JPH05109958A - リードフレーム - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 鉄または鉄を主成分とする素材を用い、全面
に薄い貴金属めっきを施したものにおいて耐蝕性に優れ
るリードフレームを提供する。 【構成】 鉄または鉄を主成分とする金属からなる素材
の全面に１μｍ以下の厚さの貴金属めっき層を形成して
なるリードフレームにおいて、素材１０上に銅または銅
合金めっき層からなる第１のめっき層１２を形成し、該
第１のめっき層１２上にニッケル、コバルトまたはニッ
ケル−コバルト層からなる第２のめっき層１４を形成
し、この第２のめっき層１４上に前記貴金属めっき層１
６を形成したことを特徴としている。
に薄い貴金属めっきを施したものにおいて耐蝕性に優れ
るリードフレームを提供する。 【構成】 鉄または鉄を主成分とする金属からなる素材
の全面に１μｍ以下の厚さの貴金属めっき層を形成して
なるリードフレームにおいて、素材１０上に銅または銅
合金めっき層からなる第１のめっき層１２を形成し、該
第１のめっき層１２上にニッケル、コバルトまたはニッ
ケル−コバルト層からなる第２のめっき層１４を形成
し、この第２のめっき層１４上に前記貴金属めっき層１
６を形成したことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐蝕性に優れ、かつ安価
に提供し得るリードフレームに関する。
に提供し得るリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用リードフレームには、ダイ
付け性、ワイヤボンディング性、はんだ付け性等の特性
を向上させるために金、銀等の貴金属めっきを施すもの
がある。このリードフレームには種々の素材のものが使
用される。鉄または鉄を主成分とする金属を用いる場合
には比較的安価に提供し得る利点がある。また銅または
銅合金を用いる場合には耐蝕性に優れる等の利点があ
る。
付け性、ワイヤボンディング性、はんだ付け性等の特性
を向上させるために金、銀等の貴金属めっきを施すもの
がある。このリードフレームには種々の素材のものが使
用される。鉄または鉄を主成分とする金属を用いる場合
には比較的安価に提供し得る利点がある。また銅または
銅合金を用いる場合には耐蝕性に優れる等の利点があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】リードフレーム素材に
鉄または鉄を主成分とする金属を用いる場合には耐蝕性
が常に問題となる。この耐蝕性を向上させるためには、
これに施すめっき層の厚さを大きくすればよいが、貴金
属めっきの場合には高価なため、従来全面めっきを施す
ことはなく、ワイヤボンディング性を向上させるために
インナーリードの先端部のみの部分めっきを施す場合が
ほとんどであり、アウターリードには別途耐蝕性の向
上、またはんだ付け性を向上させるためにはんだめっき
層を形成するなどしているのが一般的である。しかし、
貴金属めっき層ははんだ付け性にも優れるため、アウタ
ーリードに上記のように別のめっき層を形成するのでな
く、インナーリードと同一の貴金属めっきを施せるよう
にすると好適である。またこの場合に部分めっきは厄介
であるからリードフレーム全面に貴金属めっきを施すの
が好適となる。しかるに上記のように貴金属めっきは高
価であり、リードフレーム全面に施すとコストが上昇す
る。コスト低減化を図るには貴金属めっきを薄く施す必
要があるが、貴金属めっき層が薄いと、素材が鉄または
鉄を主成分とする金属の場合には耐蝕性の問題が顕在化
し、実際スチィームエージングテストや塩水噴霧テスト
のような加速試験において錆び発生によるはんだ付け性
劣化やリード折れの問題が生じ、従来このような鉄また
は鉄を主成分とする素材を用いた場合、全面に薄い貴金
属めっきを施したリードフレームは使用し得ないのが実
情であった。特に鉄または鉄を主成分とする金属上にこ
れら金属と電位差の大きな貴金属めっき層を形成した場
合、ピンホールなどを通じ両者間の電位差による電解腐
食が生じ、錆びを促進するという事情がある。
鉄または鉄を主成分とする金属を用いる場合には耐蝕性
が常に問題となる。この耐蝕性を向上させるためには、
これに施すめっき層の厚さを大きくすればよいが、貴金
属めっきの場合には高価なため、従来全面めっきを施す
ことはなく、ワイヤボンディング性を向上させるために
インナーリードの先端部のみの部分めっきを施す場合が
ほとんどであり、アウターリードには別途耐蝕性の向
上、またはんだ付け性を向上させるためにはんだめっき
層を形成するなどしているのが一般的である。しかし、
貴金属めっき層ははんだ付け性にも優れるため、アウタ
ーリードに上記のように別のめっき層を形成するのでな
