JPH07231060A - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents

電子部品およびその製造方法

Info

Publication number
JPH07231060A
JPH07231060A JP6020850A JP2085094A JPH07231060A JP H07231060 A JPH07231060 A JP H07231060A JP 6020850 A JP6020850 A JP 6020850A JP 2085094 A JP2085094 A JP 2085094A JP H07231060 A JPH07231060 A JP H07231060A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating layer
lead
lead frame
copper plating
solder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6020850A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Ogawa
健二 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP6020850A priority Critical patent/JPH07231060A/ja
Priority to KR1019950001498A priority patent/KR950034723A/ko
Publication of JPH07231060A publication Critical patent/JPH07231060A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 リード端子上の半田メッキ剥がれを防止する
とともに、電流リーク等の品質不良が生じにくい電子部
品を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、樹脂モールド部と、該樹脂モール
ド部より突出したリード端子とを備えてなる電子部品に
おいて、前記リード端子の表面を、下層に銅メッキ、上
層に半田メッキで被覆したことを特徴とする電子部品お
よびその製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームを用い
て製造される電子部品およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、IC、トランジスタ等の電子部
品は、図4に示すように、鉄等の金属からなる帯状のリ
ードフレーム21上に、その長手方向に沿って複数個の
半導体素子(図示せず)を搭載し、該半導体素子とこれ
を外部に電気的に接続するための複数本のリード端子2
2とを、金等からなる金属線(図示せず)によりそれぞ
れワイヤーボンディングすることにより接続し、エポキ
シ樹脂等からなる溶融樹脂により、半導体素子およびそ
の周辺のリード端子22をそれぞれ密封するように樹脂
モールド部23を成形した後に、リードフレーム21を
鉛や錫等を主成分とする半田電解メッキ液に浸積させ
て、リードフレーム21表面にメッキ層を形成させる電
解メッキ方法等により、上記樹脂モールド部23から突
出するリード端子22上に、半田メッキ層24を形成
し、さらに、プレス打ち抜き加工により、リードフレー
ム21から個別に分離されてなるものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成を有する電子部品においては、リード端子22
上に直接半田メッキ層24を形成しているので、リード
端子22と半田メッキ層24との密着力が弱く、半田メ
ッキの剥がれが生じやすいので、その剥がれた部分が酸
化して腐食して、導電性が悪くなるといった問題があっ
た。
【0004】また、上記半田メッキ層24の形成は、樹
脂モールド部23の形成後に行われるので、電解半田メ
ッキ液に樹脂モールド部23を浸積させることとなるた
め、電解半田メッキ液が、リード端子22と樹脂モール
ド部23の境界面を伝って該樹脂モールド部23内に侵
入しやすく、電流リークを発生させるといった品質不良
を招くといった問題があった。この電解半田メッキ液の
樹脂モールド部23内への侵入を防止するために、リー
ドフレーム21から分離した電子部品を、そのリード端
子22の部分のみ溶融半田に浸積させて、半田メッキ層
24を形成する、いわゆる半田ディップ方法を用いるこ
とも考えられるが、この場合には、溶融半田の有する熱
により、樹脂モールド部23に熱ストレスがかかり、該
樹脂モールド部23を変形させてしまうので、耐湿性等
で(リードフレームと樹脂の密着性低下で)非常に問題
があった。
【0005】本発明は、以上のような状況下で考え出さ
れたもので、リード端子上の半田メッキ剥がれを防止す
るとともに、電流リーク等の品質不良が生じにくい電子
部品を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、樹脂モールド部と、該樹脂モールド部よ
り突出した金属からなるリード端子と、を備えてなる電
子部品において、前記リード端子の表面を、下層に銅メ
ッキ、上層に半田メッキで被覆したことを特徴とする電
子部品を提供するものである。
【0007】また、本発明は、更に、金属からなるリー
ドフレームのアウターリード部に、銅メッキ層を形成
し、該銅メッキ層上に、半田メッキ層を形成した後に、
前記リードフレームのインナーリード部を樹脂モールド
してなる電子部品の製造方法も提供し得る。
【0008】
【作用および効果】本発明の電子部品によれば、樹脂モ
ールド部より突出した、金属からなるリードフレームに
おけるアウターリード部であるリード端子の表面に、銅
メッキ層を形成し、該銅メッキ層上に、半田メッキ層を
形成しているので、銅メッキ層がリード端子の酸化を防
止するとともに、半田メッキ層との密着力を高めて、半
田メッキの剥がれを防止できる。
【0009】さらに、上記銅および半田メッキ層の形成
後に、リードフレームのインナーリード部に樹脂モール
ドするので、該樹脂モールド後にメッキ層を形成する際
の、樹脂モールド内へのメッキ液の侵入による電流リー
クの発生や、メッキ層形成時に発生する熱による樹脂モ
