JP2013079439A

JP2013079439A - 電子部品用金属材料及びその製造方法

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Publication number: JP2013079439A
Application number: JP2012033265A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Shibuya; 義孝澁谷; Kazuhiko Fukamachi; 一彦深町; Atsushi Kodama; 篤志児玉
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2011-09-20
Filing date: 2012-02-17
Publication date: 2013-05-02
Anticipated expiration: 2032-02-17
Also published as: AU2012310742B2; US9576693B2; CA2849410C; MX2014003374A; KR20160134876A; EP2759622A1; JP5086485B1; KR101932310B1; TWI577542B; EP2759622B1; CA2849410A1; AU2012310742A1; EP2759622A4; WO2013042572A1; MY167229A; CN103814158B; CN103814158A; TW201325890A; US20140329107A1; KR20140061537A

Abstract

【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層１４と、基材１１とＡ層１４との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層１３と、を備え、最表層（Ａ層）１４の厚みが０．００２〜０．２μｍであり、中層（Ｂ層）１３の厚みが０．００１〜０．３μｍである電子部品用金属材料１０。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品用金属材料及びその製造方法に関する。

民生用及び車載用電子機器用接続部品であるコネクタには、黄銅やリン青銅の表面にＮｉやＣｕの下地めっきを施し、さらにその上にＳｎ又はＳｎ合金めっきを施した材料が使用されている。Ｓｎ又はＳｎ合金めっきは、一般的に低接触抵抗及び高はんだ濡れ性という特性が求められ、更に近年めっき材をプレス加工で成形したオス端子及びメス端子勘合時の挿入力の低減化も求められている。また、製造工程でめっき表面に、短絡等の問題を引き起こす針状結晶であるウィスカが発生することがあり、このウィスカを良好に抑制する必要もある。

これに対し、特許文献１には、表面から厚さ０．０５μｍ以上の表層がＮｉ，Ｃｏ又はこれらの合金からなる基材上に、Ａｇ又はＡｇ合金を部分被覆し、露出する基材表面と部分被覆したＡｇ又はＡｇ合金層上に、Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｄ又はこれらの合金を０．０１〜１．０μｍの厚さに被覆した銀被覆電気材料が開示されている。そしてこれによれば、電気材料としての優れた半田付け性や機械的電気接続における接続性を長期にわたり維持することができると記載されている。

また、特許文献２には、ＣｕまたはＣｕ合金基材表面にＮｉ、Ｃｏまたはこれらを含む合金の第１被覆層を設け、その表面にＡｇまたはＡｇ合金の第２被覆層を設け、さらにその表面にＳｎまたはＳｎ合金の被覆層を設けてなるＳｎまたはＳｎ合金被覆材料が開示されている。そしてこれによれば、高温における使用に拘わらず、表面の酸化変色がなく接触抵抗の増加が少なく、長期間にわたり、外観および接触特性が良好なＳｎまたはＳｎ合金被覆材料を提供することができると記載されている。

また、特許文献３には、ＣｕまたはＣｕ合金基材表面にＮｉ，Ｃｏまたはこれらを含む合金の第１被覆層を設け、その表面にＡｇまたはＡｇ合金の第２被覆層を設け、さらにその表面にＳｎまたはＳｎ合金の溶融凝固被覆層を設けてなるＳｎまたはＳｎ合金被覆材料が開示されている。そしてこれによれば、高温における使用に拘わらず、表面の酸化変色がなく接触抵抗の増加が少なく、長期化にわたり、外観および接触特性が良好なＳｎまたはＳｎ合金被覆材料を提供することができると記載されている。

また、特許文献４には、導電性の帯条体の片面にＡｇ層又はＡｇ合金層が被覆され、他面にＳｎ層又はＳｎ合金層が被覆されている電気接点用材料が開示されている。そしてこれによれば、硫化環境等に曝されても半田付性の劣化が少ない電気接点用材料又は電気接点部品を提供することができると記載されている。

また、特許文献５には、(ａ)銀、パラジウム、白金、ビスマス、インジウム、ニッケル、亜鉛、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、クロム、アンチモンよりなる群から選ばれた下地用の金属薄膜のいずれかを被メッキ物上に形成した後、(ｂ)上記下地用の金属薄膜上にスズ又はスズ合金のメッキ皮膜を形成することを特徴とする前処理によるスズホイスカーの防止方法が開示されている。そしてこれによれば、銅系素地を初めとする被メッキ物の表面上にハンダ付け性などを良好に確保するために形成するスズ系皮膜において、簡便な操作でスズホイスカーを有効に防止することができると記載されている。

また、特許文献６には、メッキ用基体の表面に銀メッキ層を形成し、さらに該銀メッキ層の表面に厚さ０．００１〜０．１μｍの錫またはインジウムまたは亜鉛のメッキ層を形成してなる銀メッキ構造体を熱処理して得られるメッキ構造が開示されている。そしてこれによれば、耐熱性に優れ、かつ銀の硫化による反射率低下の少ない発光素子収納用支持体及び、硫化により変色しにくく、銀本来の光沢を有し、接触抵抗が小さい電気部品用被覆方法を提供することができると記載されている。

特開昭６１−１２４５９７号公報特開平１−３０６５７４号公報特開平２−３０１５７３号公報特開平９−７８２８７号公報特開２００３−１２９２７８号公報特開２０１１−１２２２３４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、Ｓｎが極薄に形成されている領域での接触抵抗が大きくなるという問題がある。
また、特許文献２〜５に記載の技術では、はんだ濡れ性又は接触特性は良好であるが、挿抜性やウィスカの抑制に関して満足できるものとはいえない。
また、特許文献６に記載の技術では、接触抵抗は改善されているものの、はんだ濡れ性に関して満足できるものとはいえない。
このように、従来のＳｎ／Ａｇ／Ｎｉ下地めっき構造を有する電子部品用金属材料には挿抜性やウィスカに問題があり、挿抜性やウィスカに問題が無い仕様としても、耐久性（耐熱性、耐ガス腐食性、高はんだ濡れ性）についても満足できる仕様とすることは困難であり、明らかになっていなかった。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、低挿抜性（低挿抜性とは、オス端子とメス端子を勘合させた時に生じる挿入力が低いことを言う。）、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供することを課題とする。

本発明者らは、鋭意検討の結果、基材上に中層と最表層とを順に設け、中層及び最表層を所定の金属を用い、且つ、所定の厚み又は付着量で形成することで、低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性のいずれも備えた電子部品用金属材料を作製することができることを見出した。

以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、基材と、前記基材の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層と、前記基材とＡ層との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層とを備え、前記最表層（Ａ層）の厚みが０．００２〜０．２μｍであり、前記中層（Ｂ層）の厚みが０．００１〜０．３μｍである、低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料である。

本発明は別の一側面において、基材と、前記基材の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層と、前記基材とＡ層との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層とを備え、前記最表層（Ａ層）のＳｎ，Ｉｎの付着量が１〜１５０μｇ／ｃｍ²であり、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの付着量が１〜３３０μｇ／ｃｍ²である、低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料である。

本発明の電子部品用金属材料は一実施形態において、前記最表層（Ａ層）の合金組成がＳｎ，Ｉｎ，またはＳｎとＩｎとの合計で５０質量％以上であり、残合金成分がＡｇ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｗ，Ｚｎからなる群より選択される１種、もしくは２種以上の金属からなる。

