JPS5936954A - 半導体用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS5936954A JPS5936954A JP14731882A JP14731882A JPS5936954A JP S5936954 A JPS5936954 A JP S5936954A JP 14731882 A JP14731882 A JP 14731882A JP 14731882 A JP14731882 A JP 14731882A JP S5936954 A JPS5936954 A JP S5936954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- alloy
- plating layer
- substrate
- base metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はIC1トランクスタ等半導体装置に用いられる
半導体用リードフレームの改良に関するものである。
半導体用リードフレームの改良に関するものである。
従来よりこの種半導体用リードフレームとして、銅また
は銅合金からなる基体上にAgメッキを施したものが広
く用いられているが、近年経済的な観点から高価なAg
の使用量を減少させるため、Agメッキの範囲をリード
フレームの半導体素子固定部分およびこれとAu線等金
属細線により接続されるリード端子部分に限定する一方
、Agメッキ層の厚さを薄くすることが行われている。
は銅合金からなる基体上にAgメッキを施したものが広
く用いられているが、近年経済的な観点から高価なAg
の使用量を減少させるため、Agメッキの範囲をリード
フレームの半導体素子固定部分およびこれとAu線等金
属細線により接続されるリード端子部分に限定する一方
、Agメッキ層の厚さを薄くすることが行われている。
Agメッキ層の厚さを薄くする場合において、基体上に
直接A。
直接A。
メッキを施したものは・eツケージ製造工程での加熱に
より基体を構成するOuがAg表面に拡散しゼンデイン
グ性の低下や半導体素子のクラック発生を招く問題があ
り、このことからそれを防市する意味で基体上にNiを
基質とする下地金属層を設けその上にAgメッキを権す
ことが一般的に行われている。
より基体を構成するOuがAg表面に拡散しゼンデイン
グ性の低下や半導体素子のクラック発生を招く問題があ
り、このことからそれを防市する意味で基体上にNiを
基質とする下地金属層を設けその上にAgメッキを権す
ことが一般的に行われている。
しかし′ながら、N1下地金属層を設けた上にAgメッ
キを施したり−rフレームにおいて、必要以上にAgメ
ッキ層の厚さを薄くしたものはAgが酸素を透過しやす
い性質を有することから酸化雰囲気中での加熱によりN
1下地金属層表面が酸化し、この結果Agメッキ層と下
地金属層の密着性が低下しAgメッキ層の剥離やブリス
ターなどの問題を起こすことがある。このことからNi
下地金属層を設けた場合においても、Agメッキ層の厚
さを薄くするには限界がある。
キを施したり−rフレームにおいて、必要以上にAgメ
ッキ層の厚さを薄くしたものはAgが酸素を透過しやす
い性質を有することから酸化雰囲気中での加熱によりN
1下地金属層表面が酸化し、この結果Agメッキ層と下
地金属層の密着性が低下しAgメッキ層の剥離やブリス
ターなどの問題を起こすことがある。このことからNi
下地金属層を設けた場合においても、Agメッキ層の厚
さを薄くするには限界がある。
この点に関し、従来Agメッキ層とNi下地金属層の密
着性の低下を抑制しかつAgメッキ層の薄層化を図る方
法として、Ni層とAg層の中間に双方に拡散可能なC
uメッキ層を薄く設けることが試みられているが、Cu
のAg表面への熱拡散による特性低下の点からAgメッ
キ層の薄層化に1坂界があシ、通常この場合のAgメッ
キ層の厚さとしては信頼性を確保する意味で4〜5μ程
度以上必要とされている。
着性の低下を抑制しかつAgメッキ層の薄層化を図る方
法として、Ni層とAg層の中間に双方に拡散可能なC
uメッキ層を薄く設けることが試みられているが、Cu
のAg表面への熱拡散による特性低下の点からAgメッ
キ層の薄層化に1坂界があシ、通常この場合のAgメッ
キ層の厚さとしては信頼性を確保する意味で4〜5μ程
度以上必要とされている。
本発明は構部配点に鑑みAgメッキ層とN1下地金属層
の密着性を低下させることなくAgメッキ層のより一層
の薄層化を図ることができる有利な構造の半導体用リー
ドフレームの提供を目的とし、その要旨とするところは
、銅または銅合金からなる基体上にN1を基質上する下
地金属層を設け、前記下地金属層上の半導体素子固定部
分および該半導体素子と金属#l線により結線されるリ
ード端子部分にN i −S n合金層およびAg層を
順次設けたことにある。
の密着性を低下させることなくAgメッキ層のより一層
の薄層化を図ることができる有利な構造の半導体用リー
ドフレームの提供を目的とし、その要旨とするところは
、銅または銅合金からなる基体上にN1を基質上する下
