JP5086485B1 - 電子部品用金属材料及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材11と、基材11の最表層を構成し、Sn,In,またはそれらの合金で形成されたA層14と、基材11とA層14との間に設けられて中層を構成し、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはそれらの合金で形成されたB層13と、を備え、最表層(A層)14の厚みが0.002〜0.2μmであり、中層(B層)13の厚みが0.001〜0.3μmである電子部品用金属材料10。
【選択図】図1
Description
また、特許文献2〜5に記載の技術では、はんだ濡れ性又は接触特性は良好であるが、挿抜性やウィスカの抑制に関して満足できるものとはいえない。
また、特許文献6に記載の技術では、接触抵抗は改善されているものの、はんだ濡れ性に関して満足できるものとはいえない。
このように、従来のSn/Ag/Ni下地めっき構造を有する電子部品用金属材料には挿抜性やウィスカに問題があり、挿抜性やウィスカに問題が無い仕様としても、耐久性(耐熱性、耐ガス腐食性、高はんだ濡れ性)についても満足できる仕様とすることは困難であり、明らかになっていなかった。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、低挿抜性(低挿抜性とは、オス端子とメス端子を勘合させた時に生じる挿入力が低いことを言う。)、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供することを課題とする。
ビッカース硬さ(Hv) ≧ −376.22Ln(厚みμm)+86.411
を満たす。
押し込み硬さ(MPa) ≧ −3998.4Ln(厚みμm)+1178.9
を満たす。
(基材)
基材11としては、特に限定されないが、例えば、銅及び銅合金、Fe系材、ステンレス、チタン及びチタン合金、アルミニウム及びアルミニウム合金などの金属基材を用いることができる。また、金属基材に樹脂層を複合させたものであっても良い。金属基材に樹脂層を複合させたものとは、例としてFPCまたはFFC基材上の電極部分などがある。
基材11のビッカース硬さはHv90以上であるのが好ましい。基材11のビッカース硬さがHv90以上であると、硬い基材によって薄膜潤滑効果が向上し、挿抜力がより低下する。
基材11の押し込み硬さは1000MPa以上であるのが好ましい。基材11の押し込み硬さが1000MPa以上であると、硬い基材によって薄膜潤滑効果が向上し、挿抜力がより低下する。
基材11の伸びは5%以上であるのが好ましい。基材11の伸びが5%以上であると、曲げ加工性が向上し、本発明の電子部品用金属材料をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性(耐久性)低下を抑制する。
基材11の最小曲げ半径比(MBR/t)は3以下であるのが好ましい。基材11の最小曲げ半径比(MBR/t)が3以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の電子部品用金属材料をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性(耐久性)低下を抑制する。
最表層(A層)14は、Sn,In,またはそれらの合金である必要がある。Sn及びInは、酸化性を有する金属ではあるが、金属の中では比較的柔らかいという特徴がある。よって、Sn及びIn表面に酸化膜が形成されていても、例えば電子部品用金属材料を接点材料としてオス端子とメス端子を勘合する時に、容易に酸化膜が削られ、接点が金属同士となるため、低接触抵抗が得られる。
また、Sn及びInは塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガスに対する耐ガス腐食性に優れ、例えば、中層(B層)13に耐ガス腐食性に劣るAg、下層(C層)12に耐ガス腐食性に劣るNi、基材11に耐ガス腐食性に劣る銅及び銅合金を用いた場合には、電子部品用金属材料の耐ガス腐食性を向上させる働きがある。なおSn及びInでは、厚生労働省の健康障害防止に関する技術指針に基づき、Inは規制が厳しいため、Snが好ましい。
中層(B層)13は、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはそれらの合金で形成されている必要がある。Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Irは、金属の中では比較的耐熱性を有するという特徴がある。よって基材11や下層(C層)12の組成が最表層(A層)14側に拡散するのを抑制して耐熱性を向上させる。また、これら金属は、最表層(A層)14のSnやInと化合物を形成してSnやInの酸化膜形成を抑制し、はんだ濡れ性を向上させる。なお、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Irの中では、導電率の観点でAgがより望ましい。Agは導電率が高い。例えば高周波の信号用途にAg用いた場合、表皮効果により、インピーダンス抵抗が低くなる。
中層(B層)13の合金組成がAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはAgとAuとPtとPdとRuとRhとOsとIrとの合計で50質量%以上であり、残合金成分がBi,Cd,Co,Cu,Fe,In,Mn,Mo,Ni,Pb,Sb,Se,Sn,W,Tl,Znからなる群より選択される1種、もしくは2種以上の金属で構成されていても良い。中層(B層)13が、例えばSn−Agめっきで形成される等により、その組成が合金になることで、低挿抜性、低ウィスカ性、及び、耐久性(耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等)などを向上させる場合がある。
基材11と中層(B層)13との間には、Ni,Cr,Mn,Fe,Co,Cuからなる群から選択された1種、もしくは2種以上からなる下層(C層)12を形成するのが好ましい。Ni,Cr,Mn,Fe,Co,Cuからなる群から選択された1種、もしくは2種以上の金属を用いて下層(C層)12を形成することで、硬い下層(C層)形成により薄膜潤滑効果が向上して低挿抜性が向上し、下層(C層)12は基材11の構成金属が中層(B層)に拡散するのを防止し、耐熱性試験や耐ガス腐食性試験後の接触抵抗増加及びはんだ濡れ性劣化を抑制するなど、耐久性が向上する。
最表層(A層)14を形成させた後に、低挿抜性、低ウィスカ性、耐久性(耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等)を向上させる目的で熱処理を施しても良い。熱処理によって最表層(A層)14と中層(B層)13が合金層を形成しやすくなり、Snの凝着力を一層小さくすることにより低挿抜性が得られ、また低ウィスカ性及び耐久性も更に向上させる。なお、この熱処理については、処理条件(温度×時間)は適宜選択できる。また、特にこの熱処理はしなくてもよい。
最表層(A層)14上、または最表層(A層)14上に熱処理を施した後に、低挿抜性や耐久性(耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等)を向上させる目的で後処理を施しても良い。後処理によって潤滑性が向上し、更なる低挿抜性が得られ、また最表層(A層)と中層(B層)の酸化が抑制されて、耐熱性、耐ガス腐食性及びはんだ濡れ性等の耐久性が向上する。具体的な後処理としてはインヒビターを用いた、リン酸塩処理、潤滑処理、シランカップリング処理等がある。なお、この熱処理については、処理条件(温度×時間)は適宜選択できる。また、特にこの熱処理はしなくてもよい。
