CN110265376A - 引线框架表面精整 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及引线框架设计,其包括涂覆有电镀铜层、贵金属以及粘合促进化合物的铜合金基材。这些层补偿在基材中的划痕或者表面不平整,同时促进从引线框架到导电连接件的粘合,并且通过将它们耦合到引线框架上的多层涂层的不同层来促进从引线框架到包封剂的粘合。多层涂层的第一层是软电镀铜,其用于使基材的表面平滑。多层涂层的第二层是薄的贵金属,其用于促进引线框架的引线和导电连接件之间的机械耦合。多层涂层的第三层是粘合促进化合物,其用于促进与引线框架周围的包封剂的机械耦合。
Description
技术领域
本公开涉及改进的引线框架,并且特别地涉及引线框架涂层,该引线框架涂层使表面缺陷平滑以用于进行引线框架接线接合。
背景技术
半导体封装件可以包括半导体裸片和引线框架,引线框架提供穿过引线框架的、在外部触点与半导体裸片之间的接口。半导体封装件具有围绕半导体封装件中的各个元件的包封剂,以将所有元件固定到单个分立单元中。半导体裸片通常被放置在引线框架上,并且该组合在应用室中被包封剂覆盖,其中包封剂通常以高压或高温被施加,然后包封剂被允许在封装元件周围冷却和固化。
半导体封装件的引线框架为半导体裸片提供了具有最小的电信号退化的更容易集成的硬件接口。此外,半导体封装件的包封剂提供了用于保护半导体裸片的环境屏障,而且提供了对从半导体裸片延伸的引线的结构支撑。不是所有类型的引线框架都为半导体裸片提供具有最小的电信号退化的足够的硬件接口,同时也保持半导体封装件所需的环境保护和结构支撑特性。特别地,一种类型的引线框架具有涂覆有至少3微米的银的铜引线框架点,因为接线弱接合裸铜。银引线框架涂层使引线框架的表面平滑,以改善接线与引线框架的引线的接线接合。然而,3微米的银引线框架涂层遭受高成本以及与包封剂的弱机械接合。另外,点涂是耗时的过程。因此,需要能够以最小的环境保护和结构支撑的牺牲来支持更高质量的电连接的装置。
发明内容
本公开涉及具有引线框架的半导体封装件及其制造方法,引线框架包括由多层涂层包围的铜合金基材。多层涂层包括电镀铜的第一涂层、贵金属的第二涂层以及粘合促进化合物的第三涂层。半导体封装件通过将接线附接到引线框架的引线并且用包封剂至少部分地包封引线框架而形成。在一些实施例中,半导体封装件包括附接到引线框架的第二涂层的半导体裸片或者芯片。
在一些实施例中,引线框架通过用轧辊压制基材片而形成。轧制的引线框架基材包括通过第一涂层的施加而平滑的划痕。第一涂层提供光滑表面,第二涂层被施加在该表面上。为了促进平滑,引线框架基材具有在100-200HV之间的典型的硬度,该硬度大于第一涂层的硬度,第一涂层具有在100-120HV之间的典型的硬度。划痕深度通常小于0.05微米。接线被接合到第二涂层,第三涂层覆盖第二涂层的暴露区域。第三涂层是粘合促进剂,以增加包封剂与引线框架的机械耦合的强度。在一些实施例中,第三涂层通过第二涂层的暴露表面和反应性物质之间的反应形成,并且包封剂是树脂。
在一些实施例中,第一涂层是纯铜,第二涂层是银,并且第三涂层是氧化银。第一涂层的厚度大于0.1微米,并且在一些实施例中是在0.2微米和2.0微米之间。第二涂层厚度小于0.1微米,并且在一些实施例中是在0.01微米和0.1微米之间。此外,接线包括铜、金、银和铝中的一种。
附图说明
图1是示例性引线框架卷的平面图。
图2是图1中示出的在截面线AA处截取的引线框架卷的截面图。
图3A-3D是图2中示出的在放大视图区域BB处截取的引线框架的截面图,示出了制造引线框架的各个步骤。
图4是示例性半导体封装件的截面图。
具体实施方式
在以下描述中,阐述了某些具体细节以便提供本公开的各个实施例的透彻理解。然而,本领域技术人员将理解,可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开。在其他实例中,没有详细描述与电子部件和制造技术相关联的公知结构,以避免不必要地模糊本公开的实施例的描述。
除非上下文另有要求,否则贯穿说明书和随后的权利要求,词语“包括”及其变体,例如“含有”和“包含”应以开放的、包含性的意义解释,即“包括,但不限于”。
贯穿本说明书对“一个实施例”或者“实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在至少一个实施例中。因此,在贯穿本说明书的各个地方中出现的短语“在一个实施例中”或者“在实施例中”不一定都指的是同一个实施例。此外,特定特征、结构或特性可以在一个或多个实施例中以任何合适的方式组合。
如在本说明书和所附权利要求中所使用的,单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数指示物,除非内容另有明确说明。还应该注意,术语“或者”通常以包括“和/或者”的含义被使用,除非内容另有明确说明。
如在说明书和所附权利要求中所使用的,“对应”、“对应于”和“相应的”的使用旨在描述引用的对象之间的比率或者相似性。“对应”或者它的形式之一的使用不应该被解释为意指确切的形状或者尺寸。
贯穿本说明书,术语“层”以其最广泛的含义被使用,包括薄膜、帽等等,并且一层可以由多个子层组成。
本文描述了半导体封装件的具体实施例;然而,本公开和对某些材料、尺寸以及处理步骤的细节和排序的引用是示例性的,并且不应该限于示出的那些。
图1是示例性引线框架卷的平面图。在引线框架的制造过程中,可以通过采用铜合金材料卷并且将引线框架的图案轧制成铜合金材料卷来形成多个引线框架。