ールドの変形を招くことが無いのである。
【0010】
【実施例】以下、本発明の電子部品の一実施例を、トラ
ンジスタを例にとり、図1〜図3を参照しつつ説明す
る。図1および図2は、本発明のトランジスタを製造す
る際に用いる、リードフレームの要部平面図およびX−
X視断面図である。
【0011】このリードフレーム1は、鉄からなる帯状
のものであり、図3に示すように、その長手方向に沿っ
て中央の所定幅を残してポリエステル樹脂からなるテー
プ1aを貼り付け、この状態で銅からなるメッキ液に浸
積して、リードフレーム1上のテープ1aを貼り付けて
いない領域A(以下インナーリード部と称す)に銅メッ
キ層2を形成し(図3(a)参照)、次いで、銀からな
るメッキ液に浸積して、上記銅メッキ層2上に銀メッキ
層3を形成した後に(図3(b)参照)、プレス成形装
置により、テープ1aを貼り付けた状態のリードフレー
ム1を、図1に示すような形状に打ち抜き加工し、さら
に、上記テープ1aを剥離し、上記銀メッキ層3上にポ
リエステル樹脂からなるテープ1bを貼り付けた状態
で、銅からなるメッキ液に浸積することにより、リード
フレーム1上のテープ1bを貼り付けていない領域B
(以下アウターリード部と称す)に銅メッキ層4を形成
し(図3(c)参照)、さらに、この状態で半田からな
るメッキ液に浸積することにより、上記銅メッキ層4上
に半田メッキ層5を形成して(図3(d)参照)なるも
のである。
【0012】後述するように、インナーリード部Aに
は、半導体素子が搭載され、その後にこれを密封すべく
樹脂モールド部が形成され、また、アウターリード部B
には、樹脂モールド部より露出することとなるリード端
子1aが形成されており、リードフレーム1から分離し
た個々の電子部品を実装基板上に実装する際に、このリ
ード端子が実装基板上の配線パターンに接続されるので
ある。
【0013】このように、樹脂モールド部より露出する
こととなるリード端子1c表面に、下層として銅メッキ
層4、上層として半田メッキ層5をそれぞれ形成してい
るので、銅メッキ層4がリード端子1cの酸化を防止す
るとともに、半田メッキ層5との密着力を高めて、半田
メッキの剥がれを防止しているのである。このような構
成を有するリードフレーム1を用いたトランジスタは、
次のように製造される。
【0014】まず、リードフレーム1におけるインナー
リード部Aに、ボンディング方法により、リードフレー
ム1の長手方向に沿って、半導体素子を搭載し、この半
導体素子と、これを外部に電気的に接続するリード端子
1aとを、ワイヤーボンディング方法により、金線を介
して接続する。そして、リードフレーム1におけるイン
ナーリード部Aを、従来の樹脂モールド成形方法を用い
て、エポキシ樹脂からなる溶融樹脂により、半導体素子
および金線を覆うように、樹脂モールド部6を成形した
後に、プレス打ち抜き加工により、リードフレーム1か
ら個別にトランジスタを分離して製造されるのである。
【0015】このように、リードフレーム1におけるア
ウターリード部Bに銅メッキ層4および半田メッキ層5
を形成した後に、リードフレームのインナーリード部A
に樹脂モールド部6を成形するので、仮に該樹脂モール
ド部6の成形後にメッキ層を形成した場合に、樹脂モー
ルド部6内へのメッキ液の侵入により発生する電流リー
クや、上記メッキ層形成時に発生する熱により樹脂モー
ルド部6の変形を招くことが無いのである。
【0016】本実施例においては、リードフレーム1上
に各メッキ層を形成する際に、メッキ層を形成しない部
分にテープを貼り付け、リードフレーム全体をメッキ液
内に浸積してメッキ層を形成する、いわゆるストライプ
メッキ方法が使用されているが、これに限定するもので
なく、部分浸積メッキ等のメッキ方法を使用してもよ
い。
【0017】また、本実施例においては、リードフレー
ム1の材質として鉄を使用しているが、これに限定する
ものでなく、4−2アロイ合金等を用いることができ
る。さらに、本実施例におけるリードフレーム1のイン
ナーリード部Bには、銅メッキ層を形成した後に、この
銅メッキ層上に半導体素子との導電性の優れた銀メッキ
層を形成しているが、これに限定するものでない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子部品に用いるリードフレームを示
す要部平面図である。
【図2】本発明の電子部品に用いるリードフレームを示
すX−X視断面図である。
【図3】本発明の電子部品に用いるリードフレームの製
造過程を説明する説明図である。
【図4】従来の電子部品の、リードフレームに接続され
た状態を説明する概略図である。
【符号の説明】
1 リードフレーム 2 銅メッキ層 3 銀メッキ層 4 銅メッキ層 5 半田メッキ層 6 樹脂モールド部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 樹脂モールド部と、該樹脂モールド部よ
    り突出したリード端子と、を備えてなる電子部品におい
    て、 前記リード端子の表面を、下層に銅メッキ、上層に半田
    メッキで被覆したことを特徴とする電子部品。
  2. 【請求項2】 リードフレームのアウターリード部に、
    銅メッキ層を形成し、該銅メッキ層上に、半田メッキ層
    を形成した後に、前記リードフレームのインナーリード
    部を樹脂モールドしてなる電子部品の製造方法。
JP6020850A 1994-02-18 1994-02-18 電子部品およびその製造方法 Pending JPH07231060A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6020850A JPH07231060A (ja) 1994-02-18 1994-02-18 電子部品およびその製造方法
KR1019950001498A KR950034723A (ko) 1994-02-18 1995-01-27 전자부품 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6020850A JPH07231060A (ja) 1994-02-18 1994-02-18 電子部品およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07231060A true JPH07231060A (ja) 1995-08-29