本発明の電子部品用金属材料は別の一実施形態において、前記中層（Ｂ層）の合金組成がＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはＡｇとＡｕとＰｔとＰｄとＲｕとＲｈとＯｓとＩｒとの合計で５０質量％以上であり、残合金成分がＢｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｓｅ，Ｓｎ，Ｗ，Ｔｌ，Ｚｎからなる群より選択される１種、もしくは２種以上の金属からなる。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記最表層（Ａ層）の表面のビッカース硬さがＨｖ３００以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記最表層（Ａ層）の表面の押し込み硬さが２５００ＭＰａ以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記最表層（Ａ層）の表面のビッカース硬さがＨｖ１０００以下である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記最表層（Ａ層）の表面の押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記最表層（Ａ層）の表面の算術平均高さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記最表層（Ａ層）の表面の最大高さ（Ｒｚ）が１μｍ以下である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記最表層（Ａ層）の表面の反射濃度が０.３以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₁）、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₂）が、最表面からＤ₁、Ｄ₂の順で存在する。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値が１０ａｔ％以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値が１０ａｔ％以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記基材とＢ層との間に設けられて下層を構成し、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群から選択された１種、もしくは２種以上で形成されたＣ層をさらに備える。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、下層（Ｃ層）の合金の組成がＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの合計で５０質量％以上であり、さらにＢ，Ｐ，Ｓｎ，Ｚｎからなる群から選択された１種、もしくは２種以上を含む。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₁）、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₂）、前記下層（Ｃ層）のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ₃）が最表面からＤ₁、Ｄ₂、Ｄ₃の順で存在する。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値、及び、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値がそれぞれ１０ａｔ％以上であって、前記下層（Ｃ層）のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）が２５％以上である深さが５０ｎｍ以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記下層（Ｃ層）の厚みが０．０５μｍ以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記下層（Ｃ層）のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの付着量が、０．０３ｍｇ／ｃｍ²以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記最表層（Ａ層）の厚みが０．０１〜０．１μｍである。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記最表層（Ａ層）のＳｎ，Ｉｎの付着量が７〜７５μｇ／ｃｍ²である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記中層（Ｂ層）の厚みが０．００５〜０．１μｍである。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの付着量が４〜１２０μｇ／ｃｍ²である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記下層（Ｃ層）の表面のビッカース硬さがＨｖ３００以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記下層（Ｃ層）の表面のビッカース硬さと厚みとが下記式：
ビッカース硬さ（Ｈｖ） ≧ −３７６．２２Ｌｎ（厚みμｍ）＋８６．４１１
を満たす。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記下層（Ｃ層）の表面の押し込み硬さが２５００ＭＰａ以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記下層（Ｃ層）の表面の押し込み硬さと厚みとが下記式：
押し込み硬さ（ＭＰａ） ≧ −３９９８．４Ｌｎ（厚みμｍ）＋１１７８．９
を満たす。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記下層（Ｃ層）の表面のビッカース硬さがＨｖ１０００以下である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記下層（Ｃ層）の表面の押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記基材が金属基材であって、前記金属基材の表面のビッカース硬さがＨｖ９０以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記基材が金属基材であって、前記金属基材の表面の押し込み硬さが１０００ＭＰａ以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記基材が金属基材であって、前記金属基材の伸びが５％以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、前記基材が金属基材であって、前記金属基材の最小曲げ半径比（ＭＢＲ／ｔ）が３以下である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ₁）と前記下層（Ｃ層）のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，ＣｕまたはＺｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ₃）との間に、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒについて４０ａｔ％以上の領域が１ｎｍ以上の厚さで存在する。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記最表層（Ａ層）の表面の元素分析を行ったとき、Ｓｎ，Ｉｎが２ａｔ％以上である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記最表層（Ａ層）の表面の元素分析を行ったとき、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒが７ａｔ％未満である。

本発明の電子部品用金属材料は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記最表層（Ａ層）の表面の元素分析を行ったとき、Ｏが５０ａｔ％未満である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の電子部品用金属材料を接点部分に用いたコネクタ端子である。

本発明は更に別の一側面において、本発明のコネクタ端子を用いたコネクタである。

本発明は更に別の一側面において、本発明の電子部品用金属材料を接点部分に用いたＦＦＣ端子である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の電子部品用金属材料を接点部分に用いたＦＰＣ端子である。

本発明は更に別の一側面において、本発明のＦＦＣ端子を用いたＦＦＣである。

本発明は更に別の一側面において、本発明のＦＰＣ端子を用いたＦＰＣである。

本発明は更に別の一側面において、本発明の電子部品用金属材料を外部接続用電極に用いた電子部品である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の電子部品用金属材料に、湿式めっきによって表面処理を行う工程を含む電子部品用金属材料の製造方法である。

本発明の電子部品用金属材料の製造方法は一実施形態において、前記湿式めっきの方法が電気めっきである。

本発明の電子部品用金属材料の製造方法は別の一実施形態において、前記最表層（Ａ層）を、酸性めっき液を用いためっき処理で形成する。

本発明の電子部品用金属材料の製造方法は更に別の一実施形態において、前記中層（Ｂ層）を、シアン含有めっき液を用いためっき処理で形成する。

本発明の電子部品用金属材料の製造方法は更に別の一実施形態において、前記下層（Ｃ層）を、スルファミン酸浴またはワット浴を用いためっき処理で形成する。

本発明の電子部品用金属材料の製造方法は更に別の一実施形態において、前記スルファミン酸浴及び前記ワット浴で用いるめっき液が光沢Ｎｉめっき液である。

本発明の電子部品用金属材料の製造方法は更に別の一実施形態において、前記下層（Ｃ層）を形成するためのめっき液に、添加剤としてサッカリンが含有されている。

本発明によれば、低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供することができる。

本発明の実施形態に係る電子部品用金属材料の構成を示す模式図である。実施例６１に係るＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＤｅｐｔｈ測定結果である。実施例６１に係るＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定結果である。

以下、本発明の実施形態に係る電子部品用金属材料について説明する。図１に示すように、実施形態に係る電子部品用金属材料１０は、基材１１の表面に下層（Ｃ層）１２が形成され、下層（Ｃ層）１２の表面に中層（Ｂ層）１３が形成され、中層（Ｂ層）１３の表面に最表層（Ａ層）１４が形成されている。なお、Ｃ層は本発明において必須ではなく、形成しなくてもよい。

＜電子部品用金属材料の構成＞
（基材）
基材１１としては、特に限定されないが、例えば、銅及び銅合金、Ｆｅ系材、ステンレス、チタン及びチタン合金、アルミニウム及びアルミニウム合金などの金属基材を用いることができる。また、金属基材に樹脂層を複合させたものであっても良い。金属基材に樹脂層を複合させたものとは、例としてＦＰＣまたはＦＦＣ基材上の電極部分などがある。
基材１１のビッカース硬さはＨｖ９０以上であるのが好ましい。基材１１のビッカース硬さがＨｖ９０以上であると、硬い基材によって薄膜潤滑効果が向上し、挿抜力がより低下する。
基材１１の押し込み硬さは１０００ＭＰａ以上であるのが好ましい。基材１１の押し込み硬さが１０００ＭＰａ以上であると、硬い基材によって薄膜潤滑効果が向上し、挿抜力がより低下する。
基材１１の伸びは５％以上であるのが好ましい。基材１１の伸びが５％以上であると、曲げ加工性が向上し、本発明の電子部品用金属材料をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性（耐久性）低下を抑制する。
基材１１の最小曲げ半径比（ＭＢＲ／ｔ）は３以下であるのが好ましい。基材１１の最小曲げ半径比（ＭＢＲ／ｔ）が３以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の電子部品用金属材料をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性（耐久性）低下を抑制する。