最表層(A層)の表面(最表層の表面から測定した)のビッカース硬さはHv300以上であるのが好ましい。最表層(A層)14の表面のビッカース硬さがHv300以上であると、硬い最表層(A層)によって薄膜潤滑効果が向上し、低挿抜性が向上する。また一方で、最表層(A層)14表面(最表層の表面から測定した)のビッカース硬さはHv1000以下あるのが好ましい。最表層(A層)14の表面のビッカース硬さがHv1000以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の電子部品用金属材料をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性(耐久性)低下を抑制する。
最表層(A層)14の表面(最表層の表面から測定した)の押し込み硬さは2500MPa以上あるのが好ましい。最表層(A層)14の表面の押し込み硬さが2500MPa以上であると、硬い最表層(A層)によって薄膜潤滑効果が向上し、低挿抜性が向上する。また一方で最表層(A層)14の表面(最表層の表面から測定した)の押し込み硬さは10000MPa以下あるのが好ましい。最表層(A層)14の表面の押し込み硬さが10000MPa以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の電子部品用金属材料をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性(耐久性)低下を抑制する。
最表層(A層)14の表面の最大高さ(Rz)は1μm以下であるのが好ましい。最表層(A層)14の表面の最大高さ(Rz)が1μm以下であると比較的腐食しやすい凸部が少なくなり平滑となるため、耐ガス腐食性が向上する。
最表層(A層)14の表面の反射濃度が0.3以上であるのが好ましい。最表層(A層)14の表面の反射濃度が0.3以上であると比較的腐食しやすい凸部が少なくなり平滑となるため、耐ガス腐食性が向上する。
ビッカース硬さ(Hv) ≧ −376.22Ln(厚みμm)+86.411
を満たすことが好ましい。下層(C層)12のビッカース硬さと下層(C層)12の厚みとが上記式を満たすと、下層(C層)がより硬化することで更に薄膜潤滑効果が向上して、低挿抜性が向上する。
なお、本発明において、「Ln(厚みμm)」とは、厚み(μm)の自然対数の数値を意味する。
押し込み硬さ(MPa) ≧ −3998.4Ln(厚みμm)+1178.9
を満たすことが好ましい。下層(C層)12の押し込み硬さと下層(C層)12の厚みとが上記式を満たすと、下層(C層)がより硬化することで更に薄膜潤滑効果が向上して低挿抜性が向上する。
XPS(X線光電子分光)でDepth分析を行ったとき、最表層(A層)14のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値が10at%以上であることが好ましい。最表層(A層)14のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値が10at%未満である場合、充分な耐ガス腐食性が得られず、電子部品用金属材料を塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガス腐食試験を行うと腐食して、ガス腐食試験前と比較して大きく接触抵抗が増加するおそれがある。
XPS(X線光電子分光)でDepth分析を行ったとき、中層(B層)13のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値が10at%以上であることが好ましい。中層(B層)13のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値が10at%未満である場合、基材11や下層(C層)12と最表層(A層)が合金を形成し、耐熱性試験後の接触抵抗やはんだ濡れ性が悪くなるおそれがある。
XPS(X線光電子分光)でDepth分析を行ったとき、最表層(A層)14のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D1)、中層(B層)13のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D2)、下層(C層)12のNi,Cr,Mn,Fe,CoまたはCuの原子濃度(at%)の最高値示す位置(D3)が最表面からD1、D2、D3の順で存在することが好ましい。最表面からD1、D2、D3の順で存在しない場合、充分な耐ガス腐食性が得られず、電子部品用金属材料を塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガス腐食試験を行うと腐食して、ガス腐食試験前と比較して大きく接触抵抗が増加するとなるおそれがある。
XPS(X線光電子分光)でDepth分析を行ったとき、最表層(A層)14のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値、及び、中層(B層)13のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値がそれぞれ10at%以上であって、下層(C層)12のNi,Cr,Mn,Fe,CoまたはCuの原子濃度(at%)が25at%以上である深さが50nm以上であることが好ましい。最表層(A層)14のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値、及び、中層(B層)13のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値がそれぞれ10at%未満であって、下層(C層)12のNi,Cr,Mn,Fe,CoまたはCuの原子濃度(at%)が25at%以上である深さが50nm未満である場合、低挿抜性や耐久性(耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等)は、基材成分が最表層(A層)14または中層(B層)13に拡散して悪くなるおそれがある。
XPS(X線光電子分光)でDepth分析を行ったとき、最表層(A層)14のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値示す位置(D1)と下層(C層)12のNi,Cr,Mn,Fe,Co,CuまたはZnの原子濃度(at%)の最高値示す位置(D3)との間に、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrについて40at%以上の領域が1nm以上の厚さで存在することが好ましい。1nm未満の厚さで存在すると、例えばAgの場合、はんだ濡れ性や耐熱性が悪くなるおそれがある。
XPS(X線光電子分光)のSurvey測定で前記最表層(A層)の表面の元素分析を行ったとき、Sn,Inが1at%以上であることが好ましい。Sn,Inが2at%未満であると、例えばAgの場合、耐硫化性が劣り、接触抵抗が大きく増加するおそれがある。また、例えばPdの場合、Pdが酸化して接触抵抗が高くなるおそれがある。
XPS(X線光電子分光)のSurvey測定で前記最表層(A層)の表面の元素分析を行ったとき、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrが7at%未満であることが好ましい。Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrが7at%以上であると、例えばAgの場合、耐硫化性が劣り、接触抵抗が大きく増加するおそれがある。また、例えばPdの場合、Pdが酸化して接触抵抗が高くなるおそれがある。
