TW202100810A - 防蝕端子材及端子以及電線終端部構造 - Google Patents

防蝕端子材及端子以及電線終端部構造 Download PDF

Info

Publication number
TW202100810A
TW202100810A TW108148090A TW108148090A TW202100810A TW 202100810 A TW202100810 A TW 202100810A TW 108148090 A TW108148090 A TW 108148090A TW 108148090 A TW108148090 A TW 108148090A TW 202100810 A TW202100810 A TW 202100810A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
tin
zinc
copper
terminal
Prior art date
Application number
TW108148090A
Other languages
English (en)
Inventor
久保田賢治
玉川士
西村透
樽谷圭栄
中矢清
Original Assignee
日商三菱綜合材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商三菱綜合材料股份有限公司 filed Critical 日商三菱綜合材料股份有限公司
Publication of TW202100810A publication Critical patent/TW202100810A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/615—Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
    • C25D5/617—Crystalline layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C25D5/14—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/10—Sockets for co-operation with pins or blades
    • H01R13/11—Resilient sockets
    • H01R13/113—Resilient sockets co-operating with pins or blades having a rectangular transverse section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/10—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation effected solely by twisting, wrapping, bending, crimping, or other permanent deformation
    • H01R4/18—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation effected solely by twisting, wrapping, bending, crimping, or other permanent deformation by crimping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/10—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation effected solely by twisting, wrapping, bending, crimping, or other permanent deformation
    • H01R4/18—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation effected solely by twisting, wrapping, bending, crimping, or other permanent deformation by crimping
    • H01R4/183—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation effected solely by twisting, wrapping, bending, crimping, or other permanent deformation by crimping for cylindrical elongated bodies, e.g. cables having circular cross-section
    • H01R4/184—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation effected solely by twisting, wrapping, bending, crimping, or other permanent deformation by crimping for cylindrical elongated bodies, e.g. cables having circular cross-section comprising a U-shaped wire-receiving portion
    • H01R4/185—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation effected solely by twisting, wrapping, bending, crimping, or other permanent deformation by crimping for cylindrical elongated bodies, e.g. cables having circular cross-section comprising a U-shaped wire-receiving portion combined with a U-shaped insulation-receiving portion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/58—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation characterised by the form or material of the contacting members
