JPS61272955A - 電子機器用Ａｌ系条材 - Google Patents
電子機器用Ａｌ系条材Info
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- JPS61272955A JPS61272955A JP11397085A JP11397085A JPS61272955A JP S61272955 A JPS61272955 A JP S61272955A JP 11397085 A JP11397085 A JP 11397085A JP 11397085 A JP11397085 A JP 11397085A JP S61272955 A JPS61272955 A JP S61272955A
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子機器工業に於い、て各種の電子部品に使用
されるＡＩＩ板条体に関し、特に半導体素子のパッケー
ジに用いられるリードフレーム用条材に関するものであ
る。
されるＡＩＩ板条体に関し、特に半導体素子のパッケー
ジに用いられるリードフレーム用条材に関するものであ
る。
電子機器部品には導電性、伝熱性、機械的強度、加工性
、耐食性、電気的接続性、溶接・ろう付は性等の多様な
特性を有する金属材料が不可欠であり、Ｃｕ系、ＡＩ系
、Ｆａ系、Ｎｉ系等の材料が広く利用されており、従来
の導線や端子とは異なって、上記の全ての特性を高度に
必要とする用途が増大している。特にＩＣ，ＬＳＩ等の
半導体製造に用いられるリードフレームはその代表であ
り、エレクトロニクスの発展と共に益々その使用量は増
大し、かつ多様な材料特性が厳格に要求され、同時にま
たコストパフォーマンスも強く求められている。以下リ
ードフレームについて詳細に説明する。
、耐食性、電気的接続性、溶接・ろう付は性等の多様な
特性を有する金属材料が不可欠であり、Ｃｕ系、ＡＩ系
、Ｆａ系、Ｎｉ系等の材料が広く利用されており、従来
の導線や端子とは異なって、上記の全ての特性を高度に
必要とする用途が増大している。特にＩＣ，ＬＳＩ等の
半導体製造に用いられるリードフレームはその代表であ
り、エレクトロニクスの発展と共に益々その使用量は増
大し、かつ多様な材料特性が厳格に要求され、同時にま
たコストパフォーマンスも強く求められている。以下リ
ードフレームについて詳細に説明する。
トランジスター、ｔｃ’等の半導体の多くに使用される
リードフレームは、その断面の一例を第１図に、又平面
の他の例を第２図に示すように、フレームのタブ部１に
素子（例えばＳｉチ・ツブ） ２がエポキシ等の接着剤
や半田又はＡ ｕ −Ｓ ｉ等の金属ろう等の接着層３
を介してダイボンドさ゛れる。
リードフレームは、その断面の一例を第１図に、又平面
の他の例を第２図に示すように、フレームのタブ部１に
素子（例えばＳｉチ・ツブ） ２がエポキシ等の接着剤
や半田又はＡ ｕ −Ｓ ｉ等の金属ろう等の接着層３
を介してダイボンドさ゛れる。
尚素子上の電極パッド４とフレームのインナーリード端
部５とは金属細線６を介してワイヤボンドされる。更に
これらはエポキシ等の樹脂７により封止モールドされ、
フレームの１ウタ一リード部８の多くはＳｎ又は半田づ
けされてから曲げ等の加工をうけてパッケージがつくら
れている。
部５とは金属細線６を介してワイヤボンドされる。更に
これらはエポキシ等の樹脂７により封止モールドされ、
フレームの１ウタ一リード部８の多くはＳｎ又は半田づ