XPS(X線光電子分光)のSurvey測定で前記最表層(A層)の表面の元素分析を行ったとき、Oが50at%未満であることが好ましい。Oが50at%以上であると、接触抵抗が高くなるおそれがある。
本発明の電子部品用金属材料の用途は特に限定しないが、例えば電子部品用金属材料を接点部分に用いたコネクタ端子、電子部品用金属材料を接点部分に用いたFFC端子またはFPC端子、電子部品用金属材料を外部接続用電極に用いた電子部品などが挙げられる。なお、端子については、圧着端子、はんだ付け端子、プレスフィット端子等、配線側との接合方法によらない。外部接続用電極には、タブに表面処理を施した接続部品や半導体のアンダーバンプメタル用に表面処理を施した材料などがある。
また、このように形成されたコネクタ端子を用いてコネクタを作製しても良く、FFC端子またはFPC端子を用いてFFCまたはFPCを作製しても良い。
コネクタはオス端子とメス端子の両方が本発明の電子部品用金属材料であっても良いし、オス端子またはメス端子の片方だけであっても良い。なおオス端子とメス端子の両方を本発明の電子部品用金属材料にすることで、更に低挿抜性が向上する。
本発明の電子部品用金属材料の製造方法としては、湿式(電気、無電解)めっき、乾式(スパッタ、イオンプレーティング等)めっき等を用いることができる。
但し、乾式めっきよりも湿式めっきの方が、めっき皮膜中に、めっき液中に存在する極微量の不純物成分が共析されウィスカの発生を抑制し、また電着組織が硬くなることで低挿抜性を向上させる場合がある。また製造コストの観点からは、湿式めっきであることが好ましい。
湿式めっきの中では電気めっきの方が好ましい。電気めっきは無電解めっきと比較して均一な皮膜が形成されるため、耐久性(耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等)を向上させる場合がある。
最表層(A層)14は、酸性めっき液を用いためっき処理で形成することが好ましい。酸性めっきを用いることにより、中層(B層)13との密着性が向上する。
中層(B層)13は、シアン含有めっき液を用いためっき処理で形成することが好ましい。シアン含有めっきを用いることにより、緻密な皮膜ができ、耐久性(耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等)が向上する。
下層(C層)12は、スルファミン酸浴またはワット浴を用いためっき処理で形成することが好ましい。スルファミン酸浴またはワット浴を用いることにより、基材との密着性が向上する。
またスルファミン酸浴またはワット浴で用いるめっき液が、光沢Niめっき液であることが好ましい。めっき液として光沢Niめっきを用いることにより、皮膜が平滑かつ硬くなり、低挿抜性や耐久性(耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等)が向上する。
またスルファミン酸浴またはワット浴に添加剤としてサッカリンが含まれていることが好ましい。サッカリンを添加することにより、緻密で硬い皮膜となり、皮膜が平滑かつ硬くなり、低挿抜性や耐久性(耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等)が向上する。
表1に基材の作製条件を、表2に下層(C層)の作製条件を、表3に中層(B層)の作製条件を、表4に最表層(A層)の作製条件を、表5に熱処理条件をそれぞれ示す。また、表6(表6−1、表6−2、表6−3)に各実施例で使用した各層の作製条件及び熱処理の条件を、表7に各比較例で使用した各層の作製条件及び熱処理の条件それぞれ示す。
最表層(A層)、中層(B層)、下層(C層)の厚みは、最表層(A層)、中層(B層)、下層(C層)の組成を有していない基材にそれぞれ表面処理を施し、それぞれ蛍光X線膜厚計(Seiko Instruments製 SEA5100、コリメータ0.1mmΦ)で実際の厚みを測定した。例えば、Snめっきの場合には、基材がCu−10質量%Sn−0.15質量%Pであると、基材にSnが有しており、正確なSnめっきの厚みがわからないため、Snが基材の組成を有していない、Cu−30質量%Znで厚みを測定した。
各試料を硫酸や硝酸等で酸分解し、ICP(誘導結合プラズマ)発光分光分析により各金属の付着量を測定した。なお具体的に用いる酸は、それぞれのサンプルを有する組成によって異なる。
測定した付着量に基づき、各金属の組成を算出した。
得られた試料の層構造は、XPS(X線光電子分光)分析による深さ(Depth)プロファイルで決定した。分析した元素は、最表層(A層)、中層(B層)、下層(C層)の組成と、C及びOである。これら元素を指定元素とする。また、指定元素の合計を100%として、各元素の濃度(at%)を分析した。XPS(X線光電子分光)分析での厚みは、分析によるチャートの横軸の距離(SiO2換算での距離)に対応する。
また、得られた試料の表面は、XPS(X線光電子分光)分析によるSurvey測定にて定性分析も行った。定性分析の濃度の分解能は0.1at%とした。
XPS装置としては、アルバック・ファイ株式会社製5600MCを用い、到達真空度:5.7×10-9Torr、励起源:単色化AlKα、出力:210W、検出面積:800μmΦ、入射角:45度、取り出し角:45度、中和銃なしとし、以下のスパッタ条件で測定した。
イオン種:Ar+
加速電圧:3kV
掃引領域:3mm×3mm
レート:2.8nm/min.(SiO2換算)
各試料について以下の評価を行った。
A.挿抜力
挿抜力は、市販のSnリフローめっきメス端子(090型住友TS/矢崎090IIシリーズメス端子非防水/F090−SMTS)を用いて、実施例及び比較例に係るめっきしたオス端子と挿抜試験することによって評価した。
試験に用いた測定装置は、アイコーエンジニアリング製1311NRであり、オスピンの摺動距離5mmで評価した。サンプル数は5個とし、挿抜力は、挿入力と抜去力が同等であるため、各サンプルの最大挿入力の値を平均した値を採用した。挿抜力のブランク材としては、比較例1のサンプルを採用した。
挿抜力の目標は、比較例1の最大挿抜力と比較して90%未満である。これは、比較例4が比較例1の最大挿入力と比較して90%であり、耐久性(耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等)も良好であり、この比較例4よりも、より大きな挿抜力の減少を目標とした。
ウィスカは、JEITA RC−5241の荷重試験(球圧子法)にて評価した。すなわち、各サンプルに対して荷重試験を行い、荷重試験を終えたサンプルをSEM(JEOL社製、型式JSM−5410)にて100〜10000倍の倍率で観察して、ウィスカの発生状況を観察した。荷重試験条件を以下に示す。
球圧子の直径:Φ1mm±0.1mm
試験荷重:2N±0.2N
試験時間:120時間
目標とする特性は、長さ20μm以上のウィスカが発生しないことであるが、最大の目標としては、ウィスカが1本も発生しないこととした。
接触抵抗は、山崎精機製接点シミュレーターCRS−113−Au型を使用し、接点荷重50gの条件で4端子法にて測定した。サンプル数は5個とし、各サンプルの最小値から最大値の範囲を採用した。目標とする特性は、接触抵抗10mΩ以下である。接触抵抗は、1〜3mΩ、3〜5mΩ及び5mΩ<で区分した。
耐熱性は、大気加熱(155℃×500h)試験後のサンプルの接触抵抗を測定し、評価した。目標とする特性は、接触抵抗10mΩ以下であるが、最大の目標としては、接触抵抗が、耐熱性試験前後で変化がない(同等である)こととした。耐熱性は、接触抵抗が1〜4mΩ、2〜4mΩ、2〜5mΩ、3〜6mΩ、3〜7mΩ、6〜9mΩ、10mΩ<で区分した。
