu-Sn合金層之結晶粒徑於鍍敷厚度方向 上增加’則1個晶粒將會於厚度方向上貫通Cu-Sn合金層, 但如此之粒子所形成之粒界將會成為供犯層擴散於Sn層 200925319 之管道’故隨著貫通粒之比例增加,耐熱性降低。根據本 發明人之實驗結果可知,藉由使貫通CU-Sn合金層之晶粒 之數量的比例為60%以下,可有意識地提高耐熱性。 並且可知’ Cu-Sn合金層表面之平均粗糙度Ra有助於 插入力之降低,較佳為提高一定程度的粗糙度。此係被認 為若所形成之擴散層之凹凸增大,則擴散層之凸部分會發 揮支樓之作用’故而於連接器嵌合時可防止錄錫材被過度 @ 削掉’從而使插入力降低。惟,當粗糙度極大時,Sll層與 Cu-Sn層接觸的面積增加,因此會促進Cll層向Sll層之擴 散,導致耐熱性降低》根據本發明人之實驗結果,Cu_Sn層 表面之平均粗糙度Ra較佳係設為〇 i — 於專利文獻3中,雖然確實對Cu_Sn擴散層之平均結 晶粒徑進行了規定,但此處所規定的是經剝離Sn層後之 Cu-Sn擴散層表面之平均結晶粒徑。本發明,係將自剖面觀 察Ciz-Sn擴散層時之平均結晶粒徑視為問題。Cu_sn擴散層 〇 係位於由Ni或Ni合金所構成之基底鍍敷層與由Sn或Sn 合金所構成之表面鍍敷層之中間,具有抑制因熱所引起之 Ni或Sn之厚度方向之擴散的作用,故而可認為自剖面觀察 Cu-Sn擴散層之結晶粒徑並加以規定,更能控制耐熱性。 又,Sn-Cu層成長為凸起狀。因此,當為了觀察sn_cu層之 表面而將811層去除並進行觀察時,凸起部分將會成為阻礙 Z導致晶粒之觀察難以進行,從而無法準確掌握其平均直 於製造具有如上所述之構成之Ni層、〇11_811合金層及 200925319
Sn層之3層構造賴錫材時,炫輝處理之條件非常重要。 具體而言,重要的是在材料表面形成層及〜層 後的熔谭處理時,使鍍敷材之最高到達溫度為25〇〜WO °C,使表面Sn層熔融後進行冷卻直至凝固為止之時間為 〜5秒,且使熔焊處理之總時間為3〇秒以内。 以上述見解為基礎所完成之本發明於一態樣中,為一 種鍍錫材,係於銅或銅合金之表面,依序形成有厚度〇2〜 1.5# m之由Ni或Ni合金所構成之基底鍍敷層、厚度 〜1·5/ζ m之由Cu_Sn合金所構成之中間鍍敫層、及厚度〇 1 二1.5/zm之由Sn* Sn合金所構成之表面鍍敷層,形成上 述中間鑛敷層《Cu-Sn合金之平均結晶粒徑,於對該鑛敷 層之剖面進行觀察時,係在〇 〇5// m以上、未達二。 本發明之鍍錫材於一實施形態中,形成上述中間鍍敷 層之Cu-Sn合金之晶粒中,與鄰接於該鍍敷層之兩側之層 同時接觸的晶粒之數量之比例為6〇%以下。
本發明之鍍錫材於另一實施形態中,上述中間鍍敷層 表面之平均粗糙度Ra為〇.1〜〇.5μιη。 本發明之鍍錫材再於另一實施形態中,於上述基底鍍 敫層與上述中間鍍敷層之間’以〇3 μ m以下之厚度形成有 呈層狀或島狀之鍍鋼層。 又本發明於另一態樣中,係一種鑛錫材之製造方法, 匕括以下步驟:於銅或鋼合金之表面,依序形成厚度〇 5〜 :’5"m之鍍Ni或恥合金層、厚度0.05〜1.2“m之鍍Cu 或CU合金層、及厚度〇·3〜1.7/zm之鍍Six或“合金層之 11 200925319 步驟;及接著,進行使鍍敷材之最高到達溫度為25〇〜35〇 C、使表面Sn層熔融後進行冷卻直至凝固為止之時間為〇.5 〜5秒、且使熔焊處理之總時間為3〇秒以内之熔焊處理之 步驟。 根據本發明,於具有Ni層、Cu_Sn合金層及Sn層之3 層構造之鍍錫材中,可謀求插入力之降低及耐熱性之改善。 【實施方式】 ❹ 本發明之鍍錫材,基本上係一種於銅或銅合金母材表 面依序形成有纟Ni < Ni纟金所構成之基底鍍敷層由 Cu-Sn合金所構成之中間鑛敷層、及丨“或&合金所構成 之表面鑛敷層之鑛錫材4種構成之鑛錫材的基本製造方 法,係於銅或銅合金母材表面按鍍沁或犯合金鍍Cu或
Cu合金、鑛如或Sn合金之順序進行鍍敷,接著進行溶焊 處理。 [銅或銅合金母材] ❹ T使用於本發明之銅或銅合金母材,並無特別限制, 可使用公知之任意之銅或銅合金母材,如,作為銅合金, 可列舉黃銅、碟青鋼、鈹銅、白銅、紅黃銅、欽銅及卡遜 合金等,可按照端子或連接器等各種電子零件之要求特性 來適當選擇,並無任何限制。 [由化或州合金所構成之基底鍍敷層] 之合金母材之表面形成由^或犯合金所構成 之基底鍵敷層。作為Ni合金,例如可列舉Ni-Pd合金、Ni_c〇 合金、㈣合金。於基底鑛敷中,就鍍敷逮度快、成本低 12 200925319 等理由而言,尤佳為單獨鍍Ni。基底鍍敷層,例如可藉由 電鑛鑛或無電鑛錄之類的濕式鍍敷'或者是CVD( Chemical Vapor Depositi〇n,化學氣相沈積)或pVD (抑加⑶丨Vap〇r Deposition,物理氣相沈積)之類的乾式鍍敷而得。就生產 性、成本之觀點而言,較佳為電鍍。 熔焊處理後之基底鍍敷層之厚度為0.2〜1.5 em,較佳 為〇.3〜Ι.Ομχη。若基底鍍敷層之厚度未達〇 ,則無法