けされてから曲げ等の加工をうけてパッケージがつくら
れている。
最近、半導体リードフレームの基材としてＣｕ合金の板
条が用いられている。それは、これらのＣｕ合金は熱、
電気の良導体で強度もあり、しかも、従来使用されてい
たコバール合金（Ｆａ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）よりも経済的
であるがためである。
条が用いられている。それは、これらのＣｕ合金は熱、
電気の良導体で強度もあり、しかも、従来使用されてい
たコバール合金（Ｆａ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）よりも経済的
であるがためである。
従来、ワイヤポンド月細線にＡｕ線が使用されたが、コ
ストダウンの目的でＡＩ線が使用される傾向にある。し
かし、Ｃｕ合金リードフレームに直接ＡＩ線を超音波ボ
ンドすると、ＡＩとＣｕとの間で電食が起り易い。Ａ
ｕ ｉ１１使用の際に行われているリードフレームに対
するＡｕあるいはＡｇメッキも全く同様に電食を起こす
ため不適当である。又リードフレームをＡｌで被覆して
もリードフレーム自体の電食が起こったり、あるいは半
導体製造時の高温条件や半導体実用が長期に亘っなとき
Ａ Ｉ ／ Ｃｕ間で拡散反応が進み、表面にＣｕ分が
到達してしまう。これを防止するためには厚いＡｌの被
覆層が必要となる。Ｃｕ合金リードフレームに対してＡ
ｌ＠を使用する際の唯一の実用的方法は、リードフレー
ムにＮｉメッキを施しその上にＡＩ線をワイヤボンドす
ることであるが、Ｎｉメッキの表面酸化によりボンドの
品質低下が起ゆ易（、Ｎｉメッキ以後の工程に特別な配
慮が必要となる。
ストダウンの目的でＡＩ線が使用される傾向にある。し
かし、Ｃｕ合金リードフレームに直接ＡＩ線を超音波ボ
ンドすると、ＡＩとＣｕとの間で電食が起り易い。Ａ
ｕ ｉ１１使用の際に行われているリードフレームに対
するＡｕあるいはＡｇメッキも全く同様に電食を起こす
ため不適当である。又リードフレームをＡｌで被覆して
もリードフレーム自体の電食が起こったり、あるいは半
導体製造時の高温条件や半導体実用が長期に亘っなとき
Ａ Ｉ ／ Ｃｕ間で拡散反応が進み、表面にＣｕ分が
到達してしまう。これを防止するためには厚いＡｌの被
覆層が必要となる。Ｃｕ合金リードフレームに対してＡ
ｌ＠を使用する際の唯一の実用的方法は、リードフレー
ムにＮｉメッキを施しその上にＡＩ線をワイヤボンドす
ることであるが、Ｎｉメッキの表面酸化によりボンドの
品質低下が起ゆ易（、Ｎｉメッキ以後の工程に特別な配
慮が必要となる。
Ｃｕ合金リードフレームのもう一つの重大欠陥は、エポ
キシ等のモールドとの界面の接合力が不充分で外部から
水分や塩分等が長期に亘り侵入し、チッ、プ表面等を腐
食したり、又腐食に至らない場合でも水分によ抄チップ
表面の回路の電気特性が変動して誤動作や故障をきたす
。界面における接合性低下はモールド後の冷却や半導体
使用時のヒートサイクルあるいは熱膨張差によゆ促進さ
れる。
キシ等のモールドとの界面の接合力が不充分で外部から
水分や塩分等が長期に亘り侵入し、チッ、プ表面等を腐
食したり、又腐食に至らない場合でも水分によ抄チップ
表面の回路の電気特性が変動して誤動作や故障をきたす
。界面における接合性低下はモールド後の冷却や半導体
使用時のヒートサイクルあるいは熱膨張差によゆ促進さ
れる。
これに対し、Ａ１合金をリードフレームに使用する試み