耐ガス腐食性は、下記の(1)〜(3)に示す3つの試験環境で評価した。耐ガス腐食性の評価は、(1)〜(3)の環境試験を終えた試験後のサンプルの接触抵抗で測定した。なお目標とする特性は、接触抵抗10mΩ以下であるが、最大の目標としては、接触抵抗が、耐ガス腐食性試験前後で変化がない(同等である)こととした。耐ガス腐食性は、接触抵抗が1〜3mΩ、1〜4mΩ、2〜4mΩ、2〜6mΩ、3〜5mΩ、3〜7mΩ、4〜7mΩ、5〜8mΩ、6〜9mΩ、10mΩ<で区分した。
(1)塩水噴霧試験
塩水濃度:5%
温度:35℃
噴霧圧力:98±10kPa
曝露時間:96h
(2)亜硫酸ガス腐食試験
亜硫酸濃度:25ppm
温度:40℃
湿度:80%RH
曝露時間:96h
(3)硫化水素ガス腐食試験
亜硫酸濃度:3ppm
温度:40℃
湿度:80%RH
曝露時間:96h
はんだ濡れ性はめっき後のサンプルを評価した。ソルダーチェッカ(レスカ社製SAT−5000)を使用し、フラックスとして市販の25%ロジンメタノールフラックスを用い、メニスコグラフ法にてはんだ濡れ時間を測定した。はんだはSn−3Ag−0.5Cu(250℃)を用いた。サンプル数は5個とし、各サンプルの最小値から最大値の範囲を採用した。目標とする特性は、ゼロクロスタイム5秒以下である。ゼロクロスは、1〜3s、2〜3s、3〜5s、4〜5s、5s<で区分した。
曲げ加工性は、W字型の金型を用いて試料の板厚と曲げ半径の比が1となる条件で90°曲げで評価した。評価は曲げ加工部表面を光学顕微鏡で観察し、クラックが観察されない場合の実用上問題ないと判断した場合には○とし、クラックが認められた場合を×とした。
最表層(A層)のビッカース硬さは、サンプル表面より荷重980.7mN(Hv0.1)、荷重保持時間15秒で打根を打って測定した。
また、下層(C層)のビッカース硬さは、下層(C層)断面より荷重980.7mN(Hv0.1)、荷重保持時間15秒で打根を打って測定した。
最表層(A層)の押し込み硬さは、超微小硬さ試験(エリオニクス製ENT−2100)により、サンプル表面に荷重0.1mNで打根を打って測定した。
また、下層(C層)の押し込み硬さは、下層(C層)断面より荷重980.7mN(Hv0.1)、荷重保持時間15秒で打根を打って測定した。
表面粗さ(算術平均高さ(Ra)及び最大高さ(Rz))の測定は、JIS B 0601に準拠し、非接触式三次元測定装置(三鷹光器社製、形式NH−3)を用いて行った。カットオフは0.25mm、測定長さは1.50mmで、1試料当たり5回測定した。
反射濃度は、デンシトメーター(ND−1,日本電色工業社製)を使用して測定した。
伸びは、JIS C 6511に従い、各サンプルの圧延平行方向について引張試験を行うことで測定した。引張速度は50mm/minとした。
最小曲げ半径比は、曲げ加工性と同じ方法で、割れの発生しない最小曲げ半径/試験片厚さを測定した。
各条件及び評価結果を表8〜22に示す。
比較例1はブランク材である。
比較例2は、比較例1のブランク材のSnめっきを薄くして作製したものであるが、はんだ濡れ性が悪かった。
比較例3は、比較例2と比較して熱処理を施さないで作製したものであるが、挿抜力が目標よりも高かった。
比較例4は、比較例2と比較して中層にCuめっきを施して作製したものであるが、挿抜力は比較例1と比較して90%であった。
比較例5は、比較例4と比較してSnめっきを薄くして作製したものであるが、はんだ濡れ性が悪かった。
比較例6は、比較例5と比較して熱処理を施さないで作製したものであるが、挿抜力が目標よりも高かった。
比較例7は、比較例1のブランク材と比較して下層にCuめっきを施して作製したものであるが、比較例1と特性は変わらなかった。
比較例8は、比較例1のブランク材と比較して下層のNiめっきを厚く施して作製したものであるが、比較例1と特性は変わらなかった。
比較例9は、実施例1と比較して最表層のSnめっきを厚くして施して作製したものであるが、挿抜力が目標よりも高かった。
比較例10は、比較例9と比較して中層のAgめっきを薄く施して作製したものであるが、挿抜力は目標を下回ったものの、ウィスカは目標とする20μm以上の長さものはなかったが、20μm未満のウィスカは1本以上確実に発生していた。
比較例11は、実施例1と比較して中層のAgめっきを厚くして施して作製したものであるが、挿抜力が目標よりも高かった。
比較例12は、比較例11と比較して中層のAgめっきをせずに作製したものであるが、はんだ濡れ性が悪かった。
比較例13は、実施例4と比較して中層のAgめっきを厚くして施して作製したものであるが、挿抜力が目標よりも高かった。
比較例14は、比較例13と比較して中層のAgめっきをせずに作製したものであるが、はんだ濡れ性が悪かった。
比較例15は、実施例4と比較して最表層のSnめっきを薄くして施して作製したものであるが、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例16は、実施例5と比較して最表層のSnめっきを薄くして施して作製したものであるが、XPS(X線光電子分光)でのDepth測定で、前記最表層(A層)のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値が10at%以下であり、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例17は、実施例3と比較して、SnとAgのめっき順序を逆にして作製したものであるが、XPS(X線光電子分光)でのDepth測定で前記最表層(A層)のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D1)、前記中層(B層)のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D2)がD2、D1の順で存在するため、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例18は、XPS(X線光電子分光)でのDepth測定で前記最表層(A層)のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D1)、前記中層(B層)のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D2)がD1≒D2であるため、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例19は、実施例60と比較して、SnとAgのめっき順序を逆にして作製したものであるが、XPS(X線光電子分光)でのDepth測定で前記最表層(A層)のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D1)、前記中層(B層)のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D2)がD2、D1の順で存在するため、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例20は、XPS(X線光電子分光)でのDepth測定で前記最表層(A層)のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D1)、前記中層(B層)のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D2)がD1≒D2であるため、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例21は、実施例79と比較して中層のAgめっきをせずに作製したものであるが、はんだ濡れ性が悪かった。