本公开总体涉及引线框架的制造,例如图1中示出的示例性引线框架。诸如铜合金的基材(或者基板)100被形成为引线框架卷101。铜合金可以被掺杂有任何数量的材料,并且在一个实施例中被掺杂有增加基材100的硬度的材料。一些铜合金的例子包括弹壳黄铜(铜70%、锌30%)、铝青铜(铜92%、铝8%)、铍铜(铜98%、铍2%)、镍黄铜(铜78%、镍12%、铅10%)、白铜(铜70%、镍30%)以及炮铜(铜90%、锡10%)。用作基材的其它铜合金包括统一编号系统C19400、C70250和C19210。可以使用其它基材100,例如铝基引线框架。引线框架卷101的形成可以通过冲压、切割、压制、轧制、印刷或者本领域已知的任何其它引线框架形成方法。在形成引线框架卷之后,基材100被成形为包括引线框架102a、102b、102c的多个引线框架102。在制造过程期间,引线框架102a、102b、102c将彼此分开。分离可以发生在引线框架102的初始形成期间,或者如图1中描绘的,可以在形成引线框架102之后的某个时间点处发生分离。
在一些实施例中,引线框架卷101是铜合金,其可以包括任何数量的任何数目种附加元素。在一些实施例中,附加元素与铜结合以将引线框架卷101的硬度增加到大于纯铜硬度的硬度。可以被实现的示例性硬度包括在100HV(维氏硬度值)至200HV之间的硬度,一些实施例包括180HV至200HV的硬度。在其它实施例中,引线框架卷101由不同的材料形成,例如金属、塑料、半导体、合金、复合材料或者具有不同硬度等级的其它材料。
引线框架102的引线框架102a、102b、102c通过卷馈送引导件104连接在一起。在描绘的实施例中,第一卷馈送引导件104a位于引线框架102的第一侧上,并且第二卷馈送引导件104b位于引线框架102的第二侧上。在这种配置中,卷馈送引导件104帮助制造机器沿着组装线物理地引导引线框架102,以接收下游制造步骤。
每个引线框架102包括裸片焊盘(或主体)106以及多个引线108,包括第一引线108a和第二引线108b。关于引线框架102b,裸片焊盘106被放置在引线框架102b的中心部分附近,引线108朝向引线框架102b的侧部向外辐射。在引线框架卷101的形成期间,两个或者更多个引线108可以被接合在一起。在制造工艺的后续步骤期间,这些引线中的任何一个可以与引线108的其它引线电隔离。引线108与裸片焊盘106由相同的基材100形成。在其它实施例中,引线108与裸片焊盘106由不同的材料形成。引线108提供用于接合接线的焊区,以将引线108耦合到位于引线框架102b的裸片焊盘106上的半导体裸片的各个输入。
图1包括从图1的顶部穿过引线框架102b延伸到图1的底部的截面线AA。截面线AA与第一卷馈送引导件104a、第一引线108a、裸片焊盘106、第二引线108b以及第二卷馈送引导件104b依次相交。图2是在图1中示出的截面线AA处截取的引线框架102b的截面图。
图2描绘了在一个实施例中在形成引线框架102b的各个部件的初始形成步骤之后的引线框架102b。在其它实施例中,图2描绘了在制造工艺的中间或者末端步骤处的引线框架102b,其中引线框架102b的各个部件在其它制造步骤之后形成。截面图包括第一卷馈送引导件104a、第一引线108a、裸片焊盘106、第二引线108b以及第二卷馈送引导件104b。
图2包括突出显示的视图区域BB,其指示从图2的截面图放大的区域。突出显示的视图区域BB包括在第二引线108b处的引线框架102b的表面。图3A-3D描绘了图2中示出的突出显示的视图区域BB的截面图,每个图描绘了引线框架102b的各个制造步骤。尽管图3A-3D描绘了第二引线108b的层,但是相同的层和基材被用于引线108、裸片焊盘106以及卷馈送引导件104中的一些或者全部。
图3A-3D是在图2中所示的突出显示的视图区域BB处截取的引线框架102b的截面图,示出了制造引线框架的各个步骤。具体地,图3A描绘了引线框架102b的第二引线108b。如前面所讨论的,引线框架102b的基材100可以由许多不同制造方法中的任何一种形成。在形成期间,引线框架102b的基材100的表面302可能会被刮擦或者以其他方式形成有表面不平整。例如,对引线框架卷101的轧制压力可以引起表面302形成有多个表面划痕,这些划痕可能会防止成功地接线接合到表面302。在一些实施例中,表面划痕可以沿着表面302的第一方向而不是沿着垂直于第一方向的第二方向被形成。在其它实施例中,表面划痕或者表面不平整位于表面302上的任何方向上。另外,表面302上的划痕可以仅在引线框架102b的第一侧上、引线框架102b的多个侧部上或者引线框架102b的所有侧部上,包括内表面。划痕或者表面不平整可以是任何深度,并且在一些实施例中具有小于0.05微米的平均深度或者最大深度。
图3B描绘了涂有第一涂层304的第二引线108b。第一涂层304可以仅涂覆引线框架102b的第一侧、引线框架102b的多个侧部或者引线框架102b的所有侧部,包括内表面。完全涂覆引线框架102b的所有侧部允许在不使用掩模的情况下完成涂层施加,从而降低了涂层施加的成本、时间和复杂性。在一些实施例中,第一涂层304是纯铜材料。在其它实施例中,第一涂层304是引线框架卷101中的任何一种材料。在其它实施例中,第一涂层304是在引线框架卷101制造过程期间使用的任何材料。可以使用任何已知的施加技术将第一涂层304施加到表面302,包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、旋涂,并且在一个实施例中,通过将第一涂层304电镀到引线框架102b的表面302来施加第一涂层304。
