JPS5936426B2 - Ｉｃ用リ−ドフレ−ム - Google Patents
Ｉｃ用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS5936426B2 JPS5936426B2 JP3771778A JP3771778A JPS5936426B2 JP S5936426 B2 JPS5936426 B2 JP S5936426B2 JP 3771778 A JP3771778 A JP 3771778A JP 3771778 A JP3771778 A JP 3771778A JP S5936426 B2 JPS5936426 B2 JP S5936426B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- lead
- layer
- alloy
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ＩＣ用リードフレームの層構造に関し、金
属基板上にＳｎ−Ｎｉ合金層を設けて、その上にＡｇメ
ッキ層を部分的に設けることにより、高価なＡｇメッキ
層の使用をＩＣチップ固定部ならびにその周辺部に限定
してもなお且つ外部入出力端子との結線に必要な半田付
性の良好なＩＣ用リードフレームを提供せんとするもの
である。
属基板上にＳｎ−Ｎｉ合金層を設けて、その上にＡｇメ
ッキ層を部分的に設けることにより、高価なＡｇメッキ
層の使用をＩＣチップ固定部ならびにその周辺部に限定
してもなお且つ外部入出力端子との結線に必要な半田付
性の良好なＩＣ用リードフレームを提供せんとするもの
である。
ＩＣパッケージを製造するに際して、ＩＣチップ固定部
とリード部からなるリードフレームを用い、このＩＣチ
ップ固定部上に固定（ダイボンディング）したＩＣチッ
プ（半導体素子）とリード部をＡｕ、Ａｌ等の細線で結
線（ワイヤーボンディング）することが多い。
とリード部からなるリードフレームを用い、このＩＣチ
ップ固定部上に固定（ダイボンディング）したＩＣチッ
プ（半導体素子）とリード部をＡｕ、Ａｌ等の細線で結
線（ワイヤーボンディング）することが多い。
このリードフレームとしては、コパール、４２合金や、
鉄、ステンレス等の比較的安価な金属からなる基板に、
まず半田付性を与えるためにＣｕメッキをしたのち、こ
の上からＡｇメッキをしたものが用いられている。一方
、家庭用電機品、テレビジョン受像機などに広くＩＣが
使用されてくるに伴つて追求される経済性の要請に応え
て、近年高価なＡｇメッキ層の使用を極力抑えて、ＩＣ
チップ固定部ならびにこれと結線されるべきリード部の
内部端部分にのみ限定することが行われている。しカル
ながら、このようにＡｇメッキ層を部分的とすることに
より確かに材料コストは下るが、同時に外部入出力端子
と半田付で結線されるべきリード部の外部端部分の半田
付性が低下する欠点がある。
鉄、ステンレス等の比較的安価な金属からなる基板に、
まず半田付性を与えるためにＣｕメッキをしたのち、こ
の上からＡｇメッキをしたものが用いられている。一方
、家庭用電機品、テレビジョン受像機などに広くＩＣが
使用されてくるに伴つて追求される経済性の要請に応え
て、近年高価なＡｇメッキ層の使用を極力抑えて、ＩＣ
チップ固定部ならびにこれと結線されるべきリード部の
内部端部分にのみ限定することが行われている。しカル
ながら、このようにＡｇメッキ層を部分的とすることに
より確かに材料コストは下るが、同時に外部入出力端子
と半田付で結線されるべきリード部の外部端部分の半田
付性が低下する欠点がある。
すなわち、ＩＣチップをリードフレームに固定してＩＣ
を完成する組込み工程中の高温処理によりリード部外部
端に露出したＣｕ表面が酸化してＣｕ酸化物が形成され
、このＣｕ酸化物が半田付性が悪いため、リード部外部
端の半田付性が悪くなるのである。したがつて、このよ
うな欠点を改善するため、通常はＣｕ層もＡｇメッキ部
分のみに限定して設けて、ＩＣチップを固定してＩＣを
一旦完成したのちに、Ｎｉメッキ等のされたリード部外
部端に更にＳｎメッキを施すことが行われている。
を完成する組込み工程中の高温処理によりリード部外部
端に露出したＣｕ表面が酸化してＣｕ酸化物が形成され
、このＣｕ酸化物が半田付性が悪いため、リード部外部
端の半田付性が悪くなるのである。したがつて、このよ
