JP6940380B2 - Snめっき材およびその製造方法 - Google Patents
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Description
まず、50mm×50mm×0.25mmの大きさのCu−Ni−Sn−P合金からなる平板状の導体基材(1.0質量%のNiと0.9質量%のSnと0.05質量%のPを含み、残部がCuである銅合金の基材)(DOWAメタルテック株式会社製のNB−109EH)を用意した。
電気めっき時間を420秒間としてとしてZnめっき層の厚さを40μmとした以外は、実施例1と同様の方法により、Znめっき層を形成したSnめっき材を作製した。
電気めっき時間を10秒間としてZnめっき層の厚さを1μmとした以外は、実施例1と同様の方法により、Znめっき層を形成したSnめっき材を作製した。
電気めっき時間を90秒間としてSnめっき材に厚さ3μmのNiめっき層を形成した以外は、実施例1と同様の方法により、Znめっき層を形成したSnめっき材を作製した。
電気めっき時間を3秒間としてSnめっき材に厚さ0.1μmのNiめっき層を形成した以外は、実施例1と同様の方法により、Znめっき層を形成したSnめっき材を作製した。
50mm×50mm×0.25mmの大きさのCu−Zn合金からなる平板状の導体基材(30質量%のZnを含み、残部がCuである銅合金C2600の基材)を使用し、前処理の後、Snめっき層を形成する前に、基材上に厚さ0.6μmのCuめっき層を形成した以外は、実施例1と同様の方法により、Znめっき層を形成したSnめっき材を作製した。なお、上記のCuめっき層は、110g/Lの硫酸銅と100g/Lの硫酸を含むCuめっき液中において、基材を陰極とし、Cu電極板を陽極として、電流密度5A/dm2、液温30℃で40秒間電気めっきを行うことにより形成した。
前処理の後、Snめっき層を形成する前に、基材上に厚さ0.3μmのNiめっき層を形成し、その後、厚さ0.3μmのCuめっき層を形成した後、電気めっき時間を14秒間として厚さ0.7μmのSnめっき層を形成した以外は、実施例1と同様の方法により、Znめっき層を形成したSnめっき材を作製した。なお、上記のNiめっき層は、80g/Lのスルファミン酸ニッケルと45g/Lのホウ酸を含むNiめっき液中において、前処理後の基材(被めっき材)を陰極とし、Ni電極板を陽極として、電流密度5A/dm2、液温50℃で15秒間電気めっきを行うことにより形成し、Cuめっき層は、110g/Lの硫酸銅と100g/Lの硫酸を含むCuめっき液中において、Niめっき済の被めっき材を陰極とし、Cu電極板を陽極として、電流密度5A/dm2、液温30℃で12秒間電気めっきを行うことにより形成した。
リフロー処理後のSnめっき材の電解脱脂と酸洗を行わず、Snめっき材の表面にNiめっき層およびZnめっき層を形成しなかった以外は、実施例1と同様の方法により、Snめっき材を作製した。
Snめっき材の表面にNiめっき層を形成しなかった以外は、実施例1と同様の方法により、Snめっき材を作製した。
電気めっき時間を290秒間としてSnめっき材に厚さ10μmのNiめっき層を形成した以外は、実施例1と同様の方法により、Znめっき層を形成したSnめっき材を作製した。
Znめっき浴として、35g/Lの金属亜鉛と、200g/Lの塩化カリウムと、30g/Lのホウ酸と、30mL/Lの光沢剤(奥野製薬工業株式会社製のジンクACK−1)と、2mL/Lの光沢剤(奥野製薬工業株式会社製のジンクACK−2)とを含む塩化カリウム浴からなるZnめっき浴を使用し、電流密度4A/dm2、液温25℃で158秒間電気めっきを行った以外は、実施例1と同様の方法により、Snめっき材を作製した。
12 Sn含有層
14 Niめっき層
16 Znめっき層
18 下地層
121 Cu−Sn合金層
122 Sn層
181 Ni層
182 Cu層
Claims (25)
- 銅または銅合金からなる基材の表面にSn含有層が形成されたSnめっき材において、Sn含有層がCu−Sn合金層とこのCu−Sn合金層の表面に形成された厚さ5μm以下のSnからなるSn層とから構成され、Sn含有層の表面に厚さ0.01〜5μmのNiめっき層が形成され、このNiめっき層の表面に最表層としてビッカース硬さHVが80以下のZnめっき層が形成されていることを特徴とする、Snめっき材。
- 前記Znめっき層の表面の算術平均粗さRaが0.1〜3.0μmであることを特徴とする、請求項1に記載のSnめっき材。
- 前記Znめっき層の表面の光沢度が1.2以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載のSnめっき材。
