JP4043834B2 - めっき材料とその製造方法、それを用いた電気・電子部品 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はめっき材料とその製造方法、そのめっき材料を用いた電気・電子部品に関する。更に詳しくは、耐熱性が良好で、例えば自動車のエンジンルームのような高温環境下で使用するコネクタの材料として好適なめっき材料に関する。また、良好な耐熱性と挿抜性を兼ね備えているので、高温環境下で使用する嵌合型コネクタや接触子の材料として好適なめっき材料に関する。
【0002】
【従来の技術】
CuやCu合金から成る導電性基材の上に、SnやSn合金から成るめっき層を設けた材料は、基材の優れた導電性や強度と、SnやSn合金の良好な電気接触特性、耐食性、はんだ付け性とを兼ね備えた高性能導体として知られている。そして、この材料は各種の端子やコネクタなどに広く用いられている。
【0003】
このような材料としては、通常、基材の上にCuまたはNiの下地めっきを施したのち、その上に、直接、SnまたはSn合金のめっきを施して製造したものが用いられている。この下地めっき層は、基材成分(CuやZnなどの合金成分)が表面のSnまたはSn合金へ熱拡散することを抑制するために設けられるものである。とくに、下地めっき層がNiやNi合金から成るめっき層である場合には、高温環境下にあっても表面のSnまたはSn合金への上記した熱拡散を遅延させる効果が大きい。そのため、長時間に亘って表面におけるSnやSn合金の特性が確保されることになる。
【0004】
しかしながら、NiやNi合金の下地めっき層を有する上記した材料の場合であっても、次のような問題が生じている。例えば自動車のエンジンルームのエンジン付近のようなとくに高温となる箇所で用いられると、やはり、基材のCuや、下地のNi、Ni合金が経時的に表面めっき層側へ熱拡散していく。そしてある時間の経過後にあっては、表面めっき層は当初のSnやSn合金でなくなり、事実上、SnやSn合金から成る表面めっき層が消失してしまう。その結果、そのめっき材料は本来の性能を発揮しなくなってしまう。
【0005】
このような問題は、SnやSn合金から成る表面めっき層の厚みを厚くして、当該表面めっき層の消失時間を長くすることにより解消することができる。しかしながら、そのような対応策は資源の浪費を招く。しかも、それだけではなく、そのめっき材料が例えば多極の嵌合型コネクタに用いられる場合、SnやSn合金の厚みが厚いので嵌合時における摩擦力は大きくなり、組み付け作業が困難になるという問題を新たに引き起こすことがある。
【0006】
ところで、嵌合型コネクタでは、オス端子とメス端子を嵌合して電気的接続をとっている。そして近年、自動車に搭載するコネクタ端子に関しては、伝送情報の多量化、電子制御化の進展が進んでいる。そのことに伴なって、コネクタの多極化が進んでいる。その場合、コネクタの多極化に伴い、嵌合する接点の数が増加するので、多極化したコネクタに対しては、嵌合時における挿入力を低減させることが強く要望されている。
【0007】
このような要望に応える端子としては、例えば端子表面にAuめっき層を形成したものがある。Auめっき層を表面に設けることにより、その端子の挿入力は低減する。しかしながら、Auは非常に高価であるため、製造されたコネクタ端子は高コストになるという問題がある。そのため、ごく一部の高信頼性が要求されるコネクタ端子にしか適用されていない。
【0008】
なお、一般のコネクタ端子としては、Cuのような導電性基材の表面にSnめっきが施されているものが使用されている。この端子の場合、Snは易酸化性材料であるため、大気中では、その表面に、常に、硬質なSn酸化皮膜が形成された状態になっている。
そして、この端子を挿入すると、上記した硬質のSn酸化皮膜が相手材との嵌合時に破れる。そして、その下に位置する未酸化のSnめっき層と相手材とが接触して、両者間では良好な電気的接続が実現する。しかしながら、形成されているSnめっき層が薄い場合には、そのめっき層全体が酸化皮膜化するため、嵌合時に当該酸化皮膜が破れにくくなる。しかも、基材がCuまたはCu合金から成る場合は、高温環境下での実使用時に、表面の薄いSnめっき層のSn成分と基材成分とが反応してCu成分が表面に露出し、表面にはCuの酸化皮膜が形成される。その結果、相手材との接触信頼性を喪失してしまう。