く、インナーリードと同一の貴金属めっきを施せるよう
にすると好適である。またこの場合に部分めっきは厄介
であるからリードフレーム全面に貴金属めっきを施すの
が好適となる。しかるに上記のように貴金属めっきは高
価であり、リードフレーム全面に施すとコストが上昇す
る。コスト低減化を図るには貴金属めっきを薄く施す必
要があるが、貴金属めっき層が薄いと、素材が鉄または
鉄を主成分とする金属の場合には耐蝕性の問題が顕在化
し、実際スチィームエージングテストや塩水噴霧テスト
のような加速試験において錆び発生によるはんだ付け性
劣化やリード折れの問題が生じ、従来このような鉄また
は鉄を主成分とする素材を用いた場合、全面に薄い貴金
属めっきを施したリードフレームは使用し得ないのが実
情であった。特に鉄または鉄を主成分とする金属上にこ
れら金属と電位差の大きな貴金属めっき層を形成した場
合、ピンホールなどを通じ両者間の電位差による電解腐
食が生じ、錆びを促進するという事情がある。
【０００４】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、鉄また
は鉄を主成分とする素材を用い、全面に薄い貴金属めっ
きを施したものにおいて耐蝕性に優れるリードフレーム
を提供するにある。
なされたものであり、その目的とするところは、鉄また
は鉄を主成分とする素材を用い、全面に薄い貴金属めっ
きを施したものにおいて耐蝕性に優れるリードフレーム
を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、鉄または鉄を主
成分とする金属からなる素材の全面に１μｍ以下の厚さ
の貴金属めっき層を形成してなるリードフレームにおい
て、前記素材上に銅または銅合金めっき層からなる第１
のめっき層を形成し、該第１のめっき層上にニッケル、
コバルトまたはニッケル−コバルト層からなる第２のめ
っき層を形成し、この第２のめっき層上に前記貴金属め
っき層を形成したことを特徴としている。前記貴金属め
っき層がパラジウムめっき層に形成すると好適である。
するため次の構成を備える。すなわち、鉄または鉄を主
成分とする金属からなる素材の全面に１μｍ以下の厚さ
の貴金属めっき層を形成してなるリードフレームにおい
て、前記素材上に銅または銅合金めっき層からなる第１
のめっき層を形成し、該第１のめっき層上にニッケル、
コバルトまたはニッケル−コバルト層からなる第２のめ
っき層を形成し、この第２のめっき層上に前記貴金属め
っき層を形成したことを特徴としている。前記貴金属め
っき層がパラジウムめっき層に形成すると好適である。
【０００６】
【作用】本発明では、第１のめっき層１２により錆び等
の腐食を防止し、第１のめっき層１２が介在してくるこ
とによる不都合である銅の拡散を第２のめっき層１４に
より防止するのであり、この第１のめっき層１２と第２
のめっき層１４の両者が相まってはじめて耐蝕性に優
れ、かつ貴金属めっき層の優れた特性を発揮できるリー
ドフレームが提供できた。
の腐食を防止し、第１のめっき層１２が介在してくるこ
とによる不都合である銅の拡散を第２のめっき層１４に
より防止するのであり、この第１のめっき層１２と第２
のめっき層１４の両者が相まってはじめて耐蝕性に優
れ、かつ貴金属めっき層の優れた特性を発揮できるリー
ドフレームが提供できた。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１はリードフレーム１０の断
面図を示す。リードフレーム１０の素材１１は鉄、鉄−
ニッケル合金、鉄−ニッケル−コバルト合金を用いる。
本発明においては、該リードフレーム１０の全面に第１
のめっき層１２、第２のめっき層１４、第３のめっき層
１６の３層めっきを施す。第１のめっき層１２は銅また
は銅合金からなるめっき層とする。この第１のめっき層
１２の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上、好適に
は３〜４μｍ程度とする。第２のめっき層１４は、ニッ
ケルめっき、コバルトめっきまたはニッケル−コバルト
めっきとする。第２のめっき層の厚さは０．５μｍ以上
が好適である。第３のめっき層１６はパラジウムめっ
き、金めっきまたは銀めっきの貴金属めっき層とし、厚
さが１μｍ以下、好適には０．０３μｍ〜０．１μｍの
薄いめっき層とする。なお第３のめっき層１６は特に好
適にはパラジウムめっき層が好ましい。金めっき層のと
きはアウターリードのはんだ付けの後、金とはんだとの
間で強度的にもろい金−錫合金が形成されるおそれがあ
る。また銀めっき層のときは、いわゆるマイグレーショ
ンの問題が生じ、特にリード間ピッチが小さい多ピンの
場合のリード間の絶縁に問題がある。パラジウムめっき
層のときはこれらの問題が生じない。
づいて詳細に説明する。図１はリードフレーム１０の断