❹ 抑制加熱時之母材成分之擴散,接觸電阻會增大。另一方 面,若熔焊後之基底鍍敷層之厚度超過1〇“m,則將會成 為口彎曲加工發生龜裂之原因。由於基底鍍敷層即便經溶 焊處理其厚度亦幾乎不變,因此為了於料處理後使基底 鍍敷層之厚度為上述範圍,於熔焊處理前以上述範圍之厚 度進行基底鍍敷即可。 [由Cu-Sn合金所構成之中間鑛敷層] 熔焊處理後之由Cu-Sn合金所構成之中間鍍敷層之厚 度為O.K^m,較佳為〇·3〜1(^m。由於合金 為硬質合金,因此若中間鍍敷層以〇1#m以上之厚度存 在,則將有助於插入力之降低。另一方面,若中間鍍:層 之厚度超過1.5em,則將會成為因彎曲加工發生龜裂之 因。 $ 為了得到此種厚度之中間鍍敷層,可將熔焊處理前之 鍍Cu或Cu合金層之厚度設為。別〜】一,較佳 〜若鍵Cu或Cu合金層之厚度未達〇〇5_,則 所得到之Cu-Sn合金層之厚度會變得不充分,相反地若 13 200925319 鍍Cu或Cu合金層之厚度超過1 2" m,則Cu-Sn合金層會 變得過厚’或者即使於熔焊處理後亦容易殘存鍍銅層。 鍵Cu或Cu合金層,會在熔焊處理時消耗於Cu-Sn合 金層之形成,其最大厚度較佳為未達〇3 “in,更佳為零。 其原因在於,若殘存鍍Cu或Cu合金層,則會因長時間置 於高溫下而消耗表面之鍍錫層而形成Cu-Sn合金層,從而 導致接觸電阻或焊接性劣化。然而,若鍍銅層全部被消耗 後鑛錫層仍為溶融狀態(〇ver refl〇w ),則鑛錄層會擴散至 © 熔融之鍍錫層,有時會導致不良之結果。因此,可使鍍銅 層不為零,亦即大於零而未達0.3 地積極殘留鍍銅層。 當殘存鑛銅層時’有殘存為層狀之情形與殘存為島狀之情 形0
作為熔焊處理前之「鍍Cu或Cu合金」,除了單獨鍍 ^以外’例如可列舉鍍Cum合金、cu_zn合金、cu·% :金之類之銅合金。此等中就鍍敷浴控管容易可得到 ^之被膜、成本低廉之理由而言,尤佳為單獨鍵CpCu 或Cu合金之鍍敷層,例如可藉由電鍍銅或無電鍍銅之類的 濕式鑛敷、或者是CVD或pvD之類的乾式鍍敷來得到。就 生產生、成本之觀點❿言,較佳為電鍍。 因此,當採用鍍Cu合金作為鍍CUC 後所述,採用铖町4如 ^ 11 °作為鍍Sn或Sn合金時,亦有時於 • 11。金中含有Cu及Sn以外之元素,但於本發 如此之情形亦稱作「鍍Cu_Sn合金」/ t於本發明中, 形成中間鍍敷層之Cu_Sn合金之晶粒的平均粒徑會 200925319 對鍵錫材之㈣性造成影響β以平均粒徑較小為佳,具體 而言,係使自剖面觀察中間鍍敷層時之Cu_sn合金之平均 結晶粒徑為0_05"m以上、未達〇5私m。CuSn合金之曰 粒之平均結晶粒徑’較佳為未達〇.4…其中,若結晶: 徑過小,則由於會產生Cu_Sn合金層之強度增大弯曲加 工性變差等不良情形’因此該晶粒之平均粒録佳為〇〇5 Ο Ο β m以上。形成本發明气中間鍍敷層之Cu Sn合金之平均 結晶粒徑,典型為0.2〜〇.4 # m。 又,隨著形成中間層之Cu_Sn合金之晶粒中貫通中間 層之晶粒之數量的比例増加,耐熱性降低。因此,此種貫 通粒子之比例以較低為佳,具體而言,使貫通Cu_Sn合金 層之晶粒之數量的比例為6〇%以下,較佳為5〇%以下。貫 通粒子之比例,典型為3〇〜6〇%。於本發明中,所謂貫通 粒子之比例,係指形成上述中間鍍敷層之Cu Sn合金之晶 粒中,與鄰接於該鍍敷層之兩侧之層同時接觸的晶粒之數 量的比例。 並且’ Cu-Sn合金之中間鍍敷層表面之平均粗糙度Ra, 會對插入力造成影響,可提高一定程度的粗糙度。惟,當 粗糙度極大時,由於Sn層與Cu_Sn層接觸之面積增大,故 會促進Cu層向Sn層擴散,而使耐熱性降低。因此,使中 間鍍敷層表面之平均粗糙度Ra為〇1〜〇.5/z m。中間鍍敷 層表面之平均粗糙度Ra較佳為〇 i〜〇 3 A m,更佳為〇」5 〜0.25 // m。 於Sn為熔融狀態之期間,cu會溶解、擴散於Sll中。 15 200925319 此時,由於Cu呈波狀擴散,故會形成表面粗糙度較大之 ㈣合金層表面。若Sn為熔融狀態之時間較長則會進 一步加速〜之擴散,使_度變大1自溶融至凝固為止 之時間超過5秒’貝J Cu_Sn合金層之表面粗糙度容易超過 〇.5心。因此,自溶融至凝固為止之時間較佳為5秒以下。 另一方面,當考慮到線上之製造時,若使自㈣至凝固之 時間未達0.5秒,則產生未炼融之部分之可能性將變高,而 ❹ e 難以得到具有固定厚度之Cu_Sn合金層,,只要不添 加上光劑或添加劑,Cu_Sn合金表面粗糖度一般為 ^ 以上。 