JP4319247B1 - 導電部材及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Cu系基材1の表面に、Ni系下地層2を介して、Cu−Sn金属間化合物層3、Sn系表面層4がこの順に形成されるとともに、Cu−Sn金属間化合物層3はさらに、Ni系下地層2の上に配置されるCu3Sn層5と、Cu3Sn層5の上に配置されるCu6Sn5層6とからなり、これらCu3Sn層5及びCu6Sn5合金層6を合わせたCu−Sn金属間化合物層3の凹部7の厚さXが0.05〜1.5μmとされ、かつ、Ni系下地層2に対するCu3Sn層5の面積被覆率が60%以上である。
【選択図】 図1
Description
そのような導電部材として、例えば特許文献1又は特許文献2記載のものがある。これら特許文献記載の導電部材は、Cu又はCu合金からなる基材の表面にNi、Cu、Snを順にめっきして3層のめっき層を形成した後に、加熱してリフロー処理することにより、最表面層にSn層が形成され、Ni層とSn層との間にCu−Sn金属間化合物層(例えばCu6Sn5)が形成された構成とされている。
一方、コネクタに用いる場合には、回路の高密度化に伴いコネクタも多極化し、自動車配線の組み立て時の挿入力が大きくなってきているため、挿抜力を小さくすることができる導電部材が求められている。
そして、このように所定の厚さのCu−Sn金属間化合物層がSn系表面層の下層に配置されることにより、柔軟なSnの下地を硬くして、多極コネクタなどで使用したときの挿抜力の低減及びそのバラツキの抑制を図ることができる。
この平均厚さは、Cu3Sn層の部分で、その厚さを複数個所測定したときの平均値である。
高電流密度でのCuめっきは粒界密度を増加させ、均一な合金層形成を助けると同時に被覆率の高いCu3Sn層を形成することが可能となる。
Cuめっきの電流密度を20〜60A/dm2としたのは、電流密度が20A/dm2未満ではCuめっき結晶の反応活性が乏しいため、合金化する際に平滑な金属間化合物を形成する効果が乏しく、一方、電流密度が60A/dm2を超えると、Cuめっき層の平滑性が低くなるため、平滑なCu−Sn金属間化合物層を形成することができないからである。
また、Snめっきの電流密度を10〜30A/dm2としたのは、電流密度が10A/dm2未満ではSnの粒界密度が低くなって、合金化する際に平滑なCu−Sn金属間化合物層を形成する効果が乏しく、一方、電流密度が30A/dm2を超えると、電流効率が著しく低下するため望ましくないからである。
従来技術よりも高電流密度でCu又はCu合金とSn又はSn合金のめっき処理を行い、なおかつ、めっき後、速やかにリフロー処理を行うことにより、リフロー時にCuとSnが活発に反応し、Cu3Sn層によりNi系下地層を多く被覆し、均一なCu6Sn5層が生成される。
また、加熱工程でのピーク温度が240℃未満であると、Snが均一に溶融せず、ピーク温度が300℃を超えると、金属間化合物が急激に成長しCu−Sn金属間化合物層の凹凸が大きくなるので好ましくない。
さらに、冷却工程においては、冷却速度の小さい一次冷却工程を設けることにより、Cu原子がSn粒内に穏やかに拡散し、所望の金属間化合物構造で成長する。この一次冷却工程の冷却速度が30℃/秒を超えると、急激に冷却される影響で金属間化合物は滑らかな形状に成長することができず、凹凸が大きくなる。冷却時間が2秒未満であっても同様に金属間化合物は滑らかな形状に成長することができない。冷却時間が10秒を超えると、Cu6Sn5層の成長が過度に進み、Cu3Sn層の被覆率が低下する。この一次冷却工程は空冷が適切である。
そして、この一次冷却工程の後、二次冷却工程によって急冷して金属間化合物層の成長を所望の構造で完了させる。この二次冷却工程の冷却速度が100℃/秒未満であると、金属間化合物がより進行し、所望の金属間化合物形状を得ることができない。
このようにめっきの電析条件とリフロー条件を緻密に制御することによって、二層構造で凹凸が少なくCu3Sn層による被覆率の高いCu−Sn金属間化合物層を得ることができる。