面図を示す。リードフレーム１０の素材１１は鉄、鉄−
ニッケル合金、鉄−ニッケル−コバルト合金を用いる。
本発明においては、該リードフレーム１０の全面に第１
のめっき層１２、第２のめっき層１４、第３のめっき層
１６の３層めっきを施す。第１のめっき層１２は銅また
は銅合金からなるめっき層とする。この第１のめっき層
１２の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上、好適に
は３〜４μｍ程度とする。第２のめっき層１４は、ニッ
ケルめっき、コバルトめっきまたはニッケル−コバルト
めっきとする。第２のめっき層の厚さは０．５μｍ以上
が好適である。第３のめっき層１６はパラジウムめっ
き、金めっきまたは銀めっきの貴金属めっき層とし、厚
さが１μｍ以下、好適には０．０３μｍ〜０．１μｍの
薄いめっき層とする。なお第３のめっき層１６は特に好
適にはパラジウムめっき層が好ましい。金めっき層のと
きはアウターリードのはんだ付けの後、金とはんだとの
間で強度的にもろい金−錫合金が形成されるおそれがあ
る。また銀めっき層のときは、いわゆるマイグレーショ
ンの問題が生じ、特にリード間ピッチが小さい多ピンの
場合のリード間の絶縁に問題がある。パラジウムめっき
層のときはこれらの問題が生じない。
【０００８】本実施例では上記のように３層めっきを施
すことにより、次のような優れた特性が得られる。前記
したように鉄系の素材に直接貴金属めっきを施すと、貴
金属めっき層と素材との間に大きな電位差が存し、水分
が存在した場合ピンホールなどを通じて電解腐食が起こ
り、貴金属めっき層が薄いこともあって、錆びが促進さ
れてしまうという問題があったが、上記のように本発明
においては素材と貴金属めっき層との間に第１のめっき
層１２が介在するため、第１のめっき層１２の銅または
銅合金めっきが上記電位差を大幅に緩和するため電位差
による電解腐食を防止できる。しかし貴金属めっき層の
下に直接銅または銅めっき層が形成されると貴金属めっ
き層が薄いこともあって、銅が上層の貴金属めっき層に
拡散し、貴金属めっき層を劣化させ、はんだ付け性等の
特性を悪化させる。この点本発明では、第１のめっき層
１２と貴金属めっき層との間に第２のめっき層１４を介
在させて上記銅の拡散を防止している。このように本発
明では、第１のめっき層１２により錆び等の腐食を防止
し、第１のめっき層１２が介在してくることによる不都
合である銅の拡散を第２のめっき層１４により防止する
のであり、この第１のめっき層１２と第２のめっき層１
４の両者が相まってはじめて耐蝕性に優れ、かつ貴金属
めっき層の優れた特性を発揮できるリードフレームが提
供できた。
すことにより、次のような優れた特性が得られる。前記
したように鉄系の素材に直接貴金属めっきを施すと、貴
金属めっき層と素材との間に大きな電位差が存し、水分
が存在した場合ピンホールなどを通じて電解腐食が起こ
り、貴金属めっき層が薄いこともあって、錆びが促進さ
れてしまうという問題があったが、上記のように本発明
においては素材と貴金属めっき層との間に第１のめっき
層１２が介在するため、第１のめっき層１２の銅または
銅合金めっきが上記電位差を大幅に緩和するため電位差
による電解腐食を防止できる。しかし貴金属めっき層の
下に直接銅または銅めっき層が形成されると貴金属めっ
き層が薄いこともあって、銅が上層の貴金属めっき層に
拡散し、貴金属めっき層を劣化させ、はんだ付け性等の
特性を悪化させる。この点本発明では、第１のめっき層
１２と貴金属めっき層との間に第２のめっき層１４を介
在させて上記銅の拡散を防止している。このように本発
明では、第１のめっき層１２により錆び等の腐食を防止
し、第１のめっき層１２が介在してくることによる不都
合である銅の拡散を第２のめっき層１４により防止する
のであり、この第１のめっき層１２と第２のめっき層１
４の両者が相まってはじめて耐蝕性に優れ、かつ貴金属
めっき層の優れた特性を発揮できるリードフレームが提
供できた。
【０００９】実施例１．リードフレーム素材に４２合金
（鉄−ニッケル合金）を用い、第１のめっき層として銅
めっき層を３μｍの厚さで形成し、その上に第２のめっ
き層としてニッケルめっき層を１．５μｍの厚さで形成
し、最上層にパラジウムめっき層を０．１μｍの厚さで
形成した実施例品を作成した。比較例として上記の第１
のめっき層のないサンプルを作成した。上記の各サンプ
ルに対して３％食塩水により２４時間の塩水噴霧テスト
を行ったところ、実施例品では錆びの発生は見られず、
良好な耐蝕性を示したが、比較例品では著しい錆びが発
生し、リード折れも見られた。第２のめっき層にコバル
トめっき層あるいはニッケル−コバルト合金めっき層を
用いた場合も上記と同様の結果が得られた。 実施例２．リードフレーム素材に４２合金を用い、第１
のめっき層として２μｍ厚の銅めっき層を形成し、第２
のめっき層として１μｍ厚のニッケルめっき層を形成
し、最上層に０．０５μｍ厚の金めっき層を形成した実
施例品を作成した。比較例としてリードフレーム素材に
直接金めっき層を０．０５厚に形成したサンプルを作成
した。上記各サンプルに８時間のスチィームエージング
テストを行ったところ、実施例品については錆びの発生
は見られず、はんだ付け性も良好であったが、比較例品
では錆びの発生が著しく、またはんだ付け性も著しく悪
かった。
（鉄−ニッケル合金）を用い、第１のめっき層として銅
めっき層を３μｍの厚さで形成し、その上に第２のめっ
き層としてニッケルめっき層を１．５μｍの厚さで形成
し、最上層にパラジウムめっき層を０．１μｍの厚さで
形成した実施例品を作成した。比較例として上記の第１
のめっき層のないサンプルを作成した。上記の各サンプ
ルに対して３％食塩水により２４時間の塩水噴霧テスト
を行ったところ、実施例品では錆びの発生は見られず、
良好な耐蝕性を示したが、比較例品では著しい錆びが発
生し、リード折れも見られた。第２のめっき層にコバル
トめっき層あるいはニッケル−コバルト合金めっき層を
用いた場合も上記と同様の結果が得られた。 実施例２．リードフレーム素材に４２合金を用い、第１
のめっき層として２μｍ厚の銅めっき層を形成し、第２
のめっき層として１μｍ厚のニッケルめっき層を形成
し、最上層に０．０５μｍ厚の金めっき層を形成した実
施例品を作成した。比較例としてリードフレーム素材に
直接金めっき層を０．０５厚に形成したサンプルを作成
した。上記各サンプルに８時間のスチィームエージング
テストを行ったところ、実施例品については錆びの発生
は見られず、はんだ付け性も良好であったが、比較例品
では錆びの発生が著しく、またはんだ付け性も著しく悪
かった。
【００１０】
【発明の効果】本発明に係るリードフレームによれば、
コスト削減のために貴金属めっき層の厚さを大幅に薄く
した場合においても、ピンホールを通しての電解腐食を
防止でき、耐蝕性に優れると共に、銅の拡散も防止でき
るので、加熱後においても良好なワイヤボンディング
性、はんだ付け性が得られるリードフレームを提供でき
る。
コスト削減のために貴金属めっき層の厚さを大幅に薄く
した場合においても、ピンホールを通しての電解腐食を
防止でき、耐蝕性に優れると共に、銅の拡散も防止でき
るので、加熱後においても良好なワイヤボンディング
性、はんだ付け性が得られるリードフレームを提供でき
る。
【図１】リードフレームの断面図である。
１０ リードフレーム １１ リードフレーム素材 １２ 第１のメッキ層 １４ 第２のめっき層 １６ 貴金属めっき層
【手続補正書】
【提出日】平成４年１月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (2)
- 【請求項１】 鉄または鉄を主成分とする金属からなる
素材の全面に１μｍ以下の厚さの貴金属めっき層を形成
してなるリードフレームにおいて、 前記素材上に銅または銅合金めっき層からなる第１のめ
っき層を形成し、該第１のめっき層上にニッケル、コバ
ルトまたはニッケル−コバルト層からなる第２のめっき
層を形成し、この第２のめっき層上に前記貴金属めっき
層を形成したことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 前記貴金属めっき層がパラジウムめっき
層であることを特徴とする請求項１記載のリードフレー
ム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3298219A JPH05109958A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | リードフレーム |
| KR1019920018712A KR930009046A (ko) | 1991-10-17 | 1992-10-12 | 리드프레임 |
| EP92309379A EP0538019A2 (en) | 1991-10-17 | 1992-10-14 | Lead frame for a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3298219A JPH05109958A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109958A true JPH05109958A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17856767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3298219A Pending JPH05109958A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | リードフレーム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0538019A2 (ja) |