溶焊之總時間越長,越能促進〜向Sn擴散,所形成 之Cu-Sn合金粒子越能成長。總時間超過3〇秒之熔焊中, 自剖面觀察Cu-Sn合金層時之結晶粒徑為〇 5心以上。 熔焊之條件較佳為儘可能為低溫。於相對較低溫度之 炼焊中,不僅可抑制過剩之Cu之溶融、擴散之進行,抑制 純%之消耗’而且於擴散之過程中容易形成新的晶粒,且 難以形成自Ni層貫通至811層之晶粒。其中,若溫度過低, 則會產生溶焊不良,故鑛敷材之最高到達溫度為㈣〜別 C之溶焊條件即可。 因此,於對形成中間鍍敷層之Cu_Sn合金之 粒^貫通粒子之比例及平均㈣度Ra進行控制時 的疋於料處理時,錢敷材之最高料溫度為㈣〜㈣ c,較佳為280〜320〇C,栋矣c a 吏表面^層熔融後進行冷卻直至 凝固為止之時間為〇.5〜5秒’較佳為G.5〜2秒,且使溶焊 200925319 處理之總時間為30秒以内,較佳為5〜15秒。 表面Sn層熔融後進行冷卻直至凝固為止之時間,可藉 由下述方式得到,即,利用反射密度計(reflection densitometer)測量表面之光澤度,確認Sn之熔融後開始冷 卻,測量出鍍敷材之溫度低於Sn之熔點為止之時間。 熔焊處理之總時間可藉由下述方式得到,即,測量自 鍍敷材之溫度到$贼時開始直至到達嫁谭溫度後再次回 到5 0°C為止的時間。 [由Sn或Sn合金所構成之表面鍍敷層] 熔焊處理後之由Sn或Sn合金所構成之表面鍍敷層的 厚度為0.1〜1.5心’較佳為My 。若厚度未達〇」 V m,則於高溫環境下會顯著促進焊料潤濕性或接觸電阻之 劣化,若超過l.5#m,則插入力會顯著增大。為了於熔焊 f理後使表面鑛敷層之厚度處於上述制,可使料處理 刖之表面鍵敷層之厚度為〇 3〜J ,較佳為 m。若炼焊處理前之表面鍍敷層之厚度未達〇3”,則“ 成分會因熔焊處理而擴散於鍍Cu或Cu合金層而被消耗, 故於熔焊處理後將無法殘存所需之厚度的表面鍍敷層。 又右厚度超過1.7 “m,則即便於溶焊處理後亦將殘存超 過所需之厚度的表面鍍敷層。 作為「Sn或Sn合金」,除了單獨鍍Sn以外,例如可 列舉Sn-Ag合金、Sn_Bi合金、Sn Zn合金、Sn_pb合金之 類的鍵Sn合金。此等中,就鐘敷浴之安全性、控管之容易 性、能以較低之溫度進行熱處自等理由而t,尤佳為單獨 17 200925319 鐘s”鑛合金層,例如可藉由電鑛錫或無電鍵錫 之類的濕式鍵敷、或者是CVD或PVD之類的乾式鐘敷而 得。就生產性、成本之觀點而言,較佳為電鍵。 [實施例j 但此等實施例僅用以例 以下表示本發明之實施例 示,並不意圖限定本發明。 1·評價方法 各測試片之評價係以下述方式進行。 [鍍敷厚度] 溶焊處理前之鐘錄層之厚度,係利用榮光x射線膜厚 計(SII N_Technology股份有限公司製造,型號SEA5 i叫 來進行測量。鍵銅層之厚度,係於鍍鎳上進行鑛銅之狀態 下,藉由電解式膜厚計(電測股份有限公司製造,型號CT—3 ) 來進行測量。鍍錫層之厚度係藉由#光χ射㈣厚計(同 上)來進行測量。對於各鍍敷層,係β 5處之平均值作為 鍍敷層之厚度。 熔焊處理後之鍍鎳層之厚度,係以榮光χ射線膜厚計 (同上)來進行測量❶鍍銅層、鍍錫層之厚度係以電解式 膜厚計(同上)來進行測量》對於各鍍敷層,係以5處之 平均值作為锻敷層之厚度。又,藉由TEM(Transmissi〇n
Electron Microscope,穿透式電子顯微鏡)進行剖面觀察, 於寬度方向上將觀察視野分成9等分,將整個寬度視為9 而度量(^^…^…、…處之㈣擴散層 之厚度(計ίο點),將其平均值作為Cu_Sn擴散層之厚度。 200925319 [形成中間鑛敷層之Cu-S η合金之平均結晶粒徑] 利用日立製造之集束離子束加工觀察裝置FB_21〇〇對 各測試片進行加工,使鍍敷剖面露出之後,以日立製造之 掃描穿透電子顯微鏡(TEM) HD-2700 (加速電壓:2〇〇kv, 射束尺寸:0.2nm)對Cu-Sn合金之中間鍍敷層之剖面進行 觀察(倍率為27800倍,觀察視野為3ym)。對
Cu-Sn合金之各晶粒,度量在鍍敷厚度方向上所能劃出之最 ❹ 長的直線、及在與鍍敷厚度方向垂直之方向上所能劃出之 最長的直線之長度,根據兩者之平均值而計算出各個結晶 粒徑。以此方式計算出視野中所有Cu Sn合金之結晶粒徑, 以其平均值作為Cu-Sn合金之平均結晶粒徑。於圖i中例 示性地顯示對No·3觀察Cu-Sn合金之中間鍍敷層之剖面時 的TEM影像。 [貫通中間鍍敷層之Cu-Sn合金粒子之比例] 利用日立製造之集束離子束加工觀察裝置Fb_2 1〇〇對 〇 各測°式片進行加工’使鑛敷剖面露出之後,以日立製造之 掃描穿透電子顯微鏡(TEM ) HD-2700 (加速電壓:200kv, 射束尺寸.0.2nm)對Cu-Sn合金之中間鍍敷層之剖面進行 觀察(倍率為27800倍,觀察視野為} 3/zmxl 3/zm)。