【0009】
このような問題は、表面のSnめっき層を厚くすることにより発生しにくくすることができる。しかしながら、その場合には、嵌合時に相手材との挿入力が大きくなるという新たな問題が生ずる。
このようなことから、とくに高温環境下で使用するコネクタ端子の場合には、高価なAuめっき端子か、または、表面のSnめっき層の厚みを厚くした極数の少ないSnめっき端子かのいずれかを使用せざるを得ないという問題があった。
【0010】
ところで、端子の表面にSnまたはSn合金から成るめっき層を形成する場合、一般に、光沢SnめっきとリフローSnめっきが適用されている。
これらのうち、光沢Snめっきによって形成されためっき層の場合、そのめっき層にはめっき処理時に用いた添加剤成分が多く含有されている。また、めっきSnの結晶粒は微細になる。そのため、めっき層表面の潤滑性が優れ、かつ、嵌合・摺動時の削れ量も少なくなる。その結果、嵌合時の挿抜性は優れている。しかしながら、結晶粒が微細であるため粒界の数は多く、高温環境下で用いられると、基材成分がめっき層の上記粒界を通って表面まで拡散して、めっき層の表面を汚染することがある。そのため、光沢Snめっきの材料は耐熱性に劣り、また接続信頼性を損ねやすい。
【0011】
一方、リフローSnめっきの場合は、全体のめっき処理終了後に、その表面めっき層を加熱溶融する。そのため、形成されたリフローめっき層では、結晶粒径は大きくなり、かつ、めっき処理時に混入した添加剤成分も除去されている。そのため、粒界は少なく、高温環境下においても、基材成分の拡散に基づく接続信頼性の低下は起こりにくく、耐熱性が向上しためっき材料になる。しかしながら、表面のSnの結晶粒径が大きいので、嵌合・摺動時の削れ量は大きくなり、かつ、添加剤成分も少ないので潤滑性に劣り、その挿抜性は低下する。
【0012】
このようなことから、Snめっき層の耐熱性と挿抜性を高めるために、様々な方法が提案されている。
例えば、特開平8−7940号公報や特開平4−329891号公報には、耐熱性の向上を目的として、Snめっき層の下地として、高融点金属、とくにNiのめっき層を形成する方法が開示されている。この方法によれば、使用温度域が100〜120℃程度である場合には、下地Niめっき層が基材成分(CuやZnなどの合金成分)とSnめっき層のSn成分との反応を抑制し、しかもNiとSnとの反応速度が小さいので耐熱効果が得られるとされている。しかしながら、140℃以上の高温環境下においては、NiとSnとの反応速度が大きくなり、表面Snめっき層の変質が起こり、耐熱効果が得られなくなる。
【0013】
また、特開平11−121075号公報や特開平10−302864号公報には、挿抜性を向上させるために、表面のSnめっき層の厚みを薄くする方法が開示されている。
この方法で形成された表面Snめっき層の場合、嵌合・摺動時における削れ量は低減して挿抜性が良好になるとされている。しかしながら、Snめっき層の厚みが薄いので、高温環境下で使用されると、表面のSnめっき層は基材成分の拡散によって早期の段階で変質してしまい、電気的な接続信頼性を確保することが困難となる。
【0014】
このように、表面にSnめっき層を形成した従来のめっき材料の場合、その耐熱性と挿抜性の両立は非常に困難であるという問題があった。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、表面にSnまたはSn合金のめっき層が形成されているめっき材料において、高温環境下にあっても、当該めっき層と基材や下地めっき層との間で拡散反応が遅くなるように設計されているので、耐熱性が良好であるめっき材料、また、上記した良好な耐熱性とともに挿抜性も良好であり、高温環境下で使用される嵌合型コネクタや接触子などの材料として好適なめっき材料の提供を目的とする。
【0016】
更に、本発明は、上記しためっき材料の製造方法、およびそのめっき材料を用いた電気・電子部品、例えば嵌合型コネクタ、接触子の提供を目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、本発明においては、導電性基体の表面に、FeもしくはFe合金、NiもしくはNi合金、またはCoもしくはCo合金のいずれか1種から成る下地めっき層と、Sn−Fe系金属間化合物、Sn−Ni系金属間化合物、またはSn−Co系金属間化合物のいずれか1種と、Sn−Cu系金属間化合物から成る第1の金属間化合物層と、Sn−Cu系金属間化合物から成る第2の金属間化合物層と、SnまたはSn合金から成る表面めっき層とが、この順序で形成されていることを特徴とするめっき材料が提供される。