が、例えば特開昭５５−７１０４５号公報等に示されて
いる。ＡｌはＣｕに次ぐ高い導電性を有しかつ安価な金
属であゆ、リードフレーム用としてはさらに高強度の特
性を有する合金、例えばＪ Ｉ Ｓ １０００あるいは
３０００系が望ましも１゜また、ＡＩはエポキシ等との
接合性に優れ、熱膨張率もＣｕより更に大きいことから
熱膨張による劣化を受は難く、従って半導・体の信頼性
はより高まる。アウターリードの半田付けに関しては特
開昭５９−９８５４８号公報に示される如く、モールド
後に電気半田メッキすることが可能である。
が、例えば特開昭５５−７１０４５号公報等に示されて
いる。ＡｌはＣｕに次ぐ高い導電性を有しかつ安価な金
属であゆ、リードフレーム用としてはさらに高強度の特
性を有する合金、例えばＪ Ｉ Ｓ １０００あるいは
３０００系が望ましも１゜また、ＡＩはエポキシ等との
接合性に優れ、熱膨張率もＣｕより更に大きいことから
熱膨張による劣化を受は難く、従って半導・体の信頼性
はより高まる。アウターリードの半田付けに関しては特
開昭５９−９８５４８号公報に示される如く、モールド
後に電気半田メッキすることが可能である。
しかしながら、Ａ１合金リードフレームを従来法に依っ
て使用したとき、生産性や製品の信頼性は必ずしも予期
した通りに実現できず、実用的には不都合な点の多いこ
とが知られている。
て使用したとき、生産性や製品の信頼性は必ずしも予期
した通りに実現できず、実用的には不都合な点の多いこ
とが知られている。
本発明者はかかる欠点を解決すべく鋭意検討を重ねた結
果、本発明に至った。
果、本発明に至った。
即ち本発明は、Ａｌ系系材材表面の少なくとも一部に直
接又は他の金属層を介して純Ａｌを被覆しゃＡｌ系系材
材ある。
接又は他の金属層を介して純Ａｌを被覆しゃＡｌ系系材
材ある。
本発明において、Ａｌ基材としては強度、導電性、伝熱
性に優れたＡ１合金、例えばＡ Ｉ −Ｍ ｇ（Ａ ６
０００系） 、 Ａｌ−Ｍｇ−３ｉ （Ａ６０００系）
、 Ａ Ｉ−Ｃｕ （Ａ ２００Ｇ系） 、 Ａｌ−Ｚ
ｎ−Ｍｇ（Ａ ７０００系）等があり、該Ａｌ基材の全
面又は片面又はその一部に純Ａｌが被覆される。この純
Ａｌは通常９９．９％以上の純度を有し、その被覆層の
厚さは０．５μ以上が望ましい。また、ＡＩ基材と純Ａ
Ｉ被覆層との中間に、Ｎｉ、Ｃｏ、又はこれらの合金、
例えばＮ ｉ −Ｃｏ 、 Ｎ ｉ −Ｆ ｅ 。
性に優れたＡ１合金、例えばＡ Ｉ −Ｍ ｇ（Ａ ６
０００系） 、 Ａｌ−Ｍｇ−３ｉ （Ａ６０００系）
、 Ａ Ｉ−Ｃｕ （Ａ ２００Ｇ系） 、 Ａｌ−Ｚ
ｎ−Ｍｇ（Ａ ７０００系）等があり、該Ａｌ基材の全
面又は片面又はその一部に純Ａｌが被覆される。この純
Ａｌは通常９９．９％以上の純度を有し、その被覆層の
厚さは０．５μ以上が望ましい。また、ＡＩ基材と純Ａ
Ｉ被覆層との中間に、Ｎｉ、Ｃｏ、又はこれらの合金、
例えばＮ ｉ −Ｃｏ 、 Ｎ ｉ −Ｆ ｅ 。
Ｎ １−Ｐｄ、 Ｎ ｉ −Ｐ、 Ｎ １−Ｃｏ−Ｐ、
Ｃｏ −Ｂ、 Ｎ １−Ｃｏ−Ｐ ｄ、 Ｎ ｉ −
Ｚ ｎ、 Ｇ ｏ −Ｗ。
Ｃｏ −Ｂ、 Ｎ １−Ｃｏ−Ｐ ｄ、 Ｎ ｉ −
Ｚ ｎ、 Ｇ ｏ −Ｗ。
Ｃｏ −Ｆ ａ 、 Ｎ’ ｉ −Ｃｏ −Ｆ ’ａ等
の層を厚さｏ、。
の層を厚さｏ、。
２μ以上として介在させると、前記純Ａｌ層の効果をさ
らに増進できる。
らに増進できる。
上記の本発明にかかるＡｌ系糸条材、蒸着、スパッタリ
ング、イオンブレーティング（以下ＰｖＡとｍ称） 、
Ｎ ａ Ｆ Ａ Ｉ （Ｃ，Ｈ，） 、、 ＡｌＢｒ