    • H01R4/62—Connections between conductors of different materials; Connections between or with aluminium or steel-core aluminium conductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/22—Electroplating: Baths therefor from solutions of zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
    • C25D5/505—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment of electroplated tin coatings, e.g. by melting

Abstract

本發明提供防腐蝕效果高，皮膜的密接性優異的防蝕端子材。 至少表面由銅或銅合金構成的基材之至少一部分被形成第1皮膜，第1皮膜，在由銅錫合金構成的銅錫合金區域與由銅錫合金以外的錫或錫合金構成的錫區域混合存在之混在層之上，被形成鋅或鋅合金構成的鋅層；鋅層接於混在層之銅錫合金區域與錫區域雙方，在沿著厚度方向的剖面，接於銅錫合金區域的長度為R1(μm)，接於錫區域的長度為R2(μm)時，比率R1/R2為0.05以上2.5以下。

Description

防蝕端子材及端子以及電線終端部構造
本發明係關於防腐蝕效果高的防蝕端子材及端子以及電線終端部構造。
本發明根據2018年12月27日於日本提出申請之特願2018-244741號專利申請案主張優先權，於此處援用其內容。
從前，進行著把藉由壓接於導線的終端部之端子接續於設在其他機器的端子，使該導線接續在前述其他的機器。導線及端子，一般由導電性高的銅或銅合金形成，為了輕量化等原因也會使用鋁製或鋁合金製的導線。
例如，於專利文獻1，揭示著被形成鍍錫的銅(銅合金)構成的端子被壓接在由鋁或鋁合金構成的導線上，而被搭載於汽車等車輛之附端子電線。
以鋁或鋁合金形成導線，以銅或銅合金形成端子時，當水進入端子與導線之間時，會發生因不同金屬的電位差導致發生伽凡尼腐蝕使導線腐蝕，而有在壓接部產生電阻值上升或壓接力降低之虞。
為了防止伽凡尼腐蝕，例如在專利文獻1是在端子的基材層與錫層之間，形成對基材層具有犧牲防蝕作用之金屬(鋅或鋅合金)所構成的防蝕層。
在專利文獻2所示的連接器用電氣接點材料，具有由金屬材料構成的基材、形成在基材上的合金層、與形成在合金層的表面的導電性皮膜層。合金層，必須含有錫，進而包含從銅、鋅、鈷、鎳及鈀選擇出的1種以上添加元素。導電性皮膜層，揭示著含有Sn3 O2 (OH)2 (氫氧化氧化物)者。
作為於錫添加鋅之例，於專利文獻3揭示了鍍錫材。此鍍錫材，係在銅或銅合金的表面、依序具有鍍鎳底層、鍍錫-銅中間層及鍍錫表面層。於此鍍錫材，鍍鎳底層係由鎳或鎳合金構成，鍍錫-銅中間層係由至少在與鍍錫表面層相接之側形成錫-銅-鋅合金層之錫-銅系合金構成，鍍錫表面層係由含有鋅5～1000質量ppm的錫合金構成，進而在最表面具有鋅濃度超過0.2質量%至10質量%的高濃度鋅層。
在專利文獻4，於銅或銅合金構成的基材表面被形成含錫層的鍍錫材，含錫層由銅-錫合金層及被形成於此銅-錫合金層表面的厚度5μm以下的錫構成的錫層所構成，含錫層的表面被形成鍍鎳層，於此鍍鎳層的表面作為最表層被形成鍍鋅層。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:日本特開2013‐218866號公報 專利文獻2:日本特開2015‐133306號公報 專利文獻3:日本特開2008‐285729號公報 專利文獻4:日本特開2018‐90875號公報
[發明所欲解決之課題]
如專利文獻1那樣在於錫層之下底層設置由鋅或鋅合金構成的防蝕層之場合，會有在防蝕層上實施鍍錫處理時產生錫置換而使防蝕層與鍍錫層之密接性變差之問題。
如專利文獻2那樣設置包含Sn3 O2 (OH)2 (氫氧化氧化物)的導電性皮膜層之場合，在暴露於腐蝕環境或加熱環境時迅速地在導電性皮膜層發生缺損，而有持續性低之問題。
如專利文獻3那樣在錫-銅系合金層(鍍錫-銅中間層)上層積錫-鋅合金(鍍錫表面層)，在最表層具有高濃度鋅層者，問題在於鍍錫-鋅合金的生產性差、錫-銅系合金層的銅露出表層的場合對鋁製導線的防蝕效果會消失。
如專利文獻4那樣使用在銅-錫合金層與錫層被層積之鍍錫材上層積鍍鋅層的材料之端子，錫層與鍍鋅膜之密接性非常差，所以即使有鍍鎳層中介，密接性仍然很差。
本發明係有鑑於前述課題而作成，其目的在於提供防腐蝕效果高，皮膜的密接性優異的防蝕端子材及端子以及電線終端部構造。 [供解決課題之手段]
本發明之防蝕端子材，係具備至少表面由銅或銅合金構成的基材，及設於前述基材之至少一部分的第1皮膜之防蝕端子材，前述第1皮膜，具有由銅錫合金構成的銅錫合金區域與由銅錫合金以外的錫或錫合金構成的錫區域混合存在之混在層，以及設於前述混在層上之鋅或鋅合金構成的鋅層；前述鋅層接於前述混在層之前述銅錫合金區域與前述錫區域雙方，在沿著厚度方向的剖面，接於前述銅錫合金區域的長度為R1(μm)，接於前述錫區域的長度為R2(μm)的話，比率R1/R2為0.05以上2.5以下。
此防蝕端子材，因為在混在層混合存在銅錫合金區域，所以設於其上的鋅層，不僅接觸錫區域，也接觸於與鋅層具有良好密接性的銅錫合金區域而提高密接性。在此場合，比率R1/R2未滿0.05的話，接於銅錫合金區域的長度太少而損及密接性，比率R1/R2超過2.5的話，彎曲加工時會發生破裂反而有損於密接性。
在將此端子材成形為端子而連接電線的鋁線材的場合，成形為端子時的電線的心線接觸的部分被配置第1皮膜的話，由於鋅層而使腐蝕電位接近於鋁，所以可抑制在與鋁線材接觸的場合下異種金屬接觸腐蝕的發生。
此防蝕端子材之一實施態樣，係於前述第1皮膜，在前述混在層與前述鋅層之間，進而具備由鎳或鎳合金所構成的接著層。接著層對於混在層(錫區域及銅錫合金區域)以及鋅層之密接性為良好，所以可防止鋅層與混在層之間的剝離而提高密接性。
此防蝕端子材之又一實施態樣，係進而具有由前述接著層進入前述錫區域之NiSn4 所構成的金屬間化合物。
NiSn4 所構成的金屬間化合物由接著層進入錫區域，所以接著層與混在層之密接性變得更為良好。亦即，即使伴隨著往端子之嚴酷加工的場合也可以防止層間剝離提高密接性。