| JP (1) | JPH05109958A (ja) |
| KR (1) | KR930009046A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773769A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半導体パッケージの外部接続端子及びその製造方法 |
| JP2014099637A (ja) * | 2009-03-12 | 2014-05-29 | Lg Innotek Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5436082A (en) * | 1993-12-27 | 1995-07-25 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
| US5728285A (en) * | 1993-12-27 | 1998-03-17 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
| US5650661A (en) * | 1993-12-27 | 1997-07-22 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
| US6140703A (en) * | 1996-08-05 | 2000-10-31 | Motorola, Inc. | Semiconductor metallization structure |
| KR100254271B1 (ko) * | 1997-08-04 | 2000-05-01 | 유무성 | 다층 도금 리이드 프레임 |
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| CN110265376A (zh) | 2018-03-12 | 2019-09-20 | 意法半导体股份有限公司 | 引线框架表面精整 |
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Family Cites Families (6)
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| DE3312713A1 (de) * | 1983-04-08 | 1984-10-11 | The Furukawa Electric Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Silberbeschichtete elektrische materialien und verfahren zu ihrer herstellung |
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-
1991
- 1991-10-17 JP JP3298219A patent/JPH05109958A/ja active Pending
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1992
- 1992-10-12 KR KR1019920018712A patent/KR930009046A/ko not_active Application Discontinuation
- 1992-10-14 EP EP92309379A patent/EP0538019A2/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773769A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半導体パッケージの外部接続端子及びその製造方法 |
| JP2014099637A (ja) * | 2009-03-12 | 2014-05-29 | Lg Innotek Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930009046A (ko) | 1993-05-22 |
| EP0538019A3 (ja) | 1994-03-09 |
| EP0538019A2 (en) | 1993-04-21 |
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