JP6503159B2 - 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 - Google Patents
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Description
また、特許文献2に記載の技術では、Ag3Sn(ε相)化合物を含有する厚み0.5〜20μmのSn層またはSn合金層から成る表面層であり、本発明者らの評価では、この表面層厚みでは十分に挿入力を下げることはできない領域が存在した。更にSn層またはSn合金層から成る表面層のAg3Sn(ε相)の含有量が、Ag換算にして0.5〜5質量%であるとも記載されており、Sn層またはSn合金層から成る表面層におけるSnの割合が多く、Sn層またはSn合金層から成る表面層の厚みも厚いために本発明者らの評価ではウィスカが発生し、耐微摺動磨耗性が十分ではなかった。耐熱性やはんだ濡れ性も十分ではなかった。
また、特許文献3に記載の技術では、被覆層がSnと、貴金属との金属間化合物を含んでいるが、Snと貴金属との金属間化合物(Ag3Sn)の厚みが好ましくは1μm以上3μm以下となっている本発明者らの評価では、この厚みでは、十分に挿入力を下げることができなかった。
このように、従来のSn−Ag合金/Ni下地めっき構造を有する電子部品用金属材料にはまだ十分に挿入力を下げることができず、またウィスカが発生するという問題が残されていた。また耐久性(耐熱性、はんだ濡れ性、耐微摺動磨耗性及び耐ガス腐食性)についても十分満足できる仕様とすることは困難であり、明らかになっていない。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、低ウィスカ性、低凝着磨耗性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品を提供することを課題とする。なお、凝着磨耗とは固体間の真実接触面積を構成する凝着部分が、摩擦運動によりせん断されることに基因して生ずる摩耗現象のことをいう。この凝着磨耗が大きくなると、オス端子とメス端子を勘合した時の挿入力が高くなる。
本発明に係る電子部品用金属材料は、基材と、Niで構成された下層と、Ag及びPdからなる群であるA構成元素群から選択された1種又は2種類以上と、Sn及びInからなる群であるB構成元素群から選択された1種又は2種とで合金が構成された上層とをこの順に備える。
(基材)
基材としては、特に限定されないが、例えば、銅及び銅合金、Fe系材、ステンレス、チタン及びチタン合金、アルミニウム及びアルミニウム合金などの金属基材を用いることができる。また、金属基材に樹脂層を複合させたものであっても良い。金属基材に樹脂層を複合させたものとは、例としてFPCまたはFFC基材上の電極部分などがある。
上層は、(i)Ag及びPdからなる群であるA構成元素群から選択された1種又は2種類、又は、(ii)A構成元素群と、Sn及びInからなる群であるB構成元素群から選択された1種又は2種との合金で構成されている。Sn及びInは、酸化性を有する金属ではあるが、金属の中では比較的柔らかいという特徴がある。よって、Sn及びIn表面に酸化膜が形成されていても、例えば電子部品用金属材料を接点材料としてオス端子とメス端子を勘合する時に、容易に酸化膜が削られ、接点が金属同士となるため、低接触抵抗が得られる。
また、Sn及びInは塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガスに対する耐ガス腐食性に優れ、例えば、上層に耐ガス腐食性に劣るAg、下層に耐ガス腐食性に劣るNi、基材に耐ガス腐食性に劣る銅及び銅合金を用いた場合には、電子部品用金属材料の耐ガス腐食性を向上させる働きがある。なおSn及びInでは、厚生労働省の健康障害防止に関する技術指針に基づき、Inは規制が厳しいため、Snが好ましい。
上層に、ζ(ゼータ)相と、Ag3Snであるε(イプシロン)相とが存在することが好ましい。ε(イプシロン)相の存在によって、上層にζ(ゼータ)相のみが存在する場合と比較して皮膜が硬くなり凝着磨耗が低下する。また上層のSn割合が多くなることで耐ガス腐食性が向上する。
