JPS59175754A - 集積回路用リ−ドフレ−ム - Google Patents
集積回路用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS59175754A JPS59175754A JP5074583A JP5074583A JPS59175754A JP S59175754 A JPS59175754 A JP S59175754A JP 5074583 A JP5074583 A JP 5074583A JP 5074583 A JP5074583 A JP 5074583A JP S59175754 A JPS59175754 A JP S59175754A
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- Japan
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- lead frame
- lead
- thickness
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高信頼性の果績回路を経済的にうるためのリー
ドフレームの改良に関するものである。
ドフレームの改良に関するものである。
半導体集積回路（以下ＩＣと称する）は通常Ｓｔなどの
ベレットをリードフレームと称される金属基体上にマウ
イトして外部回路と導通を可能とすると共にプラスチッ
クなどにてモールドし封止して保睦した型で使用さ、！
１．る。レノンモールドＤＩＰ（Ｄｕａｌ−ｉｎ−１ｉ
ｎｅ ）はその代表であり最も大量に使用されている。
ベレットをリードフレームと称される金属基体上にマウ
イトして外部回路と導通を可能とすると共にプラスチッ
クなどにてモールドし封止して保睦した型で使用さ、！
１．る。レノンモールドＤＩＰ（Ｄｕａｌ−ｉｎ−１ｉ
ｎｅ ）はその代表であり最も大量に使用されている。
第１図はリードフレームの１例を示すものであシ、１は
ベレットをマウントする。タブ部、２は被レッド上の＠
、極とＡｕ 、 ｋｌなどの細線で接続されるリードの
インナーリード或はワイヤボンド部、３はタブリード、
４はレジンの流出を防止するダイパー、５はプリント基
板などの外部回路に挿入されるアフターリード部である
。上部タブ部とインナーリード部は少なくともＡ・ｕメ
ッキされベレットのＡｕ −Ｓｉ共晶鍬伺けやＡｕｍワ
イヤがンドの実施を可能にしていたか、Ａｕは高価なた
めこれに替えてＡｇを全面或は上記部分にメッキを施す
ことが普及されている。父上記共晶鑞付けに替えて高ｐ
ｂ半田やＡｇペーストによる接着が経済的な点から実施
されている。然しＡｇメッキを施すことはＩＣの実用上
においてマグレーションをおこし易いものであった。又
レジンは一般に吸湿性であシ且つ微量ながらイオン性物
質を含有するため直流印加で一種の電解所謂マグレーシ
ョンがおこり、リード間、リードとタブ間で短絡障害を
おこす。特にモールド外のリード部にＡｇが残っだ鴨合
、マイグレーションし易いためモールド後Ａｇを剥離す
るための余分の工程が必要であシ、且つ外部リードの半
田付けや半田メッキを特に入念に行うことが広〈実施さ
れているが、ｌ記しジンの特性上これを皆無にでき々い
現状である。他方近時Ａｇメッキを略して非メッキのリ
ードフレームに直接ボンディング線を溶接するダイレク
トボンディングが導入されようとしている。但しＣｕな
どの金属は大気中で酸化され易く均質なボンディングを
うろことが出来ない。
ベレットをマウントする。タブ部、２は被レッド上の＠
、極とＡｕ 、 ｋｌなどの細線で接続されるリードの
インナーリード或はワイヤボンド部、３はタブリード、
４はレジンの流出を防止するダイパー、５はプリント基
板などの外部回路に挿入されるアフターリード部である
。上部タブ部とインナーリード部は少なくともＡ・ｕメ
ッキされベレットのＡｕ −Ｓｉ共晶鍬伺けやＡｕｍワ
イヤがンドの実施を可能にしていたか、Ａｕは高価なた
