CN101426961B

CN101426961B - 晶须得到抑制的Cu-Zn合金耐热镀Sn条

Info

Publication number: CN101426961B
Application number: CN2007800145225A
Authority: CN
Inventors: 波多野隆绍
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2006-04-26
Filing date: 2007-04-26
Publication date: 2011-02-23
Anticipated expiration: 2027-04-26
Also published as: KR20090006084A; JP2007291457A; CN101426961A; US20090092851A1; KR101058763B1; WO2007126010A1; JP4522970B2; US8524376B2

Abstract

本发明在以含有平均浓度15～40质量％的Zn的铜合金作为母材，从表面到母材，由Sn相、Sn-Cu合金相、Ni相各层构成镀膜的Sn镀条中，将该Sn相表面的Zn浓度调整为0.1～5.0质量％。母材可以进一步含有选自Sn、Ag、Pb、Fe、Ni、Mn、Si、Al和Ti中的任意成分总计0.005～3.0质量％。此外，母材可以为含有15～40质量％的Zn、8～20质量％的Ni、0～0.5质量％的Mn，其余部分由Cu和不可避免的杂质构成的铜基合金，可以进一步含有上述任意成分总计0.005～10质量％。从而提供晶须产生得到抑制的Cu-Zn合金的Cu/Ni两层底镀层软熔Sn镀条。

Description

晶须得到抑制的Cu-Zn合金耐热镀Sn条

技术领域

本发明涉及晶须的产生得到抑制的Cu-Zn合金耐热镀Sn条。

背景技术

Cu-Zn类合金由于与磷青铜、铍铜、科森合金等相比，虽然弹性差但是廉价，被广泛用作连接器、端子、继电器、开关等的电接点材料。代表性的Cu-Zn类合金是黄铜，JIS H3100中规定了C2600、C2680等合金。将Cu-Zn类合金用于电接点材料时，为了稳定得到低接触电阻，多实施镀Sn。Cu-Zn类合金的镀Sn条利用Sn的优异的焊料润湿性、耐腐蚀性、电连接性，大量用于车辆电装用配线的端子、印刷电路基板(PCB)的端子、民生用连接器接点等电气、电子元件中。

上述Cu-Zn类合金的镀Sn条通过下述步骤制造：在脱脂和酸洗后，通过电镀法形成底镀层，接着通过电镀法形成镀Sn层，最后实施软熔处理(リフロ一処理)使镀Sn层熔融。

Cu-Zn类合金的镀Sn中，通常在镀Sn之前镀底镀层。这是由于在不镀底镀层的情况下，进行软熔处理时，母材中的Zn在Sn镀层表面上形成Zn浓化层，焊料润湿性降低。即，镀底镀层是为了得到抑制母材的Zn向Sn镀层表面扩散的底层而进行的。

要求镀Sn的耐热性时，作为Cu-Zn类合金的底镀层，实施Cu/Ni两层底镀层。上述Cu/Ni两层底镀层指的是以Ni底镀层、Cu底镀层、Sn镀层的顺序进行电镀后实施软熔处理得到的镀层，软熔后的镀膜层的结构从表面开始为Sn相、Cu-Sn相、Ni相、母材。该技术的具体说明在专利文献1～3等中有公开。

已知若将镀Sn材放置于常温下，则Sn的单晶从Sn镀层表面生长。该Sn的单晶被称为晶须，有可能引起电子元件的短路。晶须由于电沉积时产生的镀Sn膜的内部应力而产生。因此，在软熔处理中使Sn熔融，除去涂膜的内部应力作为抑制晶须的产生的方法是有效的。Cu-Zn合金的Cu/Ni两层底镀层耐热镀Sn由于在其制造步骤中进行软熔，耐晶须性优异。