Family

ID=12038576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6020850A Pending JPH07231060A (ja) 1994-02-18 1994-02-18 電子部品およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH07231060A (ja)
KR (1) KR950034723A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11011476B2 (en) 2018-03-12 2021-05-18 Stmicroelectronics International N.V. Lead frame surface finishing
US11735512B2 (en) 2018-12-31 2023-08-22 Stmicroelectronics International N.V. Leadframe with a metal oxide coating and method of forming the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11011476B2 (en) 2018-03-12 2021-05-18 Stmicroelectronics International N.V. Lead frame surface finishing
US11756899B2 (en) 2018-03-12 2023-09-12 Stmicroelectronics S.R.L. Lead frame surface finishing
US11735512B2 (en) 2018-12-31 2023-08-22 Stmicroelectronics International N.V. Leadframe with a metal oxide coating and method of forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR950034723A (ko) 1995-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2552822B2 (ja) 半導体パッケージおよびその製造方法
EP0459493B1 (en) A semiconductor device comprising a TAB tape and its manufacturing method
JP3710633B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH05129473A (ja) 樹脂封止表面実装型半導体装置
KR100304754B1 (ko) 밀봉수지부내에방열판을내장한반도체패키지및그제조방법
US4969257A (en) Transfer sheet and process for making a circuit substrate
US4590672A (en) Package for electronic device and method for producing same
JP3137323B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2936769B2 (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPS59161850A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム
JPH07231060A (ja) 電子部品およびその製造方法
JP2000114295A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20030093075A (ko) 테이프 구조체와 그 제조 방법
JPH0936155A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03185754A (ja) 半導体装置
JPS634945B2 (ja)
KR19990082808A (ko) 반도체칩이실장되는캐리어테이프및반도체장치
KR100215112B1 (ko) 반도체 팩키지
JP2603100B2 (ja) 電子部品塔載用基板の製造方法
JPH0758246A (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH03225944A (ja) 半導体装置
JPS6148953A (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
JPH08213540A (ja) リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2001156233A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5910753Y2 (ja) 半導体装置