めこれに替えてＡｇを全面或は上記部分にメッキを施す
ことが普及されている。父上記共晶鑞付けに替えて高ｐ
ｂ半田やＡｇペーストによる接着が経済的な点から実施
されている。然しＡｇメッキを施すことはＩＣの実用上
においてマグレーションをおこし易いものであった。又
レジンは一般に吸湿性であシ且つ微量ながらイオン性物
質を含有するため直流印加で一種の電解所謂マグレーシ
ョンがおこり、リード間、リードとタブ間で短絡障害を
おこす。特にモールド外のリード部にＡｇが残っだ鴨合
、マイグレーションし易いためモールド後Ａｇを剥離す
るための余分の工程が必要であシ、且つ外部リードの半
田付けや半田メッキを特に入念に行うことが広〈実施さ
れているが、ｌ記しジンの特性上これを皆無にでき々い
現状である。他方近時Ａｇメッキを略して非メッキのリ
ードフレームに直接ボンディング線を溶接するダイレク
トボンディングが導入されようとしている。但しＣｕな
どの金属は大気中で酸化され易く均質なボンディングを
うろことが出来ない。
又リードフレーム用素材としてはコバールやＦｅ−Ｎｉ
合金条が使用されているが、経済性と共に高導電性及び
伝導性の要求からＣｕ合金或は一部鋼、Ｆｅ合金が使用
され、特にＣｕ合金は強度を改善するため高集積化に伴
って不可欠な材料になシつつある。この合金より帯条体
にするにはプレスやエツチングによってＴａ１ｌ ｋの
リードフレームに成型され集積回路に組込まれ１いる。
合金条が使用されているが、経済性と共に高導電性及び
伝導性の要求からＣｕ合金或は一部鋼、Ｆｅ合金が使用
され、特にＣｕ合金は強度を改善するため高集積化に伴
って不可欠な材料になシつつある。この合金より帯条体
にするにはプレスやエツチングによってＴａ１ｌ ｋの
リードフレームに成型され集積回路に組込まれ１いる。
なおリードフ１／−ム用銅合金としてＩｄ Ｃｕ −Ｓ
ｎ ＋Ｃｕ −Ｆｅ ｒ Ｃｕ−８ｎ−Ｎｉなどがあげ
られる。
ｎ ＋Ｃｕ −Ｆｅ ｒ Ｃｕ−８ｎ−Ｎｉなどがあげ
られる。
本発明はかかる現状に鑑み鋭意イム１死を行った結果、
高品質のＩＣを高生派性並に経済的に製造しうるリード
フレーム、特にレノンモールドに最適なリードフレーム
を見出したものである。
高品質のＩＣを高生派性並に経済的に製造しうるリード
フレーム、特にレノンモールドに最適なリードフレーム
を見出したものである。
即ち本発明は金属条体の全面に０１〜２０μのＳｎ又は
Ｓｎ合金を被覆し、これを所定の形に成型した集積回路
用リードフレームである。
Ｓｎ合金を被覆し、これを所定の形に成型した集積回路
用リードフレームである。
本発明において金属条体とはＣｕ −０，３Ｓｎ 。
リン青銅なとのＣｕ −Ｓｎ系、Ｃｕ −Ｆｅ −Ｐ（
ＣＤＡ １９４ ） 、 Ｃｕ −Ｆｅ −Ｃｏ −Ｐ
（ＣＤＡ１９５）＆とのＣＬＩ −Ｆｅ系、Ｃｕ −
７Ｎｉ −２Ｓｎ（ＣＤＡ ７２５ ）などのＣｕ −
Ｎｉ系のＣｕ合金が好んで使用される。
ＣＤＡ １９４ ） 、 Ｃｕ −Ｆｅ −Ｃｏ −Ｐ
（ＣＤＡ１９５）＆とのＣＬＩ −Ｆｅ系、Ｃｕ −
７Ｎｉ −２Ｓｎ（ＣＤＡ ７２５ ）などのＣｕ −
Ｎｉ系のＣｕ合金が好んで使用される。
又金属条に被覆するＳｎ又はＳｎ合金ば５ｎ−Ｐｂ 。
Ｓｎ −Ｓｂ 、 Ｓｎ −Ｂｉ 、 Ｓｎ −Ｉｎ
、 Ｓｎ −Ａｇなどテアシ、電気メッキ、リフロー電
気メッキ、ホットディ、ｆなどによシ行うものであシ、
巾広の帝売体例えば２００〜５００ｍｍに上記Ｓｎ、Ｓ
ｎ合金を被少し、所望の条巾例えば２５〜５０ｍｍにス
リッティングする。彦おスリッティングした後Ｓｎ又Ｓ
ｎ合金を被覆することは経済的でなく且つ変型や損傷の
原因となシ易いと共にＳｎ被覆の均質１つ：に劣るため
好ましくない。
、 Ｓｎ −Ａｇなどテアシ、電気メッキ、リフロー電
気メッキ、ホットディ、ｆなどによシ行うものであシ、
巾広の帝売体例えば２００〜５００ｍｍに上記Ｓｎ、Ｓ
ｎ合金を被少し、所望の条巾例えば２５〜５０ｍｍにス
リッティングする。彦おスリッティングした後Ｓｎ又Ｓ