この実施形態の導電部材10は、例えば自動車の車載用コネクタの端子に用いられるものであり、図1に示すように、Cu系基材1の表面に、Ni系下地層2を介して、Cu−Sn金属間化合物層3、Sn系表面層4がこの順に形成されるとともに、Cu−Sn金属間化合物層3はさらに、Cu3Sn層5とCu6Sn5層6とから構成されている。
Cu系基材1は、Cu又はCu合金から構成された例えば板状のものである。Cu合金としては、その材質は必ずしも限定されないが、Cu−Zn系合金、Cu−Ni−Si系(コルソン系)合金、Cu−Cr−Zr系合金、Cu−Mg−P系合金、Cu−Fe−P系合金、Cu−Sn−P系合金が好適であり、例えば、三菱伸銅株式会社製MSP1,MZC1,MAX251C,MAX375,MAX126が好適に用いられる。
Ni系下地層2は、Ni又はNi合金を電解めっきして形成されたものであり、Cu系基材1の表面に、例えば0.1〜0.5μmの厚さに形成される。このNi系下地層2が0.1μm未満と少ないと、Cu系基材1のCuの拡散防止機能が十分でなく、また、0.5μmを超えると、歪みが大きくなって剥離し易いとともに、曲げ加工時に割れが生じ易くなる。
この凹部7の厚さXが0.05μm未満では、高温時に凹部7からSnがNi系下地層2へと拡散し、Ni系下地層2に欠損が発生するおそれがある。表面層4を形成しているSnは、端子の接触抵抗を低く維持するものであるが、Ni系下地層2に欠損が生じると、Cu系基材1のCuが拡散してCu−Sn合金層3が成長し、そのCu6Sn5層6が導電部材10の表面まで達し、これにより、表面にCu酸化物が形成され、接触抵抗を増大させることになる。また、このとき、Ni系下地層2の欠損部からのCuの拡散により、これらの界面にカーケンダルボイドも発生し易い。したがって、凹部7の厚さXは最低0.05μm必要であり、より好ましくは0.1μmあるとよい。
一方、凹部7におけるCu3Sn層5とCu6Sn5合金層6とを合わせた厚さXが1.5μmを超えると、Cu−Sn金属間化合物層3がもろくなり、曲げ加工時にめっき皮膜の剥離が発生しやすくなる。
この凹部7に対する凸部8の比率は、例えば、凹部7の厚さXが0.3μmで、凸部8の厚さYが0.5μmであると、その比率(Y/X)は、1.67である。この場合、Cu3Sn層5とCu6Sn5層6とを合わせたCu−Sn金属間化合物層3の厚さは、最大で2μmとするのが望ましい。
Ni系下地層2の少なくとも60%以上がCu3Sn層5によって被覆されていることにより、高温時の接触抵抗の増大やカーケンダルボイドの発生を防止することができる。より望ましくは80%以上が被覆されているとよい。
この面積被覆率は、皮膜を集束イオンビーム(FIB;Focused Ion Beam)により断面加工し、走査イオン顕微鏡(SIM;Scanning Ion Microscope)で観察した表面の走査イオン像(SIM像)から確認することができる。
このNi系下地層2に対する面積被覆率が60%以上ということは、面積被覆率が100%満たない場合に、Ni系下地層2の表面には局部的にCu3Sn層5が存在しない部分が生じることになるが、その場合でも、Cu−Sn金属間化合物層3の凹部7におけるCu3Sn層5とCu6Sn5層6とを合わせた厚さが0.05〜1.5μmとされているので、Cu6Sn5層6が0.05〜1.5μmの厚さでNi系下地層2を覆っていることになる。
なお、このCu−Sn金属間化合物層3は、Ni系下地層2の上にめっきしたCuと表面のSnとが拡散することにより合金化したものであるから、リフロー処理等の条件によっては下地となったCuめっき層の全部が拡散してCu−Sn金属間化合物層3となる場合もあるが、そのCuめっき層が残る場合もある。このCuめっき層が残る場合は、そのCuめっき層は例えば0.01〜0.1μmの厚さとされる。
まず、Cu系基材として、Cu又はCu合金の板材を用意し、これを脱脂、酸洗等によって表面を清浄にした後、Niめっき、Cuめっき、Snめっきをこの順序で順次行う。また、各めっき処理の間には、酸洗又は水洗処理を行う。