將 了鄰接之鍍敷層(鍍鎳層或鍍銅層與Sn層)兩方接觸之晶 ^作為貫通粒’對視野中之所有Cu-Sn合金之晶粒數量與 二中之貫通粒數量進行計數,算出貫通粒之比例。圖1例 丁 !·生地顯不對No3觀察Cu_Sn合金之中間鍍敷層之剖面時 EM影像。又,圖2,係添加鍍敷層界面及晶界於圖j, 200925319 並於各晶粒上標註有字母之圖。19個晶粒A〜s中,由於a、 C D、H、L、R及S此7個為貫通粒,故此時貫通粒之比 例為 7/19= 36.8% (約 35% )。 [鍍Cu-Sn合金層表面之平均粗輪度(Ra)] 對各測試片之表面Sn層進行化學性研磨而將其完全去 除後,利用二鷹光器製造之非接觸型三維形狀測量裝置 NH-3 ( He-Ne 雷射,波長:633nm,功率:i.8mw)對 Cu-Sn 合金層表面之粗糙度進行測量。 [焊接性] 對於各測試片以155°C進行16小時之大氣加熱後,測 量焊接性。使用Rhesca公司製造之可焊性測試儀(8〇1(1^ checker)SAT-5000,以弧面狀沾焊料測試法(menisc〇graph method)測量焊料满濕時間Τ2。試料尺寸:寬1〇11〇11><長 20mm,助熔劑:25%松香-甲醇溶液,焊料溫度:25〇。〇, 焊料組成:Sn-3.0Ag-0.5Cu (千住金屬製7〇5M) ’浸潰速 度.20mm/sec ’浸潰時間:1〇秒鐘,浸潰深度:2mm。 [接觸電阻] 對各測試片以155°C進行1000小時之大氣加熱後測量 接觸電阻。使用山崎精機公司製造之電氣接點模擬器 CRS-1,以四端子法進行測量。探針:金探針,接觸負荷: 50g ’滑動速度:lmm/min ’滑動距離:lmm。 [插入力] 將各測試片壓製加工成09〇型插入式端子(male terminal)(寬:2.3mm,厚:〇.64mm)之形狀後,使用 Aik〇h 20 200925319
Engineering製造之桌上負荷測量器13 1 〇NR,測量與接口式 端子(female terminal)嵌合時之負荷,接口式端子:住友電 裝製造之090型SMTS端子’插入速度:5〇mm/min,插入 距離:5mm/min。 2.測試片之製作 準備丨7片具有Zn:30質量%—剩餘部分為Cu及不可 避免之雜質之組成的銅合金條(板厚〇32〇1111><寬3〇mmx| 100mm),然後對各銅合金條,按以下程序實施鍍敷。 (程序丨)於鹼性水溶液中使試料成為陰極,進行電解 脫脂。 (程序2)使用10質量%硫酸水溶液進行酸洗。 (程序3)使用含有硫酸錄25〇g/L、氣化錄、蝴 酸4〇g/L之鑛錄浴,以溫度55t、電流密度4 —之條 件實施鑛鎳。鑛鎳層之厚度,係藉由電链時間來進行調整。 此時之各測試片之鍍鎳層的厚度示於表i。 〇 (程序4)使用含有硫酸銅20嗔、硫酸6〇g/L之錢銅 ^以溫度抓、電流密u3A/dm2之條件實施鍍銅。錄 T層之厚度,係藉由電鍍時間來進行調整。㈣之各 片之鍍銅層的厚度示於表i。 J程序5)使用含有—氧化錫4〇g/L、苯盼續酸卿L、 之條=劑5g/I^ H以溫度价、電流密度4.〇A/dm2 調輕*々, 厚度’係藉由電鍍時間來進行 調整。此時之各測試片之鑛錫層的厚度示於表卜 行 (程序6)以表1所記裁之條件進行溶焊處理。熔焊處 21 200925319 理後之各測試片的鍍敷厚度亦示於表上 [表1]
No. 熔焊前鍍敷厚度 (βτη) 溶焊之條件 材料之 最高溫度 (°C) ο φ
Ni Cu Sn 自炫融至凝 固為止之時 間(秒)
3.結果
loloj 之間/ 年時秒 10 60 10 ο 1010 ο
對於按以上程序所得之 價之結果示於表2。 I㈣將對各特性進行評 22 200925319 [表2] Ο
❹
No·1〜Ν〇·5除了熔焊後之各層之鍍敷厚度,鍍Cu_Sn 合金層之粒徑、貫通粒及粗糙度亦全部在較佳範圍内,加 熱後亦呈現出良好之焊接性與接觸電阻,插拔性亦高。 N〇.6係鍍以如合金層表面之粗糙度較小之例。若將 ^ 進行比較,則此等之熔焊後之各鍍敷厚度近 似,鍍Cu-Sn合么a 龙滑之Βθ粒之粒徑及貫通粒之比例亦近似。 然而,No.2之你; 較小。 …η合金層表面之粗链度較大,插入力 Νο·7 係鍍 c . -Sn σ金層表面之粗糙度較高之例。因此, 23 200925319 加熱後之接觸電阻較高。 Νο.8係鑛Cu-Sn合金層 口贫屬之貫通粒之比例較高之例。若 將No.l與No.8進弁a 口, 仃比較’則此等之熔焊後之各鍍敷厚度近 似’鐘C U - S η合合思—曰
之Ba粒之粒徑及表面粗链度亦近似。 然而,No.8之貫通蚀ρ 0 A X Cu-Sn 0金層之晶粒的比例較大,加 熱後之接觸電阻較高。