（最表層（Ａ層））
最表層（Ａ層）１４は、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金である必要がある。Ｓｎ及びＩｎは、酸化性を有する金属ではあるが、金属の中では比較的柔らかいという特徴がある。よって、Ｓｎ及びＩｎ表面に酸化膜が形成されていても、例えば電子部品用金属材料を接点材料としてオス端子とメス端子を勘合する時に、容易に酸化膜が削られ、接点が金属同士となるため、低接触抵抗が得られる。
また、Ｓｎ及びＩｎは塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガスに対する耐ガス腐食性に優れ、例えば、中層（Ｂ層）１３に耐ガス腐食性に劣るＡｇ、下層（Ｃ層）１２に耐ガス腐食性に劣るＮｉ、基材１１に耐ガス腐食性に劣る銅及び銅合金を用いた場合には、電子部品用金属材料の耐ガス腐食性を向上させる働きがある。なおＳｎ及びＩｎでは、厚生労働省の健康障害防止に関する技術指針に基づき、Ｉｎは規制が厳しいため、Ｓｎが好ましい。

最表層（Ａ層）１４の組成は、Ｓｎ，Ｉｎ，またはＳｎとＩｎとの合計で５０質量％以上であり、残合金成分がＡｇ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｗ，Ｚｎからなる群より選択される１種、もしくは２種以上の金属で構成されていても良い。最表層（Ａ層）１４が、例えばＳｎ−Ａｇめっきで形成される等により、その組成が合金になることで、低挿抜性、低ウィスカ性、及び、耐久性（耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等）などをより向上させる場合がある。

最表層（Ａ層）１４の厚みは０．００２〜０．２μｍである必要がある。最表層（Ａ層）１４の厚みは０．０１〜０．１μｍであるのが好ましい。最表層（Ａ層）１４の厚みが０．００２μｍ未満であると、充分な耐ガス腐食性が得られず、電子部品用金属材料を塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガス腐食試験を行うと腐食して、ガス腐食試験前と比較して大きく接触抵抗が増加する。より充分な耐ガス腐食性が得られるためには、０．０１μｍ以上の厚みが好ましい。また、厚みが大きくなると、ＳｎやＩｎの凝着磨耗が大きくなり、挿抜力が大きくなり、ウィスカも発生しやすくなる。より充分な低挿抜性、低ウィスカ性を得るためには、０．２μｍ以下とする。より好ましくは０．１μｍ以下である。なお、厚みを０．１μｍ以下にするとウィスカが発生しない。ウィスカはらせん転位が生じることによって発生するが、らせん転位が生じるためには数百ｎｍ以上の厚みのバルクが必要である。最表層（Ａ層）１４の厚みが０．２μｍ以下では、らせん転位が生じる十分な厚みではなく、基本的にはウィスカが発生しない。また最表層（Ａ層）と中層（Ｂ層）は常温において短回路拡散が進みやすく、合金が形成しやすいためウィスカが発生しない。

最表層（Ａ層）１４のＳｎ，Ｉｎの付着量は、１〜１５０μｇ／ｃｍ²である必要がある。最表層（Ａ層）１４の付着量は、７〜７５μｇ／ｃｍ²であるのが好ましい。ここで、付着量で定義する理由を説明する。例えば、最表層（Ａ層）１４の厚みを蛍光Ｘ線膜厚計で測定する場合、最表層（Ａ層）とその下の中層（Ｂ層）との間に形成した合金層により、測定される厚みの値に誤差が生じる場合がある。一方、付着量で制御する場合、合金層の形成状況に左右されず、より正確な品質管理をすることができる。最表層（Ａ層）１４のＳｎ，Ｉｎの付着量が１μｇ／ｃｍ²未満であると、充分な耐ガス腐食性が得られず、電子部品用金属材料を塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガス腐食試験を行うと腐食して、ガス腐食試験前と比較して大きく接触抵抗が増加する。より充分な耐ガス腐食性が得られるためには、７μｇ／ｃｍ²以上の付着量が好ましい。また付着量が多くなると、ＳｎやＩｎの凝着磨耗が大きくなり、挿抜力が大きくなり、ウィスカも発生しやすくなる。より充分な低挿抜性、低ウィスカ性を得るためには、１５０μｇ／ｃｍ²以下とする。より好ましくは７５μｇ／ｃｍ²以下である。なお、付着量を７５μｇ／ｃｍ²以下にするとウィスカが発生しない。ウィスカはらせん転位が生じることによって発生するが、らせん転位が生じるためには数百μｇ／ｃｍ²以上の付着量のバルクが必要である。最表層（Ａ層）１４の付着量が１５０μｇ／ｃｍ²以下では、らせん転位が生じる十分な付着量ではなく、基本的にはウィスカが発生しない。また最表層（Ａ層）と中層（Ｂ層）は常温において短回路拡散が進みやすく、合金が形成しやすいためウィスカが発生しない。

（中層（Ｂ層））
中層（Ｂ層）１３は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されている必要がある。Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒは、金属の中では比較的耐熱性を有するという特徴がある。よって基材１１や下層（Ｃ層）１２の組成が最表層（Ａ層）１４側に拡散するのを抑制して耐熱性を向上させる。また、これら金属は、最表層（Ａ層）１４のＳｎやＩｎと化合物を形成してＳｎやＩｎの酸化膜形成を抑制し、はんだ濡れ性を向上させる。なお、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの中では、導電率の観点でＡｇがより望ましい。Ａｇは導電率が高い。例えば高周波の信号用途にＡｇ用いた場合、表皮効果により、インピーダンス抵抗が低くなる。
中層（Ｂ層）１３の合金組成がＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはＡｇとＡｕとＰｔとＰｄとＲｕとＲｈとＯｓとＩｒとの合計で５０質量％以上であり、残合金成分がＢｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｓｅ，Ｓｎ，Ｗ，Ｔｌ，Ｚｎからなる群より選択される１種、もしくは２種以上の金属で構成されていても良い。中層（Ｂ層）１３が、例えばＳｎ−Ａｇめっきで形成される等により、その組成が合金になることで、低挿抜性、低ウィスカ性、及び、耐久性（耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等）などを向上させる場合がある。

中層（Ｂ層）１３の厚みは０．００１〜０．３μｍである必要がある。中層（Ｂ層）１３の厚みは０．００５〜０．１μｍであるのが好ましい。厚みが０．００１μｍ未満であると、基材１１や下層（Ｃ層）１２と最表層（Ａ層）が合金を形成し、耐熱性試験後の接触抵抗やはんだ濡れ性が悪い。より充分な耐熱性やはんだ濡れ性が得られるためには、０．００５μｍ以上の厚みが好ましい。また厚みが大きくなると、硬い基材１１または下層１２（Ｃ層）による薄膜潤滑効果が低下して挿抜力が大きくなるため、より充分な低挿抜性を得るためには０．３μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。

中層（Ｂ層）１３のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれら合金の付着量は１〜３３０μｇ／ｃｍ²である必要がある。中層（Ｂ層）１３の付着量は４〜１２０μｇ／ｃｍ²であるのが好ましい。ここで、付着量で定義する理由を説明する。例えば、中層（Ｂ層）１３の厚みを蛍光Ｘ線膜厚計で測定する場合、最表層（Ａ層）１４とその下の中層（Ｂ層）１３との間に形成した合金層により、測定される厚みの値に誤差が生じる場合がある。一方、付着量で制御する場合、合金層の形成状況に左右されず、より正確な品質管理をすることができる。付着量が１μｇ／ｃｍ²未満であると、基材１１や下層（Ｃ層）１２と最表層（Ａ層）が合金を形成し、耐熱性試験後の接触抵抗やはんだ濡れ性が悪い。より充分な耐熱性やはんだ濡れ性が得られるためには、４μｇ／ｃｍ²以上の付着量が好ましい。また付着量が多いと、硬い基材１１または下層（Ｃ層）による薄膜潤滑効果が低下して挿抜力が大きく増加するため、より充分な低挿抜性を得るためには３３０μｇ／ｃｍ²以下、より好ましくは１２０μｇ／ｃｍ²以下である。