在一些实施例中,第一涂层304具有大于表面302的划痕或者表面不平整的深度的厚度。在这些实施例中,第一涂层304在划痕或者表面不平整上具有不规则的第一侧,以及与第一侧相对的平面的第二侧。平面的第二侧因此平滑表面302的划痕或者表面不平整的表面。在其它实施例中,第一涂层304的厚度与表面302的划痕或者表面不平整的深度无关。在一些实施例中,第一涂层304具有至少0.1微米的厚度,并且在一些实施例中,第一涂层304的平均厚度或者最大厚度在0.2微米和2.0微米之间。在其它实施例中,第一涂层304的平均厚度或者最大厚度大于2.0微米。
第一涂层304可以具有任何等级的硬度。在一些实施例中,第一涂层304具有比引线框架卷101的硬度小的硬度,例如100-120HV的硬度。在一个实施例中使用软纯铜以增加接线接合到引线框架102b的可靠性。
图3C描绘了涂覆有第二涂层306的第二引线108b以及耦合到第二涂层306的导电连接件308。第二涂层306可以仅涂覆引线框架102b的第一侧、引线框架102b的多个侧部或者引线框架102b的所有侧部,包括内表面。完全涂覆引线框架102b的所有侧部允许在不使用掩模的情况下完成涂层施加,从而降低了涂层施加的成本、时间和复杂性。在一些实施例中,第二涂层306是银。在其它实施例中,第二涂层306是任何贵金属。在其它实施例中,第二涂层306是在半导体封装件的制造过程期间使用的任何材料。可以使用任何已知的施加技术将第二涂层306施加到第一涂层304,包括CVD、PVD、旋涂和电镀。
在一些实施例中,第二涂层306具有比第一涂层304的厚度小的厚度。例如,第二涂层306的厚度可以小于0.1微米,并且在一些实施例中,第二涂层306的平均厚度或者最大厚度在0.01微米和0.1微米之间。
图3C也包括耦合到第二涂层306的部分的导电连接件308。导电连接件308是用于将引线框架102b耦合到引线框架102b上的半导体裸片的任何连接件。在一些实施例中,导电连接件308是接合接线。在一些实施例中,导电连接件是金属,例如铜、金、银和铝。如在图3C中描述的,薄导电连接件308被耦合到第二涂层306,以改善导电连接件308和引线框架102b之间的机械接合强度。改进的机械接合可以通过第二涂层306的优良化学性质(因为它与导电连接件308有关)以及下面的第一涂层304的柔软度和水平面来实现。例如,第二涂层306的施加可以帮助防止第一涂层的氧化。因为在第一涂层304中使用的材料(例如,电镀的纯铜)的氧化可能会对导电连接件308与引线框架102b的接合强度有害,所以薄的第二涂层306的施加以防止第一涂层304的氧化可以增加与导电连接件308的机械接合的强度。改进的机械接合可以涉及增加的拉伸强度、增加的剪切应力抗性或者两者。
图3D描绘了涂覆有第三涂层310的第二引线108b。第一、第二和第三涂层一起包括在第二引线108b的基材100上的多层涂层312。第三涂层310可以仅涂覆引线框架102b的第一侧、引线框架102b的多个侧部或者引线框架102b的所有暴露的侧部,包括内表面。完全涂覆引线框架102b的所有侧部允许在不使用掩模的情况下完成涂层施加,从而降低了涂层施加的成本、时间和复杂性。在其它实施例中,引线框架102b的所有侧部被涂覆有第三涂层,包括内表面,然后移除第三涂层的一部分以允许导电连接件308被耦合到第二涂层306。
可以使用任何已知的施加技术将第三涂层310施加或固定到第二涂层306,包括CVD、PVD、旋涂和电镀。在一些实施例中,第三涂层310通过第二涂层306和反应性物质之间的反应形成。特别地,在一个实施例中,第二涂层306是银并且使用湿法工艺与包括氧的反应性物质反应,以形成氧化银的第三涂层310。
第三涂层310是用于包封剂的粘合促进化合物。虽然第二涂层306具有与导电连接件308的优良接合特性,第二涂层306可以未被优化用于与包封剂的机械接合。相反,第三涂层310提供对包封剂的改进的粘合性。例如,第三涂层310可以是氧化物或者氢氧化物,其改善与诸如模制化合物的包封剂的机械接合。
改进的机械接合可以通过第三涂层310的优异的化学性质被实现,因为它与包封剂有关。例如,第三涂层310的施加可以帮助防止第二涂层306的硫化。因为在第二涂层306中使用的材料(例如,银)的硫化可能对包封剂与引线框架102b的接合强度有害,所以用于防止第二涂层306的硫化的第三涂层310的施加可以增加与包封剂的机械接合强度。改进的机械接合可以涉及增加的拉伸强度、增加的剪切应力抗性或者两者。
图4是包括引线框架102b的示例性半导体封装件400的截面图。半导体封装件400包括具有裸片焊盘106以及第一和第二引线108a、108b的引线框架102。裸片焊盘106以及第一和第二引线108a、108b各自涂覆有多层涂层312。第一和第二导电连接件308分别被耦合到第一和第二引线108a、108b,并且被耦合到半导体裸片402。半导体裸片402是多个集成电路中的任何一个,其输入/输出端口耦合到引线108。此外,半导体裸片402通过粘合剂404被机械地耦合到引线框架102b的裸片焊盘106。在一些实施例中,粘合剂404被直接耦合到第二涂层306。在其它实施例中,粘合剂404被直接耦合到裸片焊盘106、第一涂层304或者第三涂层310。半导体裸片402可以通过粘合剂404和/或其它材料被热耦合或者被电耦合到裸片焊盘106。
围绕半导体裸片402的是包封剂406,例如模制化合物或者树脂。包封剂406可以为半导体封装件400提供结构支撑以及环境保护。在一个实施例中,包封剂406在引线框架102b的第三涂层310上或者附着到引线框架102b的第三涂层310。在其它实施例中,包封剂406在多层涂层312的另一层上或者在下面的基材上。引线框架102b的部件可以具有与包封剂406的表面齐平的表面。在其它实施例中,引线框架102b的一个或者多个部件从包封剂406的表面突出。包封剂406部分地或者完全地包封半导体裸片402。