No.9係鍍CU-Sn人冬思+ a t ❹ 〇金層之日日粒之平均粒徑較大之例。 右將 Ν〇 · 2 與 No · 9 祕*l αα 仃比較,則此等之熔焊後的各鍍敷厚度 近似,貫通鍍Cu-Sn人厶恳今日& 〇金層之晶粒的比例亦近似。然而, 形成鍍Cu-Sn合金層 嘈之晶粒之大小與No.2相較之下,相當 大,故接觸電阻惡化。
No· 10係鐘dSn合金層之晶粒的平均粒徑更大之例。 ^將N。·1與N°.1G進行比較,則此等之熔焊後之各鍍敷厚 又近似貫通鑛CU-Sn合金層之晶粒的比例亦近似。, 形成鍍一金層之晶粒之大小與n〇 i相較之下‘:相 大,故接觸電阻惡化。
No.ll係料層之厚㈣小之例,n。係鍵 度過大之例,N〇.l3_Cu_Sn合金層之厚度過小之例厚
No.U係鍍錫層之厚度過小之例*心 顯著較低。 4之耐熱性均 Νο·15係鍵錫層之厘庙 層之厚度過大之例。插入力顯著 性低Νο.16係僅進行。基底鑛敷與&表面鍍敷之例。耐熱 Νο·17係僅進行Ni基底鑛敷與sn表面鑛敷之例。焊接 24 200925319 性及财熱性均低。 【圖式簡單說明】 圖1,係對Νο·3之測試片進行FIB ( focused ion beam, 聚焦離子束)加工,並觀察露出之鍍敷剖面之TEM像。 圖2,係添加各鍍敷層界面及晶界於圖1之圖。 【主要元件符號說明】 1 母材 2 Ni層
3 Cu層 4 Cu-Sn合金層 5 Sn層
25
Claims (1)
- 200925319 十、申婧專利範面: !·一種鍍錫材,係於銅或銅合金之表面,依序形成有厚 度0.2〜1.5ym之由犯或Ni合金所構成之基底鑛敷層厚 度〇·1〜1.5以m之由Cu-Sn合金所構成之中間鍵敷層、及厚 度0·1〜之由sn或Sn合金所構成之表面鐘敷層,形 成該中間鍍敷層之Cu_Sn合金之平均結晶粒徑,於對該鍍 敷層之剖面進行觀察時,為〇.〇5"m以上、未達0.5#me ❹•如申研專利範圍第1項之鑛錫材’其中,形成該中間 鍍敷層之Cu-Sn合金之晶粒中,與鄰接於該鍍敷層之兩侧 之層同時接觸的晶粒之數量之比例為60%以下。 3·如申請專利範圍第1項之鍍錫材,其甲,該中間鍍敷 層表面之平均粗糙度Ra為0.1〜〇.5 申凊專利範圍第2項之鍍錫材,其中,該中間鑛敷 層表面之平均粗糙度“為〇 1〜〇 5//m。 5. 如申請專利範圍第…項中任一項之鍵錫材,其 中二於該基底鍍敷層與該中間鑛敷層之間,以。一以下 之厚度形成有呈層狀或島狀之鍍銅層。 6. —種锻錫材之制;ά JL. I 人 製造方去,係包括以下步驟:於銅或銅 口金之表面,依序形成厚度 層、厚度。.。5〜。心:::Μ…鍍合金 又Cu或Cu合金層、及厚度〇3 之鍍以或Sn合金 敷材之最高到達溫度為25〇 c ,及接著’進行使鍵 行冷卻直至凝固為止之時門:广使表…炼融後進 總時間為30秒以内的轉為〇.5〜5秒、且使溶焊處理之 J各焊處理之步驟。 26
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007284016A JP5319101B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 電子部品用Snめっき材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200925319A true TW200925319A (en) | 2009-06-16 |
Family
ID=40591091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097141946A TW200925319A (en) | 2007-10-31 | 2008-10-31 | Tin-plated material for electronic part |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100266863A1 (zh) |
EP (1) | EP2216426B1 (zh) |
JP (1) | JP5319101B2 (zh) |
KR (1) | KR101203438B1 (zh) |
CN (1) | CN101842523B (zh) |
TW (1) | TW200925319A (zh) |