此防蝕端子材之又一實施態樣，係前述銅錫合金區域，含有鎳1at%(原子百分比)以上50at%以下。銅錫合金含有鎳的話，銅錫合金區域與鋅層之密接性變得更為良好。其含量未滿1at%的話，缺乏密接性提高的效果，超過50at%的話，銅錫合金變得脆弱同時降低摩擦效果會減少。此外，銅錫合金區域在此範圍藉由含有鎳可以使銅錫合金區域與錫區域之界面成為急峻的凹凸形狀，於表面有硬質的銅錫合金與軟質的錫露出，所以對摩擦係數的減低也是有利的。
此防蝕端子材之又一實施態樣，係前述鋅層之單位面積的鋅附著量為0.07mg/cm2 以上2.0mg/cm2 以下。在此，所謂「單位面積的附著量」係指包含於鋅層的厚度×單位面積之量。
鋅層的鋅附著量未滿0.07mg/cm2 ，鋅量不充分而腐蝕電流值有變高的傾向，而超過2.0mg/cm2 的話，鋅量過多有接觸電阻變高的傾向。
此防蝕端子材之又一實施態樣，係前述第1皮膜，進而具有設於前述鋅層上的錫或錫合金構成的錫層。
錫層防止鋅層的腐蝕，所以可更為提高防蝕性能。此外，於錫層會通過結晶粒界發生鋅層的鋅擴散，所以錫層的腐蝕電位接近於鋁，可以有效地抑制在與鋁線材接觸之場合下異種金屬接觸腐蝕的發生。而且，即使因磨耗等造成錫層全部或一部分消失之場合，也能利用其下的鋅層抑制異種金屬接觸腐蝕的發生，且可抑制電阻值的升高或往鋁線材的壓接力的降低。
此防蝕端子材之另一實施態樣，係前述鋅層，作為添加元素含有鎳、鐵、錳、鉬、鈷、鎘、鉛之中任1種以上，單位面積之前述添加元素的附著量為0.01 mg/cm2 以上0.3mg/cm2 以下。
藉由使在鋅層含有前述添加元素成為鋅合金，可以進而提高鋅層自身的耐蝕性。作為添加元素含有鎳的鋅合金，提升鋅層的耐蝕性之效果高，所以特佳。
於鋅層之上被形成錫層的場合，由於鋅層為鋅合金，可以防止往錫層過剩的鋅擴散。接著，即使在暴露於腐蝕環境而錫層消失時，也能長時間繼續保持鋅層、防止腐蝕電流的增大。添加元素的附著量未滿0.01mg/cm2 的話抑制鋅往錫層的擴散的效果很貧乏，而超過0.3 mg/cm2 的話，於錫層鋅為不足而有腐蝕電流變高之虞。藉由使添加元素之附著量在此範圍內，適切量的鋅由鋅層往錫層擴散。
此防蝕端子材之另一實施態樣，係具備設於前述基材之未被形成前述第1皮膜的部分之第2皮膜，前述第2皮膜，具有設於前述基材上的前述混在層，於前述混在層的表面有前述銅錫合金區域與前述錫區域露出，前述銅錫合金區域的露出面積率為5%以上70%以下。
於第2皮膜的表面露出硬的銅錫合金區域，但藉由其周圍的軟的錫區域之潤滑作用，可以減低摩擦係數。在此場合，銅錫合金區域的露出面積率未滿5%的話摩擦係數減低效果很小，超過70%的話，錫區域的露出面積變少而有電氣連接特性降低之虞。
本發明之防蝕端子材，具有帶板狀的載體部，與在前述載體部的長度方向隔著間隔被連結於前述載體部的複數端子用構件。
接著，本發明之端子，係使前述防蝕端子材成形而成的端子。進而，本發明之電線終端部構造，其防蝕端子被壓接於鋁或鋁合金之鋁線材所構成的電線的終端。 [發明之功效]
根據本發明，鋅層與混在層之錫區域與銅錫合金區域雙方接觸著，所以密接性良好，此外，可以抑制作為端子與鋁線材接觸的場合之異種金屬接觸腐蝕的發生。
說明本發明之一實施形態之防蝕端子材1，端子10以及根據此端子10之電線終端部構造。
本實施形態的防蝕端子材1，如在圖2顯示全體那樣，係供成形複數個端子10(參照圖3)之用之被形成為帶板狀之帶狀材，在平行地延伸的一對帶狀載體部21之間，被成形作為端子10的複數個端子用構件22在載體部21的長邊方向隔著間隔被配置，各端子用構件22的兩端分別透過細幅的連結部23而被連結在兩載體部21。各端子用構件22被成形成例如圖3所示之類的形狀，且藉由自連結部23被切斷，完成作成端子10(參照圖4)。
該端子10(圖3之例為母端子)，從先端起，將嵌合公端子15(參照圖4)的連接部11、填塞電線12露出的心線(鋁線材)12a之心線壓接部13、填塞電線12的包覆部12b之包覆壓接部14依序並排、且一體形成。連接部11被形成角筒狀，且將連接在該先端的彈簧片11a以折入的方式插入內部(參照圖4)。
圖4係顯示在電線12填塞端子10之終端部構造。在該電線終端部構造，心線壓接部13的附近直接接觸電線12的心線12a。
在圖2所示的帶狀的防蝕端子材1，在成形成端子10時將形成連接部11並接觸到公端子15、成為接點的部分作為接點預定部25，在心線壓接部13附近將心線12a所接觸的部分的表面作為心線接觸預定部26。
接點預定部25，被形成在本實施形態的端子(母端子)10時，係與被形成角筒狀的連接部11的內面、及被折入該連接部11內的彈簧片11a成為對向面。如圖2所示，在展開連接部11的狀態，連接部11的兩側部的表面、彈簧片11a的背面為接點預定部25。
於公端子15所接觸的接點預定部25，被要求電阻小還有摩擦電阻小。於心線(鋁線材)12a所接觸的心線接觸預定部26，被要求電阻小，還有接近於心線12a的腐蝕電位，且可抑制異種金屬接觸腐蝕。
防蝕端子材1，如圖1模式地顯示剖面(相當於沿著圖2的A-A線之剖面)，在由銅或銅合金所構成的基材2上形成皮膜3。
皮膜3，係由鎳或鎳合金所構成的下底層4、及由銅錫合金與銅錫合金以外的錫或錫合金所構成的錫混合存在的混在層5於基材2上依序被形成，而且在心線接觸預定部26的表面，進而於混在層5上依序形成由鎳或鎳合金構成的接著層6、由鋅或鋅合金構成的鋅層7，再者，本實施形態中於鋅層7上形成由錫或錫合金構成的錫層8。此皮膜3之中，係以被形成在心線接觸預定部26的表面之皮膜為第1皮膜31、被形成在除心線接觸預定部26外的部分(包含接點預定部25)的表面之皮膜為第2皮膜32。
換句話說，此處所謂「皮膜3」，係總稱由被設在心線接觸預定部26的表面之第1皮膜31、以及被設在除心線接觸預定部26外的部分的表面之第2皮膜32。第2皮膜32，係具備於基材2上被形成的由鎳或鎳合金所構成的下底層4，以及於下底層4上被形成的由銅錫合金及銅錫合金以外的錫或錫合金所構成的錫混合存在的混在層5。第1皮膜31，係具備此第2皮膜32，還有於混在層5上被形成的由鎳或鎳合金所構成的接著層6，於接著層6上被形成的由鋅或鋅合金所構成的鋅層7，以及於鋅層7上被形成的由錫或錫合金所構成的錫層8。
換言之，第1皮膜31，係於基材2上依序被形成前述的下底層4、混在層5、接著層6、鋅層7、錫層8。第2皮膜32，在基材2之上依序被形成下底層4、混在層5。第1皮膜31，最好是以被成形作成端子10後的表面(端子用構件22的表面)的30%以上80%以下的面積率存在。以下，說明這些之詳細內容。
基材2，至少其表面是由銅或銅合金構成即可，其組成並未特別限定。可以使用由銅或銅合金構成的板材，但也可以是在由銅以外的金屬(例如不銹鋼)所構成的板材的表面施以由銅或銅合金構成的鍍銅層等的銅層。基材2可以是平板狀，將平板加工而得到的所示的帶狀(圖2)亦可。