[专利文献1]日本特开平6-196349号公报

[专利文献2]日本特开2003-293187号公报

[专利文献3]日本特开2004-68026号公报

发明内容

但是，在端子等电接点部中，由于局部施加极大的内部应力，即使是被认为耐晶须性优异的软熔镀Sn条，也有可能产生微小的晶须。近年，由于连接器的多极化等，端子间的间隔变窄，即使是以往不成为问题的微小晶须也产生引起电路短路的可能性。结果即使对于被认为耐晶须性优异的Cu-Zn合金的Cu/Ni两层底镀层耐热镀Sn也要求进一步改善耐晶须性。

本发明的目的在于，提供晶须产生得到抑制的Cu-Zn合金的Cu/Ni两层底镀层软熔镀Sn条。

本发明人深入研究了抑制Cu-Zn合金的Cu/Ni两层底镀层软熔镀Sn条产生晶须的方案，发现若使Zn在Sn镀层表面浓化则晶须得到抑制。但是，如上所述，若Zn在Sn镀层表面浓化则焊料润湿性降低。因此，本发明人研究了兼具抑制晶须和优异的焊料润湿性的Zn浓化状态，并成功发现了该Zn浓化状态。同时，作为用于得到该适当的Zn浓化状态的制造条件，明确了母材表面的性状、Cu底镀层厚度、Ni底镀层厚度、Sn镀层厚度、软熔处理中的加热条件。

本发明是基于该发现提出的，如下所述。

(1)晶须产生得到抑制的Cu-Zn合金镀Sn条，其特征在于，以含有平均浓度为15～40质量％的Zn的铜合金作为母材，从表面到母材由Sn相、Sn-Cu合金相、Ni相的各层构成镀膜，该Sn相表面的Zn浓度为0.1～5.0质量％。

(2)(1)的Cu-Zn合金镀Sn条，其特征在于，以含有15～40质量％的Zn、其余部分由Cu和不可避免的杂质构成的铜基合金作为母材。

(3)(2)的Cu-Zn合金镀Sn条，其特征在于，母材进一步含有选自Sn、Ag、Pb、Fe、Ni、Mn、Si、Al和Ti中的至少一种元素总计0.005～10质量％。

(4)(1)的Cu-Zn合金镀Sn条，其特征在于，以含有15～40质量％的Zn、8～20质量％的Ni、0～0.5质量％的Mn、其余部分由Cu和不可避免的杂质构成的铜基合金作为母材。

(5)(4)的Cu-Zn合金镀Sn条，其特征在于，母材进一步含有选自Sn、Ag、Pb、Fe、Si、Al和Ti中的至少一种元素总计0.005～10质量％。

(6)晶须产生得到抑制的镀Sn条的制造方法，其特征在于，对于含有平均浓度为15～40质量％的Zn的铜合金依次进行以下的步骤：

a.通过表面研磨，将距离母材表面0.1μm的位置的Zn浓度调整为10～40质量％的步骤、

b.镀厚度0.1μm以上的Ni镀层后，镀厚度0.1μm以上的Cu镀层的步骤(其中，Ni镀层的厚度与Cu镀层的厚度总计为0.3～1.0μm)、

c.镀厚度0.3～1.0μm的Sn镀层的步骤以及

d.在以下三式规定的加热时间t(秒)和加热温度T(℃)下实施软熔处理的步骤，

5≤t≤23、

350≤T≤600以及

500≤(T+14t)≤670

而且，Cu-Zn类合金镀Sn有在对部件进行加压加工前进行的情况(前镀)和在进行加压加工后进行的情况(后镀)，在两种情况下都可得到本发明的效果。

发明效果

根据本发明，可以提供晶须产生得到抑制的Cu-Zn合金的Cu/Ni两层底镀层软熔镀Sn条。

附图说明

[图1]为表示本发明的软熔处理条件(温度和时间)的图。

[图2]为表示发明例3和比较例30的母材表面的Zn浓度的图。

[图3]为表示发明例8和比较例33的Sn镀层表面的Zn浓度的图。

具体实施方式

以下具体说明本发明。

(1)母材的成分

本发明以含有15～40质量％的Zn的铜合金为对象，对于Zn在该范围外的铜合金，未发现本发明的作用效果。

作为含有15～40质量％的Zn的铜合金，有黄铜。JIS-H3100中，规定了C2600、C2680、C2720等黄铜。作为表现出本发明的作用效果的合金，可以举出黄铜。