（下層（Ｃ層））
基材１１と中層（Ｂ層）１３との間には、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群から選択された１種、もしくは２種以上からなる下層（Ｃ層）１２を形成するのが好ましい。Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群から選択された１種、もしくは２種以上の金属を用いて下層（Ｃ層）１２を形成することで、硬い下層（Ｃ層）形成により薄膜潤滑効果が向上して低挿抜性が向上し、下層（Ｃ層）１２は基材１１の構成金属が中層（Ｂ層）に拡散するのを防止し、耐熱性試験や耐ガス腐食性試験後の接触抵抗増加及びはんだ濡れ性劣化を抑制するなど、耐久性が向上する。

下層（Ｃ層）１２の合金組成が、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの合計で５０質量％以上であり、さらにＢ，Ｐ，Ｓｎ，Ｚｎからなる群から選択された１種、もしくは２種以上を含んでも良い。下層（Ｃ層）１２の合金組成がこのような構成となることで、下層（Ｃ層）がより硬化することで更に薄膜潤滑効果が向上して低挿抜性が向上し、下層（Ｃ層）１２の合金化は基材１１の構成金属が中層（Ｂ層）に拡散するのを更に防止し、耐熱性試験や耐ガス腐食性試験後の接触抵抗増加及びはんだ濡れ性劣化を抑制するなど、耐久性が向上する。

下層（Ｃ層）１２の厚みは０．０５μｍ以上であることが好ましい。下層（Ｃ層）１２の厚みが０．０５μｍ未満であると、硬い下層（Ｃ層）による薄膜潤滑効果が低下して低挿抜性が悪くなり、基材１１の構成金属は中層（Ｂ層）に拡散しやすくなり、耐熱性試験や耐ガス腐食性試験後の接触抵抗増加及びはんだ濡れ性劣化しやすいなど、耐久性が悪くなる。

下層（Ｃ層）１２のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの付着量が、０．０３ｍｇ／ｃｍ²以上であるのが好ましい。ここで、付着量で定義する理由を説明する。例えば、下層（Ｃ層）１２の厚みを蛍光Ｘ線膜厚計で測定する場合、最表層（Ａ層）１４、中層（Ｂ層）１３、及び基材１１等と形成した合金層により、測定される厚みの値に誤差が生じる場合がある。一方、付着量で制御する場合、合金層の形成状況に左右されず、より正確な品質管理をすることができる。また付着量が０．０３ｍｇ／ｃｍ²未満であると、硬い下層（Ｃ層）による薄膜潤滑効果が低下して低挿抜性が悪くなり、基材１１の構成金属は中層（Ｂ層）に拡散しやすくなり、耐熱性試験や耐ガス腐食性試験後の接触抵抗増加及びはんだ濡れ性劣化しやすいなど、耐久性が悪くなる。

（熱処理）
最表層（Ａ層）１４を形成させた後に、低挿抜性、低ウィスカ性、耐久性（耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等）を向上させる目的で熱処理を施しても良い。熱処理によって最表層（Ａ層）１４と中層（Ｂ層）１３が合金層を形成しやすくなり、Ｓｎの凝着力を一層小さくすることにより低挿抜性が得られ、また低ウィスカ性及び耐久性も更に向上させる。なお、この熱処理については、処理条件（温度×時間）は適宜選択できる。また、特にこの熱処理はしなくてもよい。

（後処理）
最表層（Ａ層）１４上、または最表層（Ａ層）１４上に熱処理を施した後に、低挿抜性や耐久性（耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等）を向上させる目的で後処理を施しても良い。後処理によって潤滑性が向上し、更なる低挿抜性が得られ、また最表層（Ａ層）と中層（Ｂ層）の酸化が抑制されて、耐熱性、耐ガス腐食性及びはんだ濡れ性等の耐久性が向上する。具体的な後処理としてはインヒビターを用いた、リン酸塩処理、潤滑処理、シランカップリング処理等がある。なお、この熱処理については、処理条件（温度×時間）は適宜選択できる。また、特にこの熱処理はしなくてもよい。

＜電子部品用金属材料の特性＞
最表層（Ａ層）の表面（最表層の表面から測定した）のビッカース硬さはＨｖ３００以上であるのが好ましい。最表層（Ａ層）１４の表面のビッカース硬さがＨｖ３００以上であると、硬い最表層（Ａ層）によって薄膜潤滑効果が向上し、低挿抜性が向上する。また一方で、最表層（Ａ層）１４表面（最表層の表面から測定した）のビッカース硬さはＨｖ１０００以下あるのが好ましい。最表層（Ａ層）１４の表面のビッカース硬さがＨｖ１０００以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の電子部品用金属材料をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性（耐久性）低下を抑制する。
最表層（Ａ層）１４の表面（最表層の表面から測定した）の押し込み硬さは２５００ＭＰａ以上あるのが好ましい。最表層（Ａ層）１４の表面の押し込み硬さが２５００ＭＰａ以上であると、硬い最表層（Ａ層）によって薄膜潤滑効果が向上し、低挿抜性が向上する。また一方で最表層（Ａ層）１４の表面（最表層の表面から測定した）の押し込み硬さは１００００ＭＰａ以下あるのが好ましい。最表層（Ａ層）１４の表面の押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の電子部品用金属材料をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性（耐久性）低下を抑制する。

最表層（Ａ層）１４の表面の算術平均高さ（Ｒａ）は０．１μｍ以下であるのが好ましい。最表層（Ａ層）１４の表面の算術平均高さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下であると比較的腐食しやすい凸部が少なくなり平滑となるため、耐ガス腐食性が向上する。
最表層（Ａ層）１４の表面の最大高さ（Ｒｚ）は１μｍ以下であるのが好ましい。最表層（Ａ層）１４の表面の最大高さ（Ｒｚ）が１μｍ以下であると比較的腐食しやすい凸部が少なくなり平滑となるため、耐ガス腐食性が向上する。
最表層（Ａ層）１４の表面の反射濃度が０．３以上であるのが好ましい。最表層（Ａ層）１４の表面の反射濃度が０．３以上であると比較的腐食しやすい凸部が少なくなり平滑となるため、耐ガス腐食性が向上する。

下層（Ｃ層）１２のビッカース硬さはＨｖ３００以上あるのが好ましい。下層（Ｃ層）１２のビッカース硬さがＨｖ３００以上であると、下層（Ｃ層）がより硬化することで更に薄膜潤滑効果が向上して低挿抜性が向上する。また一方で、下層（Ｃ層）１２のビッカース硬さＨｖ１０００以下あるのが好ましい。下層（Ｃ層）１２のビッカース硬さがＨｖ１０００以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の電子部品用金属材料をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性（耐久性）低下を抑制する。