- 前記Cu−Sn合金層の厚さが0.2〜2μmであることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のSnめっき材。
- 前記Znめっき層の厚さが1〜40μmであることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載のSnめっき材。
- 前記基材と前記Sn含有層との間に下地層が形成されていることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載のSnめっき材。
- 前記下地層がCuおよびNiの少なくとも一方を含む層であることを特徴とする、請求項6に記載のSnめっき材。
- 前記基材の一方の表面のSn含有層の表面のみにNiめっき層を介して最表層としてZnめっき層が形成され、前記基材の他方の面のSn含有層が最表層として形成されていることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれかに記載のSnめっき材。
- 前記Niめっき層が前記Sn含有層の表面の一部に形成されていることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれかに記載のSnめっき材。
- 銅または銅合金からなる基材の表面にSnめっき層を形成した後、熱処理により、Cu−Sn合金層とこのCu−Sn合金層の表面に形成されたSnからなるSn層とから構成されたSn含有層を形成してSnめっき材を製造する方法において、Sn層の厚さを5μm以下にし、Sn含有層の表面に厚さ0.01〜5μmのNiめっき層を形成した後、硫酸浴中において電気めっきを行うことにより、Niめっき層の表面に最表層としてZnめっき層を形成することを特徴とする、Snめっき材の製造方法。
- 前記熱処理により、前記Sn層の厚さを5μm以下にすることを特徴とする、請求項10に記載のSnめっき材の製造方法。
- 前記熱処理により、前記Cu−Sn合金層の厚さを0.2〜2μmにすることを特徴とする、請求項10または11に記載のSnめっき材の製造方法。
- 前記Znめっき層の厚さが1〜40μmであることを特徴とする、請求項10乃至12のいずれかに記載のSnめっき材の製造方法。
- 前記Snめっき層を形成する前にCuめっき層を形成して、前記基材と前記Sn含有層との間にCuを含む下地層を形成することを特徴とする、請求項10乃至13のいずれかに記載のSnめっき材の製造方法。
- 前記Snめっき層を形成する前にNiめっき層とCuめっき層をこの順で形成して、前記熱処理により、前記基材と前記Sn含有層との間にCuおよびNiの少なくとも一方を含む下地層を形成することを特徴とする、請求項10乃至13のいずれかに記載のSnめっき材の製造方法。
- 前記Niめっき層を前記Sn含有層の表面の一部に形成することを特徴とする、請求項10乃至15のいずれかに記載のSnめっき材の製造方法。
- 銅または銅合金からなる基材の表面にSn含有層が形成されたSnめっき材を材料として用いた接続端子であって、Sn含有層がCu−Sn合金層とこのCu−Sn合金層の表面に形成された厚さ5μm以下のSnからなるSn層とから構成され、電線との接続部以外の部分においてSn含有層の表面に厚さ0.01〜5μmのNiめっき層が形成され、このNiめっき層の表面にビッカース硬さHVが80以下のZnめっき層が形成されていることを特徴とする、電線接続用端子。
- 前記Znめっき層の表面の算術平均粗さRaが0.1〜3.0μmであることを特徴とする、請求項17に記載の電線接続用端子。
- 前記Znめっき層の表面の光沢度が1.2以下であることを特徴とする、請求項17または18に記載の電線接続用端子。
- 前記Cu−Sn合金層の厚さが0.2〜2μmであることを特徴とする、請求項17乃至19のいずれかに記載の電線接続用端子。
- 前記Znめっき層の厚さが1〜40μmであることを特徴とする、請求項17乃至20のいずれかに記載の電線接続用端子。
- 前記基材と前記Sn含有層との間に下地層が形成されていることを特徴とする、請求項17乃至21のいずれかに記載の電線接続用端子。
- 前記下地層がCuおよびNiの少なくとも一方を含む層であることを特徴とする、請求項22に記載の電線接続用端子。
- 前記電線がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、請求項17乃至23のいずれかに記載の電線接続用端子。
- 前記電線が単芯線または撚線であることを特徴とする、請求項17乃至24のいずれかに記載の電線接続用端子。
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