作为含有15～40质量％的Zn的黄铜以外的铜合金，有锌白铜。锌白铜除了Zn以外还含有Ni、少量的Mn。JIS-H3110和JIS-H3130中，规定了C7521、C7541、C7701等锌白铜。作为表现出本发明的作用效果的合金，还可以举出锌白铜。

进一步地，为了改善合金的强度、耐热性、耐应力松弛性等，本发明的不含有Ni和Mn的铜合金母材可以进一步含有选自Sn、Ag、Pb、Fe、Ni、Mn、Si、Al和Ti中的至少一种元素总计0.005～10质量％。此外，本发明的含有Ni和Mn的铜合金母材同样地，可以含有选自Sn、Ag、Pb、Fe、Si、Al和Ti中的至少一种元素总计0.005～10质量％。若在上述浓度范围内则可得到本发明的效果。另一方面，小于0.005质量％时，未表现出添加元素的效果，若超过10质量％则产生导电率或制造性的降低。优选为0.05～5质量％。

(2)镀层的结构

本发明的镀Sn的基本结构与以往的Cu/Ni两层底镀层软熔镀Sn同样，从表面到母材由Sn相、Sn-Cu合金相、Ni相各层构成。本发明的特征在于，使适当浓度的Zn在Sn相表面浓化。

若Sn镀层上负荷局部应力，则在镀层表面产生晶须。若在Sn镀层表面附近存在Zn，则该晶须得到抑制。推测这是由于通过Zn移动、凝聚在Sn镀层的局部应力高的部位，缓和应力。

Zn在Sn镀层表面的浓化通过在软熔处理中的加热中，母材中含有的Zn扩散来产生。Cu/Ni两层底镀层的情况下，若Sn镀层表面的Zn浓度为0.1质量％以上，则表现出抑制晶须产生的效果。本发明的“Sn相表面的Zn浓度”定义为在深度方向上距离Sn镀层表面0.01μm位置的Zn浓度。本发明的Sn镀层表面的Zn浓度可以通过GDS(辉光放电发光分析)进行分析。上述临界Zn浓度0.1质量％与含有20～40质量％的Zn的铜合金的Cu底镀层中确认的临界Zn浓度3质量％(日本特愿2004-358897号说明书)相比，相当低。

Cu/Ni两层底镀层软熔镀Sn由于其优异的耐热性，多在高温环境下使用。因此，不仅在软熔完成的状态下表现出优异的焊料润湿性，而且要求即使在软熔后长时间保持在高温环境下、焊料润湿性也不会变差(以下称为耐热焊料润湿性)。若Sn镀层表面的Zn浓度超过5.0质量％，则耐热焊料润湿性变差。