比較例22は、実施例79と比較して最表層のSnめっきを薄くして施して作製したものであるが、XPS(X線光電子分光)でのDepth測定で、前記最表層(A層)のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D1)が10at%以下であり、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例23は、実施例84と比較して中層のAgめっきを施さないで作製したものであるが、はんだ濡れ性が悪かった。
また、図3に実施例61に係るXPS(X線光電子分光)のSurvey測定結果を示す。図3より、Oが24.1at%であり、Agが2.6at%で、Snが7.3at%であることが分かる。
11 基材
12 下層(C層)
13 中層(B層)
14 最表層(A層)
Claims (52)
- 基材と、
前記基材の最表層を構成し、Sn,In,またはそれらの合金で形成されたA層と、
前記基材とA層との間に設けられて中層を構成し、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはそれらの合金で形成されたB層と、
を備え、
前記最表層(A層)の厚みが0.002〜0.2μmであり、
前記中層(B層)の厚みが0.001〜0.3μmである、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料。 - 基材と、
前記基材の最表層を構成し、Sn,In,またはそれらの合金で形成されたA層と、
前記基材とA層との間に設けられて中層を構成し、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはそれらの合金で形成されたB層と、
を備え、
前記最表層(A層)のSn,Inの付着量が1〜150μg/cm2であり、
前記中層(B層)のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Irの付着量が1〜330μg/cm2である、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料。 - 前記最表層(A層)の合金組成がSn,In,またはSnとInとの合計で50質量%以上であり、残合金成分がAg,As,Au,Bi,Cd,Co,Cr,Cu,Fe,Mn,Mo,Ni,Pb,Sb,W,Znからなる群より選択される1種、もしくは2種以上の金属からなる請求項1または2に記載の電子部品用金属材料。
- 前記中層(B層)の合金組成がAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Ir,またはAgとAuとPtとPdとRuとRhとOsとIrとの合計で50質量%以上であり、残合金成分がBi,Cd,Co,Cu,Fe,In,Mn,Mo,Ni,Pb,Sb,Se,Sn,W,Tl,Znからなる群より選択される1種、もしくは2種以上の金属からなる請求項1〜3のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記最表層(A層)の表面のビッカース硬さがHv300以上である請求項1〜4のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 超微小硬さ試験により、前記最表層(A層)の表面に荷重0.1mNで打根を打って測定して得られた硬度である、前記最表層(A層)の表面の押し込み硬さが2500MPa以上である請求項1〜5のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記最表層(A層)の表面のビッカース硬さがHv1000以下である、高曲げ加工性を有する請求項1〜6のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 超微小硬さ試験により、前記最表層(A層)の表面に荷重0.1mNで打根を打って測定して得られた硬度である、前記最表層(A層)の表面の押し込み硬さが10000MPa以下である、高曲げ加工性を有する請求項1〜7のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記最表層(A層)の表面の算術平均高さ(Ra)が0.1μm以下である、耐ガス腐食性がより優れた請求項1〜8のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記最表層(A層)の表面の最大高さ(Rz)が1μm以下である、耐ガス腐食性がより優れた請求項1〜9のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記最表層(A層)の表面の反射濃度が0.3以上である、耐ガス腐食性がより優れた請求項1〜10のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- XPS(X線光電子分光)でDepth分析を行ったとき、前記最表層(A層)のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D1)、前記中層(B層)のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D2)が、最表面からD1、D2の順で存在する請求項1〜11のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- XPS(X線光電子分光)でDepth分析を行ったとき、前記最表層(A層)のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値が10at%以上である請求項1〜12のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- XPS(X線光電子分光)でDepth分析を行ったとき、前記中層(B層)のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値が10at%以上である請求項1〜13のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記最表層(A層)の厚みが0.01〜0.1μmである、ウィスカがフリーである請求項1〜14のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記最表層(A層)のSn,Inの付着量が7〜75μg/cm2である、ウィスカがフリーである請求項1〜15のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記中層(B層)の厚みが0.005〜0.1μmである請求項1〜16のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記中層(B層)のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,Os,Irの付着量が4〜120μg/cm2である請求項1〜17のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記基材とB層との間に設けられて下層を構成し、Ni,Cr,Mn,Fe,Co,Cuからなる群から選択された1種、もしくは2種以上で形成されたC層をさらに備えた請求項1〜18のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 下層(C層)の合金の組成がNi,Cr,Mn,Fe,Co,Cuの合計で50質量%以上であり、さらにB,P,Sn,Znからなる群から選択された1種、もしくは2種以上を含む請求項19に記載の電子部品用金属材料。