下底層4，由鎳或鎳合金所構成，例如厚度為0.1μm以上5.0μm以下，鎳含有率為80質量%以上。該下底層4，係具有防止銅自基材2往鋅層7或錫層8擴散之功能，所以形成為較佳。此下底層4之鎳含有率設在90質量%以上更佳。
混在層5，係於下底層4上依序形成鍍銅層、鍍錫層，並藉由回流處理而得到之層，混合存在由Cu6 Sn5 或Cu3 Sn等的銅錫合金所構成的銅錫合金區域51、與由這些銅錫合金以外的錫或錫合金所構成的錫區域52，且於表面露出銅錫合金區域51及錫區域52雙方。又，未設置下底層4之場合，混在層5直接被具備於基材2上。
混在層5的平均厚度為0.1μm以上3.0μm以下佳。此場合，藉由利用回流處理而釋放鍍錫層的內部應變，形成均勻的混在層，因而不易發生錫單結晶。又，回流處理不充分而使混在層5的平均厚度變得太薄的話，鍍錫層的內部應變無法釋放，容易發生錫單結晶。另一方面，混在層5的平均厚度過厚的話，於加工時容易發生破裂。
構成混在層5的銅錫合金區域51，係含有1at%以上50at%以下的鎳。銅錫合金含有鎳的話，與鋅層7之密接性變得更為良好。鎳含量未滿1at%的話，缺乏密接性提高的效果，超過50at%的話，銅錫合金變得脆弱同時降低摩擦效果會減少。鎳含量為1at%以上50at%以下的話，銅錫合金區域51與錫區域52之界面可以形成急峻的凹凸形狀，亦即使具有急峻的凹凸形狀的硬質的銅錫合金區域51的表面成為軟質的錫區域52平坦平整化的狀態，有利於摩擦係數的減低。
混在層5之上具備的接著層6係由鎳或鎳合金構成的。此接著層6並非必要，但利用接著層6可以提高混在層5與鋅層7之密接性，特別是在腐蝕環境下的防止剝離效果優異。此外，接著層6，係作為防止高溫時的銅成分自基材2擴散之屏障功能，有助於耐熱性提高(防止因高溫造成的防蝕性劣化)。
混在層5中的錫區域52容易被氧化，所以容易產生妨礙電沉積且不易除去的氧化膜。為了於錫區域52上電沉積鎳，最好是藉由活性化錫區域52表面的使用衝擊電鍍鎳浴的電鍍來形成與錫密接性良好的鍍鎳層。
此接著層6的平均厚度為0.01μm以上1.0μm以下。接著層6的厚度未滿0.01μm，缺乏提高鋅層7的密接性之效果。即使該接著層6厚厚的並沒有特別的問題，但1.0μm就足以充分具有密接性提高的效果。此接著層6的最佳厚度為0.05μm以上0.3μm以下。
於混在層5的錫區域52，由NiSn4 所構成的金屬間化合物61被形成由接著層6進入的狀態(參照圖6)。此金屬間化合物61被形成鱗片狀或針狀、柱狀，自接著層6貫穿混在層5的界面，延伸至錫區域52內。藉由此金屬間化合物61將接著層6及混在層5連繫起來而被形成，錫區域52與接著層6之密接性也更為良好，於腐蝕環境下可以確實地防止剝離。
又，接著層6係設置於鋅層7與混在層5之間，因為極薄，所以可視為鋅層7與混在層5大致上直接接觸著。
鋅層7係由鋅或鋅合金所構成，厚度為0.1μm以上5.0μm以下，且單位面積的鋅附著量為0.07mg/cm2 以上2.0mg/cm2 以下。鋅附著量未滿0.07mg/cm2 ，鋅量不充分而腐蝕電流值有變高的傾向，而超過2.0mg/cm2 的話，鋅量過多有接觸電阻變高的傾向。在此，所謂「單位面積的鋅附著量」係指包含於鋅層7的厚度×單位面積之鋅量。
鋅層7的厚度未滿0.1μm，缺乏第1皮膜31表面(錫層8)的腐蝕電位低化之效果，超過5.0μm的話，壓製加工性降低，而有對端子10壓製加工時發生破裂之虞。鋅層7的厚度，為0.3μm以上2.0μm以下更佳。
鋅層7被形成於混在層5上，所以與混在層5的銅錫合金區域51與錫區域52雙方接觸。於厚度方向的任意剖面，鋅層7與銅錫合金區域51相接的部分之長度合計為R1(μm)、鋅層7與錫區域52相接的部分之長度合計為R2(μm)時，比率R1/R2為0.05以上2.5以下。比率R1/R2未滿0.05的話，接於銅錫合金區域51的長度(面積)太少而損及密接性，比率R1/R2超過2.5的話，硬質的銅錫合金區域51過大，彎曲加工時會發生破裂反而有損於密接性。
於鋅層7，除了鋅，作為添加元素，也可以包含鎳、鐵、錳、鉬、鈷、鎘、鉛、錫之任1種以上。藉由使鋅層7含有這些添加元素形成鋅合金，可以提高鋅層7的耐蝕性。鎳鋅合金，提升鋅層7的耐蝕性之效果高，所以特佳。於鋅層7上被形成錫層8的場合，可以防止過剩的鋅往錫層8擴散。接著，即使在暴露於腐蝕環境而錫層8消失時，也能長時間繼續保持鋅層7、防止腐蝕電流的增大。
鋅層7含有添加元素之場合，添加元素的附著量為0.01mg/cm2 以上0.3mg/cm2 以下佳。添加元素的附著量未滿0.01mg/cm2 的話，抑制鋅往錫層8擴散之效果很貧乏，而超過0.3mg/cm2 的話，鋅往錫層8的擴散為不足而有腐蝕電流變高之虞。在此，所謂添加元素的附著量係指鋅層的厚度與包含於單位面積之添加元素的量之乘積。
錫層8係由錫或錫合金所構成，覆蓋鋅層7的表面以防止鋅層7的腐蝕，可以提高防蝕性能。此外，藉由鋅由鋅層7擴散於錫層8，錫層8的腐蝕電位接近於鋁，可以有效地抑制在與鋁線材接觸之場合下異種金屬接觸腐蝕的發生。而且，即使因磨耗等造成錫層8全部或一部分消失之場合，也能利用其下的鋅層7抑制異種金屬接觸腐蝕的發生，且可抑制電阻值的升高或往鋁線材的壓接力的降低。
錫層8的厚度，為0.3μm以上8.0μm以下佳。該錫層8的厚度未滿0.3μm的話，缺乏提高防蝕性能的效果，錫層8的厚度超過8.0μm的話，因為過厚，而使鋅難以自鋅層7擴散到錫層8的表面。
又，發生鋅自鋅層7的擴散，所以在鋅層7與錫層8之全體之單位面積的鋅附著量((鋅層7中所含的鋅量+錫層8中所含的鋅量)÷鋅層7的面積(亦即錫層8的面積))為0.07mg/cm2 以上2.0mg/cm2 以下。
第2皮膜32，係與第1皮膜31之下底層4及混在層5相同的組成，藉由膜厚的下底層4及混在層5而被形成。此外，在第2皮膜32的最表面，露出混在層5的銅錫合金區域51與錫區域52雙方。銅錫合金區域51的露出面積率為5%以上70%以下。
第2皮膜32係接點預定部25，藉由利用表面稀疏露出的硬的銅錫合金區域51與銅錫合金區域51的周圍露出的軟的錫區域52所形成的潤滑作用，可以減低摩擦係數。此場合，銅錫合金區域51的露出面積率未滿5%的話摩擦係數減低效果很小，超過70%的話，有電氣連接特性降低之虞。
於具有前述的層構成之皮膜3，第1皮膜31，如前述，於除了接點預定部25外的部分的表面存在著。由異種金屬接觸造成的腐蝕電流也流到遠離接觸部位的部位而發生腐蝕，所以最好是防止伽凡尼腐蝕的鋅層8存在的部位之比率高者。鋅層8最好是以被成形作成端子10後的表面全體的30%以上80%以下的面積率存在。
其次，針對該防蝕端子材1之製造方法加以說明。
作為基材2，準備由銅或銅合金所構成的板材。如前述，也可以使用在銅以外的金屬板(不銹鋼等)形成由銅或銅合金所構成的銅層之板材。藉由對該板材(基材2)施以裁斷、鑽孔等加工，成形如圖2所示，於載體部21透過連結部23而連結複數端子用構件22而成的帶狀。