Niめっきの条件としては、めっき浴に、硫酸ニッケル(NiSO4)、ホウ酸(H3BO3)を主成分としたワット浴、スルファミン酸ニッケル(Ni(NH2SO3)2)とホウ酸(H3BO3)を主成分としたスルファミン酸浴等が用いられる。酸化反応を起こし易くする塩類として塩化ニッケル(NiCl2)などが加えられる場合もある。また、めっき温度は45〜55℃、電流密度は20〜50A/dm2とされる。
Cuめっきの条件としては、めっき浴に硫酸銅(CuSO4)及び硫酸(H2SO4)を主成分とした硫酸銅浴が用いられ、レベリングのために塩素イオン(Cl−)が添加される。めっき温度は35〜55℃、電流密度は20〜60A/dm2とされる。
Snめっきの条件としては、めっき浴に硫酸(H2SO4)と硫酸第一錫(SnSO4)を主成分とした硫酸浴が用いられ、めっき温度は15〜35℃、電流密度は10〜30A/dm2とされる。
これらの各めっき条件をまとめると、以下の表1〜表3に示す通りとなる。
すなわち、リフロー処理はCO還元性雰囲気にした加熱炉内でめっき後の処理材を20〜75℃/秒の昇温速度で240〜300℃のピーク温度まで2.9〜11秒間加熱する加熱工程と、そのピーク温度に達した後、30℃/秒以下の冷却速度で2〜10秒間冷却する一次冷却工程と、一次冷却後に100〜250℃/秒の冷却速度で0.5〜5秒間冷却する二次冷却工程とを有する処理とする。一次冷却工程は空冷により、二次冷却工程は10〜90℃の水を用いた水冷により行われる。
このリフロー処理を還元性雰囲気で行うことによりSnめっき表面に溶融温度の高いすず酸化物皮膜が生成するのを防ぎ、より低い温度かつより短い時間でリフロー処理を行うことが可能となり、所望の金属間化合物構造を作製することが容易となる。また、冷却工程を二段階とし、冷却速度の小さい一次冷却工程を設けることにより、Cu原子がSn粒内に穏やかに拡散し、所望の金属間化合物構造で成長する。そして、その後に急冷を行うことにより金属間化合物層の成長を止め、所望の構造で固定化することができる。
ところで、高電流密度で電析したCuとSnは安定性が低く室温においても合金化や結晶粒肥大化が発生し、リフロー処理で所望の金属間化合物構造を作ることが困難になる。このため、めっき処理後速やかにリフロー処理を行うことが望ましい。具体的には15分以内、望ましくは5分以内にリフローを行う必要がある。めっき後の放置時間が短いことは問題とならないが、通常の処理ラインでは構成上1分後程度となる。
Cu合金板(Cu系基材)として、厚さ0.25mmの三菱伸銅株式会社製MAX251C材を用い、これにNi、Cu、Snの各めっき処理を順次行った。この場合、表4に示すように、各めっき処理の電流密度を変えて複数の試料を作成した。各めっき層の目標厚さについては、Niめっき層の厚さは0.3μm、Cuめっき層の厚さは0.3μm、Snめっき層の厚さは1.5μmとした。また、これら三種類の各めっき工程間には、処理材表面からめっき液を洗い流すための水洗工程を入れた。
本実施例におけるめっき処理では、Cu合金板にめっき液を高速で噴きつけ、なおかつ酸化イリジウムを被覆したTi板の不溶性陽極を用いた。
上記の三種類のめっき処理を行った後、その処理材に対してリフロー処理を行った。このリフロー処理は、最後のSnめっき処理をしてから1分後に行い、加熱工程、一次冷却工程、二次冷却工程について種々の条件で行った。
以上の試験条件を表4にまとめた。
これらの試料のうち、本実施例について試料2、比較例について試料29の断面観察を行った結果を図3に示す。図3(a)が試料1、(b)が試料29の断面顕微鏡写真である。本実施例の試料1ではCu6Sn5層が成長しているものの、Sn系表面層がまだ残存している。一方、試料29の断面では、Ni系下地層が破損しSn系表面層がほとんど残存しておらず、Cu6Sn5層が表面まで達し、Cu酸化物が端子表面を覆っている。
接触抵抗は、試料を175℃×1000時間放置した後、山崎精機株式会社製電気接点シミュレーターを用い荷重0.49N(50gf)摺動有りの条件で測定した。