WO (1) | WO2009057707A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI479052B (zh) * | 2012-03-30 | 2015-04-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Tin plating materials |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5384382B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-01-08 | 株式会社神戸製鋼所 | 耐熱性に優れるSnめっき付き銅又は銅合金及びその製造方法 |
CN102395713B (zh) * | 2009-04-14 | 2014-07-16 | 三菱伸铜株式会社 | 导电部件及其制造方法 |
JP5442385B2 (ja) * | 2009-10-07 | 2014-03-12 | 三菱伸銅株式会社 | 導電部材及びその製造方法 |
JP5621570B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-11-12 | 三菱マテリアル株式会社 | Snめっき付き導電材及びその製造方法 |
US20130004793A1 (en) * | 2011-03-23 | 2013-01-03 | Hiroshi Kuwagaki | Copper alloy for electronic material and method of manufacture for same |
JP5278630B1 (ja) * | 2012-01-26 | 2013-09-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 挿抜性に優れた錫めっき銅合金端子材及びその製造方法 |
JP5522300B1 (ja) * | 2012-07-02 | 2014-06-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 挿抜性に優れた錫めっき銅合金端子材及びその製造方法 |
TW201413068A (zh) * | 2012-07-02 | 2014-04-01 | Mitsubishi Materials Corp | 插拔性優良之鍍錫銅合金端子材料及其製造方法 |
JP6221695B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-11-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 挿抜性に優れた錫めっき銅合金端子材 |
US9748683B2 (en) * | 2013-03-29 | 2017-08-29 | Kobe Steel, Ltd. | Electroconductive material superior in resistance to fretting corrosion for connection component |
JP6466837B2 (ja) * | 2013-06-24 | 2019-02-06 | オリエンタル鍍金株式会社 | めっき材の製造方法及びめっき材 |
WO2015182786A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 古河電気工業株式会社 | 電気接点材、電気接点材の製造方法および端子 |
US20170283910A1 (en) * | 2014-08-25 | 2017-10-05 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Conductive material for connection parts which has excellent minute slide wear resistance |
CN104862749A (zh) * | 2015-05-13 | 2015-08-26 | 南京化工职业技术学院 | 耐高温电镀亮锡、电镀雾锡工艺方法 |
JP6601276B2 (ja) * | 2016-03-08 | 2019-11-06 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電気接点およびコネクタ端子対 |
JP6423025B2 (ja) * | 2017-01-17 | 2018-11-14 | 三菱伸銅株式会社 | 挿抜性に優れた錫めっき付銅端子材及びその製造方法 |
KR102509377B1 (ko) * | 2017-07-28 | 2023-03-10 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주석 도금이 형성된 구리 단자재 및 단자 그리고 전선 단말부 구조 |