因此，使Sn镀层表面的Zn浓度为0.1～5.0质量％。更优选的Sn镀层表面的Zn浓度为0.3～3.0质量％，可更稳定地得到晶须抑制效果和优异的耐热焊料润湿性。

而且，本发明的效果由于若使Sn相表面的Zn浓化至上述范围则可以发挥，对软熔后的Sn相、Sn-Cu合金相、Ni相的厚度不特别限定。

(3)制造方法

上述镀层结构通过将镀层母材表面的Zn浓度、Ni底镀层的厚度、Cu底镀层的厚度、Sn镀层的厚度和软熔条件的5个方面调整到适当范围来得到。

a.镀层母材表面的Zn浓度

以Cu-Zn类合金为镀层母材进行镀Sn的材料中，通过加热镀层母材中的Zn向Sn镀层扩散。在后述的软熔条件下加热的情况下，若镀层母材表面的Zn浓度小于10质量％，则难以将Sn镀层表面的Zn浓度调整为0.1质量％以上，若母材表面的Zn浓度超过40质量％，则难以将Sn镀层表面的Zn浓度调整为5质量％以下。因此，将用作镀层母材的Cu-Zn合金的表面的Zn浓度调整为10～40质量％、优选15～30质量％。本发明的“母材表面的Zn浓度”定义为距离母材表面0.1μm位置的Zn浓度。母材表面的Zn浓度可以通过GDS分析。

作为镀层母材的Cu-Zn类合金，在根据需要对通过熔解、铸造制造的锭进行热压延后，重复冷压延和退火被加工成条。已知在Cu-Zn类合金的退火中产生脱Zn现象。脱Zn现象为在退火中将Cu-Zn类合金加热至高温时，Zn氧化而逃散到气相中，Cu-Zn类合金表面的Zn浓度降低的现象。因此，为了将Cu-Zn类合金表面的Zn浓度调整在上述范围，有必要除去退火中产生的脱Zn层。作为该除去方法，有使用旋转式研磨轮进行的机械研磨、使用腐蚀液进行的化学研磨等。

本发明中，将即将供于镀Sn之前的Cu-Zn类合金表面的Zn浓度调整在上述范围是重要的，对用于实现其的方法或工序顺序不特别限定。例如，连接器用Cu-Zn类合金大多在退火后实施了冷压延的调质状态下供于镀Sn，此时脱Zn层除去的研磨可以在冷压延前(刚退火后)进行，也可以在冷压延后(将要镀敷前)进行。

b.Ni底镀层厚度和Cu底镀层厚度

本发明的软熔后的镀层从表面侧开始由Sn相、Sn-Cu合金相、Ni相各层构成。Ni相抑制母材成分(Cu、Zn和合金元素)向Sn-Cu合金相中扩散。Sn-Cu合金相抑制Ni向Sn相中扩散。通过作为该扩散屏障的Ni相和Sn-Cu合金相的作用，Cu/Ni两层底镀材与Cu底镀材或Ni底镀材相比表现出优异的耐热性。

为了得到所需的耐热性，使电沉积时的Ni镀层的厚度为0.1μm以上。若Ni镀层小于0.1μm则不能抑制母材成分向Cu-Sn合金相中的扩散。此外，使电沉积时的Cu镀层的厚度为0.1μm以上。若Cu镀层小于0.1μm则不形成充分厚度的Sn-Cu合金相，不能抑制Ni向Sn中的扩散。电沉积时的Ni镀层或Cu镀层的厚度上限通过下述电沉积时的Cu镀层的厚度和电沉积时的Ni镀层的厚度的总计规定。

接着，为了将完成软熔的Sn镀层表面的Zn浓度调整为0.1～5.0质量％，将电沉积时的Cu镀层的厚度和电沉积时的Ni镀层的厚度的总计(以下称为总计厚度)规定为0.3～1.0μm。若总计厚度小于0.3μm，则在后述的软熔条件下加热时，母材的Zn过度地向Sn相扩散，Sn镀层表面的Zn浓度超过5.0质量％。若总计厚度超过1.0μm，则在后述的软熔条件下加热时，母材中的Zn未充分扩散到Sn相中，Sn镀层表面的Zn浓度小于0.1质量％。