３等を用いる有機電解質浴からの電気メツキ法、圧延圧
着（クラッド法）、粉末焼結圧延法等によって製造する
ことができる。クラッチ法では厚い中間素材で圧着して
から所定の厚さに仕上げる。ＰＶＡやメッキは所定の厚
さに仕上げられた基材の表面に被覆できるが、又中間厚
さ材に被覆してから圧延して仕上げることも表面の平滑
さや所定の強度を得る目的で望ましい場合もある。
ング、イオンブレーティング（以下ＰｖＡとｍ称） 、
Ｎ ａ Ｆ Ａ Ｉ （Ｃ，Ｈ，） 、、 ＡｌＢｒ
３等を用いる有機電解質浴からの電気メツキ法、圧延圧
着（クラッド法）、粉末焼結圧延法等によって製造する
ことができる。クラッチ法では厚い中間素材で圧着して
から所定の厚さに仕上げる。ＰＶＡやメッキは所定の厚
さに仕上げられた基材の表面に被覆できるが、又中間厚
さ材に被覆してから圧延して仕上げることも表面の平滑
さや所定の強度を得る目的で望ましい場合もある。
Ａ１合金をリードフレームに使用する場合、合金成分例
えばＭｇ、Ｌｉ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｎ ｉ等が経時酸
化してワイヤボンド性を著しく劣化させ易いことが知ら
れているが、これら成分特にＭｇ、Ｌｉは高強度Ａ１合
金には不可欠な成分となっている。従って、リードフレ
ーム用のＡ１合金としてはＪ Ｉ Ｓ １０００や３０
００系が一般的に使用されているが、これらは強度の点
で不足するところがある。本発明によれば、高強度のＡ
１合金を基材として自由に選定でき、その表面の少なく
とも一部、例えばワイヤボンド部に純ＡＩを被覆できる
ので、所望の強度とボンディング性を共に得ることがで
きる。
えばＭｇ、Ｌｉ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｎ ｉ等が経時酸
化してワイヤボンド性を著しく劣化させ易いことが知ら
れているが、これら成分特にＭｇ、Ｌｉは高強度Ａ１合
金には不可欠な成分となっている。従って、リードフレ
ーム用のＡ１合金としてはＪ Ｉ Ｓ １０００や３０
００系が一般的に使用されているが、これらは強度の点
で不足するところがある。本発明によれば、高強度のＡ
１合金を基材として自由に選定でき、その表面の少なく
とも一部、例えばワイヤボンド部に純ＡＩを被覆できる
ので、所望の強度とボンディング性を共に得ることがで
きる。
上記の純Ａｌとは９９．９％以上の高純度Ａｌであり、
９９．９９％、 ９９．９９９％の純度を有するＡｌも
含°まれる。上記純度に達しない場合は、常温あるいは
高温工程でより速やかに酸化が起こり、ボンディング性
の低下をきたす。
９９．９９％、 ９９．９９９％の純度を有するＡｌも
含°まれる。上記純度に達しない場合は、常温あるいは
高温工程でより速やかに酸化が起こり、ボンディング性
の低下をきたす。
次に上記純Ａｌ層の厚さに関しては、過度に薄い場合は
加工過程で基材の合金成分が純ＡＩ層に拡散して純度の
低下をひき起こすため、０．５μ以上が好ましい。一方
、純Ａｌ層を必要以上に厚くするとコスト高をまねくの
みならず、強度低下の原因ともなる。また、純Ａｌ層は
軟質であるため過剰に厚いとき、超音波ボンディングの
効率を下げ、表面外傷も起こし易くなる。従って純ＡＩ
層の厚さは０．５〜１０μが最も適当となる。ただし、
ａｍな曲げ加工を必要とす石用途では、割れを防止する
ために５μ以下が望ましい。
加工過程で基材の合金成分が純ＡＩ層に拡散して純度の