地金属層を設け、前記下地金属層上の半導体素子固定部
分および該半導体素子と金属#l線により結線されるリ
ード端子部分にN i −S n合金層およびAg層を
順次設けたことにある。
上記において、Ni基質下地金属層は基体を構成するO
uの熱拡散を防止するだめのものとして、無光沢Niメ
ッキ、光沢ニッケルメッキあるいはN1−Co 、 N
i −P 、 Ni −PなどのN1合金メッキにより
構成することができる。また、N1基質下地金属層はこ
れを基体全面に設けた場合、上記半導体素子固定部分お
よびリード端子部分を除くリードフレームの各部分に対
して銅の酸化を防市し、半田付性の低下を防ぐことがで
きる。
uの熱拡散を防止するだめのものとして、無光沢Niメ
ッキ、光沢ニッケルメッキあるいはN1−Co 、 N
i −P 、 Ni −PなどのN1合金メッキにより
構成することができる。また、N1基質下地金属層はこ
れを基体全面に設けた場合、上記半導体素子固定部分お
よびリード端子部分を除くリードフレームの各部分に対
して銅の酸化を防市し、半田付性の低下を防ぐことがで
きる。
N i −S n合金層は、加熱によりその合金成分で
Agへの拡散に関してはその特性にあまり影響を与えず
Agの酸素透過を抑制するものである。また、このよう
な観点からN i −S n合金の好ましい組成範囲は
Sn含有量が20〜90重量係であり、すなわち合金中
Sn含有量が20%未満では密着性向上効果が十分でな
く、95%を越えるとAgの変色の可能性が生じる。N
i −S n合金層の厚さは、加熱後のAgメッキ層
の密着性および変色の程度により決定され、Agメッキ
層の厚さにも関係するが、通常002〜1μの範囲で設
けられ、特に好ましくは0.04〜082μの範囲で設
けられる。
Agへの拡散に関してはその特性にあまり影響を与えず
Agの酸素透過を抑制するものである。また、このよう
な観点からN i −S n合金の好ましい組成範囲は
Sn含有量が20〜90重量係であり、すなわち合金中
Sn含有量が20%未満では密着性向上効果が十分でな
く、95%を越えるとAgの変色の可能性が生じる。N
i −S n合金層の厚さは、加熱後のAgメッキ層
の密着性および変色の程度により決定され、Agメッキ
層の厚さにも関係するが、通常002〜1μの範囲で設
けられ、特に好ましくは0.04〜082μの範囲で設
けられる。
Agメッキ層の厚さは経済的観点から薄い方が望ましく
、本発明によれば3μ以下にすることが可能である。
、本発明によれば3μ以下にすることが可能である。
次に添付図面により本発明半導体用リードフレームの実
施例を説明する。
施例を説明する。
第1図において、厚さ0.25mmのりん青銅からなる
所望の・ξターンに打抜かれた基体1を脱脂、酸洗等前
処理後、電解メッキ法により夫々破線で囲寸れた部分、
すなわち半導体素子固定部分5および内部リード端子部
分6にN1下地金属層(1μ)2、Ni−Sn合金層(
sn含有量75重量%、厚さ01μ)3、Agメッキ層
(1μ)4を順次形成し、第2図に示すような断面構造
のリードフレームを作成した。
所望の・ξターンに打抜かれた基体1を脱脂、酸洗等前
処理後、電解メッキ法により夫々破線で囲寸れた部分、
すなわち半導体素子固定部分5および内部リード端子部
分6にN1下地金属層(1μ)2、Ni−Sn合金層(
sn含有量75重量%、厚さ01μ)3、Agメッキ層
(1μ)4を順次形成し、第2図に示すような断面構造
のリードフレームを作成した。
他の実施例として、第3図に示すようにNi 下地金属
層2′を基体1の全面に設けた。この場合第1図との対
応から明らかなようにリードフレームの外部り一1端子
7がN1下地金属層2′で覆われるだめに耐食性が改善
され、酸化による半田付性の低下を防ぐことができる。
層2′を基体1の全面に設けた。この場合第1図との対
応から明らかなようにリードフレームの外部り一1端子
7がN1下地金属層2′で覆われるだめに耐食性が改善
され、酸化による半田付性の低下を防ぐことができる。
一方、比較例として図示しないが上記実施例と同様の方
法によシ(υN1下地金属層(1μ)」二に直接Agメ
ッキ層(1μ)を設けたり一ドフレーム、(2) N
i下地金属層(1/I)上にCuメッキ層(0,1tt
)を設けその上にAgメッキ層(1μ)を設けた+7−
1フレームを夫々作成し、実施例との比較に供した。
法によシ(υN1下地金属層(1μ)」二に直接Agメ
ッキ層(1μ)を設けたり一ドフレーム、(2) N
i下地金属層(1/I)上にCuメッキ層(0,1tt
)を設けその上にAgメッキ層(1μ)を設けた+7−
1フレームを夫々作成し、実施例との比較に供した。
下表は実施例および比較例(1) 、 (2)の各リー
ドフレームを大気中400℃×lO分間加熱し、夫々の
Agメッキ層の密着性および外観の変色性を試験した結
果を示すものである。
ドフレームを大気中400℃×lO分間加熱し、夫々の
Agメッキ層の密着性および外観の変色性を試験した結
果を示すものである。
なお、密着性はメッキ層形成部分を90°に3回折り曲
げた後のAgメッキ層の剥離状況により判定した。