上層に、Ag3Snであるε(イプシロン)相のみが存在することが好ましい。上層にε(イプシロン)相が単独に存在することによって、上層にζ(ゼータ)相とAg3Snであるε(イプシロン)相とが存在する場合と比較して皮膜が更に硬くなり凝着磨耗が低下する。また上層のSn割合がより多くなることで耐ガス腐食性も向上する。
上層に、Ag3Snであるε(イプシロン)相と、Sn単相であるβSnとが存在することが好ましい。Ag3Snであるε(イプシロン)相と、Sn単相であるβSnとが存在することによって、上層にε(イプシロン)相のみが存在する場合と比較して更に上層のSn割合がより多くなることで耐ガス腐食性が向上する。
上層に、Snを11.8〜22.9at%含むSnAg合金であるζ(ゼータ)相と、Ag3Snであるε(イプシロン)相と、Sn単相であるβSnとが存在することが好ましい。ζ(ゼータ)相と、Ag3Snであるε(イプシロン)相と、Sn単相であるβSnとが存在することによって、耐ガス腐食性が向上し、ガス腐食試験を行っても外観が変色しにくく、凝着磨耗が低下する。この組成は拡散で生じるものであり、平衡状態の構造ではない。
基材と上層との間には、Niを用いて下層を形成することで、硬い下層形成により薄膜潤滑効果が向上して凝着磨耗が低下し、下層は基材の構成金属が上層に拡散するのを防止して耐熱性やはんだ濡れ性などを向上させる。
下層と上層との間に、Niと、Sn及びInからなる群であるB構成元素群から選択された1種又は2種とで合金が構成された中層がさらに設けられていてもよい。Sn及びInは塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガスに対する耐ガス腐食性に優れ、電子部品用金属材料の耐ガス腐食性を向上させる働きがある。Niは、SnやInと比較して皮膜が硬いために凝着磨耗が生じにくく、基材の構成金属が上層に拡散するのを防止し、耐熱性試験やはんだ濡れ性劣化を抑制するなどの耐久性を向上させる。
Sn及びInの中では、厚生労働省の健康障害防止に関する技術指針に基づき、Inは規制が厳しいため、Snが好ましい。
中層に、Ni3Sn4と、Ni3Sn2とが存在することが好ましい。これらが存在することによって耐熱性やはんだ濡れ性を向上させる場合がある。
中層に、Ni3Sn4と、Sn単相であるβSnとが存在することが好ましい。これらが存在することによって耐熱性やはんだ濡れ性は、Ni3Sn4とNi3Sn2が存在する場合と比較して耐熱性やはんだ濡れ性が向上する場合がある。
上層、中層及び下層が、基材上にNiを成膜し、その後、A構成元素群から選択された1種又は2種を成膜し、その後、B構成元素群から選択された1種又は2種類以上を成膜し、Ni、A構成元素群及びB構成元素群の各元素が拡散することでそれぞれ形成されていても良い。例えばB構成元素群の金属がSn、A構成元素群の金属がAgの場合、SnへのAgの拡散は速く、自然拡散によってSn−Ag合金層を形成する。合金層を形成し、最表層における単体のSn及びInの残存量を抑制することで、凝着力を一層小さくし、また低ウィスカ性及び耐久性も更に向上させることができる。
上層を形成させた後に更に凝着磨耗抑制し、また低ウィスカ性及び耐久性を更に向上させる目的で熱処理を施しても良い。熱処理によって上層のA構成元素群の金属とB構成元素群の金属、中層のNiとB構成元素群の金属とが合金層をより形成しやすくなり、Snの凝着力を一層小さくし、また低ウィスカ性及び耐久性も更に向上させることができる。
なお、この熱処理については、処理条件(温度×時間)は適宜選択できる。また、特にこの熱処理はしなくてもよい。なお熱処理を施す場合にはB構成元素群の金属の融点以上の温度で行った方が上層のA構成元素群の金属とB構成元素群の金属、中層のNiとB構成元素群の金属とが合金層をより形成しやすくなる。合金層は熱処理を行わなくとも、常温で反応が進み、合金化するが、熱処理により合金化を促進させた方が、凝着摩耗の抑制には好ましい。
上層上に、または上層上に熱処理を施した後に、更に凝着磨耗を低下させ、また低ウィスカ性及び耐久性も向上させる目的で後処理を施しても良い。後処理によって潤滑性が向上し、更に凝着磨耗が低下しまた上層の酸化が抑制されて、耐熱性やはんだ濡れ性等の耐久性を向上させることができる。具体的な後処理としてはインヒビターを用いた、リン酸塩処理、潤滑処理、シランカップリング処理等がある。