下層（Ｃ層）１２のビッカース硬さと下層（Ｃ層）１２の厚みとが下記式：
ビッカース硬さ（Ｈｖ） ≧ −３７６．２２Ｌｎ（厚みμｍ）＋８６．４１１
を満たすことが好ましい。下層（Ｃ層）１２のビッカース硬さと下層（Ｃ層）１２の厚みとが上記式を満たすと、下層（Ｃ層）がより硬化することで更に薄膜潤滑効果が向上して、低挿抜性が向上する。
なお、本発明において、「Ｌｎ（厚みμｍ）」とは、厚み（μｍ）の自然対数の数値を意味する。

下層（Ｃ層）１２の押し込み硬さは２５００ＭＰａ以上であるのが好ましい。下層（Ｃ層）１２の押し込み硬さが２５００ＭＰａ以上であると、下層（Ｃ層）がより硬化することで更に薄膜潤滑効果が向上して低挿抜性が向上する。また一方で、下層（Ｃ層）１２の押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下であるのが好ましい。下層（Ｃ層）１２の押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の電子部品用金属材料をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性（耐久性）低下を抑制する。

下層（Ｃ層）１２の押し込み硬さと下層（Ｃ層）１２の厚みとが下記式：
押し込み硬さ（ＭＰａ） ≧ −３９９８．４Ｌｎ（厚みμｍ）＋１１７８．９
を満たすことが好ましい。下層（Ｃ層）１２の押し込み硬さと下層（Ｃ層）１２の厚みとが上記式を満たすと、下層（Ｃ層）がより硬化することで更に薄膜潤滑効果が向上して低挿抜性が向上する。

ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、最表層（Ａ層）１４のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₁）、中層（Ｂ層）１３のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₂）が、最表面からＤ₁、Ｄ₂の順で存在することが好ましい。最表面からＤ₁、Ｄ₂の順で存在しない場合、充分な耐ガス腐食性が得られず、電子部品用金属材料を塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガス腐食試験を行うと腐食して、ガス腐食試験前と比較して大きく接触抵抗が増加するおそれがある。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、最表層（Ａ層）１４のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値が１０ａｔ％以上であることが好ましい。最表層（Ａ層）１４のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値が１０ａｔ％未満である場合、充分な耐ガス腐食性が得られず、電子部品用金属材料を塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガス腐食試験を行うと腐食して、ガス腐食試験前と比較して大きく接触抵抗が増加するおそれがある。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、中層（Ｂ層）１３のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値が１０ａｔ％以上であることが好ましい。中層（Ｂ層）１３のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値が１０ａｔ％未満である場合、基材１１や下層（Ｃ層）１２と最表層（Ａ層）が合金を形成し、耐熱性試験後の接触抵抗やはんだ濡れ性が悪くなるおそれがある。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、最表層（Ａ層）１４のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₁）、中層（Ｂ層）１３のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₂）、下層（Ｃ層）１２のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ₃）が最表面からＤ₁、Ｄ₂、Ｄ₃の順で存在することが好ましい。最表面からＤ₁、Ｄ₂、Ｄ₃の順で存在しない場合、充分な耐ガス腐食性が得られず、電子部品用金属材料を塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガス腐食試験を行うと腐食して、ガス腐食試験前と比較して大きく接触抵抗が増加するとなるおそれがある。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、最表層（Ａ層）１４のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値、及び、中層（Ｂ層）１３のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値がそれぞれ１０ａｔ％以上であって、下層（Ｃ層）１２のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）が２５ａｔ％以上である深さが５０ｎｍ以上であることが好ましい。最表層（Ａ層）１４のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値、及び、中層（Ｂ層）１３のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値がそれぞれ１０ａｔ％未満であって、下層（Ｃ層）１２のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）が２５ａｔ％以上である深さが５０ｎｍ未満である場合、低挿抜性や耐久性（耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等）は、基材成分が最表層（Ａ層）１４または中層（Ｂ層）１３に拡散して悪くなるおそれがある。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、最表層（Ａ層）１４のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ₁）と下層（Ｃ層）１２のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，ＣｕまたはＺｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ₃）との間に、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒについて４０ａｔ％以上の領域が１ｎｍ以上の厚さで存在することが好ましい。１ｎｍ未満の厚さで存在すると、例えばＡｇの場合、はんだ濡れ性や耐熱性が悪くなるおそれがある。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記最表層（Ａ層）の表面の元素分析を行ったとき、Ｓｎ，Ｉｎが１ａｔ％以上であることが好ましい。Ｓｎ，Ｉｎが２ａｔ％未満であると、例えばＡｇの場合、耐硫化性が劣り、接触抵抗が大きく増加するおそれがある。また、例えばＰｄの場合、Ｐｄが酸化して接触抵抗が高くなるおそれがある。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記最表層（Ａ層）の表面の元素分析を行ったとき、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒが７ａｔ％未満であることが好ましい。Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒが７ａｔ％以上であると、例えばＡｇの場合、耐硫化性が劣り、接触抵抗が大きく増加するおそれがある。また、例えばＰｄの場合、Ｐｄが酸化して接触抵抗が高くなるおそれがある。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記最表層（Ａ層）の表面の元素分析を行ったとき、Ｏが５０ａｔ％未満であることが好ましい。Ｏが５０ａｔ％以上であると、接触抵抗が高くなるおそれがある。

＜電子部品用金属材料の用途＞
本発明の電子部品用金属材料の用途は特に限定しないが、例えば電子部品用金属材料を接点部分に用いたコネクタ端子、電子部品用金属材料を接点部分に用いたＦＦＣ端子またはＦＰＣ端子、電子部品用金属材料を外部接続用電極に用いた電子部品などが挙げられる。なお、端子については、圧着端子、はんだ付け端子、プレスフィット端子等、配線側との接合方法によらない。外部接続用電極には、タブに表面処理を施した接続部品や半導体のアンダーバンプメタル用に表面処理を施した材料などがある。
また、このように形成されたコネクタ端子を用いてコネクタを作製しても良く、ＦＦＣ端子またはＦＰＣ端子を用いてＦＦＣまたはＦＰＣを作製しても良い。
コネクタはオス端子とメス端子の両方が本発明の電子部品用金属材料であっても良いし、オス端子またはメス端子の片方だけであっても良い。なおオス端子とメス端子の両方を本発明の電子部品用金属材料にすることで、更に低挿抜性が向上する。

＜電子部品用金属材料の製造方法＞
本発明の電子部品用金属材料の製造方法としては、湿式（電気、無電解）めっき、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いることができる。
但し、乾式めっきよりも湿式めっきの方が、めっき皮膜中に、めっき液中に存在する極微量の不純物成分が共析されウィスカの発生を抑制し、また電着組織が硬くなることで低挿抜性を向上させる場合がある。また製造コストの観点からは、湿式めっきであることが好ましい。
湿式めっきの中では電気めっきの方が好ましい。電気めっきは無電解めっきと比較して均一な皮膜が形成されるため、耐久性（耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等）を向上させる場合がある。
最表層（Ａ層）１４は、酸性めっき液を用いためっき処理で形成することが好ましい。酸性めっきを用いることにより、中層（Ｂ層）１３との密着性が向上する。
中層（Ｂ層）１３は、シアン含有めっき液を用いためっき処理で形成することが好ましい。シアン含有めっきを用いることにより、緻密な皮膜ができ、耐久性（耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等）が向上する。
下層（Ｃ層）１２は、スルファミン酸浴またはワット浴を用いためっき処理で形成することが好ましい。スルファミン酸浴またはワット浴を用いることにより、基材との密着性が向上する。
またスルファミン酸浴またはワット浴で用いるめっき液が、光沢Ｎｉめっき液であることが好ましい。めっき液として光沢Ｎｉめっきを用いることにより、皮膜が平滑かつ硬くなり、低挿抜性や耐久性（耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等）が向上する。
またスルファミン酸浴またはワット浴に添加剤としてサッカリンが含まれていることが好ましい。サッカリンを添加することにより、緻密で硬い皮膜となり、皮膜が平滑かつ硬くなり、低挿抜性や耐久性（耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等）が向上する。