げた後のAgメッキ層の剥離状況により判定した。
本発明の変形例としては上記Agメッキ層を例えばAg
−8b 、 Ag−8e 、 Ag−8n などの合
金メッキにより構成することができ、この場合本発明の
範囲に入るものである。
−8b 、 Ag−8e 、 Ag−8n などの合
金メッキにより構成することができ、この場合本発明の
範囲に入るものである。
上記表からも明らかなように、本発明リードフレームは
N1下地金属層上の特定部分にNi−8n合金層および
Agメッキ層を順次設けたことにより、・Qツケーノ工
程での高温加熱においてもAgメッキ層とN1下地金属
層の密着性を低下させることなく、Agメッキ層の変色
による特性低下を抑えてその信頼性を向上させ、もって
Agメッキ層の薄層化を図ることが可能となる。Agメ
ッキ層の薄層化は経済的観点から最も望むべきことであ
り、その工業的価値はきわめて犬なるものがある。
N1下地金属層上の特定部分にNi−8n合金層および
Agメッキ層を順次設けたことにより、・Qツケーノ工
程での高温加熱においてもAgメッキ層とN1下地金属
層の密着性を低下させることなく、Agメッキ層の変色
による特性低下を抑えてその信頼性を向上させ、もって
Agメッキ層の薄層化を図ることが可能となる。Agメ
ッキ層の薄層化は経済的観点から最も望むべきことであ
り、その工業的価値はきわめて犬なるものがある。
第1図は本宅間半導体用リードフレームの一実施例に係
る平面図、第2図は同横断面図、第3図は本発明半導体
用リードフレームの他の実施例に係る横断面図である。 1・・基体、2,2′・・Ni下地金属層、3・Ni
−8n合金層、4・・・Agメッキ層、5・・・半導体
素子固定部分、6・・・リード端子部分、7 ・外部リ
ード端子。 犀 1 日 1 輸 蛤 /6 7 一1 2 νl
る平面図、第2図は同横断面図、第3図は本発明半導体
用リードフレームの他の実施例に係る横断面図である。 1・・基体、2,2′・・Ni下地金属層、3・Ni
−8n合金層、4・・・Agメッキ層、5・・・半導体
素子固定部分、6・・・リード端子部分、7 ・外部リ
ード端子。 犀 1 日 1 輸 蛤 /6 7 一1 2 νl
Claims (1)
- (1)銅または銅合金からなる基体上にN1 を基質
とする下地金属層を設け、前記下地金属層上の半導体素
子固定部分および該半導体素子と金属細線により結線さ
れるリード端子部分にNi −an合金層およびAg層
を順次部分的に設けてなることを特徴とする半導体用リ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14731882A JPS5936954A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 半導体用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14731882A JPS5936954A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 半導体用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5936954A true JPS5936954A (ja) | 1984-02-29 |
Family
ID=15427468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14731882A Pending JPS5936954A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 半導体用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5936954A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5424578A (en) * | 1993-01-29 | 1995-06-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Lead frame for use in a semiconductor device and a semiconductor device using the same |
US6245448B1 (en) * | 1988-03-28 | 2001-06-12 | Texas Instruments Incorporated | Lead frame with reduced corrosion |
CN1090392C (zh) * | 1996-10-30 | 2002-09-04 | 矢崎总业株式会社 | 端子材料和端子 |
JP2015206094A (ja) * | 2014-04-22 | 2015-11-19 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
JP2015229791A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