ｎ合金を被覆することは経済的でなく且つ変型や損傷の
原因となシ易いと共にＳｎ被覆の均質１つ：に劣るため
好ましくない。
本発明は金属帯条体にＳｎ又１ｄｓｎ合金を被覆するこ
とによシ次の如き効果を発揮する。
とによシ次の如き効果を発揮する。
（１） Ｓｎ又はＳｎ合金はＣｕ又はＦｅに比して著
しく耐食性に優れ且つカブ部やインナーリード部にＡｇ
などをメッキすることが容易である。
しく耐食性に優れ且つカブ部やインナーリード部にＡｇ
などをメッキすることが容易である。
（２） Ｓｎ被覆表面は半田濡れ性が良好であるため
、Ａｇなどの高価々金属を用い且つ複雑外部分メッキ工
程を行う必要がない。なおＳｎ又はＳｎ合金表面の半田
接合性はＣｕよυも格段によく又Ａｇと同等以上である
ことは、特に不活性フラックス、ノーフラックス条件で
明らかである。
、Ａｇなどの高価々金属を用い且つ複雑外部分メッキ工
程を行う必要がない。なおＳｎ又はＳｎ合金表面の半田
接合性はＣｕよυも格段によく又Ａｇと同等以上である
ことは、特に不活性フラックス、ノーフラックス条件で
明らかである。
又、Ｓｎ層向は耐酸化性を肩するため還元性ガスの使用
を節減出来ると同時にタブリグ１の酸化の危険がない。
を節減出来ると同時にタブリグ１の酸化の危険がない。
このことはＡｕ 、 Ａｇの＋３１Ｓ分メッキでは非メ
ッキ部分の保睦に十分に配慮をする必要がある点から明
らかである。
ッキ部分の保睦に十分に配慮をする必要がある点から明
らかである。
（′１） アウターリード部は予備半田付は或はメッ
キされるが、これを容易Ｖこ且つ迅速に行うことが出来
ると共に熱影響による電子本体の劣化を防止できる。
キされるが、これを容易Ｖこ且つ迅速に行うことが出来
ると共に熱影響による電子本体の劣化を防止できる。
（４） ＩＣの実使用においてマイグレーションを制御
することができる。１）１１記の如く不発明ではＡｇを
必ずしも必要とし々いが、例えばＳｎ又はＳｎ合金を被
覆しその上にＡｇをメッキした場合でもＡｇのマイグレ
ーションが着しく制御される。
することができる。１）１１記の如く不発明ではＡｇを
必ずしも必要とし々いが、例えばＳｎ又はＳｎ合金を被
覆しその上にＡｇをメッキした場合でもＡｇのマイグレ
ーションが着しく制御される。
本発明方法においてＳｎ又はＳｎ合金の被榎層の厚みを
０１〜２μに限定した理由は０１μ未満では前記の保護
作用が不充分であり、又２μを超えるとワイヤビンディ
ング条件を不安定住し接合強度を低下せしめるはかりで
なく、プレス工程においてＳｎ層かプレスパリとして剥
離し、高密リードフレーム内のリード同志とタブ部との
短絡をおこし易くなる。
０１〜２μに限定した理由は０１μ未満では前記の保護
作用が不充分であり、又２μを超えるとワイヤビンディ
ング条件を不安定住し接合強度を低下せしめるはかりで
なく、プレス工程においてＳｎ層かプレスパリとして剥
離し、高密リードフレーム内のリード同志とタブ部との
短絡をおこし易くなる。
本発明方法は金属帯条体の全面にＳｎ又１ｄｓｎ合金を
級覆することによシ上記の如き効果を発揮するものであ
り、リードフレーム成型後にＳｎ又Ｓｎ合金をその全面
にメッキ被覆することは煩雑な工程を必要とすると共に
精密に成型されたリードフレームの変型をまねき且つ均
質々被覆を行うことが出来ない。ｆｆ１４ちエツゾや先
端部に電流が集中して不拘−ガメッキ厚のものを成形す
るばかシでなくメッキ時の内部応力でＳｎウィスカーを
発生し回路短絡となυ易い。
級覆することによシ上記の如き効果を発揮するものであ
り、リードフレーム成型後にＳｎ又Ｓｎ合金をその全面
にメッキ被覆することは煩雑な工程を必要とすると共に
精密に成型されたリードフレームの変型をまねき且つ均
質々被覆を行うことが出来ない。ｆｆ１４ちエツゾや先
端部に電流が集中して不拘−ガメッキ厚のものを成形す
るばかシでなくメッキ時の内部応力でＳｎウィスカーを
発生し回路短絡となυ易い。
又本発明方法においてリード部やタブ部の端印、