以下、本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。

実施例及び比較例として、基材、下層（Ｃ層）、中層（Ｂ層）、最表層（Ａ層）をこの順に設けて熱処理を行うことで形成した試料を、以下の表１〜７に示す条件でそれぞれ作製した。また、下層（Ｃ層）については、形成しない例も作製した。
表１に基材の作製条件を、表２に下層（Ｃ層）の作製条件を、表３に中層（Ｂ層）の作製条件を、表４に最表層（Ａ層）の作製条件を、表５に熱処理条件をそれぞれ示す。また、表６（表６−１、表６−２、表６−３）に各実施例で使用した各層の作製条件及び熱処理の条件を、表７に各比較例で使用した各層の作製条件及び熱処理の条件それぞれ示す。

（厚みの測定）
最表層（Ａ層）、中層（Ｂ層）、下層（Ｃ層）の厚みは、最表層（Ａ層）、中層（Ｂ層）、下層（Ｃ層）の組成を有していない基材にそれぞれ表面処理を施し、それぞれ蛍光Ｘ線膜厚計（ＳｅｉｋｏＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製ＳＥＡ５１００、コリメータ０．１ｍｍΦ）で実際の厚みを測定した。例えば、Ｓｎめっきの場合には、基材がＣｕ−１０質量％Ｓｎ−０．１５質量％Ｐであると、基材にＳｎが有しており、正確なＳｎめっきの厚みがわからないため、Ｓｎが基材の組成を有していない、Ｃｕ−３０質量％Ｚｎで厚みを測定した。

（付着量の測定）
各試料を硫酸や硝酸等で酸分解し、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）発光分光分析により各金属の付着量を測定した。なお具体的に用いる酸は、それぞれのサンプルを有する組成によって異なる。

（組成の決定）
測定した付着量に基づき、各金属の組成を算出した。

（層構造の決定）
得られた試料の層構造は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析による深さ（Ｄｅｐｔｈ）プロファイルで決定した。分析した元素は、最表層（Ａ層）、中層（Ｂ層）、下層（Ｃ層）の組成と、Ｃ及びＯである。これら元素を指定元素とする。また、指定元素の合計を１００％として、各元素の濃度(ａｔ％)を分析した。ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析での厚みは、分析によるチャートの横軸の距離（ＳｉＯ₂換算での距離）に対応する。
また、得られた試料の表面は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析によるＳｕｒｖｅｙ測定にて定性分析も行った。定性分析の濃度の分解能は０．１ａｔ％とした。
ＸＰＳ装置としては、アルバック・ファイ株式会社製５６００ＭＣを用い、到達真空度：５．７×１０^-9Ｔｏｒｒ、励起源：単色化ＡｌＫα、出力：２１０Ｗ、検出面積：８００μｍΦ、入射角：４５度、取り出し角：４５度、中和銃なしとし、以下のスパッタ条件で測定した。
イオン種：Ａｒ⁺
加速電圧：３ｋＶ
掃引領域：３ｍｍ×３ｍｍ
レート：２．８ｎｍ／ｍｉｎ．（ＳｉＯ₂換算）

（評価）
各試料について以下の評価を行った。
Ａ．挿抜力
挿抜力は、市販のＳｎリフローめっきメス端子（０９０型住友ＴＳ/矢崎０９０IIシリーズメス端子非防水/Ｆ０９０−ＳＭＴＳ）を用いて、実施例及び比較例に係るめっきしたオス端子と挿抜試験することによって評価した。
試験に用いた測定装置は、アイコーエンジニアリング製１３１１ＮＲであり、オスピンの摺動距離５ｍｍで評価した。サンプル数は５個とし、挿抜力は、挿入力と抜去力が同等であるため、各サンプルの最大挿入力の値を平均した値を採用した。挿抜力のブランク材としては、比較例１のサンプルを採用した。
挿抜力の目標は、比較例１の最大挿抜力と比較して９０％未満である。これは、比較例４が比較例１の最大挿入力と比較して９０％であり、耐久性（耐熱性、耐ガス腐食性、はんだ濡れ性等）も良好であり、この比較例４よりも、より大きな挿抜力の減少を目標とした。

Ｂ．ウィスカ
ウィスカは、ＪＥＩＴＡＲＣ−５２４１の荷重試験（球圧子法）にて評価した。すなわち、各サンプルに対して荷重試験を行い、荷重試験を終えたサンプルをＳＥＭ（ＪＥＯＬ社製、型式ＪＳＭ−５４１０）にて１００〜１００００倍の倍率で観察して、ウィスカの発生状況を観察した。荷重試験条件を以下に示す。
球圧子の直径：Φ１ｍｍ±０．１ｍｍ
試験荷重：２Ｎ±０．２Ｎ
試験時間：１２０時間
目標とする特性は、長さ２０μｍ以上のウィスカが発生しないことであるが、最大の目標としては、ウィスカが１本も発生しないこととした。

Ｃ．接触抵抗
接触抵抗は、山崎精機製接点シミュレーターＣＲＳ−１１３−Ａｕ型を使用し、接点荷重５０ｇの条件で４端子法にて測定した。サンプル数は５個とし、各サンプルの最小値から最大値の範囲を採用した。目標とする特性は、接触抵抗１０ｍΩ以下である。接触抵抗は、１〜３ｍΩ、３〜５ｍΩ及び５ｍΩ＜で区分した。

Ｄ．耐熱性
耐熱性は、大気加熱（１５５℃×５００ｈ）試験後のサンプルの接触抵抗を測定し、評価した。目標とする特性は、接触抵抗１０ｍΩ以下であるが、最大の目標としては、接触抵抗が、耐熱性試験前後で変化がない（同等である）こととした。耐熱性は、接触抵抗が１〜４ｍΩ、２〜４ｍΩ、２〜５ｍΩ、３〜６ｍΩ、３〜７ｍΩ、６〜９ｍΩ、１０ｍΩ＜で区分した。

Ｅ．耐ガス腐食性
耐ガス腐食性は、下記の（１）〜（３）に示す３つの試験環境で評価した。耐ガス腐食性の評価は、（１）〜（３）の環境試験を終えた試験後のサンプルの接触抵抗で測定した。なお目標とする特性は、接触抵抗１０ｍΩ以下であるが、最大の目標としては、接触抵抗が、耐ガス腐食性試験前後で変化がない（同等である）こととした。耐ガス腐食性は、接触抵抗が１〜３ｍΩ、１〜４ｍΩ、２〜４ｍΩ、２〜６ｍΩ、３〜５ｍΩ、３〜７ｍΩ、４〜７ｍΩ、５〜８ｍΩ、６〜９ｍΩ、１０ｍΩ＜で区分した。
（１）塩水噴霧試験
塩水濃度：５％
温度：３５℃
噴霧圧力：９８±１０ｋＰａ
曝露時間：９６ｈ
（２）亜硫酸ガス腐食試験
亜硫酸濃度：２５ｐｐｍ
温度：４０℃
湿度：８０％ＲＨ
曝露時間：９６ｈ
（３）硫化水素ガス腐食試験
亜硫酸濃度：３ｐｐｍ
温度：４０℃
湿度：８０％ＲＨ
曝露時間：９６ｈ