EP4333052A1 (en) * | 2022-09-02 | 2024-03-06 | Mitsui High-Tec, Inc. | Metal component |
-
1982
- 1982-08-25 JP JP14731882A patent/JPS5936954A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6245448B1 (en) * | 1988-03-28 | 2001-06-12 | Texas Instruments Incorporated | Lead frame with reduced corrosion |
US5424578A (en) * | 1993-01-29 | 1995-06-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Lead frame for use in a semiconductor device and a semiconductor device using the same |
CN1090392C (zh) * | 1996-10-30 | 2002-09-04 | 矢崎总业株式会社 | 端子材料和端子 |
JP2015206094A (ja) * | 2014-04-22 | 2015-11-19 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
JP2015229791A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
EP4333052A1 (en) * | 2022-09-02 | 2024-03-06 | Mitsui High-Tec, Inc. | Metal component |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3880877B2 (ja) | めっきを施した銅または銅合金およびその製造方法 | |
TWI323031B (en) | Leadframe comprising tin plating or an intermetallic layer formed therefrom | |
JP2009526381A (ja) | 半導体qfn/sonデバイス用のアルミニウム・リードフレーム | |
JP3481392B2 (ja) | 電子部品リード部材及びその製造方法 | |
JPH09275182A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JPH04329891A (ja) | 錫めっき銅合金材およびその製造方法 | |
JPS5936954A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
JPH04337657A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPH051367A (ja) | 電気・電子機器用銅合金材料 | |
JP2781017B2 (ja) | セラミックパッケージ | |
JPH01257356A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
JPH10233121A (ja) | リードワイヤ | |
US4482611A (en) | Electronic parts | |
JP2798512B2 (ja) | 錫めっき銅合金材およびその製造方法 | |
EP3971958A1 (en) | A semiconductor package and a method for manufacturing of a semiconductor package | |
KR100231832B1 (ko) | 다중 도금층을 가진 반도체 리드프레임 | |
JPS6142941A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
JPH1065083A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JP2537301B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JPH0373962B2 (ja) | ||
JPS5882406A (ja) | 銀又は銀合金被覆ダイオ−ドリ−ド線とその製造方法 | |
KR100209264B1 (ko) | 반도체 리드 프레임 | |
JPS63304654A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
JPH06112389A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
JPS60225456A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム |