JPH1065083A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH1065083A JPH1065083A JP21723896A JP21723896A JPH1065083A JP H1065083 A JPH1065083 A JP H1065083A JP 21723896 A JP21723896 A JP 21723896A JP 21723896 A JP21723896 A JP 21723896A JP H1065083 A JPH1065083 A JP H1065083A
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- JP
- Japan
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- plating
- intermediate layer
- lead frame
- layer
- alloy
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤーボンディング性、半田濡れ性が熱処
理工程によって劣化しない耐熱性のあるリードフレーム
を提供する。 【解決手段】 リードフレーム素材上にＮｉ又はＮｉ合
金の第１中間層を有し、この第１中間層の上に形成され
るＣｏ又はＣｏ合金めっきの第２中間層と、さらにこの
第２中間層の上に形成されるＰｄまたはＰｄ合金めっき
の最上層を備えている半導体装置用リードフレーム。
理工程によって劣化しない耐熱性のあるリードフレーム
を提供する。 【解決手段】 リードフレーム素材上にＮｉ又はＮｉ合
金の第１中間層を有し、この第１中間層の上に形成され
るＣｏ又はＣｏ合金めっきの第２中間層と、さらにこの
第２中間層の上に形成されるＰｄまたはＰｄ合金めっき
の最上層を備えている半導体装置用リードフレーム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路の枠構造
を形成するリードフレームに係り、特に詳しくはボンデ
ィング性、半田濡れ性およびＨｇペースト密着性に優れ
た構造を有する半導体装置用リードフレームに関するも
のである。
を形成するリードフレームに係り、特に詳しくはボンデ
ィング性、半田濡れ性およびＨｇペースト密着性に優れ
た構造を有する半導体装置用リードフレームに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップ搭載部、ワイヤボンディン
グ部および外部リード部から構成される導電基体からな
る集積回路用リードフレームにおいて、チップ搭載部と
ワイヤボンディング部の表面はＡｇまたはＡｕめっきで
あり、外部リード部はＳｎまたはＳｎ合金層であるもの
が一般的である。このリードフレームはめっきマスクが
必要であり、製造工程が複雑になり、製造コストも高く
なる。
グ部および外部リード部から構成される導電基体からな
る集積回路用リードフレームにおいて、チップ搭載部と
ワイヤボンディング部の表面はＡｇまたはＡｕめっきで
あり、外部リード部はＳｎまたはＳｎ合金層であるもの
が一般的である。このリードフレームはめっきマスクが
必要であり、製造工程が複雑になり、製造コストも高く
なる。
【０００３】また、リードフレームの全面に、中間層と
してＮｉめっき、最外層としてＰｄめっきを施したリー
ドフレームがある（特公昭６３−４９３８２号公報）。
これは、熱処理工程を経ると表面層のＰｄが酸化した
り、中間層のＮｉが最上層のＰｄめっき層中に拡散し、
表面にＮｉの酸化物を作るためワイヤーボンディング性
や半田濡れ性が劣化する。
してＮｉめっき、最外層としてＰｄめっきを施したリー
ドフレームがある（特公昭６３−４９３８２号公報）。
これは、熱処理工程を経ると表面層のＰｄが酸化した
り、中間層のＮｉが最上層のＰｄめっき層中に拡散し、
表面にＮｉの酸化物を作るためワイヤーボンディング性
や半田濡れ性が劣化する。
【０００４】また、リードフレーム素材上の全面にＰｄ
またはＰｄ合金皮膜を形成し、更にこの皮膜上にＡｇま
たはＡｕめっき皮膜を施したもの（特開平４−１１５５
５８号公報）もある。しかし、Ａｕめっきでは貴金属で
あるためコストアップとなり、またＡｇめっきでは硫化
して特性が劣化するなどの問題がある。
またはＰｄ合金皮膜を形成し、更にこの皮膜上にＡｇま
たはＡｕめっき皮膜を施したもの（特開平４−１１５５
５８号公報）もある。しかし、Ａｕめっきでは貴金属で
あるためコストアップとなり、またＡｇめっきでは硫化
して特性が劣化するなどの問題がある。
【０００５】さらに、本発明者らの提案によるボンディ
ング性、半田濡れ性、Ａｇペースト密着性、モールド樹
脂密着性に優れたパラジウム−ビスマス合金めっきリー