うな欠点を改善するため、通常はＣｕ層もＡｇメッキ部
分のみに限定して設けて、ＩＣチップを固定してＩＣを
一旦完成したのちに、Ｎｉメッキ等のされたリード部外
部端に更にＳｎメッキを施すことが行われている。
しかし、このような付加工程を必要とするのはＩＣ製造
工程の複雑化を招き、勿論好ましくないし、完成品をメ
ッキ液等に浸漬する為信頼性も低下する。特にリードフ
レームは金属材料メーカーにより製造され、ＩＣチップ
を組込んでＩＣを完成するのはＩＣチップ製造メーカー
により行われるのが通常であるところ、ＩＣチップ製造
メーカーに、リードフレーム部分の半田付性改良工程ま
でも要求するのは、リードフレームの商品価値を低下さ
せることである。また、このようなＩＣ組込工程後のＳ
ｎメッキ工程を不要とするために、Ｎｉメッキをした金
属基板にＳｎメッキ層を設け、この上から部分的にＡｇ
メツキを行うことが試みられている。
工程の複雑化を招き、勿論好ましくないし、完成品をメ
ッキ液等に浸漬する為信頼性も低下する。特にリードフ
レームは金属材料メーカーにより製造され、ＩＣチップ
を組込んでＩＣを完成するのはＩＣチップ製造メーカー
により行われるのが通常であるところ、ＩＣチップ製造
メーカーに、リードフレーム部分の半田付性改良工程ま
でも要求するのは、リードフレームの商品価値を低下さ
せることである。また、このようなＩＣ組込工程後のＳ
ｎメッキ工程を不要とするために、Ｎｉメッキをした金
属基板にＳｎメッキ層を設け、この上から部分的にＡｇ
メツキを行うことが試みられている。
しかしながらこの方法も必ずしも満足すべきものではな
い。何故ならば、純Ｓｎメツキ層においてはＳｎがホー
スカー成長するため、リードフレームのＩＣチツプ固定
部において、成長したＳｎホースカーがＡｇ層を突き破
つてＳ１の薄板であり弾性の乏しいＩＣチツプを破壊す
ることがある。本発明者は、上述の知見をもとにして更
に研究を進めた結果、Ｓｎ−Ｎｉ合金は熱酸化後も良好
な半田付性を有するとともに合金化によりＳｎのホース
カー成長も抑制されているため、金属基板の全面にまず
Ｓｎ−Ｎｉ合金層を設けたのちに、この上からＡｇメツ
キ層を部分的に設ければ、ＩＣ組込工程後のメツキ工程
を不要とするとともにＳｎのホースカー成長によるＩＣ
チツプの破壊の問題も防止できることを見出した。すな
わち、この発明のＩＣ用リードフレームは、ＩＣチツプ
固定部およびリード部からなるリードフレームであつて
、金属基板上にＳｎ−Ｎｉ合金層を設け、更にＩＣチツ
プ固定部およびＩＣチツプと結線されるべきリード部内
部端部分において前記Ｓｎ一Ｎｉ合金層上に表面Ａｇ層
を設けてなることを特徴とするものである。以下、この
発明を図面を参照しつつ一例について更に詳細に説明す
る。
い。何故ならば、純Ｓｎメツキ層においてはＳｎがホー
スカー成長するため、リードフレームのＩＣチツプ固定
部において、成長したＳｎホースカーがＡｇ層を突き破
つてＳ１の薄板であり弾性の乏しいＩＣチツプを破壊す
ることがある。本発明者は、上述の知見をもとにして更
に研究を進めた結果、Ｓｎ−Ｎｉ合金は熱酸化後も良好
な半田付性を有するとともに合金化によりＳｎのホース
カー成長も抑制されているため、金属基板の全面にまず
Ｓｎ−Ｎｉ合金層を設けたのちに、この上からＡｇメツ
キ層を部分的に設ければ、ＩＣ組込工程後のメツキ工程
を不要とするとともにＳｎのホースカー成長によるＩＣ
チツプの破壊の問題も防止できることを見出した。すな
わち、この発明のＩＣ用リードフレームは、ＩＣチツプ
固定部およびリード部からなるリードフレームであつて
、金属基板上にＳｎ−Ｎｉ合金層を設け、更にＩＣチツ
プ固定部およびＩＣチツプと結線されるべきリード部内
部端部分において前記Ｓｎ一Ｎｉ合金層上に表面Ａｇ層
を設けてなることを特徴とするものである。以下、この
発明を図面を参照しつつ一例について更に詳細に説明す
る。
第１図は、この発明のリードフレームの一例の平面図で
ある。
ある。
リードフレームは、ＩＣチツプ固定部１とリード部２か
らなる。また、リード部２について、内部端部分とはそ
の点線枠Ａで囲まれた部分２ａを、また外部端部分とは
その一点鎖線 ．枠Ｂで囲まれた部分２ｂを、それぞれ
示すが、これらの境界は必ずしも明確ではない。この発
明に従い、ＩＣチツプ固定部１とリード部の内部端２ａ
にはＡｇメツキが施され、第１図中には斜線で示してあ
る。第２図は、第１図に示したリードフレームのリード