本発明の電子部品用金属材料は、超微小硬さ試験により、上層側の表面に荷重20mNで打痕を打って測定して得られた硬度である、上層側の表面の平均押し込み硬さが2700〜3500MPaである。上層側の表面の平均押し込み硬さが2700MPa以上であることによって硬い上層による薄膜潤滑効果が向上し、凝着磨耗を低下させる。上層側の表面の平均押し込み硬さが3500MPa以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の電子部品用金属材料をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性低下を抑制する。
本発明の電子部品用金属材料の用途は特に限定しないが、例えば電子部品用金属材料を接点部分に用いたコネクタ端子、電子部品用金属材料を接点部分に用いたFFC端子またはFPC端子、電子部品用金属材料を外部接続用電極に用いた電子部品などが挙げられる。なお、端子については、圧着端子、はんだ付け端子、プレスフィット端子等、配線側との接合方法によらない。外部接続用電極には、タブに表面処理を施した接続部品や半導体のアンダーバンプメタル用に表面処理を施した材料などがある。
また、このように形成されたコネクタ端子を用いてコネクタを作製しても良く、FFC端子またはFPC端子を用いてFFCまたはFPCを作製しても良い。
また本発明の電子部品用金属材料は、ハウジングに取り付ける装着部の一方側にメス端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、該基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して該基板に取り付ける圧入型端子に用いても良い。
コネクタはオス端子とメス端子の両方が本発明の電子部品用金属材料であっても良いし、オス端子またはメス端子の片方だけであっても良い。なおオス端子とメス端子の両方を本発明の電子部品用金属材料にすることで、更に低挿抜性が向上する。
本発明の電子部品用金属材料の製造方法としては、湿式(電気、無電解)めっき、乾式(スパッタ、イオンプレーティング等)めっき等を用いることができる。
実施例及び比較例として、表1に示す条件で、素材(1)〜(3)に対し、それぞれ、電解脱脂、酸洗、第1めっき、第2めっき、第3めっき、及び、熱処理の順で表面処理を行った。また、熱処理前の前記第1めっき、第2めっき、第3めっきによって基材側から順に作製された、被覆層(1)、被覆層(2)、被覆層(3)の組成及び厚みを表2に示す。当該厚みは、蛍光X線膜厚計(Seiko Instruments製 SEA5100、コリメータ0.1mmΦ)で任意の10点測定した値の平均である。
(1)板材:厚み0.30mm、幅30mm、成分Cu−30Zn
(2)オス端子:厚み0.64mm、幅2.3mm、成分Cu−30Zn
(3)圧入型端子:常盤商行製、プレスフィット端子PCBコネクタ、R800
(1)半光沢Niめっき
表面処理方法:電気めっき
めっき液:スルファミン酸Niめっき液+サッカリン
めっき温度:55℃
電流密度:0.5〜4A/dm2
(1)Agめっき
表面処理方法:電気めっき
めっき液:シアン化Agめっき液
めっき温度:40℃
電流密度:0.2〜4A/dm2
(2)Pdめっき条件
表面処理方法:電気めっき
めっき液:メタンスルホン酸Pdめっき液
めっき温度:40℃
電流密度:0.5〜4A/dm2
(1)Snめっき条件
表面処理方法:電気めっき
めっき液:メタンスルホン酸Snめっき液
めっき温度:40℃
電流密度:0.5〜4A/dm2
(2)Inめっき条件
表面処理方法:電気めっき
めっき液:メタンスルホン酸Inめっき液
めっき温度:40℃
電流密度:0.5〜4A/dm2
熱処理はホットプレートにサンプルを置き、ホットプレートの表面が所定の温度になったことを確認して実施した。熱処理条件を表1に示す。
得られた試料の表層、上層、中層の厚み及び組成については、STEM(日本電子株式会社製JEM−2100F)の線分析で評価し、熱処理により基材に被覆した元素が反応して合金化し、上層、中層を形成していることが確認された。上層、中層の厚さの比に関しては上記線分析を任意の10点について行った平均値の化を求めた。
下層の厚みは、蛍光X線膜厚計(Seiko Instruments製 SEA5100、コリメータ0.1mmΦ)で測定し、任意の10点について評価を行って平均化した。
測定した熱処理後の下層、中層、上層、表層の組成及び厚みを表3に示す。
各試料について以下の評価を行った。
・はんだ濡れ性
はんだ濡れ性はめっき後のサンプルを評価した。サンプルとして、めっき直後(初期)のサンプル、及び、温度85℃、湿度85%の環境下で48時間経過後のサンプルをそれぞれ評価した。ソルダーチェッカ(レスカ社製SAT−5200)を使用し、フラックスとして市販のULF−300R(タムラ製作所)を用い、メニスコグラフ法にてはんだ濡れ時間を測定した。はんだはSn−3Ag−0.5Cu(250℃)を用いた。サンプル数は5個とし、各サンプルの最小値から最大値の範囲を採用した。目標とする特性は、ゼロクロスタイム5秒(s)以下である。
STEM(日本電子株式会社製JEM−2100F)による分析を行った。具体的には、TEM観察により長径100nm以上の粒を粗大粒とし、5万倍の視野で5視野観察し、1mm2あたりの平均を求めた。
凝着磨耗は、市販のSnリフローめっきメス端子(090型住友TS/矢崎090IIシリーズメス端子非防水/F090−SMTS)を用いてめっきを施したオス端子と挿抜試験することによって評価した。
試験に用いた測定装置は、アイコーエンジニアリング製1311NRであり、オスピンの摺動距離5mmで評価した。サンプル数は5個とし、凝着磨耗は挿入力を用いて評価した。挿入力は、各サンプルの最大値を平均した値を採用した。
接触抵抗は、山崎精機研究所製接点シミュレーターCRS−113−Au型を使用し、接点荷重50gの条件で4端子法にて測定した。サンプルとして、めっき直後(初期)のサンプル、及び、温度140℃の環境下で120時間経過後のサンプルをそれぞれ評価した。サンプル数は5個とし、各サンプルの最小値から最大値の範囲を採用した。
耐微摺動磨耗性は、山崎精機研究所製精密摺動試験装置CRS−G2050型を使用し、摺動距離0.5mm、摺動速度1mm/s、接触荷重1N、摺動回数500往復条件で摺動回数と接触抵抗との関係を評価した。サンプル数は2個とし、各サンプルの値を記した。また、サンプルを摺動させながら接触抵抗を測定し、接触抵抗が50mΩとなった時の摺動回数を記録した。
下層のビッカース硬さは、下層断面より荷重980.7mN(Hv0.1)、荷重保持時間15秒で打痕を打って測定した。
上層側表面の押し込み硬さは、超微小硬さ試験(エリオニクス製ENT−2100)により、サンプル表面に荷重20mNで打痕を打って測定した。測定は50箇所行い、その平均を算出した。
ウィスカは、JEITA RC−5241の荷重試験(球圧子法)にて評価した。すなわち、各サンプルに対して荷重試験を行い、荷重試験を終えたサンプルをSEM(JEOL社製、型式JSM−5410)にて100〜10000倍の倍率で観察して、ウィスカの発生状況を観察した。荷重試験条件を以下に示す。
球圧子の直径:Φ1mm±0.1mm
試験荷重:2N±0.2N
試験時間:120時間
サンプル数:10個
各試料の最表面から深さ1nmまでの領域における単体のSn及びIn、及び、A構成元素の原子濃度を分析するために、アルバック・ファイ株式会社製XPS分析装置(型式:PHI5000 Versa Probe II)を用いて、以下の条件にてXPSによる測定を行った。これにより、最表面から深さ1nmまでの領域におけるA構成元素の原子濃度を測定し、単体のSn及びInが残存しているか否か、その中のピークの濃度、すなわち、A構成元素の原子濃度の最大値を求めた。
(測定条件)
到達真空度:2.2×10-7Pa
励起源:単色化 AlK
出力: 25W
検出面積: 100μmφ
入射角: 90度
取り出し角: 45度
中和銃:なし
(スパッタ条件)
イオン種:Ar+
加速電圧:2kV
掃引領域:3mm×3mm
レート:0.4nm/min(SiO2換算)
評価結果を表4に示す。
比較例1〜9は、低ウィスカ性、低凝着磨耗性及び高耐久性の少なくともいずれかが不良であった。