JP7187162B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-12-12 | Dowaメタルテック株式会社 | Snめっき材およびその製造方法 |
CN111009759B (zh) * | 2019-12-23 | 2021-08-20 | 苏州威贝斯特电子科技有限公司 | 一种端子组合物及其插座连接器用制品 |
CN113106505A (zh) * | 2020-01-13 | 2021-07-13 | 深圳市业展电子有限公司 | 一种提高电阻体高温防氧化性能的表面处理工艺及其电阻体 |
CN111261317B (zh) * | 2020-04-09 | 2021-08-31 | 江东合金技术有限公司 | 一种特种电缆用高性能抗氧化铜导体材料的制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06196349A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Kobe Steel Ltd | タンタルコンデンサ用銅系リードフレーム材及びその製造方法 |
JP4489232B2 (ja) * | 1999-06-14 | 2010-06-23 | 日鉱金属株式会社 | コネクタ用めっき材料 |
US20050037229A1 (en) * | 2001-01-19 | 2005-02-17 | Hitoshi Tanaka | Plated material, method of producing same, and electrical / electronic part using same |
JP4514012B2 (ja) * | 2001-01-19 | 2010-07-28 | 古河電気工業株式会社 | めっき材料とその製造方法、それを用いた電気・電子部品 |
CN1318647C (zh) * | 2001-01-19 | 2007-05-30 | 古河电气工业株式会社 | 电镀材料及其制造方法、使用了该材料的电气电子部件 |
DE60211808T2 (de) * | 2001-07-31 | 2006-10-19 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.), Kobe | Plattierte Kupferlegierung und Verfahren zu ihre Herstellung |
JP3880877B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2007-02-14 | Dowaホールディングス株式会社 | めっきを施した銅または銅合金およびその製造方法 |
JP2005344188A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | めっき材料の製造方法、そのめっき材料を用いた電気・電子部品 |
JP5066531B2 (ja) * | 2005-12-30 | 2012-11-07 | アーケマ・インコーポレイテッド | 高速錫めっき方法 |
JP4653133B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2011-03-16 | 古河電気工業株式会社 | めっき材料および前記めっき材料が用いられた電気電子部品 |
-
2007
- 2007-10-31 JP JP2007284016A patent/JP5319101B2/ja active Active
-
2008
- 2008-10-30 KR KR1020107011814A patent/KR101203438B1/ko active IP Right Grant
- 2008-10-30 US US12/740,784 patent/US20100266863A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-30 CN CN2008801139419A patent/CN101842523B/zh active Active
- 2008-10-30 EP EP08845628.0A patent/EP2216426B1/en active Active
- 2008-10-30 WO PCT/JP2008/069787 patent/WO2009057707A1/ja active Application Filing