部の一片の積層構造を、拡大断面図として側方から示す
ものである。
らなる。また、リード部２について、内部端部分とはそ
の点線枠Ａで囲まれた部分２ａを、また外部端部分とは
その一点鎖線 ．枠Ｂで囲まれた部分２ｂを、それぞれ
示すが、これらの境界は必ずしも明確ではない。この発
明に従い、ＩＣチツプ固定部１とリード部の内部端２ａ
にはＡｇメツキが施され、第１図中には斜線で示してあ
る。第２図は、第１図に示したリードフレームのリード
部の一片の積層構造を、拡大断面図として側方から示す
ものである。
この発明のリードフレームのリード部は内部端２ａ（図
示しないが、ＩＣチツプ固定部１についても同様）にお
いて、金属 ・基板３上に、Ｓｎ−Ｎｉ合金メツキ層４
を設け、次いでＡｇメツキ層を施してあるが、外部端２
ｂも含めて、それ以外の部分では、Ａｇメツキ層は設け
られず金属基板３とＳｎ−Ｎｉ合金層４のみから本質的
になる。この発明において、基板３の素材は、従来から
用いられているようにコバール（ Ｆｅ− Ｎｉ一ＣＯ
合金）、４２合金（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、その他Ｃｕ系合
金、ステンレス、純鉄等の比較的安価な導電性材料が任
意に用いられる。
示しないが、ＩＣチツプ固定部１についても同様）にお
いて、金属 ・基板３上に、Ｓｎ−Ｎｉ合金メツキ層４
を設け、次いでＡｇメツキ層を施してあるが、外部端２
ｂも含めて、それ以外の部分では、Ａｇメツキ層は設け
られず金属基板３とＳｎ−Ｎｉ合金層４のみから本質的
になる。この発明において、基板３の素材は、従来から
用いられているようにコバール（ Ｆｅ− Ｎｉ一ＣＯ
合金）、４２合金（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、その他Ｃｕ系合
金、ステンレス、純鉄等の比較的安価な導電性材料が任
意に用いられる。
また、Ｓｎ−Ｎｉ合金としては、Ｓｎが２５〜７３％（
重量％、以下同じ）であり、残部が実質的にＮｉからな
るものが用いられる。
重量％、以下同じ）であり、残部が実質的にＮｉからな
るものが用いられる。
Ｓｎが２５％未満では、リード部外部端２ｂの半田付性
が不充分であり、７３％を超えると、Ｓｎの高温加熱時
の溶融ならびに更に高濃度ではホースカー生成の危険が
実際上無視できなくなる。Ｓｎ−Ｎｉ合金層は、０．２
〜１０Ｉｔｍの厚みで設けられる。また、Ａｇメツキ層
は、このＳｎ−Ｎｉ合金メツキ層上に通常０．５μｍ以
上の厚みで設けられる。厚みの上限は、特にないが、経
済性の観点ならびに、この発明の効果をより良く享受す
ることができる点から１０μｍ以下とするのが好ましい
。この発明のリードフレームは、たとえば上記した素材
の金属基板を型プレスで打抜いて第１図に示す平面形状
の基板を得、次いで全面にＳｎ一Ｎｉ合金をメツキし、
更に所望のＩＣチツプ固定部１およびリード部内部端２
ａにのみＡｇメツキをすることにより得られる。また、
平板な金属基板にＳｎ−Ｎｉ合金メツキならびにＡｇの
部分メツキをしたのち、最終的に第１図の平面形状に打
抜きをしてもよい。なお、Ｓｎ−Ｎｉ合金層４およびＡ
ｇ層５については、メツキ層として上記したが、通常の
電解メツキ以外にも真空蒸着など任意の金属被膜形成手
段が用いられる。
が不充分であり、７３％を超えると、Ｓｎの高温加熱時
の溶融ならびに更に高濃度ではホースカー生成の危険が
実際上無視できなくなる。Ｓｎ−Ｎｉ合金層は、０．２
〜１０Ｉｔｍの厚みで設けられる。また、Ａｇメツキ層
は、このＳｎ−Ｎｉ合金メツキ層上に通常０．５μｍ以
上の厚みで設けられる。厚みの上限は、特にないが、経
済性の観点ならびに、この発明の効果をより良く享受す
ることができる点から１０μｍ以下とするのが好ましい
。この発明のリードフレームは、たとえば上記した素材
の金属基板を型プレスで打抜いて第１図に示す平面形状
の基板を得、次いで全面にＳｎ一Ｎｉ合金をメツキし、
更に所望のＩＣチツプ固定部１およびリード部内部端２
ａにのみＡｇメツキをすることにより得られる。また、
平板な金属基板にＳｎ−Ｎｉ合金メツキならびにＡｇの
部分メツキをしたのち、最終的に第１図の平面形状に打
抜きをしてもよい。なお、Ｓｎ−Ｎｉ合金層４およびＡ
ｇ層５については、メツキ層として上記したが、通常の
電解メツキ以外にも真空蒸着など任意の金属被膜形成手
段が用いられる。