比較例1、2は硬さ、下層粗大粒の平均面積とも請求項の範囲内であるが、熱処理不足で最表面から深さ1nmまでの領域におけるA構成元素の含有量の最大値が10at%未満であり、凝着摩耗が大きくなり耐摩耗性を低下させてしまった。また、最表面から深さ1nmまでの領域に単体のSn及びInが残存することでウィスカ性も悪化した。比較例7はSnの膜厚が厚く、熱処理で十分な拡散が出来ず、最表層にSnが残存してしまい、同じように耐摩耗性、ウィスカ性が悪化した。Snの残存量が23at%と多く、はんだ濡れ性も悪化した。
一方比較例3〜6はNi厚みが不適正なため、超微小硬さが高い、または低いため、耐摺動摩耗性が劣化した。
そして、比較例8、9はAgが合金化してない例であるが、下層の粗大粒面積が適正範囲から外れるため、耐摺動摩耗性が劣化した。
図4に、比較例3、実施例5及び7に係る電子部品用金属材料の微摺動摩耗試験結果を示す。
図5に、実施例5のXPSによる分析結果のグラフを示す。
図6に、比較例1のXPSによる分析結果のグラフを示す。
Claims (14)
- 基材と、Niで構成された下層と、
(i)Ag及びPdからなる群であるA構成元素群から選択された1種又は2種類、又は、
(ii)前記A構成元素群と、Sn及びInからなる群であるB構成元素群から選択された1種又は2種との合金
で構成された上層と、
をこの順に備える金属材料であり、最表面から深さ1nmまでの領域に単体のSn又はInが残存せず、
超微小硬さ試験により、前記金属材料における前記上層側の表面に荷重20mNで打痕を打って測定して得られた硬度である、前記上層側の表面の平均押し込み硬さが2700〜3500MPaであり、最表面から深さ1nmまでの領域における、前記A構成元素の含有量の最大値が10at%以上であり、
前記下層の結晶粒が混粒の中で長径100nm以上の粒である粗大粒の平均面積が0.005〜0.010mm 2 である電子部品用金属材料。 - 前記下層と上層との間に、Niと、Sn及びInからなる群であるB構成元素群から選択された1種又は2種とで合金が構成された中層をさらに備えた請求項1に記載の電子部品用金属材料。
- 前記上層と中層との厚みを、上層/中層として、1.8〜3.0である請求項2に記載の電子部品用金属材料。
- 前記下層の厚みが0.1〜0.8μmである請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子部品用金属材料。
- 前記下層の断面のビッカース硬さがHv250以上である請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子部品用金属材料。
- 前記下層の断面のビッカース硬さがHv330以下である請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子部品用金属材料。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子部品用金属材料を接点部分に用いたコネクタ端子。
- 請求項7に記載のコネクタ端子を用いたコネクタ。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子部品用金属材料を接点部分に用いたFFC端子。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子部品用金属材料を接点部分に用いたFPC端子。
- 請求項9に記載のFFC端子を用いたFFC。
- 請求項10に記載のFPC端子を用いたFPC。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子部品用金属材料を外部接続用電極に用いた電子部品。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子部品用金属材料を、ハウジングに取り付ける装着部の一方側にメス端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、前記基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して前記基板に取り付ける圧入型端子に用いた電子部品。
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