面に基材金属がｒても実用上支障はない。前記の如くイ
ンナーリード及びアウターリードは何れも表面において
冶金的或は電気的に接続され、且つ多くはレジンモール
ド或は予備半田側けがなされるためである。又タブやイ
ンナーリードのＡｕ ｌ Ａｇメッキの必要々場合も近
時その表面のみに優先してメッキする方法が実用され、
例え端面に一部Ａｇメッキしても、その面積、距離は小
さく前記のＳｎのカソード防食的作用に保獲される。
ンナーリード及びアウターリードは何れも表面において
冶金的或は電気的に接続され、且つ多くはレジンモール
ド或は予備半田側けがなされるためである。又タブやイ
ンナーリードのＡｕ ｌ Ａｇメッキの必要々場合も近
時その表面のみに優先してメッキする方法が実用され、
例え端面に一部Ａｇメッキしても、その面積、距離は小
さく前記のＳｎのカソード防食的作用に保獲される。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例（１）
Ｃｕ−２，３％、Ｆｅ−０，０５９ｆｔ’Ｐ合金条（厚
さ０３２間、巾２５４朋）を常法によシ′亀解脱脂、酸
洗いを行い、ナエロスクン浴にて０９μのＳｎメッキを
行った。次いでＬＰＧガス炎中を通過せしめ直接氷冷し
て元押なリブ−メッキを施した後、これを巾５０ｍｒｎ
にスリッティングを行って本発明リードフレーム素材を
得た。
さ０３２間、巾２５４朋）を常法によシ′亀解脱脂、酸
洗いを行い、ナエロスクン浴にて０９μのＳｎメッキを
行った。次いでＬＰＧガス炎中を通過せしめ直接氷冷し
て元押なリブ−メッキを施した後、これを巾５０ｍｒｎ
にスリッティングを行って本発明リードフレーム素材を
得た。
又、比較のためＳｎメッキを行ない前記合金条について
同様の工程によシ従来リードフレーム素材を得た。
同様の工程によシ従来リードフレーム素材を得た。
これらのリードフレーム素材を夫々シャン什銀浴中で２
５μのＡｇメッキを施したものの１組（５０ｍｙｘＸ
２０ｍｍ ）を定性Ｆ紙上に１０ｍｍの間隔で平行に載
置し、ナイロン製治具にて圧着し、８０℃、相対湿度９
０％の恒温槽中にて保持し１００ｖの直流を印加してＡ
ｇマイグレーションを比較測定した。即ち、カソード電
極側から沢紙上をデンドライト状のＡｇが発達するが２
４Ｈｒ後その長さを測定したものである。その結果、本
発明品は１〜２朋、従来品は７〜８ ｍｍであった。更
に、第１表に示す熱処理を施したものにつき４８Ｈｒ後
の成長を測定した。
５μのＡｇメッキを施したものの１組（５０ｍｙｘＸ
２０ｍｍ ）を定性Ｆ紙上に１０ｍｍの間隔で平行に載
置し、ナイロン製治具にて圧着し、８０℃、相対湿度９
０％の恒温槽中にて保持し１００ｖの直流を印加してＡ
ｇマイグレーションを比較測定した。即ち、カソード電
極側から沢紙上をデンドライト状のＡｇが発達するが２
４Ｈｒ後その長さを測定したものである。その結果、本
発明品は１〜２朋、従来品は７〜８ ｍｍであった。更
に、第１表に示す熱処理を施したものにつき４８Ｈｒ後
の成長を測定した。
第１表
熱処理なし ４〜５ ｍｌπ
２００℃Ｘ １０ｍｍ、 ２〜２．５＋１＋ｍ３００
℃Ｘ１ｍｍ １〜２ ｍｕ 上表から明らかの如（Ｓｎメッキ層を設けることによっ
て大巾にマイグレーションを抑制しうると共に加熱処理
によって更に激減５するものである。
℃Ｘ１ｍｍ １〜２ ｍｕ 上表から明らかの如（Ｓｎメッキ層を設けることによっ
て大巾にマイグレーションを抑制しうると共に加熱処理
によって更に激減５するものである。
又、本発明り一ドフレーム累拐を用いてベレット半田付
は性を試験した。即ち、本発明リードフレーム素材と従
来リードフレームＸ＝［及びこれらのリードフレームに
夫々Ａｇ ２．５ ｌｔメッキを力ｌＩｉシフ社４柾炙
１１の試料につき室内に２週１間放置したものい）、１
５０℃×５時間大気中で処理し／こもの（Ｂ）、４００
℃×５分間大気中で処理したもの（Ｃ）について夫々９
５ ％ Ｓｎ −５茅ｐｂ牛田浴（３３０℃）中に５秒
浸漬して６ＩＪれ面積を計ｊ定した。その結果は第２表
に示す通シである。
は性を試験した。即ち、本発明リードフレーム素材と従
来リードフレームＸ＝［及びこれらのリードフレームに
夫々Ａｇ ２．５ ｌｔメッキを力ｌＩｉシフ社４柾炙
１１の試料につき室内に２週１間放置したものい）、１
５０℃×５時間大気中で処理し／こもの（Ｂ）、４００
℃×５分間大気中で処理したもの（Ｃ）について夫々９
５ ％ Ｓｎ −５茅ｐｂ牛田浴（３３０℃）中に５秒
浸漬して６ＩＪれ面積を計ｊ定した。その結果は第２表
に示す通シである。
々お、この試験は成型リードフレームの保存、ボンディ
ング、ベレット半田側は工程における表面酸化の度合を
試みるためである。
ング、ベレット半田側は工程における表面酸化の度合を
試みるためである。
上衣よ）明らかの如く本発明リードフレームは何れの条
件においても良好な半田側は牲を示した。
件においても良好な半田側は牲を示した。
次いで、扁２及び扁４の試料につき４５０℃×５分間水
素炉中で加熱し、その表ｍ４を１００千ざにて検鏡した
ところ扁２の試料にプリスカ−が観察され九これは素材
特有の現象であシＦ ｅ ｘＰ ｙの析出粒部に起因す
るものである。これに対し扁４の試料は濡れ性に優れた
りフローＳｎにより前記粒を金属化できるのでＡｇメッ
キで完全に密着できた。
素炉中で加熱し、その表ｍ４を１００千ざにて検鏡した
ところ扁２の試料にプリスカ−が観察され九これは素材
特有の現象であシＦ ｅ ｘＰ ｙの析出粒部に起因す
るものである。これに対し扁４の試料は濡れ性に優れた
りフローＳｎにより前記粒を金属化できるのでＡｇメッ
キで完全に密着できた。
実施例（２）
Ｃｕ −０，１５Ｓｎ条（０，４２ｍｙｎｔ）を用い、
第３表に示すホウフッ化浴にて柚々の厚みを有する光沢
メッキを行った。
第３表に示すホウフッ化浴にて柚々の厚みを有する光沢
メッキを行った。
第３表
Ｓ ｎ （Ｂ Ｆ ４）２ ２００
ｇ／ＡＰｂ（ＢＦ４）２１０ ｒｒ ＨＢＦｅ ２４０ ｐ Ｉｆ３ＢＯ５３５ｔｔ ＵＴＢ Ａｌ ２５ＣＣ／ＡＵＴＢ Ａ
２ ５Ｏｎ ホルマリン １０ Ｎ ５０ Ａ７’ｄｍ２ １５ ℃ これらの試料（Ｘ）（Ｓｎメッキ厚０．５〜５ｏ、μ〕
につき１５０℃×５時間大気中にて処理したものを前記
と同様の半田浴中に浸漬して半田ρ、ｉｔ＋。
ｇ／ＡＰｂ（ＢＦ４）２１０ ｒｒ ＨＢＦｅ ２４０ ｐ Ｉｆ３ＢＯ５３５ｔｔ ＵＴＢ Ａｌ ２５ＣＣ／ＡＵＴＢ Ａ
２ ５Ｏｎ ホルマリン １０ Ｎ ５０ Ａ７’ｄｍ２ １５ ℃ これらの試料（Ｘ）（Ｓｎメッキ厚０．５〜５ｏ、μ〕
につき１５０℃×５時間大気中にて処理したものを前記
と同様の半田浴中に浸漬して半田ρ、ｉｔ＋。
性を測定した・
又、これらの試料（Ｘ）に２５μφＡｕ 細線をプレ
ート温度１６０℃、ボンディング圧力４５ｇｒの条件で
超音波溶接したものについて２０回の平均引張強度を測
定した。
ート温度１６０℃、ボンディング圧力４５ｇｒの条件で
超音波溶接したものについて２０回の平均引張強度を測
定した。
又、上記試料（３）に２５μのＡｇをメッキしたものを
同様の熱処理を行った後、前記に示すマイグレーション
試験を行った。
同様の熱処理を行った後、前記に示すマイグレーション
試験を行った。
これらの結果は第４表に示す通シである。
第４表
上表よシ明らかの如く半田付は性、マイグレーション及
びボンディングの特性において優れた値を示すためのＳ
ｎメッキ厚は０．１〜２．０μであることが実証された
。
びボンディングの特性において優れた値を示すためのＳ
ｎメッキ厚は０．１〜２．０μであることが実証された
。
本発明方法によれば優れた特性を有するリードフレーム
を容易にうるだめＩＣの生産性及び品質を飛躍的に向上
しうる等工業的に極めて有用である。
を容易にうるだめＩＣの生産性及び品質を飛躍的に向上
しうる等工業的に極めて有用である。
図面はリードフレーム成型品の平面図である。
１・・・タブ部、２・・・インナリード部、３・・タブ
リード、４・・・ダイパー、５・・・アフターリード部