低下をひき起こすため、０．５μ以上が好ましい。一方
、純Ａｌ層を必要以上に厚くするとコスト高をまねくの
みならず、強度低下の原因ともなる。また、純Ａｌ層は
軟質であるため過剰に厚いとき、超音波ボンディングの
効率を下げ、表面外傷も起こし易くなる。従って純ＡＩ
層の厚さは０．５〜１０μが最も適当となる。ただし、
ａｍな曲げ加工を必要とす石用途では、割れを防止する
ために５μ以下が望ましい。
前述の拡散等の障害を抑止するため、中間層にＮｉ、Ｇ
ｏ、又はこれらの合金を介在させることは、薄い純Ａｌ
層でも長期間あるいは高温工程において所期の特性を発
揮するのに有効である。又Ｎｉ、Ｃｏ等はＡ１合金基材
よりも更に高強度であるため、表面硬度の向上、そりの
防止、超音波ボンディング性あるいは磨耗・外傷の抑制
に効果を有する。これらの効果を得るために、該中間層
の厚さは０．０２μ以上を適当とする。
ｏ、又はこれらの合金を介在させることは、薄い純Ａｌ
層でも長期間あるいは高温工程において所期の特性を発
揮するのに有効である。又Ｎｉ、Ｃｏ等はＡ１合金基材
よりも更に高強度であるため、表面硬度の向上、そりの
防止、超音波ボンディング性あるいは磨耗・外傷の抑制
に効果を有する。これらの効果を得るために、該中間層
の厚さは０．０２μ以上を適当とする。
以上の本発明Ａｌ系系材材、表層に純ＡＩ層を有するの
で均一な薄い酸化Ａｌ被被膜持ち、メッキやろう付け、
モールド時の樹脂との密着等に於いても優れている。こ
のことは、純Ａｌ被覆層が無い場合には、ＡＩ基材の合
金成分が酸化膜の性質を大きく変えたり、メッキ活性化
処理に有害な作用を及ぼしたりするためである。例えば
Ａｌ基材がＳｔを成分として含有するとき、通常の処理
では良好な密着性を得ることができず、有毒なＨＦ等の
処理を必要とし、又Ｍｇを含有するときも同様な傾向を
有する。
で均一な薄い酸化Ａｌ被被膜持ち、メッキやろう付け、
モールド時の樹脂との密着等に於いても優れている。こ
のことは、純Ａｌ被覆層が無い場合には、ＡＩ基材の合
金成分が酸化膜の性質を大きく変えたり、メッキ活性化
処理に有害な作用を及ぼしたりするためである。例えば
Ａｌ基材がＳｔを成分として含有するとき、通常の処理
では良好な密着性を得ることができず、有毒なＨＦ等の
処理を必要とし、又Ｍｇを含有するときも同様な傾向を
有する。
以下実施例により、本発明を具体的に説明する。
実施例１〜８．比較例１
５０５６合金（Ａ Ｉ −４，７Ｍｇ−０，３３ｉ−０
，４Ｆａ−０，ＩＺｎ）板（厚さ０．３２＋ｗ＋ｔ）の
片面に、下表−１に示す被覆層をスパッタリング法によ
り施した。
，４Ｆａ−０，ＩＺｎ）板（厚さ０．３２＋ｗ＋ｔ）の
片面に、下表−１に示す被覆層をスパッタリング法によ
り施した。
被覆に際しては、連続プレーナーハイレートマグネトロ
ンスパッタリング装置（日本真空株式会社製）を用い、
１０ Ｔｏｒｒで基材温度を１５０℃とした。Ａｌスパ
ッターには９９．９９％Ａｌ、Ｎｉスパッターには９９
．９％Ｎｉ、Ｎｉ−ＣｏスパッターにはＮ ｉ −１６
％Ｃｏ合金を用い、スパッター速度は順に０．１５ 、
０．０１．０．０７ ｐ／ｍｉｎとした。
ンスパッタリング装置（日本真空株式会社製）を用い、
１０ Ｔｏｒｒで基材温度を１５０℃とした。Ａｌスパ
ッターには９９．９９％Ａｌ、Ｎｉスパッターには９９
．９％Ｎｉ、Ｎｉ−ＣｏスパッターにはＮ ｉ −１６
％Ｃｏ合金を用い、スパッター速度は順に０．１５ 、
０．０１．０．０７ ｐ／ｍｉｎとした。