更优选的厚度为：Cu镀层厚度为0.2μm以上、Ni镀层为0.2μm以上、总计厚度为0.4～0.7μm，若在该范围内则可更稳定地得到所需的耐热性和Sn镀层表面的Zn浓度。

c.Sn镀层厚度

Sn镀层厚度小于0.3μm时，在后述软熔条件下加热的情况下，Sn镀层表面的Zn浓度超过5.0质量％。若Sn镀层厚度超过1.0μm，则在后述的软熔条件下加热的情况下，Sn镀层表面的Zn浓度小于0.1质量％。因此，Sn镀层的厚度为0.3～1.0μm。更优选的Sn镀层厚度为0.6～0.8μm。

d.软熔条件

使Sn镀层表面的Zn浓度在本发明的范围的软熔条件如下所示。加热时间小于5秒时，Zn向Sn镀层的扩散不充分，Sn镀层表面的Zn浓度小于0.1质量％。若加热时间超过23秒则由于Zn扩散显著，Sn镀层表面的Zn浓度超过5.0质量％。因此，软熔处理中的加热时间为5～23秒(5≤t≤23，其中t表示加热时间，单位为秒)。优选加热时间为5～15秒。

此外，加热温度小于350℃时，Zn从母材向Sn镀层的扩散不充分，Sn镀层表面的Zn浓度小于0.1质量％。若加热温度超过600℃则由于Zn扩散显著，不仅Sn镀层表面的Zn浓度超过5.0质量％，而且镀层母材重结晶而软化，所以作为连接器等用途得不到必要的机械强度。因此，软熔处理中的加热温度为350～600℃。(350≤T≤600，其中，T表示加热温度，单位为℃)。优选加热温度为400～550℃。

进一步地，Zn向Sn镀层的扩散通过温度和时间两因素的关系决定。其中，用下式规定该关系。

500≤(T+14t)≤670

若(T+14t)小于500则Sn镀层表面的Zn浓度小于0.1质量％，产生晶须。另一方面若超过670，则Sn镀层表面的Zn浓度超过5.0质量％，耐热焊料润湿性变差。(T+14t)优选为550～650。

在表示本发明的软熔处理条件(温度和时间)的图1中，软熔处理条件用斜线的范围表示。其中，T表示加热温度(℃)、t表示加热时间(秒)。

作为母材表面的GDS分析数据的一例，图2为后述的发明例3和比较例30中使用的母材表面的GDS图。评价点为距离表面0.1μm的深度。分析条件如下所述。

-样品的前处理：在丙酮中超声波脱脂。

-装置：JOBIN YBON公司制JY5000RF-PSS型

-所用程序(Current Method Program)：CNBinteel-12aa-O。

-模式：恒压功率(constant Electric Power)＝40W。

-氩气压力(Ar-Pressure)：775Pa。

-电流值：40mA(700V)。

-冲洗时间(Flush Time)：20sec。

-预放电时间(Preburn Time)：2sec。

-测定时间：分析时间＝30sec、采样时间＝0.020sec/point。

[实施例]

使用表1所示的Cu-Zn类合金(厚度0.2mm)作为样品。表1中作为母材的组成，示出了母材的平均Zn浓度。此外，作为母材表面的Zn浓度，示出了用GDS(辉光放电发光分光分析装置)分析的在深度方向上距离表面0.1μm的位置的Zn浓度(质量％)。

表面Zn浓度通过退火条件和研磨条件调整。表2表示表1的比较例30、发明例1、2、3、23和比较例31的制造条件。对于厚度0.25mm的Cu-Zn合金母材在各种条件下进行重结晶退火后，使用20质量％H2SO₄-1质量％H₂O₂水溶液对表面进行化学研磨，然后冷压延至0.2mm。表2中的“平均(a)”表示母材的Zn平均浓度、“表面(b)”表示距离母材的表面0.1μm的位置的Zn浓度。由表2可知：

(1)在燃烧气体中(弱氧化性氛围气)中退火时，若提高CO浓度、降低O₂浓度，则表面Zn浓度增大。此外，若增加研磨量则表面Zn浓度增大。

(2)低温长时间退火得到的表面Zn浓度比高温短时间退火得到的表面Zn浓度高。

(3)若在调整为低露点的氢气中(强还原性氛围气)中退火则由于不产生Zn的氧化(向气相中逃散)，表面Zn浓度增大。

对表1的各样品按下述步骤进行镀敷。

(步骤1)在碱水溶液中以样品为阴极在下述条件下进行电解脱脂。

电流密度：3A/dm²。脱脂剂：ユケン工业(株)制商标“パクナP105”。脱脂剂浓度：40g/L。温度：50℃。时间30秒。电流密度：3A/dm²。

(步骤2)使用10质量％硫酸水溶液进行酸洗。

(步骤3)在下述条件下实施Ni底镀层。

镀浴组成：硫酸镍250g/L、氯化镍45g/L、硼酸30g/L。

镀浴温度：50℃。

电流密度：5A/dm²。

Ni镀层厚度通过电沉积时间调整。

(步骤4)在下述条件下实施Cu底镀层。

镀浴组成：硫酸铜200g/L、硫酸60g/L。

镀浴温度：25℃。

电流密度：5A/dm²。

Cu镀层厚度通过电沉积时间调整。

(步骤5)在下述条件下实施镀Sn。

镀浴组成：氧化亚锡41g/L、苯酚磺酸268g/L、表面活性剂5g/L。

镀浴温度：50℃。

电流密度：9A/dm²。

Sn镀层厚度通过电沉积时间调整。

(步骤6)作为软熔处理，在将氛围气调整成氮气(氧气1vol％以下)的加热炉中插入样品并进行加热，加热后水冷。加热炉的温度(软熔温度)和在加热炉中的插入时间(软熔时间)如表1所示。

对于软熔后的各样品，使用GDS在上述条件下对Sn镀层表面的Zn浓度进行分析。作为Sn镀层表面的GDS分析数据的一例，图3所示为发明例8和比较例33的图。以距离镀层表面深度为0.01μm作为评价点，由图读取该位置的Zn浓度并记于表1中。

对于各样品，用下述方法对晶须的长度和焊料润湿性进行评价。

(1)晶须长度

在将直径为0.7mm的球状压头(不锈钢制)以150g的负荷载于样品表面上的状态下在室温下放置7天，在镀层表面的压头接点部产生晶须。用电子显微镜观察产生的晶须，各样品中，生长得最长的晶须的长度为10μm以下时评价为○，超过10μm时评价为×。

(2)耐热焊料润湿性

对于在高温下保持后的样品，评价与无铅焊料的润湿性。具体地说，将样品用丙酮脱脂后，在大气中于145℃下加热500小时。在加热后的样品上涂布25质量％松香-75质量％乙醇作为焊剂后，在260℃的Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu焊料浴中浸渍10秒。浸渍部的表面积为10mm×10mm，从焊料浴拉起后，测定附着焊料的部分的面积率。焊料的附着面积率为80％以上时评价为○，附着面积率小于80％时评价为×。

发明例和比较例的评价结果如表1所示。

[表1]

[表2]

本发明例1～29由于Sn镀层表面的Zn浓度都在本发明的范围内，晶须的长度为10μm以下，此外对于无铅焊料表现出优异的耐热焊料润湿性。

比较例30由于母材表面的Zn浓度小于10质量％，相对于母材组成和制造条件相同的发明例1～3，Sn镀层表面的Zn浓度低，小于0.1质量％，产生超过10μm的晶须。此外，比较例31由于母材表面的Zn浓度超过40质量％，相对于母材组成和制造条件相同的发明例23，Sn镀层表面的Zn浓度增大，超过5.0质量％，耐热焊料润湿性变差。