- XPS(X線光電子分光)でDepth分析を行ったとき、前記最表層(A層)のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D1)、前記中層(B層)のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値を示す位置(D2)、前記下層(C層)のNi,Cr,Mn,Fe,CoまたはCuの原子濃度(at%)の最高値示す位置(D3)が最表面からD1、D2、D3の順で存在する請求項19または20に記載の電子部品用金属材料。
- XPS(X線光電子分光)でDepth分析を行ったとき、前記最表層(A層)のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値、及び、前記中層(B層)のAg,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrの原子濃度(at%)の最高値がそれぞれ10at%以上であって、前記下層(C層)のNi,Cr,Mn,Fe,CoまたはCuの原子濃度(at%)が25%以上である深さが50nm以上である請求項19〜21のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記下層(C層)の厚みが0.05μm以上である請求項19〜22のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記下層(C層)のNi,Cr,Mn,Fe,Co,Cuの付着量が、0.03mg/cm2以上である請求項19〜23のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記下層(C層)の表面のビッカース硬さがHv300以上である請求項19〜24のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記下層(C層)の表面のビッカース硬さと厚みとが下記式:
ビッカース硬さ(Hv) ≧ −376.22Ln(厚みμm)+86.411
を満たす請求項19〜25のいずれかに記載の電子部品用金属材料。 - 超微小硬さ試験により、前記下層(C層)の表面に荷重0.1mNで打根を打って測定して得られた硬度である、前記下層(C層)の表面の押し込み硬さが2500MPa以上である請求項19〜26のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 超微小硬さ試験により、前記下層(C層)の表面に荷重0.1mNで打根を打って測定して得られた硬度である、前記下層(C層)の表面の押し込み硬さと厚みとが下記式:
押し込み硬さ(MPa) ≧ −3998.4Ln(厚みμm)+1178.9
を満たす請求項19〜27のいずれかに記載の電子部品用金属材料。 - 前記下層(C層)の表面のビッカース硬さがHv1000以下である、高曲げ加工性を有する請求項19〜28のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 超微小硬さ試験により、前記下層(C層)の表面に荷重0.1mNで打根を打って測定して得られた硬度である、前記下層(C層)の表面の押し込み硬さが10000MPa以下である、高曲げ加工性を有する請求項19〜29のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記基材が金属基材であって、前記金属基材の表面のビッカース硬さがHv90以上である請求項1〜30のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記基材が金属基材であって、超微小硬さ試験により、前記金属基材の表面に荷重0.1mNで打根を打って測定して得られた硬度である、前記金属基材の表面の押し込み硬さが1000MPa以上である請求項1〜31のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記基材が金属基材であって、JIS C 6511に従い、前記金属基材の圧延平行方向について、引張速度を50mm/minとして引張試験を行うことで測定した前記金属基材の伸びが5%以上である、高曲げ加工性を有する請求項1〜32のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 前記基材が金属基材であって、W字型の金型を用いて前記金属基材の厚さと曲げ半径との比が1となる条件で90°曲げ試験を行ったとき、前記金属基材の割れの発生しない最小曲げ半径/金属基材の厚さである、前記金属基材の最小曲げ半径比(MBR/t)が3以下である、高曲げ加工性を有する請求項1〜33のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- XPS(X線光電子分光)でDepth分析を行ったとき、前記最表層(A層)のSnまたはInの原子濃度(at%)の最高値示す位置(D1)と前記下層(C層)のNi,Cr,Mn,Fe,Co,CuまたはZnの原子濃度(at%)の最高値示す位置(D3)との間に、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrについて40at%以上の領域が1nm以上の厚さで存在する請求項19〜34のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- XPS(X線光電子分光)のSurvey測定で前記最表層(A層)の表面の元素分析を行ったとき、Sn,Inが2at%以上である請求項1〜35のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- XPS(X線光電子分光)のSurvey測定で前記最表層(A層)の表面の元素分析を行ったとき、Ag,Au,Pt,Pd,Ru,Rh,OsまたはIrが7at%未満である請求項1〜36のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- XPS(X線光電子分光)のSurvey測定で前記最表層(A層)の表面の元素分析を行ったとき、Oが50at%未満である請求項1〜37のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
- 請求項1〜38のいずれかに記載の電子部品用金属材料を接点部分に用いたコネクタ端子。
- 請求項39に記載のコネクタ端子を用いたコネクタ。
- 請求項1〜38のいずれかに記載の電子部品用金属材料を接点部分に用いたFFC端子。
- 請求項1〜38のいずれかに記載の電子部品用金属材料を接点部分に用いたFPC端子。
- 請求項41に記載のFFC端子を用いたFFC。
- 請求項42に記載のFPC端子を用いたFPC。
- 請求項1〜38のいずれかに記載の電子部品用金属材料を外部接続用電極に用いた電子部品。
- 請求項1〜38のいずれかに記載の電子部品用金属材料の製造方法であり、前記最表層(A層)及び前記中層(B層)を、それぞれ湿式めっきによる表面処理で形成する工程を含む電子部品用金属材料の製造方法。
- 前記湿式めっきの方法が電気めっきである請求項46に記載の電子部品用金属材料の製造方法。
- 前記最表層(A層)を、酸性めっき液を用いためっき処理で形成する請求項46又は47に記載の電子部品用金属材料の製造方法。
- 前記中層(B層)を、シアン含有めっき液を用いためっき処理で形成する請求項46〜48のいずれかに記載の電子部品用金属材料の製造方法。
- 請求項19〜30のいずれかに記載の電子部品用金属材料の製造方法であり、前記下層(C層)を、スルファミン酸浴またはワット浴を用いためっき処理で形成する工程を含む電子部品用金属材料の製造方法。
- 前記スルファミン酸浴及び前記ワット浴で用いるめっき液が光沢Niめっき液である請求項50に記載の電子部品用金属材料の製造方法。