＜下底用鍍鎳層形成步驟＞ 藉由對帶狀的基材2進行脫脂、酸洗等處理將表面清理乾淨之後，對其全面實施形成由鎳或鎳合金所構成的鍍鎳層之處理，而於基材2上形成下底層4之鍍鎳層。
此鍍鎳處理，只要是可以得到緻密的鎳主體的膜之方法即可並未特別限定，鍍鎳層係可以採用習知的瓦特浴(Watts Bath)或胺基磺酸浴、檸檬酸浴等並藉由電鍍而形成。考量往端子10的壓製彎曲性與對銅的障壁性時，由胺基磺酸浴得到的鍍純鎳處理最佳。
＜混在層形成步驟＞ 鍍鎳層形成後，藉由依序施予鍍銅處理、鍍錫處理，而於鍍鎳層上形成由銅或銅合金所構成的鍍銅層、由錫或錫合金所構成的鍍錫層。然後，藉由熱處理(回流處理)，在由鎳或鎳合金所構成下底層4之上形成混在層5。
於此場合的鍍銅處理，可以採用一般的鍍銅浴，例如以硫酸銅(CuSO4 )及硫酸(H2 SO4 )為主成分的硫酸銅浴等。
於鍍錫處理，可以採用一般的鍍錫浴，例如以硫酸(H2 SO4 )及硫酸錫(II)(SnSO4 )為主成分的硫酸浴等。
作為回流處理，基材2的表面溫度升高到240℃以上360℃以下後，於該溫度保持1秒以上12秒以下的時間之後，予以急冷。
藉由實施此回流處理，於下底層4之上形成銅錫合金與錫混合存在之混在層5。此場合，藉由將鍍銅層的厚度控制於最適值，使鍍錫層與鍍銅層及鍍鎳層相互擴散，可以使含鎳的銅錫合金成長。混在層5表面之銅錫合金區域51的露出率，係可以藉由調整回流時的熱處理條件與各鍍層的厚度而改變。
又，不形成鍍銅層，而於鍍鎳層上形成鍍錫層、並予以熱處理亦可。該場合，為了形成銅錫合金區域51而薄薄地形成鍍鎳層，作成於熱處理時由基材2供給銅。
＜接著用鍍鎳層形成步驟＞ 於形成接著層6之場合，將基材2的表面到混在層5形成的接點預定部25遮罩化之後，在此狀態下形成鍍鎳層。
此鍍鎳層係由鎳或鎳合金所構成，可以藉由電解電鍍或無電解電鍍而形成。電鍍處理採用由氯化鎳及鹽酸所構成的習知的衝擊電鍍鎳浴為佳，可以也由其他的檸檬酸浴或胺基磺酸浴等的浴形成鍍鎳層。由鎳合金形成接著層6之場合，可以由市售的鍍鎳錫合金浴、或由亞磷酸與硫酸鎳所構成的鍍鎳磷合金浴予以成膜。
作為鍍鎳層形成的前處理，將形成混在層5的基材2(帶狀)浸漬於pH=10以上的鹼性水溶液的話，可以形成對於銅錫合金與錫混合存在的混在層5密接性良好的鍍鎳層。鹼性水溶液包含可以將檸檬酸等的錫與銅雙方錯合的錯合劑的話，鍍鎳層的密接性會更為良好。
此場合，前述之由NiSn4 所構成的金屬間化合物61，可以藉由使鍍鎳層的鎳與混在層5中的錫相互擴散而形成。然而，被用於銅合金的前處理、使用藉由硫酸的酸洗等的話，有殘留錫的氧化膜而阻害NiSn4 成長之情形。為了防止這情形、且使NiSn4 成長，最好是將充分脫脂的附混在層5基材2、浸漬於30g/L的氫氧化鈉中5秒以上除去錫的氧化膜，之後立即實施衝擊電鍍鎳。
形成接著用的鍍鎳層之後，藉由在包含後述的鍍鋅層、鍍錫層全部的電鍍成膜後實施熱處理，形成接著層6，同時自接著層6使由NiSn4 所構成的金屬間化合物61往混在層5的錫區域52中成長。
＜鍍鋅層形成步驟＞ 供形成鋅層7用之鍍鋅層，可以藉由採用習知的硫酸浴或鋅酸鹽浴的電解鍍鋅浴的電沉積而形成。於鋅層7之下不形成接著層6的場合，藉由採用強酸性的硫酸浴可以得到密接性比較佳的皮膜。
於鍍鋅合金處理，可以利用使用硫酸鹽浴、氯化物浴、鹼浴之鍍鎳鋅合金處理、使用硫酸鹽浴之鍍鋅鈷合金處理、使用含有檸檬酸硫酸鹽浴之鍍鋅錳合金處理、使用硫酸鹽浴之鍍鋅鉬處理。此外，不採用電鍍法，也可以採用蒸鍍法。於鋅層7上層積錫層8之場合，以鍍鋅層作為鋅合金的話，藉由置換反應可以防止鋅層7的缺損。
＜鍍錫層形成步驟＞ 供形成錫層8用的鍍錫層之形成可以採用電鍍處理，例如採用有機酸浴(例如苯酚磺酸浴、烷烴磺酸浴或烷醇磺酸浴)、酸性浴(氟硼酸浴、鹵素浴、硫酸浴、焦磷酸浴等)、或者鹼浴(鉀浴或鈉浴等)等。考量高速成膜性與皮膜的緻密度及鋅的擴散容易度，採用酸性的有機酸浴或硫酸浴，且在浴中添加作為添加劑之非離子性界面活性劑佳。
為了在常溫(25℃)下進行鍍鋅層與鍍錫層的相互擴散，鍍鋅層表面為清理乾淨的狀態之後層積鍍錫層是很重要的。在將鍍鋅層與鍍錫層藉由電鍍處理而連續形成之場合，為了除去鍍鋅層表面上迅速地形成的氫氧化物或氧化物，以氫氧化鈉水溶液或氯化銨水溶液洗淨後立即形成鍍錫層為佳。又，在以蒸鍍等的乾式法形成鍍錫層時，藉由氬濺鍍處理蝕刻鍍鋅層表面之後形成鍍錫層為佳。
＜熱處理步驟＞ 對在基材2上依序形成混在層5、鍍鋅層及鍍錫層之素材、實施熱處理。該熱處理，以素材的表面溫度成為30℃以上190℃以下之溫度予以加熱。藉由此熱處理，在接點預定部25以外的部分(未被遮罩的部分)，鍍鋅層中的鋅會擴散至鍍錫層內及鍍錫層上。
為了使鋅的擴散迅速地發生，36小時以下暴露於30℃以上的溫度為佳。但是，錫熔融時會被鋅合金排斥，於錫層5形成排斥錫處、亦即部分地錫層5未形成而露出鋅層7，所以為了不使錫熔融而不加熱到超過190℃的溫度。
此外，當超過160℃並長時間暴露時，相反地有錫在鋅層4側擴散、阻礙鋅往錫層5的擴散之虞。因此，作為更佳的條件，加熱溫度在30℃以上160℃以下、保溫時間為30分鐘以上60分鐘以下。藉由此熱處理，於混在層5上形成接著層6、鋅層7及錫層8。
以此作法製造出的防蝕端子材1，係於全體之基材2上形成由鎳或鎳合金所構成的下底層3、於其上形成由銅錫合金區域51與錫區域52所構成的混在層5之帶狀材，於利用遮罩覆蓋的接點預定部25，使該混在層5的銅錫合金區域51與錫區域52於表面露出來，在接點預定部25以外的部分，於混在層5上依序形成接著層6、鋅層7、錫層8。
接著，在切斷連結部23之前藉由帶狀材的直接壓製加工等而被加工成圖3所示的端子的形狀。然後，藉由切斷連結部23，形成端子10。
圖4係顯示在電線12填塞端子10之終端部構造，心線壓接部13的附近直接接觸電線12的心線12a。
於此端子10的心線接觸預定部26，錫層8中所含的鋅的腐蝕電位與錫的腐蝕電位相比之下較接近於鋁，所以心線接觸預定部26之錫層8的腐蝕電位是接近於鋁。因此，防止鋁製心線(鋁線材)12a的腐蝕之效果高，即使於心線接觸預定部26被心線12a壓接之狀態下，也能有效地防止發生異種金屬接觸腐蝕。
該場合，由於是在圖2的帶狀材的狀態下進行電鍍處理、熱處理，因此端子10的端面也除了以連結部23連結著的些微部分(由連結部23被切斷的剖面)外基材2並未露出來，所以能發揮優異的防蝕效果。
而且，由於在錫層8下形成鋅層7，萬一，在因磨耗等造成錫層8的全部或一部分消失之場合，也由於其下的鋅層7係與鋁的腐蝕電位相近，而能確實地抑制異種金屬接觸腐蝕的發生。
於這樣的防蝕性高的第1皮膜31，設置於混在層5上的鋅層7，不僅接觸到混在層5的錫區域52，也接觸到與鋅層7的密接性高的銅錫合金區域51而提高密接性，且能防止剝離。而且，於混在層5與鋅層7之間有接著層6中介著，所以能更為提高混在層5與鋅層7之密接性。再者，由於形成NiSn4 所構成的金屬間化合物61進入錫區域52之狀態，所以接著層6與混在層5之密接性也變得良好。
