JPS607161A - ニツケル・鉄合金のｉｃ用リ−ドフレ−ムに半田性およびボンデイング性を付与する方法 - Google Patents
ニツケル・鉄合金のｉｃ用リ−ドフレ−ムに半田性およびボンデイング性を付与する方法Info
- Publication number
- JPS607161A JPS607161A JP59045397A JP4539784A JPS607161A JP S607161 A JPS607161 A JP S607161A JP 59045397 A JP59045397 A JP 59045397A JP 4539784 A JP4539784 A JP 4539784A JP S607161 A JPS607161 A JP S607161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- lead frame
- alloy
- acid
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/85464—Palladium (Pd) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ニッケル４２％を含むニッケル・鉄合金（俗称４２７０
イ）は、膨張系数が低い特性から、古くより真空管の部
材としてガラスとの組合せに使用されていた電子材料で
あシ、現在ではＩＣ用リードフレーム材として銅合金と
並ぶ主要な材料である。しかし、激増する電子材料の需
要は性能と作業性の向上に加えて、コストの低（２） 減が最大の目標となっている。
イ）は、膨張系数が低い特性から、古くより真空管の部
材としてガラスとの組合せに使用されていた電子材料で
あシ、現在ではＩＣ用リードフレーム材として銅合金と
並ぶ主要な材料である。しかし、激増する電子材料の需
要は性能と作業性の向上に加えて、コストの低（２） 減が最大の目標となっている。
集積回路の材料として使用された初期の４２アロイのＩ
Ｃ用リードフレームは全面にＡｕまたはＡｇが１μｍ＝
３μｍ程度メッキされていだが、使用量の激増と貴金属
の高騰に伴い、これがＡｇの全面メッキと々す、次にＡ
ｇの縞状部分メッキに変わり、現在の大勢は、チップの
接着とワイヤーボンディングのだめの部分のみにＡｇな
どのスポットメッキを２μｍ＝、３μｍ施しコストの低
減を計る手段が講じられている。リードフレーム表面の
具備すべき必須要件は、チップの接着とワイヤーボンデ
ィングが可能であり、樹脂のモールディングが容易で、
かつ、ピン部分に半田性を付与してい々ければならない
。
Ｃ用リードフレームは全面にＡｕまたはＡｇが１μｍ＝
３μｍ程度メッキされていだが、使用量の激増と貴金属
の高騰に伴い、これがＡｇの全面メッキと々す、次にＡ
ｇの縞状部分メッキに変わり、現在の大勢は、チップの
接着とワイヤーボンディングのだめの部分のみにＡｇな
どのスポットメッキを２μｍ＝、３μｍ施しコストの低
減を計る手段が講じられている。リードフレーム表面の
具備すべき必須要件は、チップの接着とワイヤーボンデ
ィングが可能であり、樹脂のモールディングが容易で、
かつ、ピン部分に半田性を付与してい々ければならない
。
このため、従来、４２アロイのＩＣ用リードフレーム材
では、３０ｃｒｆＬ程度に切断し、た短冊形の材料にチ
ップ接着部とワイヤーポンディング部のみに、コスト低
減のため、主としてＡｇのスポットメッキを施している
。
では、３０ｃｒｆＬ程度に切断し、た短冊形の材料にチ
ップ接着部とワイヤーポンディング部のみに、コスト低
減のため、主としてＡｇのスポットメッキを施している
。
また、打抜加工された４２アロイのフープ材（３）
も前記短冊形のＩＣ用リードフレームと同様、部分的に
Ａｇなどのスポットメッキが行なわれているが、ＩＣ用
リードフレームに必要々ピン部分の半田性が劣っている
。
Ａｇなどのスポットメッキが行なわれているが、ＩＣ用
リードフレームに必要々ピン部分の半田性が劣っている
。
すなわち、ピン部分は金属素地のｉｉまであり、半田性
に貧しく、そのため、ＩＣやＬＳＩの組立後の最終工程
において半田性を付与するため、製品の個々のピンに半
田メッキなどをする必要があり、複雑なメッキ作業によ
るコストアンプは免れ彦い。
に貧しく、そのため、ＩＣやＬＳＩの組立後の最終工程
において半田性を付与するため、製品の個々のピンに半
田メッキなどをする必要があり、複雑なメッキ作業によ
るコストアンプは免れ彦い。
このように短冊形に切断されたＩＣ用リードフレームの
部分メッキは極めて非能率的であって、コストの低減は
困難であり、また、フープ状のものでも部分メッキする
ためには、メッキ装置においてフープ材の間欠送シ方法
などの低速メッキ法が必要であり、コストの低減効果は
部分メッキによるメッキ金属の使用量を少々くする効果
以外には見当らガい。
部分メッキは極めて非能率的であって、コストの低減は
困難であり、また、フープ状のものでも部分メッキする
ためには、メッキ装置においてフープ材の間欠送シ方法
などの低速メッキ法が必要であり、コストの低減効果は
部分メッキによるメッキ金属の使用量を少々くする効果
以外には見当らガい。
また、いずれの方法においても、ビン部分に半田性がな
く、再度半田メッキの必要があり、（４） 集積回路製品の生産性の向上を阻害している。