- 前記下層(C層)を形成するためのめっき液に、添加剤としてサッカリンが含有されている請求項50又は51に記載の電子部品用金属材料の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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ES2764394T3 (es) * | 2014-12-15 | 2020-06-03 | Senju Metal Industry Co | Aleación de soldadura para galvanización y componentes electrónicos |
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CN105970069B (zh) * | 2016-05-16 | 2018-10-02 | 昆明贵金属研究所 | 多主元等摩尔比贵金属高熵合金 |
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WO2018077874A1 (en) | 2016-10-24 | 2018-05-03 | Atotech Deutschland Gmbh | A method of depositing a tin layer on a metal substrate and a use of a structure comprising a nickel/phosphorous alloy underlayer and said tin layer with said method |
CN106435324A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-02-22 | 张家港沙工科技服务有限公司 | 一种机械设备用低电阻复合管 |
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FR3074193B1 (fr) * | 2017-11-28 | 2020-07-10 | Linxens Holding | Circuit electrique, module electronique pour carte a puce realise sur ce circuit electrique et procede pour la realisation d’un tel circuit electrique. |
JP6850365B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2021-03-31 | 株式会社徳力本店 | 析出硬化型Ag−Pd−Cu−In−B系合金 |
CN109991304B (zh) * | 2017-12-29 | 2022-07-08 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 一种测定高压电子光箔表层不同厚度铅含量的方法 |
JP6653340B2 (ja) * | 2018-02-01 | 2020-02-26 | Jx金属株式会社 | バーンインテストソケット用表面処理金属材料、それを用いたバーンインテストソケット用コネクタ及びバーンインテストソケット |
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DE102019115243A1 (de) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | Erni International Ag | Elektrisches Kontaktelement für hohe Betriebsspannungen |
MX2021014156A (es) * | 2019-06-05 | 2022-01-04 | Erni Int Ag | Elemento de contacto electrico. |
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JP7520550B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2024-07-23 | 株式会社日立製作所 | 積層体、金属めっき液、および積層体の製造方法 |
CN111394606B (zh) * | 2020-05-06 | 2021-03-16 | 贵研铂业股份有限公司 | 一种金基高阻合金、合金材料及其制备方法 |
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Family Cites Families (51)
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JP2670348B2 (ja) | 1989-05-15 | 1997-10-29 | 古河電気工業株式会社 | SnまたはSn合金被覆材料 |
DE4005836C2 (de) | 1990-02-23 | 1999-10-28 | Stolberger Metallwerke Gmbh | Elektrisches Steckverbinderpaar |
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JP2959872B2 (ja) | 1991-06-18 | 1999-10-06 | 古河電気工業株式会社 | 電気接点材料とその製造方法 |
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JP2925986B2 (ja) | 1995-09-08 | 1999-07-28 | 古河電気工業株式会社 | 接点部と端子部とからなる固定接点用材料又は電気接点部品 |
JP3701448B2 (ja) * | 1997-10-17 | 2005-09-28 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 嵌合型接続端子 |
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JPH11350188A (ja) | 1998-06-03 | 1999-12-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電気・電子部品用材料とその製造方法、およびその材料を用いた電気・電子部品 |
JPH11350189A (ja) | 1998-06-03 | 1999-12-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電気・電子部品用材料とその製造方法、その材料を用いた電気・電子部品 |
JP4489232B2 (ja) * | 1999-06-14 | 2010-06-23 | 日鉱金属株式会社 | コネクタ用めっき材料 |
JP3910363B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2007-04-25 | 富士通株式会社 | 外部接続端子 |
US20020185716A1 (en) * | 2001-05-11 | 2002-12-12 | Abys Joseph Anthony | Metal article coated with multilayer finish inhibiting whisker growth |
US6924044B2 (en) | 2001-08-14 | 2005-08-02 | Snag, Llc | Tin-silver coatings |
JP3513709B2 (ja) | 2001-10-16 | 2004-03-31 | 石原薬品株式会社 | 前処理によるスズホイスカーの防止方法 |