另外,在图4中描绘的是接合球408。在一个实施例中,接合球408是焊球,并且在其它实施例中可以是用于将半导体封装件400耦合到外部电路的任何导电连接件。接合球408被耦合到引线108的末端。因此,半导体裸片402的输入或者输出端口可以依次通过导电连接件308、引线108以及接合球408中的相应的一个被耦合到在半导体封装件400外部的电路。
上述特征描述了一些实施例,其中减少了贵金属的使用,同时增加了连接导体到引线框架以及包封剂到引线框架的接合强度。本领域技术人员还将明白其它益处。
可以组合上述各个实施例以提供进一步的实施例。如果必要的话,可以修改实施例的各方面以采用各个专利、申请以及出版物的概念来提供进一步的实施例。
根据以上详细描述,可以对实施例进行这些和其它改变。通常,在以下权利要求中,所使用的术语不应该被解释为将权利要求限制于说明书和权利要求中公开的特定的实施例,而是应该被解释为包括所有可能的实施例连同这些权利要求所赋予的等同物的全部范围。因此,权利要求不受本公开的限制。
Claims (20)
1.一种器件,包括:
引线框架,具有主体以及多个引线,所述引线框架包括:
铜合金基础基板;
第一涂层,围绕所述主体以及所述多个引线的所述基础基板,所述第一涂层是电镀铜;
第二涂层,直接形成在所述第一涂层上,所述第二涂层由贵金属形成;以及
第三涂层,固定到所述第二涂层的第一部分,所述第三涂层是通过所述贵金属和反应性物质之间的反应形成的粘合促进化合物;以及
树脂化合物,形成在所述引线框架上并且直接附着到所述第三涂层。
2.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一涂层由纯铜形成。
3.根据权利要求1所述的器件,其中所述引线框架具有第一硬度并且所述第一涂层具有第二硬度,所述第二硬度小于所述第一硬度。
4.根据权利要求3所述的器件,其中所述第一硬度在100至200HV之间,并且所述第二硬度在100至120HV之间。
5.根据权利要求1所述的器件,其中所述第二涂层是银,并且所述第三涂层是氧化银。
6.根据权利要求1所述的器件,其中所述第三涂层是所述贵金属的氧化物。
7.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一涂层的厚度大于所述第二涂层的厚度。
8.根据权利要求7所述的器件,其中所述第一涂层的所述厚度在0.2微米到2.0微米之间,并且所述第二涂层的所述厚度在0.01微米到0.1微米之间。
9.根据权利要求1所述的器件,其中所述铜合金基础基板包括表面划痕,所述第一涂层的第一表面位于所述表面划痕中,并且所述第一涂层的与所述第一表面相对的第二表面是平面的。
10.根据权利要求1所述的器件,进一步包括:
金属接线,直接接合到所述第二涂层的第二部分。
11.根据权利要求10所述的器件,其中所述金属接线包括铜、金、银以及铝中的一种。
12.一种方法,包括:
形成引线框架,包括:
从铜合金基础基板形成主体以及多个引线;
在所述主体以及所述多个引线处在所述基础基板周围电镀铜的第一涂层;
在所述第一涂层周围形成贵金属的第二涂层;
使所述第二涂层的表面与反应性物质反应,所述反应包括在所述第二涂层周围形成粘合促进化合物的第三涂层,所述第三涂层被配置为接收树脂化合物。
13.根据权利要求12所述的方法,进一步包括:
通过轧制铜合金片形成所述主体以及所述多个引线,轧制所述铜合金片包括刮擦所述铜合金基础基板的所述表面。
14.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一涂层是纯铜,所述第二涂层是银,并且所述第三涂层是氧化银。
15.根据权利要求12所述的方法,其中所述主体以及所述多个引线的所述铜合金基础基板具有在100至200HV之间的第一硬度,并且所述第一涂层具有在100至120HV之间的第二硬度,所述第二硬度小于所述第一硬度。
16.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一涂层的厚度在0.2微米到2.0微米之间,并且所述第二涂层的厚度在0.01微米到0.1微米之间。
17.根据权利要求12所述的方法,进一步包括:
将金属接线接合到所述第二涂层。
18.一种系统,包括:
引线框架,具有主体和多个引线,所述引线框架包括:
铜合金基础基板;
第一涂层,围绕所述主体以及所述多个引线的所述基础基板,所述第一涂层是电镀铜;
第二涂层,直接形成在所述第一涂层上,所述第二涂层由贵金属形成;以及
第三涂层,固定到所述第二涂层的第一部分,所述第三涂层是通过所述贵金属和反应性物质之间的反应形成的粘合促进化合物;
芯片,穿过所述第三涂层接合到所述第二涂层的第二部分;
金属接线,穿过所述第三涂层接合到所述第二涂层的第三部分,并且接合到所述芯片;以及
树脂化合物,形成在所述引线框架上并且直接附着到所述第三涂层,所述树脂化合物包封所述芯片。
19.根据权利要求18所述的系统,其中所述第一涂层的厚度在0.2微米到2.0微米之间,并且所述第二涂层的厚度在0.01微米到0.1微米之间。
20.根据权利要求18所述的系统,其中所述基础基板具有在100到200HV之间的第一硬度,并且所述第一涂层具有在100到120HV之间的第二硬度,所述第二硬度小于所述第一硬度。
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Families Citing this family (5)
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CN211787168U (zh) * | 2019-12-10 | 2020-10-27 | 兰克森控股公司 | 用于芯片卡模块的电路 |
EP3971958A1 (en) * | 2020-09-16 | 2022-03-23 | Nexperia B.V. | A semiconductor package and a method for manufacturing of a semiconductor package |
US11848258B2 (en) | 2020-12-31 | 2023-12-19 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor package with nickel-silver pre-plated leadframe |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1047939A (zh) * | 1989-03-14 | 1990-12-19 | 莫托罗拉公司 | 增强塑料封壳对含铜引线底板的附着力的方法 |
CN1148732A (zh) * | 1995-06-09 | 1997-04-30 | 三菱电机株式会社 | 表面装式半导体装置,半导体装配部件以及它们的制造方法 |
US20030201532A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-10-30 | Edmund Riedl | Connection device and method for producing the same |
CN1949494A (zh) * | 2005-10-12 | 2007-04-18 | 开益禧有限公司 | 半导体器件用引脚框架及其制造方法 |
CN101162712A (zh) * | 2006-10-13 | 2008-04-16 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体装置及其制造方法 |
US20120205790A1 (en) * | 2009-10-20 | 2012-08-16 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
CN102738109A (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-17 | 新光电气工业株式会社 | 引线框架及半导体装置 |
CN104851866A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-08-19 | 郭秋卫 | 一种利用金属硬度差优化管脚排布的封装件及其制造方法 |
CN107154392A (zh) * | 2016-03-02 | 2017-09-12 | 顺德工业股份有限公司 | 导线架 |
CN107644862A (zh) * | 2016-07-20 | 2018-01-30 | 意法半导体私人公司 | 具有银纳米层的粗糙引线框 |
Family Cites Families (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57122554A (en) | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Toshiba Corp | Lead frame for semiconductor device |
JPS57184244A (en) | 1981-05-08 | 1982-11-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Metallic member for electronic parts |
JPS59231844A (ja) | 1983-06-14 | 1984-12-26 | Nec Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
JPS6024045A (ja) | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム |
JPH0742596B2 (ja) | 1984-12-04 | 1995-05-10 | 段谷産業株式会社 | リードフレームのメッキ方法 |
JPS61139050A (ja) | 1984-12-12 | 1986-06-26 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ム |
JPS61150284A (ja) | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
US4800178A (en) | 1987-09-16 | 1989-01-24 | National Semiconductor Corporation | Method of electroplating a copper lead frame with copper |
DE68923024T2 (de) * | 1988-03-28 | 1995-11-02 | Texas Instruments Inc | Leiterrahmen mit verminderter Korrosion. |
EP0448266B1 (en) | 1990-03-23 | 1996-06-05 | Motorola, Inc. | Surface mountable semiconductor device having self loaded solder joints |
JPH04137552A (ja) | 1990-09-27 | 1992-05-12 | Sharp Corp | リードフレーム |
JPH05109958A (ja) | 1991-10-17 | 1993-04-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム |
JP3250018B2 (ja) | 1992-06-22 | 2002-01-28 | キョーラク株式会社 | 薬液用プラスチック容器 |
JPH06214452A (ja) | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Toshiba Corp | 現像装置及び画像形成装置 |
JPH06334087A (ja) | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
US5728285A (en) | 1993-12-27 | 1998-03-17 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
US5436082A (en) | 1993-12-27 | 1995-07-25 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
JPH07231060A (ja) | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Rohm Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
JPH08296050A (ja) | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Ishihara Chem Co Ltd | ホイスカー防止用スズメッキ浴、及びスズメッキのホイスカー防止方法 |
KR100266726B1 (ko) * | 1995-09-29 | 2000-09-15 | 기타지마 요시토시 | 리드프레임과 이 리드프레임을 갖춘 반도체장치 |
JP2004282103A (ja) | 1995-09-29 | 2004-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレームの部分貴金属めっき方法 |
JPH09116064A (ja) | 1995-10-19 | 1997-05-02 | Kobe Steel Ltd | リードフレーム材 |
KR100231828B1 (ko) | 1997-02-20 | 1999-12-01 | 유무성 | 다층 도금 리드프레임 |
US6037653A (en) | 1997-03-25 | 2000-03-14 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Semiconductor lead frame having multi-layered plating layer including copper-nickel plating layer |
US5994767A (en) * | 1997-04-09 | 1999-11-30 | Sitron Precision Co., Ltd. | Leadframe for integrated circuit package and method of manufacturing the same |
US6046075A (en) | 1997-12-23 | 2000-04-04 | Vlsi Technology, Inc. | Oxide wire bond insulation in semiconductor assemblies |
JPH11350188A (ja) | 1998-06-03 | 1999-12-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電気・電子部品用材料とその製造方法、およびその材料を用いた電気・電子部品 |
US20030011048A1 (en) * | 1999-03-19 | 2003-01-16 | Abbott Donald C. | Semiconductor circuit assembly having a plated leadframe including gold selectively covering areas to be soldered |
JP2002076229A (ja) | 2000-07-13 | 2002-03-15 | Texas Instruments Inc | 銀めっきを含む半導体のリードフレームおよびその製造方法 |
JP3417395B2 (ja) | 2000-09-21 | 2003-06-16 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置 |
CN1407141A (zh) | 2001-03-16 | 2003-04-02 | 希普雷公司 | 镀锡 |
JP2003155395A (ja) | 2001-11-20 | 2003-05-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2004082103A (ja) | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Asahi Glass Co Ltd | So2を含有するガスの処理方法 |
DE112004000155B4 (de) | 2003-01-16 | 2019-06-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Anschlussrahmen für ein Halbleiterbauelement |
JP3841768B2 (ja) | 2003-05-22 | 2006-11-01 | 新光電気工業株式会社 | パッケージ部品及び半導体パッケージ |
US7391116B2 (en) | 2003-10-14 | 2008-06-24 | Gbc Metals, Llc | Fretting and whisker resistant coating system and method |
US7368326B2 (en) | 2004-01-12 | 2008-05-06 | Agere Systems Inc. | Methods and apparatus to reduce growth formations on plated conductive leads |
US7507605B2 (en) * | 2004-12-30 | 2009-03-24 | Texas Instruments Incorporated | Low cost lead-free preplated leadframe having improved adhesion and solderability |
US7946022B2 (en) | 2005-07-05 | 2011-05-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy for electronic machinery and tools and method of producing the same |
US7309909B2 (en) * | 2005-09-21 | 2007-12-18 | Texas Instruments Incorporated | Leadframes for improved moisture reliability of semiconductor devices |
US7364428B2 (en) | 2006-06-07 | 2008-04-29 | 3M Innovative Properties Company | Orthodontic indirect bonding tray with moisture control |
JP2009108339A (ja) | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN101314832B (zh) | 2008-07-15 | 2010-08-04 | 科威(肇庆)半导体有限公司 | 铁合金材料、由铁合金材料制成的半导体引线框架及其制备方法 |
KR100972982B1 (ko) | 2008-10-08 | 2010-08-03 | 삼성엘이디 주식회사 | Led 패키지용 리드프레임 |
ATE513066T1 (de) | 2008-10-13 | 2011-07-15 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur verbesserung der haftung zwischen silberoberflächen und harzmaterialien |
JP5156658B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2013-03-06 | 株式会社日立製作所 | Lsi用電子部材 |
KR20100103015A (ko) | 2009-03-12 | 2010-09-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 리드 프레임 및 그 제조방법 |
KR101113891B1 (ko) | 2009-10-01 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드 프레임 및 리드 프레임 제조 방법 |
KR101217308B1 (ko) | 2011-05-27 | 2012-12-31 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 디바이스용 리드 프레임 |
JP2014084476A (ja) | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 表面処理めっき材およびその製造方法、並びに電子部品 |
JP2014192310A (ja) | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | Led素子用リードフレームおよびled素子用リードフレーム基板 |
US9059185B2 (en) | 2013-07-11 | 2015-06-16 | Texas Instruments Incorporated | Copper leadframe finish for copper wire bonding |
JP2015103615A (ja) | 2013-11-22 | 2015-06-04 | Shマテリアル株式会社 | リードフレームの製造方法 |