- 2008-10-31 TW TW097141946A patent/TW200925319A/zh unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI479052B (zh) * | 2012-03-30 | 2015-04-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Tin plating materials |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009108389A (ja) | 2009-05-21 |
WO2009057707A1 (ja) | 2009-05-07 |
EP2216426A1 (en) | 2010-08-11 |
JP5319101B2 (ja) | 2013-10-16 |
US20100266863A1 (en) | 2010-10-21 |
KR20100076053A (ko) | 2010-07-05 |
KR101203438B1 (ko) | 2012-11-21 |
CN101842523B (zh) | 2013-09-18 |
CN101842523A (zh) | 2010-09-22 |
EP2216426A4 (en) | 2015-11-25 |
EP2216426B1 (en) | 2018-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200925319A (en) | Tin-plated material for electronic part | |
JP6259437B2 (ja) | めっき積層体 | |
JP5025387B2 (ja) | 接続部品用導電材料及びその製造方法 | |
EP2620275B1 (en) | Tin-plated copper-alloy material for terminal and method for producing the same | |
JP5280957B2 (ja) | 導電部材及びその製造方法 | |
EP2743381B1 (en) | Tin-plated copper alloy terminal member with outstanding insertion and removal characteristics | |
JP4934785B2 (ja) | Snめっき銅合金材料およびその製造方法 | |
JP5355935B2 (ja) | 電気電子部品用金属材料 | |
WO2010084532A1 (ja) | 導電部材及びその製造方法 | |
JP2003293187A (ja) | めっきを施した銅または銅合金およびその製造方法 | |
EP2267187A1 (en) | Connecting component metal material and manufacturing method thereof | |
JP2009057630A (ja) | Snメッキ導電材料及びその製造方法並びに通電部品 | |
JP2010248616A (ja) | 耐熱性に優れるSnめっき付き銅又は銅合金及びその製造方法 | |
JP4368931B2 (ja) | オス端子及びその製造方法 | |
TW201413068A (zh) | 插拔性優良之鍍錫銅合金端子材料及其製造方法 | |
CN101426961B (zh) | 晶须得到抑制的Cu-Zn合金耐热镀Sn条 | |
EP3467152A1 (en) | Surface treatment material, production method thereof, and component formed using surface treatment material | |
JP5325734B2 (ja) | 導電部材及びその製造方法 | |
TW201834313A (zh) | 連接器用端子材及端子以及電線終端構造 | |
CN113166964A (zh) | 防腐蚀端子材及端子和电线末端部结构 | |
JP2009263785A (ja) | 接続部品用金属材料およびその製造方法 | |
JP2007002341A (ja) | 接続部品成形加工用導電材料板及びその製造方法 | |
JP2019123935A (ja) | めっき積層体の製造方法及びめっき積層体 | |
JP5897082B1 (ja) | 耐微摺動摩耗性に優れる接続部品用導電材料 | |
JP2011080117A (ja) | 導電部材及びその製造方法 |