ドフレーム（特開平６−１２０３９４号公報）もある。
この技術は内部リード部、ワイヤーボンディング部、外
部リード部の最表層部がビスマスを１０％以下含有する
Ｐｄ−Ｂｉ合金層を０．０１〜１０μｍ有するものであ
る。
ング性、半田濡れ性、Ａｇペースト密着性、モールド樹
脂密着性に優れたパラジウム−ビスマス合金めっきリー
ドフレーム（特開平６−１２０３９４号公報）もある。
この技術は内部リード部、ワイヤーボンディング部、外
部リード部の最表層部がビスマスを１０％以下含有する
Ｐｄ−Ｂｉ合金層を０．０１〜１０μｍ有するものであ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来、熱処理によって
発生する下地ＮｉのＰｄ中への拡散を防ぎ、Ｎｉの酸化
物の生成を防止するためにＡｕで表面層を覆ったり、厚
みのあるＰｄ層が必要であった。そこで、高価であるＡ
ｕの使用に代る技術の開発が求められていた。また、Ｐ
ｄめっきの厚みも薄く、かつ熱処理を施してもワイヤー
ボンディング性、半田濡れ性が劣化しないリードフレー
ムの出現が望まれていた。
発生する下地ＮｉのＰｄ中への拡散を防ぎ、Ｎｉの酸化
物の生成を防止するためにＡｕで表面層を覆ったり、厚
みのあるＰｄ層が必要であった。そこで、高価であるＡ
ｕの使用に代る技術の開発が求められていた。また、Ｐ
ｄめっきの厚みも薄く、かつ熱処理を施してもワイヤー
ボンディング性、半田濡れ性が劣化しないリードフレー
ムの出現が望まれていた。
【０００７】本発明の目的は、熱処理工程を経てもワイ
ヤーボンディング性、半田濡れ性が劣化しない経済的で
信頼性の高い半導体装置用リードフレームを提供するこ
とにある。
ヤーボンディング性、半田濡れ性が劣化しない経済的で
信頼性の高い半導体装置用リードフレームを提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、図１に示
すように、素材１上に第１中間層２と第２中間層３と最
上層４からなるリードフレームにおいて、第２中間層と
してＣｏまたはＣｏ合金を用いると、熱処理工程を経て
もＮｉの熱拡散を抑制するためワイヤーボンディング
性、半田濡れ性が劣化しないことを知見した。
すように、素材１上に第１中間層２と第２中間層３と最
上層４からなるリードフレームにおいて、第２中間層と
してＣｏまたはＣｏ合金を用いると、熱処理工程を経て
もＮｉの熱拡散を抑制するためワイヤーボンディング
性、半田濡れ性が劣化しないことを知見した。
【０００９】本発明は、下記の通りのものである。 リードフレーム素材上のＮｉまたはＮｉ合金めっき
の第１中間層、この第１中間層の上に形成されるＣｏま
たはＣｏ合金めっきの第２中間層、およびこの第２中間
層の上に形成されるＰｄまたはＰｄ合金めっきの最上層
とからなることを特徴とする、半導体装置用リードフレ
ーム。 第１中間層の厚みが０．０１μｍ〜１０μｍ、第２
中間層の厚みが０．００５μｍ〜１０μｍ、最上層の厚
みが０．００５μｍ〜１０μｍであることを特徴とする
前記に記載の半導体装置用リードフレーム。
の第１中間層、この第１中間層の上に形成されるＣｏま
たはＣｏ合金めっきの第２中間層、およびこの第２中間
層の上に形成されるＰｄまたはＰｄ合金めっきの最上層
とからなることを特徴とする、半導体装置用リードフレ
ーム。 第１中間層の厚みが０．０１μｍ〜１０μｍ、第２
中間層の厚みが０．００５μｍ〜１０μｍ、最上層の厚
みが０．００５μｍ〜１０μｍであることを特徴とする
前記に記載の半導体装置用リードフレーム。
【００１０】以下に、本発明を詳細に説明する。本発明
において、リードフレーム素材には、常用されている純
Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ、Ｆｅ合金が用いられる。本発明
のリードフレームは、リードフレーム素材上全面もしく
は必要部分に第１中間層、第２中間層、最上層が順次形
成される。各々のめっき層は、電解めっき方法、無電解
めっき方法、及び蒸着法の何れによっても良い。
において、リードフレーム素材には、常用されている純
Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ、Ｆｅ合金が用いられる。本発明
のリードフレームは、リードフレーム素材上全面もしく
は必要部分に第１中間層、第２中間層、最上層が順次形
成される。各々のめっき層は、電解めっき方法、無電解
めっき方法、及び蒸着法の何れによっても良い。
【００１１】第２中間層は、第１中間層のＮｉが熱処理
によって最上層へ拡散することを抑制し、ワイヤーボン
ディング性及び半田濡れ性が劣化しないように設定され
た層である。第２中間層のＣｏめっき又はＣｏ合金めっ
きの厚みは、０．００５μｍ〜１０μｍである。０．０
０５μｍより薄いとピンホールが多く生じ、Ｎｉの熱拡