发明例4～9和比较例32～35中，对于同样组成的母材，改变Ni和Cu底镀层的厚度，其它制造条件相同。若Ni镀层和Cu镀层的总计厚度增大，发现Sn镀层表面的Zn浓度有降低的趋势。在Ni镀层和Cu镀层的总计厚度小于0.3μm的比较例32中，Sn镀层表面的Zn浓度超过5.0质量％，耐热焊料润湿性变差。此外，在总计厚度超过1.0μm的比较例33中，Sn镀层表面的Zn浓度小于0.1质量％，产生超过10μm的晶须。比较例34和35由于Ni和Cu分别小于0.1μm，失去Cu/Ni两层底镀层软熔镀Sn的特征的优异的耐热性，耐热焊料润湿性变差。即，比较例34由于Ni镀层厚度为0.05μm，实质上未形成构成本申请发明的镀Sn条的、具有抑制母材成分向Sn-Cu合金相中扩散的效果的Ni相的层。此外，比较例35由于Cu镀层厚度为0.05μm，实质上未形成构成本申请发明的镀Sn条的，具有抑制Ni向Sn中扩散的效果的Sn-Cu合金相的层。

发明例10～16和比较例36～37中，对于同样组成的母材，改变Sn镀层的厚度，其它制造条件相同。若Sn镀层厚度增大，发现Sn镀层表面的Zn浓度有降低的趋势。在Sn镀层厚度小于0.3μm的比较例36中，Sn镀层表面的Zn浓度超过5.0质量％，耐热焊料润湿性变差。此外，在Sn镀层厚度超过1.0μm的比较例37中，Sn镀层表面的Zn浓度小于0.1质量％，产生超过10μm的晶须。

发明例17～22和比较例38～43中，对于同样组成的母材，改变软熔条件，其它的制造条件相同。在(T+14t)超过670的比较例38～40中，Sn镀层表面的Zn浓度超过5.0质量％，耐热焊料润湿性变差。在(T+14t)小于500的比较例41中，Sn镀层表面的Zn浓度小于0.1质量％，产生超过10μm的晶须。在时间短于5秒的比较例42和温度低于350℃的比较例43中，Sn镀层表面的Zn浓度小于0.1质量％，产生超过10μm的晶须。

Claims

1.晶须产生得到抑制的Cu-Zn合金镀Sn条，其特征在于，以含有平均浓度为15～40质量％的Zn的铜合金作为母材，从表面到母材由Sn相、Sn-Cu合金相、Ni相各层构成镀膜，在深度方向上距离Sn镀层表面0.01μm位置的Zn浓度为0.1～5.0质量％。

2.如权利要求1所述的Cu-Zn合金镀Sn条，其特征在于，以含有15～40质量％的Zn、其余部分由Cu和不可避免的杂质构成的铜基合金作为母材。

3.如权利要求2所述的Cu-Zn合金镀Sn条，其特征在于，母材进一步含有选自Sn、Ag、Pb、Fe、Ni、Mn、Si、Al和Ti中的至少一种元素总计0.005～10质量％。

4.如权利要求1所述的Cu-Zn合金镀Sn条，其特征在于，以含有15～40质量％的Zn、8～20质量％的Ni、0～0.5质量％的Mn，其余部分由Cu和不可避免的杂质构成的铜基合金作为母材。

5.如权利要求4所述的Cu-Zn合金镀Sn条，其特征在于，母材进一步含有选自Sn、Ag、Pb、Fe、Si、Al和Ti中的至少一种元素总计0.005～10质量％。

6.晶须产生得到抑制的镀Sn条的制造方法，其特征在于，对于含有平均浓度为15～40质量％的Zn的铜合金依次进行以下的步骤：

a.通过表面研磨，将距离母材表面0.1μm的位置的Zn浓度调整为10～40质量％的步骤，

b.镀厚度0.1μm以上的Ni镀层后，镀厚度0.1μm以上的Cu镀层的步骤，其中，Ni镀层的厚度与Cu镀层的厚度的总计为0.3～1.0μm，

c.镀厚度0.3～1.0μm的Sn镀层的步骤以及

d.在以下三式规定的加热时间t和加热温度T下实施软熔处理的步骤，其中，加热时间t的单位是秒，加热温度T的单位是℃，

5≤t≤23、

350≤T≤600以及

500≤(T+14t)≤670。