また、この発明において、基板３の素材は上記したよう
に特に限定されないが、その素材に応じて必要であれば
、合金メツキ層４との密着性改善耐蝕性改善、Ｃｕの拡
散防止等の目的で、基板３上に一旦、たとえばＮｉなど
のメツキをしその上からＳｎ−Ｎｉ合金層４を設けるこ
ともできる。
に特に限定されないが、その素材に応じて必要であれば
、合金メツキ層４との密着性改善耐蝕性改善、Ｃｕの拡
散防止等の目的で、基板３上に一旦、たとえばＮｉなど
のメツキをしその上からＳｎ−Ｎｉ合金層４を設けるこ
ともできる。
第３図は、第２図に対応するものとして示したＮｉ中間
メツキ層６を有するリードフレームのリード部の一例の
側断面図である。このようにして得られたリードフレー
ムは、常法によりそのＩＣチツプ固定部１にＳｉ等のＩ
Ｃチツプをダイボンデイングあるいはアロイングにより
固定し、更にＩＣチツプとリード部内部端２ａとをＡｕ
線等により結線し、更に樹脂モールド等によりＩＣとし
て市販に供される。
メツキ層６を有するリードフレームのリード部の一例の
側断面図である。このようにして得られたリードフレー
ムは、常法によりそのＩＣチツプ固定部１にＳｉ等のＩ
Ｃチツプをダイボンデイングあるいはアロイングにより
固定し、更にＩＣチツプとリード部内部端２ａとをＡｕ
線等により結線し、更に樹脂モールド等によりＩＣとし
て市販に供される。
このようなＩＣパツケージ製造工程における最高温度は
、Ｓｎ−Ｎｉ合金の安定温度の上限である２３１、Ｃ（
Ｓｎの融点）以下となるように配慮する必要がある。な
お、第１図に示すリードフレームのりード部２を相互に
結合する金属片部分、その他、固定部１とリード部２以
外の部分は、勿論ＩＣ製造の任意の工程において、たと
えば樹脂モールド後に、プレスカツトして除かれる。上
述したようにこの発明によれば、金属基板上にＳｎ−Ｎ
ｉ合金層を設け、その上からＡｇ層を必要最小部分のみ
に設けることにより、ＩＣパツケージ製造工程での高温
に耐えてリード部の良好な半田付性を維持することとＳ
ｎホースカー形成によるＩＣチツプの破損を防止したこ
とを特徴とするＩＣ用リードフレームが極めて経済的に
製造できる利点がある。
、Ｓｎ−Ｎｉ合金の安定温度の上限である２３１、Ｃ（
Ｓｎの融点）以下となるように配慮する必要がある。な
お、第１図に示すリードフレームのりード部２を相互に
結合する金属片部分、その他、固定部１とリード部２以
外の部分は、勿論ＩＣ製造の任意の工程において、たと
えば樹脂モールド後に、プレスカツトして除かれる。上
述したようにこの発明によれば、金属基板上にＳｎ−Ｎ
ｉ合金層を設け、その上からＡｇ層を必要最小部分のみ
に設けることにより、ＩＣパツケージ製造工程での高温
に耐えてリード部の良好な半田付性を維持することとＳ
ｎホースカー形成によるＩＣチツプの破損を防止したこ
とを特徴とするＩＣ用リードフレームが極めて経済的に
製造できる利点がある。
次に実施例によりこの発明を更に具体的に説明する。
例
第１図のような形状を有するリードフレームについて基
板リン青銅（厚さ０．２５４ｍｍ）と表面Ａｇメツキ層
（３μｍ）の間のメツキ層を下表の如く各種変更したも
のを作り、その半田付性及びホースカー発生状況を試験
した。
板リン青銅（厚さ０．２５４ｍｍ）と表面Ａｇメツキ層
（３μｍ）の間のメツキ層を下表の如く各種変更したも
のを作り、その半田付性及びホースカー発生状況を試験
した。
その結果を下表に示す。この結果によれば、この発明の
Ｓｎ−Ｎｉ合金メツキ層を有するリードフレームは、半
田付性が低下することなく、ホースカー発生を抑制した
非酸化性のリードフレームとなることがわかる。
Ｓｎ−Ｎｉ合金メツキ層を有するリードフレームは、半
田付性が低下することなく、ホースカー発生を抑制した
非酸化性のリードフレームとなることがわかる。
第１図はこの発明のリードフレームの一例の平面図、第
２図および第３図はそれぞれこの発明のリードフレーム
のリード部の一片の積層構造の一例を示す拡大断面図で
ある。 １ ・・・・・・ＩＣチツプ固定部、２・・・・・・リ
ード部（ ２ａ：内部端、２ｂ：外部端）、３・・・・
・・金属基板、４・・・・・・Ｓｎ−Ｎｉ合金層、５・
・・・・・Ａｇ層、６・・・・・・Ｎｉ層。
２図および第３図はそれぞれこの発明のリードフレーム
のリード部の一片の積層構造の一例を示す拡大断面図で
ある。 １ ・・・・・・ＩＣチツプ固定部、２・・・・・・リ
ード部（ ２ａ：内部端、２ｂ：外部端）、３・・・・
・・金属基板、４・・・・・・Ｓｎ−Ｎｉ合金層、５・
・・・・・Ａｇ層、６・・・・・・Ｎｉ層。
Claims (1)
- １ ＩＣチップ固定部およびリード部からなるリードフ
レームであつて、金属基板上にＳｎ−Ｎｉ合金層を設け
、更にＩＣチップ固定部および該固定部上に固定される
ＩＣチップと結線されるべきリード部内端部分において
前記Ｓｎ−Ｎｉ合金層上に表面Ａｇ層を設けてなるＩＣ
用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3771778A JPS5936426B2 (ja) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3771778A JPS5936426B2 (ja) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54129976A JPS54129976A (en) | 1979-10-08 |
| JPS5936426B2 true JPS5936426B2 (ja) | 1984-09-04 |
Family
ID=12505258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3771778A Expired JPS5936426B2 (ja) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936426B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59175754A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 集積回路用リ−ドフレ−ム |
| JPS60147145A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-03 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム |
| JPS60225456A (ja) * | 1984-04-24 | 1985-11-09 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム |
| JPH0612796B2 (ja) * | 1984-06-04 | 1994-02-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JPS6149451A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-11 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム |
| JPS61121746U (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-31 | ||
| JPS63150949A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-23 | Nippon Chem Denshi Kk | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 |
| JPH11189835A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Jst Mfg Co Ltd | すず−ニッケル合金およびこの合金により表面処理を施した部品 |
| WO2020235292A1 (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 古河電気工業株式会社 | リードフレーム材およびその製造方法ならびにリードフレームおよび電気電子部品 |
-
1978
- 1978-03-31 JP JP3771778A patent/JPS5936426B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54129976A (en) | 1979-10-08 |
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