CN103928302B (zh) | 2014-04-28 | 2016-08-24 | 四川金湾电子有限责任公司 | 一种半导体引线框架制造工艺 |
JP5922702B2 (ja) | 2014-05-07 | 2016-05-24 | アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド | Sn膜におけるウイスカの軽減 |
CN109075150B (zh) | 2016-03-11 | 2022-03-01 | 德国艾托特克公司 | 引线框结构,引线框式表面粘着型电子装置及其制造方法 |
US9653385B1 (en) | 2016-05-26 | 2017-05-16 | Sdi Corporation | Lead frame |
JP7016677B2 (ja) | 2017-11-21 | 2022-02-07 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法 |
CN110265376A (zh) * | 2018-03-12 | 2019-09-20 | 意法半导体股份有限公司 | 引线框架表面精整 |
US11735512B2 (en) | 2018-12-31 | 2023-08-22 | Stmicroelectronics International N.V. | Leadframe with a metal oxide coating and method of forming the same |
-
2019
- 2019-02-20 CN CN201910125463.3A patent/CN110265376A/zh active Pending
- 2019-03-11 US US16/299,085 patent/US11011476B2/en active Active
- 2019-03-12 CN CN201910186241.2A patent/CN110265377B/zh active Active
- 2019-03-12 CN CN201920310954.0U patent/CN209626210U/zh not_active Withdrawn - After Issue
-
2021
- 2021-05-17 US US17/322,712 patent/US11756899B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1047939A (zh) * | 1989-03-14 | 1990-12-19 | 莫托罗拉公司 | 增强塑料封壳对含铜引线底板的附着力的方法 |
CN1148732A (zh) * | 1995-06-09 | 1997-04-30 | 三菱电机株式会社 | 表面装式半导体装置,半导体装配部件以及它们的制造方法 |
US20030201532A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-10-30 | Edmund Riedl | Connection device and method for producing the same |
CN1949494A (zh) * | 2005-10-12 | 2007-04-18 | 开益禧有限公司 | 半导体器件用引脚框架及其制造方法 |
CN101162712A (zh) * | 2006-10-13 | 2008-04-16 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体装置及其制造方法 |
US20120205790A1 (en) * | 2009-10-20 | 2012-08-16 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
CN102738109A (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-17 | 新光电气工业株式会社 | 引线框架及半导体装置 |
CN104851866A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-08-19 | 郭秋卫 | 一种利用金属硬度差优化管脚排布的封装件及其制造方法 |
CN107154392A (zh) * | 2016-03-02 | 2017-09-12 | 顺德工业股份有限公司 | 导线架 |
CN107644862A (zh) * | 2016-07-20 | 2018-01-30 | 意法半导体私人公司 | 具有银纳米层的粗糙引线框 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN209626210U (zh) | 2019-11-12 |
US20210375787A1 (en) | 2021-12-02 |
US11756899B2 (en) | 2023-09-12 |
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US11011476B2 (en) | 2021-05-18 |
CN110265377B (zh) | 2024-07-19 |
CN110265377A (zh) | 2019-09-20 |
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