於接點預定部25的第2皮膜32，銅錫合金區域51與錫區域52所構成的混在層5被配置於表面。硬的銅錫合金區域51露出來，其周圍設著軟的錫區域52，因而藉由錫的潤滑作用可以減低摩擦係數。此外，具有已回流處理的錫區域52，所以接觸電阻也小，且發揮連接器接點之優異的電氣性能。
又，前述之方法，係在由板材形成載體部連結多數的端子用構件的形狀的帶狀材之後進行各種表面處理，但也可以對板材進行各種表面處理之後形成帶狀材。此場合，將表面上被設置各層的狀態的基材2予以沖壓而形成載體部及端子用構件，所以在沖壓剖面會露出基材2。
又，也可以於錫層8上薄薄地形成金屬鋅層(表面金屬鋅層)，此場合，可以更確實地抑制因與鋁製的心線12a的接觸導致腐蝕的發生。該表面金屬鋅層，係利用前述的熱處理，藉由鍍鋅合金層中的鋅經由鍍錫層並擴散至表面而於錫層8的表面被形成的層，與被設在錫層8之下的鋅層7是不同的。 [實施例]
實施例1~4，係使用C1020的銅板作為基材，將此銅板沖壓成圖2所示的形狀並作成帶狀材，予以脫脂、酸洗，於其上實施鍍錫並進行回流處理，然後，將接點預定部遮罩化，實施鍍鋅而製作出第1皮膜及第2皮膜。
實施例5，相對於該實施例1~4的試樣，於鍍鋅處理之前利用衝擊電鍍鎳處理形成接著層，於鍍鋅處理後進行130℃、0.5小時的熱處理。
實施例6~9，係於已脫脂酸洗的帶狀的基材上依序實施鍍鎳，鍍銅、鍍錫，進行回流處理之後，除接點預定部外，實施衝擊電鍍鎳、鍍鋅而製作出的。其中，實施例6的衝擊電鍍鎳係作成鍍錫鎳合金。再者，鍍鋅處理之後，實施例6係進行150℃、0.5小時的熱處理，實施例7~9係進行30℃、24小時的熱處理。
實施例10~17，係藉由於已脫脂酸洗的帶狀的基材上依序實施鍍鎳，鍍銅、鍍錫，進行回流處理之後，除接點預定部外，依序實施衝擊電鍍鎳、鍍鋅、鍍錫，並進行30℃、24小時的熱處理而製作出的。其中，實施例11的衝擊電鍍鎳係作成鍍鎳磷合金。此外，針對鍍鋅，實施例11~17係添加表1所示的元素。
作為比較例，於已脫脂酸洗的帶狀的基材依序實施鍍銅、鍍錫並進行回流處理，製作出銅錫合金區域並未於表面露出者(比較例18)，以及長時間實施回流處理且表面幾乎由銅錫合金區域覆蓋著，僅存在錫區域者(比較例19)。於比較例18、19，並未形成相當於實施例1~17中形成的第1皮膜之部分。
主要的電鍍條件如下所述。 ＜鍍鎳條件＞ ･電鍍浴組成 胺基磺酸鎳:300g/L 氯化鎳:5g/L 硼酸:30g/L ･浴溫:45℃ ･電流密度:5A/dm2
＜鍍鋅條件＞ (鋅層沒有添加元素) ･電鍍浴組成 硫酸鋅七水合物:250g/L 硫酸鈉:150g/L ･pH=1.2 ･浴溫:45℃ ･電流密度:5A/dm2
＜鍍鋅條件＞ (鋅層添加元素:鎳) ･電鍍浴組成 硫酸鋅七水合物:75g/L 硫酸鎳六水合物:180g/L 硫酸鈉:140g/L ･pH=2.0 ･浴溫:45℃ ･電流密度:5A/dm2
＜鍍鋅條件＞ (鋅層添加元素:錳) ･電鍍浴組成 硫酸錳一水合物:110g/L 硫酸鋅七水合物:50g/L 檸檬酸三鈉:250g/L ･pH=5.3 ･浴溫:30℃ ･電流密度:5A/dm2
＜鍍鋅條件＞ (鋅層添加元素:鉬) ･電鍍浴組成 七鉬酸六銨(VI):1g/L 硫酸鋅七水合物:250g/L 檸檬酸三鈉:250g/L ･pH=5.3 ･浴溫:30℃ ･電流密度:5A/dm2
＜鍍錫條件＞ ･電鍍浴組成 甲基磺酸錫:200g/L 甲基磺酸:100g/L 光澤劑 ･浴溫:25℃ ･電流密度:5A/dm2
針對得到的各實施例及比較例之試樣，測定於厚度方向的剖面鋅層相接於混在層的銅錫合金區域的長度合計R1(μm)與鋅層接觸於錫區域的長度合計R2(μm)之比率(R1/R2)，接著層之有無與具有接著層之場合其組成及厚度，進入混在層的錫區域中之NiSn4 的有無，混在層的銅錫合金區域中的鎳含有率，錫層之有無與具有錫層之場合其厚度，鋅層中的鋅附著量，添加元素及其附著量，接點預定部之混在層中的銅錫合金區域的露出率。
＜R1/R2＞ R1及R2之測定，係將由SEIKO INSTRUMENTS INC.製造的集束離子束裝置:FIB(型號:SMI3050TB)剖面加工之試樣以掃描離子顯微鏡進行觀察，由視野15μm四方的剖面進行測定與各層相接的長度。觀察2視野且設定其平均值。又，於鋅層與混在層之間具有接著層之場合，視接著層為鋅層的一部分並進行R1及R2的測定。
＜接著層、鋅層、錫層之厚度＞ 第1皮膜(心線接觸預定部)的接著層、鋅層、錫層之厚度，係將由SEIKO INSTRUMENTS INC.製造的集束離子束裝置:FIB(型號:SMI3050TB)剖面加工之試樣以掃描離子顯微鏡進行觀察，由視野15μm四方的剖面進行測定。觀察2視野設定其平均值。
＜NiSn4 之有無、接著層、銅錫合金區域中的鎳含有率＞ NiSn4 化合物之有無及其同定、接著層、混在層的銅錫合金區域中的鎳含有率，係使用SEIKO INSTRUMENTS INC.製造的集束離子束裝置:FIB(型號:SMI3050TB)，製作將試樣薄化成100nm以下的剖面試樣，將此試樣、用FEI公司製造的掃描透過型電子顯微鏡:STEM(型號:Titan G2 ChemiSTEM)，在加速電壓200kV下進行剖面觀察，且用附屬於STEM的X射線能量散布分析裝置:EDS進行測定。
＜鋅層中的鋅、各添加元素的附著量＞ 鋅層中的鋅附著量、添加金屬元素的附著量，係將試樣的該層被形成的部位切出特定面積分，用LEYBOLD Co., Ltd.製造的Stripper L-80溶解鋅層與錫層，將溶解液中所含的鋅及添加元素的濃度以高頻感應耦合電漿發射光譜儀進行分析而算出。表1中在各添加金屬元素的旁邊記載單位面積的附著量(mg/cm2 )。
這些結果顯示於表1。表1中，熱處理條件之空欄係表示未進行熱處理。
Figure 02_image001
再者，針對得到的實施例1~17、比較例18、19的各試樣的接點預定部(第2皮膜)，藉由百格試驗(Cross-Cut Test)評估密接性，藉由密接彎曲試驗評估彎曲加工性。此外，實施成形成端子並填塞鋁線材的狀態下的腐蝕環境放置試驗、針對接點預定部的摩擦試驗。
＜密接性＞ 針對被形成提高防蝕性的第1皮膜之心線接觸預定部，以JIS K 5600-5-6的百格(Cross-Cut)法進行評估。切割間隔為1mm。切割的邊緣平滑且任何格子都沒有剝離情形者為「A」；可觀察到切割的交叉部有小剝離(全體的5%以下)者為「B」；皮膜沿著切割的邊緣或於交叉部、或者在該雙方剝離者，而剝離部超過全體的5%但在35%以下者為「C」；剝離部超過35%者為「D」。又，比較例18、19並未形成第1皮膜，所以不特定部位而進行試驗。