散バリヤー層としての機能が発揮されない。また上限を
１０μｍとしたのは経済的観点からである。Ｃｏ合金と
しては、Ｃｏ含有量が４０重量％以上が特に有効であ
り、その合金成分としてはＣｏ−Ａｇ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃ
ｏ−Ｐｄ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ等が最適である。
によって最上層へ拡散することを抑制し、ワイヤーボン
ディング性及び半田濡れ性が劣化しないように設定され
た層である。第２中間層のＣｏめっき又はＣｏ合金めっ
きの厚みは、０．００５μｍ〜１０μｍである。０．０
０５μｍより薄いとピンホールが多く生じ、Ｎｉの熱拡
散バリヤー層としての機能が発揮されない。また上限を
１０μｍとしたのは経済的観点からである。Ｃｏ合金と
しては、Ｃｏ含有量が４０重量％以上が特に有効であ
り、その合金成分としてはＣｏ−Ａｇ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃ
ｏ−Ｐｄ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ等が最適である。
【００１２】本発明において、最上層のＰｄめっき又は
Ｐｄ合金めっきの厚みの適正範囲は、０．００５μｍ〜
１０μｍである。０．００５μｍより薄いとワイヤーボ
ンディング性が劣化し、１０μｍ以上では高価になるか
らである。Ｐｄ合金としては、Ｐｄ含有量が６０％以上
のＰｄ−Ａｕ、Ｐｄ−Ａｇ、及びＰｄ含有量が９５％以
上のＰｄ−Ｂｉ、Ｐｄ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｉ、Ｐｄ−Ｂｒ、
Ｐｄ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｆｅが使用される。
Ｐｄ合金めっきの厚みの適正範囲は、０．００５μｍ〜
１０μｍである。０．００５μｍより薄いとワイヤーボ
ンディング性が劣化し、１０μｍ以上では高価になるか
らである。Ｐｄ合金としては、Ｐｄ含有量が６０％以上
のＰｄ−Ａｕ、Ｐｄ−Ａｇ、及びＰｄ含有量が９５％以
上のＰｄ−Ｂｉ、Ｐｄ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｉ、Ｐｄ−Ｂｒ、
Ｐｄ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｆｅが使用される。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明を実施例および比較例により
さらに説明する。実施例１ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
および活性化を行った後、全面に第１中間層として１μ
ｍのＮｉめっきを施し、次いで第２中間層として厚さ
０．０５μｍのＣｏめっき、さらにその上に最上層とし
て厚さ０．１μｍのＰｄめっきを行い、熱処理を施し
た。ＣｏめっきおよびＰｄめっきには、一般に市販され
ている日本高純度化学株式会社製のめっき液である、メ
タバリアＣおよびパラブライトＳＳＴをそれぞれ使用し
た。
さらに説明する。実施例１ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
および活性化を行った後、全面に第１中間層として１μ
ｍのＮｉめっきを施し、次いで第２中間層として厚さ
０．０５μｍのＣｏめっき、さらにその上に最上層とし
て厚さ０．１μｍのＰｄめっきを行い、熱処理を施し
た。ＣｏめっきおよびＰｄめっきには、一般に市販され
ている日本高純度化学株式会社製のめっき液である、メ
タバリアＣおよびパラブライトＳＳＴをそれぞれ使用し
た。
【００１４】熱処理条件は、次の３種類とした。すなわ
ち、１５０℃で２時間加熱保持後、３００℃で２分加
熱、１５０℃で２時間加熱保持後、３５０℃で２分加
熱、１５０℃で２時間加熱後、４００℃で２分加熱、
である。
ち、１５０℃で２時間加熱保持後、３００℃で２分加
熱、１５０℃で２時間加熱保持後、３５０℃で２分加
熱、１５０℃で２時間加熱後、４００℃で２分加熱、
である。
【００１５】得られた各リードフレームについて、ワイ
ヤーボンディング性および半田濡れ性の評価試験を行っ
た。各評価試験の要領は、次の通りである。 ワイヤーボンディング性評価試験：直径２５μｍの金線
を用いて、荷重８０ｇ、温度１８０℃、超音波条件７０
０ｍＷ（ミリワット）、６５ｍＳ（ミリ秒）にて３３０
℃で６０秒の加熱処理後のワイヤーボンディングを行
い、ピールゲージで引張強度を測定した。 半田濡れ性評価試験：メニスコグラフ試験装置を用いて
半田濡れ性を測定した。半田付け条件は、ロジン系非活
性型のαメタル社のＲ−１００フラックスを浸漬塗布し