JP3519727B1 (ja) | 2002-12-09 | 2004-04-19 | Fcm株式会社 | コネクタ端子およびそれを有するコネクタ |
JP3442764B1 (ja) | 2002-08-22 | 2003-09-02 | エフシーエム株式会社 | コネクタ端子およびコネクタ |
JP3519726B1 (ja) | 2002-11-26 | 2004-04-19 | Fcm株式会社 | 端子およびそれを有する部品 |
TWI225322B (en) * | 2002-08-22 | 2004-12-11 | Fcm Co Ltd | Terminal having ruthenium layer and a connector with the terminal |
KR100495184B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2005-06-14 | 엘지마이크론 주식회사 | 테이프기판 및 그의 주석도금방법 |
US7391116B2 (en) | 2003-10-14 | 2008-06-24 | Gbc Metals, Llc | Fretting and whisker resistant coating system and method |
JP2005126763A (ja) | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 被覆材、それを用いた電気・電子部品、それを用いたゴム接点部品、及び被覆材の製造方法 |
JP4302545B2 (ja) | 2004-02-10 | 2009-07-29 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | プレスフィット端子 |
JP2005353542A (ja) | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 導電性被覆材料とその製造方法、この被覆材料を用いたコネクタ端子または接点 |
JP2006127939A (ja) | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電気導体部品及びその製造方法 |
JP4111522B2 (ja) | 2004-11-30 | 2008-07-02 | 日鉱金属株式会社 | Sn被覆銅系材料及び端子 |
RU2279149C1 (ru) * | 2004-12-14 | 2006-06-27 | Открытое акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (ОАО "РЗМКП") | Контактное покрытие магнитоуправляемых контактов |
WO2006077827A1 (ja) | 2005-01-18 | 2006-07-27 | Autonetworks Technologies, Ltd. | プレスフィット端子とその製造方法及びプレスフィット端子-回路基板間の接続構造 |
RU2282678C1 (ru) * | 2005-02-11 | 2006-08-27 | Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук | Способ получения слоев благородных металлов на изделиях из благородных металлов и их сплавов |
TW200712254A (en) | 2005-06-24 | 2007-04-01 | Technic | Silver barrier layers to minimize whisker growth tin electrodeposits |
JP2008021501A (ja) | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Hitachi Cable Ltd | 配線用電気部品及び端末接続部並びに配線用電気部品の製造方法 |
JP5286893B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2013-09-11 | 日立化成株式会社 | 接続端子、接続端子を用いた半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 |
JP5215305B2 (ja) | 2007-07-06 | 2013-06-19 | 第一電子工業株式会社 | 電子部品の製造方法及び該方法により製造する電子部品 |
JP5151950B2 (ja) | 2008-12-11 | 2013-02-27 | 三菱マテリアル株式会社 | Snめっき材及びその製造方法 |
CA2747858C (en) | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Fuel cell separator material, fuel cell separator using same, fuel cell stack, and method for producing fuel cell separator material |
CN102395713B (zh) * | 2009-04-14 | 2014-07-16 | 三菱伸铜株式会社 | 导电部件及其制造方法 |
JP5396139B2 (ja) | 2009-05-08 | 2014-01-22 | 株式会社神戸製鋼所 | プレスフィット端子 |
JP5679216B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2015-03-04 | オーエム産業株式会社 | 電気部品の製造方法 |
JP5479789B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2014-04-23 | 古河電気工業株式会社 | コネクタ用金属材料 |
JP5612355B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2014-10-22 | 株式会社Kanzacc | メッキ構造及び電気材料の製造方法 |
JP5280957B2 (ja) | 2009-07-28 | 2013-09-04 | 三菱伸銅株式会社 | 導電部材及びその製造方法 |
JP2012036436A (ja) | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Mitsubishi Materials Corp | Sn合金めっき付き導電材及びその製造方法 |
JP5284526B1 (ja) | 2011-10-04 | 2013-09-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
JP5427945B2 (ja) | 2012-06-27 | 2014-02-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
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JP6050664B2 (ja) | 2012-06-27 | 2016-12-21 | Jx金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
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Cited By (1)
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