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−３０、
リード、４・・・ダイパー、５・・・アフターリード部
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−３０、
Claims (2)
- （１）生導体年積回路を外部回路に導通して実装するに
供されるリードフレームにおいて、金属帯条体の全面に
予め０１〜２０μ厚のＳｎ又はＳｎ合金を被覆し、これ
を用いて所定の形状に成型したことを特徴とする集積回
路用リードフレーム。 - （２） 金属弗条体としてＣｕ又はＣｕ合金を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ｍｌ’、’載の
集積回路用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5074583A JPS59175754A (ja) | 1983-03-26 | 1983-03-26 | 集積回路用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5074583A JPS59175754A (ja) | 1983-03-26 | 1983-03-26 | 集積回路用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175754A true JPS59175754A (ja) | 1984-10-04 |
Family
ID=12867373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5074583A Pending JPS59175754A (ja) | 1983-03-26 | 1983-03-26 | 集積回路用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175754A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017117840A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51139285A (en) * | 1975-05-28 | 1976-12-01 | Hitachi Ltd | Method of altering articles by master slice system |
| JPS5211865A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-29 | Allegheny Ludlum Ind Inc | Metal strips for lead frame and method of the same |
| JPS5481777A (en) * | 1977-12-13 | 1979-06-29 | Nippon Gakki Seizo Kk | Lead frame structure with intermediate layer |
| JPS54129976A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-08 | Nippon Gakki Seizo Kk | Ic lead frame |
| JPS56112496A (en) * | 1980-02-05 | 1981-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | Plating method |
-
1983
- 1983-03-26 JP JP5074583A patent/JPS59175754A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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