＜彎曲試驗＞ 針對被形成提高防蝕性的第1皮膜之心線接觸預定部，藉由依據JCBA(日本伸銅協會技術標準)T307的試驗方法(項目4)之彎曲試驗，評估彎曲加工性。亦即，使彎曲軸對壓延方向成為直交方向之方式由特性評估用條材採取複數幅寬10mm×長度30mm的試驗片，對該試驗片使用彎曲角度90度、彎曲半徑0.5mm的W型治具、在9.8×103N的荷重下進行W曲試驗。又，比較例18、19並未形成第1皮膜，所以不特定部位而進行試驗。
然後，用實體顯微鏡觀察彎曲加工部，評估彎曲加工性。將彎曲試驗後的彎曲加工部未被觀察到明確的龜裂之級別評估為「A」；將電鍍面部分地發生細微的龜裂但未被觀察到基材露出之級別評估為「B」；將沒有基材露出但發生的龜裂比評估為「B」的級別要大之級別評估為「C」；將發生的龜裂導致基材2露出之級別評估為「D」。
＜腐蝕環境放置試驗＞ 將各試樣成形成090型(依照汽車業界慣用的端子規格之名稱)之母端子並填塞純鋁線材，針對各端子，於23℃的5%氯化鈉水溶液(鹽水)浸漬24小時後，於85℃、85%RH的高溫高濕環境下放置24小時，然後，利用四端子法測定心線接觸預定部(第1皮膜)的鋁線材與端子間之接觸電阻。電流值設為10mA。又，比較例18、19並未形成第1皮膜，所以不特定部位而進行試驗。
＜接點預定部之摩擦試驗＞ 針對被形成減低摩擦係數的第2皮膜之接點預定部，以模擬嵌合型連接器的公端子與母端子之接點部之方式，針對各試樣作成內徑1.5 mm的半球狀的母試驗片與板狀的公試驗片，使用AIKOH ENGINEERING(股)公司製造的摩擦測定機(橫型荷重試驗機 型式M-2152ENR)，藉由在對母試驗片與公試驗片之間施加特定荷重之狀態下滑動，測定兩試驗片間的摩擦力並求出動摩擦係數。又，比較例18、19僅形成第2皮膜，所以不特定部位而進行試驗。
這些結果顯示於表2。
Figure 02_image003
由表2的結果可知，混在層之銅錫合金區域與錫區域的比率(R1/R2)為0.05以上2.5以下之實施例1~17，密接性、彎曲加工性是比比較例18、19要良好。其中，設置接著層的實施例5~17之密接性優異，進而，觀察到NiSn4 化合物的實施例7~17之密接性為特別良好。實施例9~17之密接性良好，加上即使彎曲加工也沒觀察到電鍍皮膜的破劣或剝離，成為在密接性、彎曲加工性雙方優異之結果。
針對耐蝕性，實施例1~17，係比比較例18、19還要優異。特別是，在第1皮膜於鋅層上具有錫層之實施例10~17，腐蝕環境試驗中具有低接觸電阻，可知保護鋁線材免於鋁線材與端子間產生的伽凡尼腐蝕之效果特別高。
針對接點預定部(第2皮膜)，銅錫合金區域的露出率過少或過大的實施例1、2與比較例18及19，摩擦係數為0.4以上、是比較高。實施例3~17為低摩擦係數，可知，銅錫合金區域的露出率為5%以上70%以下是恰當的。
圖5係實施例11之第1皮膜被形成的部分之剖面SIM照片，於基材上依序被形成下底層、銅錫合金區域與錫區域混合存在的混在層、接著層、鋅層、錫層。圖6係圖5之以圓包圍的部分之擴大影像，可觀察到柱狀的NiSn4 從與接著層的界面起延伸到錫區域。
相對於此，比較例18，由於不存在具有銅錫合金區域的混在層，而於錫層上形成鋅層，結果密接性、彎曲加工性差。此外，銅錫合金區域未於表面露出，所以接點預定部的摩擦係數也高。比較例19，混在層中存在的錫層少的緣故使彎曲加工性顯著很差，於腐蝕試驗也發生非常嚴重的鋁線材腐蝕。再者，表面幾乎由銅錫合金區域覆蓋著所以摩擦係數也相較於實施例3~17為高的數值。 [產業上利用可能性]
可以使皮膜對基材之密接性良好，抑制在與鋁接觸之場合下異種金屬接觸腐蝕的發生。
1:防蝕端子材 2:基材 3:皮膜 31:第1皮膜 32:第2皮膜 4:下底層 5:混在層 51:銅錫合金區域 52:錫區域 6:接著層 61:金屬間化合物(NiSn4) 7:鋅層 8:錫層 10:端子 11:連接部 11a:彈簧片 12:電線 12a:心線(鋁線材) 12b:包覆部 13:心線壓接部 14:包覆壓接部 25:接點預定部 26:心線接觸預定部
[圖1]係模式顯示本發明的防蝕端子材之實施形態之重要部位剖面圖。 [圖2]係本實施形態之防蝕端子材之平面圖。 [圖3]係顯示適用本實施形態的防蝕端子材的端子之例之立體圖。 [圖4]係顯示壓接圖3的端子之電線終端部之正面圖。 [圖5]係實施例11之SIM(掃描離子顯微鏡)影像。 [圖6]係圖5之以圓包圍的部分之擴大TEM(透過型電子顯微鏡)影像。
1:防蝕端子材
2:基材
3:皮膜
4:下底層
5:混在層
6:接著層
7:鋅層
8:錫層
31:第1皮膜
32:第2皮膜
51:銅錫合金區域
52:錫區域
61:金屬間化合物(NiSn4)

Claims (13)

  1. 一種防蝕端子材，係具備至少表面由銅或銅合金構成的基材，及設於前述基材之至少一部分的第1皮膜，其特徵為： 前述第1皮膜，具有由銅錫合金構成的銅錫合金區域與由銅錫合金以外的錫或錫合金構成的錫區域混合存在之混在層，以及設於前述混在層上之鋅或鋅合金構成的鋅層； 前述鋅層接於前述混在層之前述銅錫合金區域與前述錫區域雙方，在沿著厚度方向的剖面，前述鋅層接於前述銅錫合金區域的長度為R1(μm)，接於前述錫區域的長度為R2(μm)的話，比率R1/R2為0.05以上2.5以下。
  2. 如請求項1之防蝕端子材，其中 於前述第1皮膜，在前述混在層與前述鋅層之間，進而具備由鎳或鎳合金所構成的接著層。
  3. 如請求項2之防蝕端子材，其中 進而具有由前述接著層進入前述錫區域之NiSn4 所構成的金屬間化合物。
  4. 如請求項1至3之任一之防蝕端子材，其中 前述銅錫合金區域，含有鎳1at%(原子百分比)以上50at%以下。
  5. 如請求項1至4之任一之防蝕端子材，其中 前述鋅層之單位面積的鋅附著量為0.07mg/cm2 以上2.0mg/cm2 以下。
  6. 如請求項1至5之任一之防蝕端子材，其中 前述第1皮膜，進而具有設於前述鋅層上的錫或錫合金構成的錫層。
  7. 如請求項1至6之任一之防蝕端子材，其中 前述鋅層，作為添加元素含有鎳、鐵、錳、鉬、鈷、鎘、鉛之中任1種以上，單位面積之前述添加元素的附著量為0.01mg/cm2 以上0.3mg/cm2 以下。
  8. 如請求項1至7之任一之防蝕端子材，其中 具備設於未形成前述基材之前述第1皮膜的部分之第2皮膜， 前述第2皮膜，具有設於前述基材上的前述混在層，於前述混在層的表面有前述銅錫合金區域與前述錫區域露出，前述銅錫合金區域的露出面積率為5%以上70%以下。
  9. 如請求項1至8之任一之防蝕端子材，其中 具有帶板狀的載體部，與在前述載體部的長度方向隔著間隔被連結於前述載體部的複數端子用構件。
  10. 一種端子，其特徵為 使請求項9之前述端子用構件成形。
  11. 一種電線終端部構造，其特徵為： 請求項10之端子被壓接於鋁或鋁合金之鋁線材所構成的電線的終端。