て２３０±１℃の６３％Ｓｎ−３７％Ｐｄ半田浴に浸漬
してゼロクロス時間を測定した。
ヤーボンディング性および半田濡れ性の評価試験を行っ
た。各評価試験の要領は、次の通りである。 ワイヤーボンディング性評価試験：直径２５μｍの金線
を用いて、荷重８０ｇ、温度１８０℃、超音波条件７０
０ｍＷ（ミリワット）、６５ｍＳ（ミリ秒）にて３３０
℃で６０秒の加熱処理後のワイヤーボンディングを行
い、ピールゲージで引張強度を測定した。 半田濡れ性評価試験：メニスコグラフ試験装置を用いて
半田濡れ性を測定した。半田付け条件は、ロジン系非活
性型のαメタル社のＲ−１００フラックスを浸漬塗布し
て２３０±１℃の６３％Ｓｎ−３７％Ｐｄ半田浴に浸漬
してゼロクロス時間を測定した。
【００１６】各評価試験の試験結果を、表１および表２
に示す。評価においてＡは優れたもの、Ｂはやや良いも
の、Ｃはやや悪いもの、Ｄは悪いものを表す。
に示す。評価においてＡは優れたもの、Ｂはやや良いも
の、Ｃはやや悪いもの、Ｄは悪いものを表す。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】実施例２ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
および活性化した後、全面に第１中間層として１μｍの
Ｎｉめっきを施し、次に第２中間層として厚さ０．１μ
ｍのＣｏ（５０％）−Ｐｄ（５０％）めっき、その上に
最上層として厚さ０．１μｍのＰｄ（６０％）−Ａｕ
（４０％）めっきを行い、熱処理を施した。熱処理条件
は、実施例１と同じ３種類を採用した。
および活性化した後、全面に第１中間層として１μｍの
Ｎｉめっきを施し、次に第２中間層として厚さ０．１μ
ｍのＣｏ（５０％）−Ｐｄ（５０％）めっき、その上に
最上層として厚さ０．１μｍのＰｄ（６０％）−Ａｕ
（４０％）めっきを行い、熱処理を施した。熱処理条件
は、実施例１と同じ３種類を採用した。
【００２０】Ｃｏ−ＰｄめっきおよびＰｄ−Ａｕめっき
には、一般に市販されている日本高純度化学株式会社製
のめっき液であるメタバリアＣＰおよびパラブライトＷ
ＧＰを、それぞれ用いた。得られた各リードフレームに
ついて、ボンディング性および半田濡れ性の評価試験を
行った。各評価試験の結果を、表１および表２に併記す
る。
には、一般に市販されている日本高純度化学株式会社製
のめっき液であるメタバリアＣＰおよびパラブライトＷ
ＧＰを、それぞれ用いた。得られた各リードフレームに
ついて、ボンディング性および半田濡れ性の評価試験を
行った。各評価試験の結果を、表１および表２に併記す
る。
【００２１】実施例３ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
および活性化を行った後、全面に第１中間層として厚さ
１μｍのＮｉ−Ｓｎめっきを施し、次いで第２中間層と
して厚さ０．０５μｍのＣｏめっきを行い、さらにその
上に最上層として厚さ０．１μｍのＰｄめっきを行い、
熱処理を施した。
および活性化を行った後、全面に第１中間層として厚さ
１μｍのＮｉ−Ｓｎめっきを施し、次いで第２中間層と
して厚さ０．０５μｍのＣｏめっきを行い、さらにその
上に最上層として厚さ０．１μｍのＰｄめっきを行い、
熱処理を施した。
【００２２】熱処理条件は、実施例１と同一の３種類を
採用した。ＣｏめっきおよびＰｄめっきには、一般に市
販されている日本高純度化学株式会社製のめっき液であ
るメタバリアＣおよびパラブライトＳＳＴをそれぞれ用
いた。
採用した。ＣｏめっきおよびＰｄめっきには、一般に市
販されている日本高純度化学株式会社製のめっき液であ
るメタバリアＣおよびパラブライトＳＳＴをそれぞれ用
いた。
【００２３】得られた各リードフレームについてボンデ
ィング性および半田濡れ性の評価試験を行った。各評価
試験の結果を、表１および表２に示す。
ィング性および半田濡れ性の評価試験を行った。各評価
試験の結果を、表１および表２に示す。
【００２４】実施例４ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
および活性化を行った後、全面に第１中間層として厚さ
１μｍのＮｉ−Ｓｎめっきを施し、次に第２中間層とし
て０．１μｍのＣｏ（５０％）−Ｆｅ（５０％）めっ
き、さらにその上に最上層として厚さ０．１μｍのＰｄ
−Ｉ（１％）めっきを行い、熱処理を施した。
および活性化を行った後、全面に第１中間層として厚さ
１μｍのＮｉ−Ｓｎめっきを施し、次に第２中間層とし
て０．１μｍのＣｏ（５０％）−Ｆｅ（５０％）めっ
き、さらにその上に最上層として厚さ０．１μｍのＰｄ
−Ｉ（１％）めっきを行い、熱処理を施した。
【００２５】熱処理条件は、実施例１と同一の３種類を
採用した。Ｃｏ−ＦｅめっきおよびＰｄ−Ｉめっきに