Ｆ．はんだ濡れ性
はんだ濡れ性はめっき後のサンプルを評価した。ソルダーチェッカ（レスカ社製ＳＡＴ−５０００）を使用し、フラックスとして市販の２５％ロジンメタノールフラックスを用い、メニスコグラフ法にてはんだ濡れ時間を測定した。はんだはＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ（２５０℃）を用いた。サンプル数は５個とし、各サンプルの最小値から最大値の範囲を採用した。目標とする特性は、ゼロクロスタイム５秒以下である。ゼロクロスは、１〜３s、２〜３ｓ、３〜５ｓ、４〜５ｓ、５ｓ＜で区分した。

Ｇ．曲げ加工性
曲げ加工性は、Ｗ字型の金型を用いて試料の板厚と曲げ半径の比が１となる条件で９０°曲げで評価した。評価は曲げ加工部表面を光学顕微鏡で観察し、クラックが観察されない場合の実用上問題ないと判断した場合には○とし、クラックが認められた場合を×とした。

Ｈ．ビッカース硬さ
最表層（Ａ層）のビッカース硬さは、サンプル表面より荷重９８０．７ｍＮ（Ｈｖ０．１）、荷重保持時間１５秒で打根を打って測定した。
また、下層（Ｃ層）のビッカース硬さは、下層（Ｃ層）断面より荷重９８０．７ｍＮ（Ｈｖ０．１）、荷重保持時間１５秒で打根を打って測定した。

Ｉ．押し込み硬さ
最表層（Ａ層）の押し込み硬さは、超微小硬さ試験（エリオニクス製ＥＮＴ−２１００）により、サンプル表面に荷重０．１ｍＮで打根を打って測定した。
また、下層（Ｃ層）の押し込み硬さは、下層（Ｃ層）断面より荷重９８０．７ｍＮ（Ｈｖ０．１）、荷重保持時間１５秒で打根を打って測定した。

Ｊ．表面粗さ
表面粗さ（算術平均高さ（Ｒａ）及び最大高さ（Ｒｚ））の測定は、ＪＩＳＢ０６０１に準拠し、非接触式三次元測定装置（三鷹光器社製、形式ＮＨ−３）を用いて行った。カットオフは０．２５ｍｍ、測定長さは１．５０ｍｍで、１試料当たり５回測定した。

Ｋ．反射濃度
反射濃度は、デンシトメーター（ＮＤ−１，日本電色工業社製）を使用して測定した。

Ｌ．伸び
伸びは、ＪＩＳＣ６５１１に従い、各サンプルの圧延平行方向について引張試験を行うことで測定した。引張速度は５０ｍｍ／ｍｉｎとした。

Ｍ．最小曲げ半径比（ＭＢＲ／ｔ）
最小曲げ半径比は、曲げ加工性と同じ方法で、割れの発生しない最小曲げ半径／試験片厚さを測定した。
各条件及び評価結果を表８〜２２に示す。

実施例１〜９７は、低挿抜性、低ウィスカ性及び耐久性のいずれも優れた電子部品金属材料であった。
比較例１はブランク材である。
比較例２は、比較例１のブランク材のＳｎめっきを薄くして作製したものであるが、はんだ濡れ性が悪かった。
比較例３は、比較例２と比較して熱処理を施さないで作製したものであるが、挿抜力が目標よりも高かった。
比較例４は、比較例２と比較して中層にＣｕめっきを施して作製したものであるが、挿抜力は比較例１と比較して９０％であった。
比較例５は、比較例４と比較してＳｎめっきを薄くして作製したものであるが、はんだ濡れ性が悪かった。
比較例６は、比較例５と比較して熱処理を施さないで作製したものであるが、挿抜力が目標よりも高かった。
比較例７は、比較例１のブランク材と比較して下層にＣｕめっきを施して作製したものであるが、比較例１と特性は変わらなかった。
比較例８は、比較例１のブランク材と比較して下層のＮｉめっきを厚く施して作製したものであるが、比較例１と特性は変わらなかった。
比較例９は、実施例１と比較して最表層のＳｎめっきを厚くして施して作製したものであるが、挿抜力が目標よりも高かった。
比較例１０は、比較例９と比較して中層のＡｇめっきを薄く施して作製したものであるが、挿抜力は目標を下回ったものの、ウィスカは目標とする２０μｍ以上の長さものはなかったが、２０μｍ未満のウィスカは１本以上確実に発生していた。
比較例１１は、実施例１と比較して中層のＡｇめっきを厚くして施して作製したものであるが、挿抜力が目標よりも高かった。
比較例１２は、比較例１１と比較して中層のＡｇめっきをせずに作製したものであるが、はんだ濡れ性が悪かった。
比較例１３は、実施例４と比較して中層のＡｇめっきを厚くして施して作製したものであるが、挿抜力が目標よりも高かった。
比較例１４は、比較例１３と比較して中層のＡｇめっきをせずに作製したものであるが、はんだ濡れ性が悪かった。
比較例１５は、実施例４と比較して最表層のＳｎめっきを薄くして施して作製したものであるが、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例１６は、実施例５と比較して最表層のＳｎめっきを薄くして施して作製したものであるが、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でのＤｅｐｔｈ測定で、前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値が１０ａｔ％以下であり、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例１７は、実施例３と比較して、ＳｎとＡｇのめっき順序を逆にして作製したものであるが、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でのＤｅｐｔｈ測定で前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₁）、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₂）がＤ₂、Ｄ₁の順で存在するため、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例１８は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でのＤｅｐｔｈ測定で前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₁）、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₂）がＤ₁≒Ｄ₂であるため、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例１９は、実施例６０と比較して、ＳｎとＡｇのめっき順序を逆にして作製したものであるが、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でのＤｅｐｔｈ測定で前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₁）、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₂）がＤ₂、Ｄ₁の順で存在するため、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例２０は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でのＤｅｐｔｈ測定で前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₁）、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₂）がＤ₁≒Ｄ₂であるため、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例２１は、実施例７９と比較して中層のＡｇめっきをせずに作製したものであるが、はんだ濡れ性が悪かった。
比較例２２は、実施例７９と比較して最表層のＳｎめっきを薄くして施して作製したものであるが、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でのＤｅｐｔｈ測定で、前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₁）が１０ａｔ％以下であり、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例２３は、実施例８４と比較して中層のＡｇめっきを施さないで作製したものであるが、はんだ濡れ性が悪かった。

また、図２に実施例６１に係るＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＤｅｐｔｈ測定結果を示す。図２より、最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₁）、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₂）がＤ₁、Ｄ₂の順で存在し、Ｄ₁が３５ａｔ％、Ｄ₂が８７％であることが分かる。
また、図３に実施例６１に係るＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定結果を示す。図３より、Ｏが２４．１ａｔ％であり、Ａｇが２．６ａｔ％で、Ｓｎが７．３ａｔ％であることが分かる。