  12. 一種端子，其特徵為 使請求項1至8之任一之防蝕端子材成形。
  13. 一種電線終端部構造，其特徵為： 請求項12之端子被壓接於鋁或鋁合金之鋁線材所構成的電線的終端。
TW108148090A 2018-12-27 2019-12-27 防蝕端子材及端子以及電線終端部構造 TW202100810A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-244741 2018-12-27
JP2018244741A JP7211075B2 (ja) 2018-12-27 2018-12-27 防食端子材及び端子並びに電線端末部構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202100810A true TW202100810A (zh) 2021-01-01

Family

ID=71127881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108148090A TW202100810A (zh) 2018-12-27 2019-12-27 防蝕端子材及端子以及電線終端部構造

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20220085526A1 (zh)
EP (1) EP3904564A4 (zh)
JP (1) JP7211075B2 (zh)
KR (1) KR20210106991A (zh)
CN (1) CN113166964A (zh)
TW (1) TW202100810A (zh)
WO (1) WO2020138414A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023061782A (ja) * 2021-10-20 2023-05-02 Ｊｘ金属株式会社 めっき材及び電子部品
WO2023182259A1 (ja) * 2022-03-22 2023-09-28 株式会社オートネットワーク技術研究所 端子材料および電気接続端子

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4090302B2 (ja) * 2001-07-31 2008-05-28 株式会社神戸製鋼所 接続部品成形加工用導電材料板
JP4024244B2 (ja) * 2004-12-27 2007-12-19 株式会社神戸製鋼所 接続部品用導電材料及びその製造方法
JP4402132B2 (ja) * 2007-05-18 2010-01-20 日鉱金属株式会社 リフローＳｎめっき材及びそれを用いた電子部品
WO2009116601A1 (ja) * 2008-03-19 2009-09-24 古河電気工業株式会社 コネクタ用金属材料およびその製造方法
JP2013218866A (ja) 2012-04-09 2013-10-24 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 端子付き電線及びその製造方法
JP2015110829A (ja) * 2013-10-30 2015-06-18 三菱マテリアル株式会社 錫めっき銅合金端子材
JP2015133306A (ja) 2014-01-16 2015-07-23 株式会社オートネットワーク技術研究所 コネクタ用電気接点材料及びその製造方法
JP6734185B2 (ja) * 2016-12-06 2020-08-05 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 Ｓｎめっき材およびその製造方法
JP6940380B2 (ja) * 2017-03-22 2021-09-29 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 Ｓｎめっき材およびその製造方法
US11214692B2 (en) * 2017-12-04 2022-01-04 Hamilton Sundstrand Corporation Increasing anti-corrosion through nanocomposite materials
JP7333010B2 (ja) * 2019-06-27 2023-08-24 株式会社オートネットワーク技術研究所 電気接点材料、端子金具、コネクタ、ワイヤーハーネス、及び電気接点材料の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210106991A (ko) 2021-08-31
EP3904564A4 (en) 2022-09-21
JP7211075B2 (ja) 2023-01-24
CN113166964A (zh) 2021-07-23
JP2020105574A (ja) 2020-07-09
US20220085526A1 (en) 2022-03-17
WO2020138414A1 (ja) 2020-07-02
EP3904564A1 (en) 2021-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102355341B1 (ko) 주석 도금 형성 구리 단자재 및 단자 그리고 전선 단말부 구조
JP2018078109A (ja) 錫めっき付銅端子材及び端子並びに電線端末部構造
JP6812852B2 (ja) 防食端子材及び防食端子並びに電線端末部構造
TWI732097B (zh) 連接器用端子材及端子以及電線終端構造
TW202100810A (zh) 防蝕端子材及端子以及電線終端部構造
CN110997984B (zh) 镀锡铜端子材、端子及电线终端部结构
WO2018164127A1 (ja) 防食端子材及び防食端子並びに電線端末部構造
JP6930327B2 (ja) 防食端子材とその製造方法、及び防食端子並びに電線端末部構造
JP6946884B2 (ja) 防食端子材とその製造方法、及び防食端子並びに電線端末部構造
WO2018212174A1 (ja) 錫めっき付銅端子材及び端子並びに電線端末部構造
JP7167932B2 (ja) 防食端子材及び防食端子並びに電線端末部構造
JP6743556B2 (ja) 錫めっき付銅端子材の製造方法
JP2020056090A (ja) 防食端子材とその製造方法、及び防食端子並びに電線端末部構造
JP7380448B2 (ja) アルミニウム心線用防食端子材とその製造方法、及び防食端子並びに電線端末部構造