本試材につき、リードフレーム用途として最も重視され
るワイヤボンド性を試みるため、Ａｌ −１％Ｓｉ合金
細線（２５μφ）を用い超音波ウェッジボンドして、引
張強度を測定した。５０ ＫＨｚ超音波を用い、荷重を
３０ｇｒ、ボンド時間を４０ｍ５ｏｃとした。又、リー
ドフレームのプレス工程やダイボンド工程を想定して１
８０℃１５分間の大気加熱を行ってから、上記同様のボ
ンドを行い引張強度を測定しな。
るワイヤボンド性を試みるため、Ａｌ −１％Ｓｉ合金
細線（２５μφ）を用い超音波ウェッジボンドして、引
張強度を測定した。５０ ＫＨｚ超音波を用い、荷重を
３０ｇｒ、ボンド時間を４０ｍ５ｏｃとした。又、リー
ドフレームのプレス工程やダイボンド工程を想定して１
８０℃１５分間の大気加熱を行ってから、上記同様のボ
ンドを行い引張強度を測定しな。
結果を表−１にまとめて示す。
表−１
比較例１の未処理合金板は全くボンドできないのに対し
、実施例１〜８はいずれもボンドされた。
、実施例１〜８はいずれもボンドされた。
但し、Ａ１層が０．５μに満たない実施例１では、特に
加熱後に不充分な強度となった。しかし、同じ薄ＡＩ層
でもＮｉ中間層を介在させた実施例７は高い強度を維持
できた。
加熱後に不充分な強度となった。しかし、同じ薄ＡＩ層
でもＮｉ中間層を介在させた実施例７は高い強度を維持
できた。
実施例４〜６ではいずれも充分な強度を示したが、特に
加熱後に於いて、Ｎｉ層の厚い方が若干優れた値を示し
た。
加熱後に於いて、Ｎｉ層の厚い方が若干優れた値を示し
た。
実施例９．比較例２〜３ ″
Ａ ６０６１合金（Ａ Ｉ −１，２Ｍｇ−０，７５５
ｉ−０，５Ｆｅ−０，ｌＺｎ−０，ＩＴｉ）板（０，２
５ｍｔ Ｘ２５． Ｏｍｗ ）を常法により、アルカリ
脱脂した後、下記浴中で全面に１．５μの厚さにＮｉメ
ッキした。
ｉ−０，５Ｆｅ−０，ｌＺｎ−０，ＩＴｉ）板（０，２
５ｍｔ Ｘ２５． Ｏｍｗ ）を常法により、アルカリ
脱脂した後、下記浴中で全面に１．５μの厚さにＮｉメ
ッキした。
ＮｉＳＯ４２４０ｇ／ｊ ５５℃
Ｎ ｉｃｊ ３０ｇ／ｊ ＰＨ３，０Ｈ３Ｂ
０３３０ ｇ／Ｉ Ｄ ｋ ＝ ５． ＯＡ／ｄｍ
”本試材につき、前記例と同様な方法で両面に０．７５
μのＡ１層を被覆してから、第２図の形状にプレス成型
した。その後前述の手順に従って、Ｓｉチップをエポキ
シ接着法で搭載してから、Ａｌ−０，５％Ｍｇ合金線（
２５μφ）を用いてワイヤボンドし、その後エポキシモ
ールドしてＩＣを作成した。
０３３０ ｇ／Ｉ Ｄ ｋ ＝ ５． ＯＡ／ｄｍ
”本試材につき、前記例と同様な方法で両面に０．７５
μのＡ１層を被覆してから、第２図の形状にプレス成型
した。その後前述の手順に従って、Ｓｉチップをエポキ
シ接着法で搭載してから、Ａｌ−０，５％Ｍｇ合金線（
２５μφ）を用いてワイヤボンドし、その後エポキシモ
ールドしてＩＣを作成した。
得られたＩＣを５％ＮａＯＨ浴に浸して脱脂と同時にア
ウターリード上のＡｌ被被覆溶解除去し、゛ さらに
１０％ＨＣｊ浴に浸して中和・活性化してから、下記浴
中で約３〜５μの厚さに共晶半田メッキを施した。
ウターリード上のＡｌ被被覆溶解除去し、゛ さらに
１０％ＨＣｊ浴に浸して中和・活性化してから、下記浴
中で約３〜５μの厚さに共晶半田メッキを施した。
Ｐｂ（ＢＦ、）、 ２５ｇ−Ｐｂ／１ １５℃５ｎ
（ＢＦ４）２ ６０ｇ−５ｎ／ｌ Ｄｋ＝６Ａ／ｄ
ｍＨＢＦ ７５ｇ／Ｉ Ｈ２ＢＯ３２５ｇ／ｌ ニカワ ５ ｇ／ｌ メッキ後、ダイパー、リテナ一部の切断を行い、第１図