１０電子部品用金属材料
１１基材
１２下層（Ｃ層）
１３中層（Ｂ層）
１４最表層（Ａ層）

Claims

基材と、
前記基材の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層と、
前記基材とＡ層との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層と、
を備え、
前記最表層（Ａ層）の厚みが０．００２〜０．２μｍであり、
前記中層（Ｂ層）の厚みが０．００１〜０．３μｍである、低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料。
基材と、
前記基材の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層と、
前記基材とＡ層との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層と、
を備え、
前記最表層（Ａ層）のＳｎ，Ｉｎの付着量が１〜１５０μｇ／ｃｍ²であり、
前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの付着量が１〜３３０μｇ／ｃｍ²である、低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料。
前記最表層（Ａ層）の合金組成がＳｎ，Ｉｎ，またはＳｎとＩｎとの合計で５０質量％以上であり、残合金成分がＡｇ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｗ，Ｚｎからなる群より選択される１種、もしくは２種以上の金属からなる請求項１または２に記載の電子部品用金属材料。
前記中層（Ｂ層）の合金組成がＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはＡｇとＡｕとＰｔとＰｄとＲｕとＲｈとＯｓとＩｒとの合計で５０質量％以上であり、残合金成分がＢｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｓｅ，Ｓｎ，Ｗ，Ｔｌ，Ｚｎからなる群より選択される１種、もしくは２種以上の金属からなる請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記最表層（Ａ層）の表面のビッカース硬さがＨｖ３００以上である、低挿抜性がより優れた請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記最表層（Ａ層）の表面の押し込み硬さが２５００ＭＰａ以上である、低挿抜性がより優れた請求項１〜５のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記最表層（Ａ層）の表面のビッカース硬さがＨｖ１０００以下である、高曲げ加工性を有する請求項１〜６のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記最表層（Ａ層）の表面の押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下である、高曲げ加工性を有する請求項１〜７のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記最表層（Ａ層）の表面の算術平均高さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下である、耐ガス腐食性がより優れた請求項１〜８のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記最表層（Ａ層）の表面の最大高さ（Ｒｚ）が１μｍ以下である、耐ガス腐食性がより優れた請求項１〜９のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記最表層（Ａ層）の表面の反射濃度が０.３以上である、耐ガス腐食性がより優れた請求項１〜１０のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₁）、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₂）が、最表面からＤ₁、Ｄ₂の順で存在する請求項１〜１１のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値が１０ａｔ％以上である請求項１〜１２のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値が１０ａｔ％以上である請求項１〜１３のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記基材とＢ層との間に設けられて下層を構成し、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群から選択された１種、もしくは２種以上で形成されたＣ層をさらに備えた、低挿抜性がより優れた請求項１〜１４のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
下層（Ｃ層）の合金の組成がＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの合計で５０質量％以上であり、さらにＢ，Ｐ，Ｓｎ，Ｚｎからなる群から選択された１種、もしくは２種以上を含む請求項１５に記載の電子部品用金属材料。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₁）、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ₂）、前記下層（Ｃ層）のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ₃）が最表面からＤ₁、Ｄ₂、Ｄ₃の順で存在する請求項１５または１６に記載の電子部品用金属材料。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値、及び、前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値がそれぞれ１０ａｔ％以上であって、前記下層（Ｃ層）のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）が２５％以上である深さが５０ｎｍ以上である請求項１５〜１７のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記下層（Ｃ層）の厚みが０．０５μｍ以上である請求項１５〜１８のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記下層（Ｃ層）のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの付着量が、０．０３ｍｇ／ｃｍ²以上である請求項１５〜１９のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記最表層（Ａ層）の厚みが０．０１〜０．１μｍである、低挿抜性がより優れ、ウィスカがフリーである請求項１〜２０のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記最表層（Ａ層）のＳｎ，Ｉｎの付着量が７〜７５μｇ／ｃｍ²である、低挿抜性がより優れ、ウィスカがフリーである請求項１〜２１のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記中層（Ｂ層）の厚みが０．００５〜０．１μｍである、低挿抜性により優れた請求項１〜２２のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記中層（Ｂ層）のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの付着量が４〜１２０μｇ／ｃｍ²である、低挿抜性により優れた請求項１〜２３のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記下層（Ｃ層）の表面のビッカース硬さがＨｖ３００以上である、低挿抜性により優れた請求項１５〜２４のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記下層（Ｃ層）の表面のビッカース硬さと厚みとが下記式：
ビッカース硬さ（Ｈｖ） ≧ −３７６．２２Ｌｎ（厚みμｍ）＋８６．４１１
を満たす、低挿抜性により優れた請求項１５〜２５のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記下層（Ｃ層）の表面の押し込み硬さが２５００ＭＰａ以上である、低挿抜性により優れた請求項１５〜２６のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記下層（Ｃ層）の表面の押し込み硬さと厚みとが下記式：
押し込み硬さ（ＭＰａ） ≧ −３９９８．４Ｌｎ（厚みμｍ）＋１１７８．９
を満たす、低挿抜性により優れた請求項１５〜２７のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記下層（Ｃ層）の表面のビッカース硬さがＨｖ１０００以下である、高曲げ加工性を有する請求項１５〜２８のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記下層（Ｃ層）の表面の押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下である、高曲げ加工性を有する請求項１５〜２９のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記基材が金属基材であって、前記金属基材の表面のビッカース硬さがＨｖ９０以上である、低挿抜性により優れた請求項１〜３０のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記基材が金属基材であって、前記金属基材の表面の押し込み硬さが１０００ＭＰａ以上である、低挿抜性により優れた請求項１〜３１のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記基材が金属基材であって、前記金属基材の伸びが５％以上である、高曲げ加工性を有する請求項１〜３２のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
前記基材が金属基材であって、前記金属基材の最小曲げ半径比（ＭＢＲ／ｔ）が３以下である、高曲げ加工性を有する請求項１〜３３のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記最表層（Ａ層）のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ₁）と前記下層（Ｃ層）のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，ＣｕまたはＺｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ₃）との間に、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒについて４０ａｔ％以上の領域が１ｎｍ以上の厚さで存在する請求項１５〜３４のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記最表層（Ａ層）の表面の元素分析を行ったとき、Ｓｎ，Ｉｎが２ａｔ％以上である請求項１〜３５のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記最表層（Ａ層）の表面の元素分析を行ったとき、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒが７ａｔ％未満である請求項１〜３６のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記最表層（Ａ層）の表面の元素分析を行ったとき、Ｏが５０ａｔ％未満である請求項１〜３７のいずれかに記載の電子部品用金属材料。
請求項１〜３８のいずれかに記載の電子部品用金属材料を接点部分に用いたコネクタ端子。
請求項３９に記載のコネクタ端子を用いたコネクタ。
請求項１〜３８のいずれかに記載の電子部品用金属材料を接点部分に用いたＦＦＣ端子。
請求項１〜３８のいずれかに記載の電子部品用金属材料を接点部分に用いたＦＰＣ端子。
請求項４１に記載のＦＦＣ端子を用いたＦＦＣ。
請求項４２に記載のＦＰＣ端子を用いたＦＰＣ。
請求項１〜３８のいずれかに記載の電子部品用金属材料を外部接続用電極に用いた電子部品。
請求項１〜３８のいずれかに記載の電子部品用金属材料に、湿式めっきによって表面処理を行う工程を含む電子部品用金属材料の製造方法。
前記湿式めっきの方法が電気めっきである請求項４６に記載の電子部品用金属材料の製造方法。
前記最表層（Ａ層）を、酸性めっき液を用いためっき処理で形成する請求項４６又は４７に記載の電子部品用金属材料の製造方法。
前記中層（Ｂ層）を、シアン含有めっき液を用いためっき処理で形成する請求項４６〜４８のいずれかに記載の電子部品用金属材料の製造方法。
前記下層（Ｃ層）を、スルファミン酸浴またはワット浴を用いためっき処理で形成する請求項４６〜４９のいずれかに記載の電子部品用金属材料の製造方法。
前記スルファミン酸浴及び前記ワット浴で用いるめっき液が光沢Ｎｉめっき液である請求項５０に記載の電子部品用金属材料の製造方法。
前記下層（Ｃ層）を形成するためのめっき液に、添加剤としてサッカリンが含有されている請求項５０又は５１に記載の電子部品用金属材料の製造方法。