は、一般に市販されている日本高純度化学株式会社製の
めっき液であるメタバリアＣＦおよびパラブライトＳＳ
Ｔ−Ｉをそれぞれ用いた。
採用した。Ｃｏ−ＦｅめっきおよびＰｄ−Ｉめっきに
は、一般に市販されている日本高純度化学株式会社製の
めっき液であるメタバリアＣＦおよびパラブライトＳＳ
Ｔ−Ｉをそれぞれ用いた。
【００２６】得られた各リードフレームについてボンデ
ィング性および半田濡れ性の評価試験を行った。各評価
試験の結果を、表１および２に併記する。
ィング性および半田濡れ性の評価試験を行った。各評価
試験の結果を、表１および２に併記する。
【００２７】比較例１〜４ 比較例１〜４として、実施例１〜４のそれぞれについて
第２中間層を設けることなく、その他は実施例１〜４と
それぞれ同様なリードフレームを製作した。得られたリ
ードフレームについてボンディング性および半田濡れ性
の評価試験を行った。その評価試験結果を、表１および
２に併記する。
第２中間層を設けることなく、その他は実施例１〜４と
それぞれ同様なリードフレームを製作した。得られたリ
ードフレームについてボンディング性および半田濡れ性
の評価試験を行った。その評価試験結果を、表１および
２に併記する。
【００２８】本発明の実施例１と比較例１の試料を５０
０℃で１分間加熱処理したものについてオージェによる
極表面層の分析を行った。その結果を、表３（本発明
例）および表４（比較例）に示す。
０℃で１分間加熱処理したものについてオージェによる
極表面層の分析を行った。その結果を、表３（本発明
例）および表４（比較例）に示す。
【００２９】
【表３】
【００３０】
【表４】
【００３１】これらの結果から、本発明のリードフレー
ムには下地金であるＮｉの拡散が見られないことが確認
された。
ムには下地金であるＮｉの拡散が見られないことが確認
された。
【００３２】
【発明の効果】本発明のリードフレームは、従来品より
ワイヤーボンディング性、半田濡れ性が優れており、か
つ製造工程が単純で高価なＡｕめっきも必要なく経済性
と信頼性が大きいという効果を有している。
ワイヤーボンディング性、半田濡れ性が優れており、か
つ製造工程が単純で高価なＡｕめっきも必要なく経済性
と信頼性が大きいという効果を有している。
【図１】本発明の一実施例により作成したリードフレー
ムの一部断面の拡大図である。
ムの一部断面の拡大図である。
１ 素材 ２ 第一中間層 ３ 第二中間層 ４ 最上層
Claims (2)
- 【請求項１】リードフレーム素材上のＮｉまたはＮｉ合
金めっきの第１中間層と、この第１中間層の上に形成さ
れるＣｏまたはＣｏ合金めっきの第２中間層と、さらに
第２中間層の上に形成されるＰｄまたはＰｄ合金めっき
の最上層とからなることを特徴とする、半導体装置用リ
ードフレーム。 - 【請求項２】第１中間層の厚みが０．０１μｍ〜１０μ
ｍ、第２中間層の厚みが０．００５μｍ〜１０μｍおよ
び最上層の厚みが０．００５μｍ〜１０μｍであること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置用リードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21723896A JPH1065083A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21723896A JPH1065083A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065083A true JPH1065083A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16701025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21723896A Pending JPH1065083A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1065083A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1305132C (zh) * | 1999-10-01 | 2007-03-14 | 三星航空产业株式会社 | 引线框架及其电镀方法 |
-
1996
- 1996-08-19 JP JP21723896A patent/JPH1065083A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1305132C (zh) * | 1999-10-01 | 2007-03-14 | 三星航空产业株式会社 | 引线框架及其电镀方法 |
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