の如くリードを曲げてＩＣ（実施例９）を完成した。得
られたＩＣを８５／８５Ｔ）ＩＢ試験法（８５℃、８５
％ＲＨ（７）加湿条件’ｔ’１２Ｖ印加）で１０００時
間試験したところ、ＩＣに故障は全く検出されず正常に
動作した。
（ＢＦ４）２ ６０ｇ−５ｎ／ｌ Ｄｋ＝６Ａ／ｄ
ｍＨＢＦ ７５ｇ／Ｉ Ｈ２ＢＯ３２５ｇ／ｌ ニカワ ５ ｇ／ｌ メッキ後、ダイパー、リテナ一部の切断を行い、第１図
の如くリードを曲げてＩＣ（実施例９）を完成した。得
られたＩＣを８５／８５Ｔ）ＩＢ試験法（８５℃、８５
％ＲＨ（７）加湿条件’ｔ’１２Ｖ印加）で１０００時
間試験したところ、ＩＣに故障は全く検出されず正常に
動作した。
得られたＩＣと比較のため、Ｎｉメッキを厚さ。
７．５μに施したＩＣ（比較例２）について同様に試験
したところ、アウターリードの曲げ部に割れを発生した
。この様な割れは、ＤＩＰＩイプのパッケージでは重大
な欠陥となる。
したところ、アウターリードの曲げ部に割れを発生した
。この様な割れは、ＤＩＰＩイプのパッケージでは重大
な欠陥となる。
又、本実施例と同じＩＣを常法により、５μのＡｇＸボ
ットメッキをしたＣ ｕ −２，４Ｆｅ−０，１ＳＰ合
金リードフレームを用いて、Ａｕ線（２５μφ）をワイ
ヤボンドして作成しな。本ＩＣ（比較例３）を前記同様
に８５／８５ Ｔ ＨＢ試験したところ、１０００時間
後や故障率は２．５％であった。加えて、本ＩＣの製造
コストは１個当たり約４円の上昇となった。
ットメッキをしたＣ ｕ −２，４Ｆｅ−０，１ＳＰ合
金リードフレームを用いて、Ａｕ線（２５μφ）をワイ
ヤボンドして作成しな。本ＩＣ（比較例３）を前記同様
に８５／８５ Ｔ ＨＢ試験したところ、１０００時間
後や故障率は２．５％であった。加えて、本ＩＣの製造
コストは１個当たり約４円の上昇となった。
上記説明及び実施例から明らかなように、本発明のＡＩ
系系材材半導体リードフレームに用いてＩＣ等を製造す
ると、経済性と高品質を兼ね備えた製品を得ることがで
きる。
系系材材半導体リードフレームに用いてＩＣ等を製造す
ると、経済性と高品質を兼ね備えた製品を得ることがで
きる。
即ち、基材表面の少なくとも一部に純Ａｌを被覆するこ
とにより、強度、導電性、伝熱性等に優れかつ経済的な
所望のＡ１合金を基材に用いることが可能となり、ＡＩ
Ｉ材料の有する特性やコストパフォーマンスを最大限に
活用することとなる。
とにより、強度、導電性、伝熱性等に優れかつ経済的な
所望のＡ１合金を基材に用いることが可能となり、ＡＩ
Ｉ材料の有する特性やコストパフォーマンスを最大限に
活用することとなる。
以上、半導体を例としたが、本発明は他の電気部品の用
途に共通する要求特性をも満たしており、従来材料に比
べより広範な利用が可能となり、その効果は極めて大き
い。
途に共通する要求特性をも満たしており、従来材料に比
べより広範な利用が可能となり、その効果は極めて大き
い。
第１図は、一般に使用されているリードフレームによる
一例のパッケージの断面図であり、第２図は、他の例の
パッケージの平面図である。 １・・・タブ部、２・・・素子、３・・・接着層、４・
・・電極パッド、５・・・インナーリード端部、６・・
・金属細線、７・・・樹脂、８・・・アウターリード部
。 第１図 第２図
一例のパッケージの断面図であり、第２図は、他の例の
パッケージの平面図である。 １・・・タブ部、２・・・素子、３・・・接着層、４・
・・電極パッド、５・・・インナーリード端部、６・・