【0018】
また、本発明においては、導電性基材の表面に、FeもしくはFe合金、NiもしくはNi合金、またはCoもしくはCo合金のいずれか1種から成る下地めっき層と、SnまたはSn合金から成る第1中間めっき層と、CuまたはCu合金から成る第2中間めっき層と、SnまたはSn合金から成る表面めっき層とをこの順序で形成し、その後熱処理して、前記第1中間めっき層がSn−Fe系金属間化合物、Sn−Ni系金属間化合物、またはSn−Co系金属間化合物のいずれか1種と、Sn−Cu系金属間化合物から成る第1の金属間化合物層に転化し、前記第2中間めっき層がSn−Cu系金属間化合物から成る第2の金属間化合物層に転化することを特徴とするめっき材料の製造方法が提供される。
【0019】
また、本発明においては、上記しためっき材料を用いた耐熱性に優れる電気・電子部品、具体的には、嵌合型コネクタや接触子が提供される。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明のめっき材料は、後述するような5層構造になっている。そして、各層の構成材料や厚みは、前記した耐熱性の向上や、耐熱性と挿抜性を同時に安定化して向上させることとの関係で後述するように設計される。
まず、本発明のめっき材料は、図1で示したように、全体として、導電性基材1の上に、後述する下地めっき層2、第1中間めっき層3、第2中間めっき層4、および表面めっき層5がこの順序で形成されている。このめっき材料は、下地めっき層2と表面めっき層5の間に、第1中間めっき層3と第2中間めっき層4が介在し、これら第1中間めっき3と第2中間めっき層4が後述する機能を発揮することにより、高温環境下における表面めっき層5の消失が抑制されるところに最大の特徴を有している。
【0021】
まず、導電性基材1の材料は格別限定されるものではなく、例えば接続コネクタとしての用途を考慮し、要求される機械的強度、耐熱性、導電性に応じて適宜選択すればよい。一般に使用される材料としては、例えば、純銅;リン青銅、黄銅、洋白、ベリリウム銅、コルソン合金のような銅合金;純鉄、ステンレス鋼のような鉄合金;各種のニッケル合金;Cu被覆Fe材やNi被覆Fe材のような複合材料などから適宜に選定すればよい。
【0022】
これらの材料のうち、CuまたはCu合金が好適である。
なお、導電性基材1がCu系材料でない場合は、その表面にCuまたはCu合金のめっきを施してから実使用に供すると、めっき膜の密着性や耐食性が更に向上する。
この導電性基材1の上に形成されている下地めっき層2は、基材1と表面めっき層5との密着強度を確保するために設けられるとともに、基材の成分が表層側に熱拡散することを防止するバリア層としても機能する。
【0023】
具体的には、FeまたはFe合金、NiまたはNi合金、CoまたはCo合金などで下地めっき層2が形成される。
これらのFe,Ni,Coはいずれも融点が1000℃以上の高融点金属である。そして、例えば接続コネクタの使用環境温度は一般に200℃以下であるため、このような使用環境下では、この下地めっき層2は熱拡散を起こしにくいことはもち論のこと、基材成分の表層側への熱拡散を有効に防止する。
【0024】
そして、それらを主成分とする合金としては、例えば、Ni−P,Ni−Sn,Co−P,Ni−Co,Ni−Co−P,Ni−Cu,Ni−Cr,Ni−Zn,Ni−Feなどをあげることができる。
ここで、めっき材料における下地めっき層2の厚みは0.05〜2μmの範囲内に設定されていることが好ましい。
【0025】
この下地めっき層2の厚みが薄すぎると上記した効果は充分に発揮されなくなり、また厚すぎると基材1との密着強度が低くなって基材1から剥離しやくすくなるからである。
次に、この下地めっき層2の上に形成される第1中間めっき層3は、SnまたはSn合金から成る。
【0026】
この第1中間めっき層3は、表面めっき層5までのめっき形成が終了しためっき材料が高温処理を施されたり、または高温環境下に曝されたときに、後述する第2中間めっき層4の成分(Cu成分)と前記した下地めっき層2の成分(Ni,Fe,Co成分など)と反応する。そして、第2中間めっき層4との間ではSn−Cu系金属化合物を形成し、また下地めっき層2との間ではSn−(Ni,Fe,Co)系金属化合物を形成する。そのため、SnまたはSn合金から成る第1中間めっき層3の厚みは薄くなっていく。そして、第1めっき層3のSn成分が全て消費され、Sn−Cu系金属間化合物やSn−(Ni,Fe,Co)系金属間化合物になった時点で、この第1中間めっき層3は、全体としては、図2で示したように、第1の金属間化合物層3’に転化する。
【0027】
この第1の金属間化合物層3’は、基材1の成分や下地めっき層2の成分が表面めっき層5の方に熱拡散していくことを遅延させて、当該表面めっき層5の変質を防止する働きをする。しかし、その反面、脆性である。
加熱処理や高温環境下で上記したように変化していく第1中間めっき層3の厚みは、0.05〜0.5μmに設定されることが好ましい。この厚みを薄くしすぎると、上記した第1の金属間化合物層3’が充分に形成されないため、表面めっき層5の変質を招くようになり、また厚くしすぎると、下地めっき層2や第2中間めっき層4の間で剥離が起きやすくなるからである。
【0028】
次に、第1中間めっき層3の上に形成される第2中間めっき層4は、CuまたはCu合金から成る。
この第2中間めっき層4は、加熱処理時や高温環境下に曝されると、第2中間めっき層4のCu成分と第1中間めっき層3のSn成分との間でCu−Sn系金属間化合物を形成し、また、表面めっき層5のSn成分との間でもCu−Sn系金属間化合物を形成する。その結果、第2中間めっき層4は、図2で示したように、第2のSn−Cu系金属間化合物から成る層4’に転化していく。
【0029】
この第2の金属間化合物層4’も、前記した第1の金属間化合物層3’と同様に、基材成分や下地めっき層の成分が表面めっき層5の方に熱拡散することを防止するバリヤとして機能する。加熱処理や高温環境下で上記したように変化していく第2中間めっき層4の厚みは0.05〜0.29μmに設定されることが好ましい。この厚みを薄くしすぎると、第2の金属間化合物層4’が充分に形成されないため表面めっき層5の変質を招くようになり、また厚くしすぎると、例えば製造しためっき材料からコネクタ端子を加工するときに、めっき材料はこの第2中間めっき層4で剥離が起きやすくなるからである。
【0030】
なお、上記した第1の金属間化合物層3’、第2の金属間化合物層4’は、高温環境下で自動的に形成されていくが、めっき材料の製造時における熱処理や、製造しためっき材料に更にリフロー処理を施して形成させることもできる。その場合には、初期状態で安定なめっき材料になる。
例えば、めっき材料の製造工程で形成させる場合には、100〜600℃で数時間以上のバッチ式熱処理、180〜230℃で数秒程度の走間熱処理(表面は未溶融)、実体温度230〜300℃でのリフロー処理(表面は溶融・再凝固)などを適用することができる。
【0031】
上記した金属間化合物から成る層3’,4’が形成されていくと、最表層の表面めっき層4は、その厚みが薄くなっていく。そして、第1中間めっき層3、第2中間めっき層4のいずれもが、それぞれ、第1の金属間化合物層3’、第2の金属間化合物層4’に転化し終わった時点で熱拡散に基づく金属間反応は終了する。したがって、図2で示したように、最表層にはSnまたはSn合金から成る表面めっき層5を消失させることなく、ある厚みの表面めっき層を残存させることが可能である。
【0032】
下地めっき層2、第1中間めっき層3、第2中間めっき層4の厚みをそれぞれ上記したように設定した場合、めっき形成時における表面めっき層5の厚みを0.1μm以上に設定しておけば、そのめっき材料は、高温加熱時や高温環境下に曝されても、表面めっき層5が消失してしまうという事態は防止可能である。本発明のめっき材料は、基材の表面に、各めっき層に関する所定の合金めっき浴を用いて、下地めっき層、第1中間めっき層、第2中間めっき層、および表面めっき層を順次めっき形成して製造することができる。
【0034】
【実施例】
実施例1〜9,比較例1〜5
黄銅条に、電解脱脂、酸洗を順次行ったのち、下地めっき層、第1中間めっき層、第2中間めっき層、表面めっき層を順次形成して、表2で示した各種のめっき材料を製造した。
なお、各層形成時のめっき条件は表1に示したとおりである。
【0035】
【表1】
【0036】
製造した各めっき材料を表2で示した温度に加熱し、そのときの表面めっき層の残存厚み、接触抵抗を下記の仕様で測定した。また、初期時における動摩擦係数を下記の仕様で測定した。
残存厚み:めっき材料を温度100〜160℃のエアバスの中に120時間放置したのち、定電流溶解法で測定。
【0037】
接触抵抗:めっき材料を温度160℃で120時間加熱したのちに測定。
動摩擦係数:バウデン型摩擦試験器を用い、荷重294mN、摺動距離10mm、摺動速度100M/min、摺動回数1回の条件下で測定。なお、相手材としては、板厚0.25mmの黄銅条にリフローSnめっきを1μm施したのち、0.5mmRに張り出し加工を行ったものを用いた。
以下の結果を一括して表2に示す。
【0038】
【表2】
【0039】
表2から次のことが明らかである。
実施例と比較例を対比すると、実施例は、全体として、環境温度が高温になっても、表面めっき層(Sn)が残存しており、しかも動摩擦係数が小さくなっている。そして、形成した表面めっき層の厚みが厚い実施例のものほど加熱後における表面めっき層(Sn)の残存厚みは厚くなっていて耐熱性を保持している。しかし、他方では、動摩擦係数は、表面めっき層の厚みが薄い実施例の方が小さくなっている。このようなことから、表面めっき層の厚みが薄いものの方が挿抜性の点で有利である。
【0040】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明のめっき材料は、下地めっき層と表面めっき層の間に第1中間めっき層と第2中間めっき層を介在させており、そして表面めっき層とこれら中間めっき層の厚みを、高温環境下にあっても表面めっき層のSnまたはSn合金が残存するように設計されている。
【0041】
したがって、このめっき材料は、耐熱性が良好であり、また良好な耐熱性と挿抜性を兼ね備えていて、例えば自動車エンジンルーム内のような高温環境下に配置されるコネクタ、また嵌合型コネクタ、接触子などの各種電気・電子部品用の材料として有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のめっき材料の1例を示す断面図である。
【図2】図1のめっき材料を高温環境下に曝したときの層構造を示す断面図である。
【符号の説明】
1 導電性基材
2 下地めっき層
3 第1中間めっき層
3’ 第1の金属間化合物層
4 第2中間めっき層
4’ 第2の金属間化合物層
5 表面めっき層
Claims (6)
- 導電性基体の表面に、FeもしくはFe合金、NiもしくはNi合金、またはCoもしくはCo合金のいずれか1種から成る下地めっき層と、Sn−Fe系金属間化合物、Sn−Ni系金属間化合物、またはSn−Co系金属間化合物のいずれか1種と、Sn−Cu系金属間化合物から成る第1の金属間化合物層と、Sn−Cu系金属間化合物から成る第2の金属間化合物層と、SnまたはSn合金から成る表面めっき層とが、この順序で形成されていることを特徴とするめっき材料。
- 導電性基材の表面に、FeもしくはFe合金、NiもしくはNi合金、またはCoもしくはCo合金のいずれか1種から成る下地めっき層と、SnまたはSn合金から成る第1中間めっき層と、CuまたはCu合金から成る第2中間めっき層と、SnまたはSn合金から成る表面めっき層とをこの順序で形成し、その後熱処理して、前記第1中間めっき層がSn−Fe系金属間化合物、Sn−Ni系金属間化合物、またはSn−Co系金属間化合物のいずれか1種と、Sn−Cu系金属間化合物から成る第1の金属間化合物層に転化し、前記第2中間めっき層がSn−Cu系金属間化合物から成る第2の金属間化合物層に転化することを特徴とするめっき材料の製造方法。
- 前記下地めっき層の厚みを0.05〜2μm、前記第1中間めっき層の厚みを0.05〜0.5μm、かつ、前記第2中間めっき層の厚みを0.05〜0.29μmにする請求項2のめっき材料の製造方法。
- 製造しためっき材料に、更にリフロー処理を行う請求項2または3のめっき材料の製造方法。
- 請求項1のめっき材料を用いたことを特徴とする、耐熱性に優れた電気・電子部品。
- 電気・電子部品が、嵌合型コネクタまたは接触子である請求項5の電気・電子部品。
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