剥離試験は、9.8kNの荷重にて90°曲げ(曲率半径R:0.7mm)を行った後、大気中で160℃×250時間保持し、曲げ戻して、曲げ部の剥離状況の確認を行った。また、断面観察により、剥離の原因となるNi系下地層とその下のCu系基材界面におけるカーケンダルボイドの有無を確認した。
動摩擦係数については、嵌合型のコネクタのオス端子とメス端子の接点部を模擬するように、各試料によって板状のオス試験片と内径1.5mmの半球状としたメス試験片とを作成し、アイコーエンジニアリング株式会社製の横型荷重測定器(Model−2152NRE)を用い、両試験片間の摩擦力を測定して動摩擦係数を求めた。図4により説明すると、水平な台21上にオス試験片22を固定し、その上にメス試験片23の半球凸面を置いてめっき面どうしを接触させ、メス試験片23に錘24によって4.9N(500gf)の荷重Pをかけてオス試験片22を押さえた状態とする。この荷重Pをかけた状態で、オス試験片22を摺動速度80mm/分で矢印で示す水平方向に10mm引っ張ったときの摩擦力Fをロードセル25によって測定した。その摩擦力Fの平均値Favと荷重Pより動摩擦係数(=Fav/P)を求めた。
これらの結果を表5に示す。
この図5に示すように、本発明の試料6では高温時に長時間さらされても接触抵抗の上昇はわずかであるのに対して、従来技術の試料29の場合は、1000時間経過で接触抵抗が10mΩ以上にまで上昇した。前述したように、本発明の試料6では、Sn系表面層が残存した4層構造となっているのに対して、従来技術の試料29では、Ni系下地層が破損して、Cu酸化物が表面を覆ってしまったことにより、接触抵抗の上昇となったと考えられる。
なお、前述のTEM−EDS分析により、Cu6Sn5層内に0.76〜5.32重量%のNiの混入が認められており、本発明においては、Cu−Sn金属間化合物層内にわずかな量のNiが混入しているものも含むものとする。
2 Ni系下地層
3 Cu−Sn金属間化合物層
4 Sn系表面層
5 Cu3Sn層
6 Cu6Sn5層
7 凹部
8 凸部
10 導電部材
Claims (3)
- Cu系基材の表面に、Ni系下地層を介して、Cu−Sn金属間化合物層、Sn系表面層がこの順に形成されるとともに、Cu−Sn金属間化合物層はさらに、前記Ni系下地層の上に配置されるCu3Sn層と、該Cu3Sn層の上に配置されるCu6Sn5層とからなり、これらCu3Sn層及びCu6Sn5層を合わせた前記Cu−Sn金属間化合物層の前記Sn系表面層と接する面に凹凸を有しており、その凹部の厚さが0.05〜1.5μmとされ、かつ、前記Ni系下地層に対するCu3Sn層の面積被覆率が60%以上であり、
前記Cu−Sn金属間化合物層の前記凹部に対する凸部の厚さの比率が1.2〜5であり、
前記Cu 3 Sn層の平均厚さは0.01〜0.5μmであることを特徴とする導電部材。 - Cu系基材の表面に、Ni又はNi合金、Cu又はCu合金、Sn又はSn合金をこの順にめっきしてそれぞれのめっき層を形成した後、加熱してリフロー処理することにより、前記Cu系基材の上に、Ni系下地層、Cu−Sn金属間化合物層、Sn系表面層を順に形成した導電部材を製造する方法であって、
前記Ni又はNi合金によるめっき層を電流密度が20〜50A/dm 2 の電解めっきにより形成し、
前記Cu又はCu合金によるめっき層を電流密度が20〜60A/dm2の電解めっきにより形成し、前記Sn又はSn合金によるめっき層を電流密度が10〜30A/dm2の電解めっきにより形成し、前記リフロー処理は、前記めっき層を形成してから1〜15分経過した後に、めっき層を20〜75℃/秒の昇温速度で240〜300℃のピーク温度まで加熱する加熱工程と、前記ピーク温度に達した後、30℃/秒以下の冷却速度で2〜10秒間冷却する一次冷却工程と、一次冷却後に100〜250℃/秒の冷却速度で冷却する二次冷却工程とを有することを特徴とする導電部材の製造方法。 - 請求項2に記載の製造方法により製造された導電部材。
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