・金属細線、７・・・樹脂、８・・・アウターリード部
。 第１図 第２図
Claims (4)
- （１）Ａｌ系基材の表面の少なくとも一部に直接又は他
の金属層を介して純Ａｌを被覆したことを特徴とする電
子機器用Ａｌ系条材。 - （２）前記純Ａｌとして９９．９％以上の高純度Ａｌを
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
の電子機器用Ａｌ系条材。 - （３）前記純Ａｌの被覆層の厚さを０．５μ以上とした
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の電子
機器用Ａｌ系条材。 - （４）基材と純Ａｌ被覆層の中間に厚さ０．０２μ以上
のＮｉ又はＣｏ又はこれらの合金の中間層を介在させた
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の電子
機器用Ａｌ系条材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11397085A JPS61272955A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 電子機器用Ａｌ系条材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11397085A JPS61272955A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 電子機器用Ａｌ系条材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61272955A true JPS61272955A (ja) | 1986-12-03 |
Family
ID=14625773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11397085A Pending JPS61272955A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 電子機器用Ａｌ系条材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61272955A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012505537A (ja) * | 2008-10-13 | 2012-03-01 | タイコ エレクトロニクス アンプ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハウツンク | 電子部品用リードフレーム |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11397085A patent/JPS61272955A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012505537A (ja) * | 2008-10-13 | 2012-03-01 | タイコ エレクトロニクス アンプ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハウツンク | 電子部品用リードフレーム |
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