く、再度半田メッキの必要があり、（４） 集積回路製品の生産性の向上を阻害している。
この発明の発明者は、４２７０イのＩＣ用リードフレー
ムの打抜加工されたフープ材に表面処理を施し、従来の
短冊形の素材およびフープ材の表面処理法と異なり［チ
ップの接着、ワイヤーボンディング、樹脂モールディン
グ、半田性」よりなるＩＣ用リードフレームとしての不
可欠な４つの要素をすべて備えた安価な４２アロイフー
プ材を開発すれば、集積回路製品の組立が能率的であり
、かつ、コストの低減に結びつくものであるとの知見に
基づいて、この発明を完成した。
ムの打抜加工されたフープ材に表面処理を施し、従来の
短冊形の素材およびフープ材の表面処理法と異なり［チ
ップの接着、ワイヤーボンディング、樹脂モールディン
グ、半田性」よりなるＩＣ用リードフレームとしての不
可欠な４つの要素をすべて備えた安価な４２アロイフー
プ材を開発すれば、集積回路製品の組立が能率的であり
、かつ、コストの低減に結びつくものであるとの知見に
基づいて、この発明を完成した。
打抜加工後のリードフレームフープ材に、この発明によ
る表面処理を施す理由は、ピン部分の断面もすべて半田
が可能であり、フープ材に処理したものでは打抜かれた
断面に半田性が欠けるためである。
る表面処理を施す理由は、ピン部分の断面もすべて半田
が可能であり、フープ材に処理したものでは打抜かれた
断面に半田性が欠けるためである。
以上の目的から、経時変化の少ない貴金属を極く微量使
用して、４２アロイリードフレームの具備すべき諸条件
を満たすだめの研究を重ね（５） た結果、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄの単独メッキでは、この発明
の目的に合わないことが判明した。
用して、４２アロイリードフレームの具備すべき諸条件
を満たすだめの研究を重ね（５） た結果、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄの単独メッキでは、この発明
の目的に合わないことが判明した。
すなわち、Ａｕの極薄メッキでは、良好な半田ぬれ性を
示さない、これはＡｕが半田に拡散し、素地の４２７０
イと半田の合金層ができないためである。
示さない、これはＡｕが半田に拡散し、素地の４２７０
イと半田の合金層ができないためである。
まだ、Ａｇは厚づけメッキでは優れた半田性を示すが、
極薄メッキでは半田性が劣り、特にメッキ後７２時間経
過すると、表面酸化のため著しく半田性は低下した。
極薄メッキでは半田性が劣り、特にメッキ後７２時間経
過すると、表面酸化のため著しく半田性は低下した。
Ｐｄの単独極薄メッキも半田性が悪く、リードフレーム
として使用することは困難であることが、これも実験に
より判明した。
として使用することは困難であることが、これも実験に
より判明した。
ところが、４２アロイリードフレームの表面を特殊な前
処理により活性化し、先ずＮｉの薄づけメッキを行ない
、この直後にＡｕ、 Ａｇ 、 Ｐｄおよびこれらの合
金の極薄メッキを施すと、優れた半田性のある表面状態
となり、１００％に近い半田ぬれ性を示す４２アロイリ
ードフレーム材を、長期間にわたる実験研究の結果完成
しく６） た。
処理により活性化し、先ずＮｉの薄づけメッキを行ない
、この直後にＡｕ、 Ａｇ 、 Ｐｄおよびこれらの合
金の極薄メッキを施すと、優れた半田性のある表面状態
となり、１００％に近い半田ぬれ性を示す４２アロイリ
ードフレーム材を、長期間にわたる実験研究の結果完成
しく６） た。
このことは、特殊な前処理後にＮｉの薄づけメッキをす
ると、活性化され素材表面に露出したＮｉ原子に、メッ
キのＮ１が選択的に結合し、その直後にＡ、ｕの極薄メ
ッキを施すと、極めて活性化の強い表面状態のＮｉ［Ａ
ｕが結合し、あたかも、Ｎ１とＡ、ｕが合金化された如
き構造となり、Ｎｉの表面酸化を防ぎ、この上に半田す
ると、半田とＮｉ−Ａｌ１の合金層が容易に、かつ急速
にでき、半田ぬれ性の優れた表面状態と々ることを実験
的に発見した。
ると、活性化され素材表面に露出したＮｉ原子に、メッ
キのＮ１が選択的に結合し、その直後にＡ、ｕの極薄メ
ッキを施すと、極めて活性化の強い表面状態のＮｉ［Ａ
ｕが結合し、あたかも、Ｎ１とＡ、ｕが合金化された如
き構造となり、Ｎｉの表面酸化を防ぎ、この上に半田す
ると、半田とＮｉ−Ａｌ１の合金層が容易に、かつ急速
にでき、半田ぬれ性の優れた表面状態と々ることを実験
的に発見した。
半田ぬれ性の良否は、半田と被半田金属の合金層の生成
の良否に関係するが、半田とＡｕは合金層が急速にでき
、半田とＮ１は合金層ができにくい。
の良否に関係するが、半田とＡｕは合金層が急速にでき
、半田とＮ１は合金層ができにくい。
しかし、この発明の処理工程により、４２アロイの表面
に強固に電着したＮ１と、その直後にメッキしだＡｕと
が結合しているので、この上に半田付けすると、半田は
速やかにＡｕと合金化し、これに伴ってＮ１も合金化す
る優れた（７） 半田性を示すとともに、Ｆｅ上への半田性も次の反応に
より良好な半田付けが可能となった。
に強固に電着したＮ１と、その直後にメッキしだＡｕと
が結合しているので、この上に半田付けすると、半田は
速やかにＡｕと合金化し、これに伴ってＮ１も合金化す
る優れた（７） 半田性を示すとともに、Ｆｅ上への半田性も次の反応に
より良好な半田付けが可能となった。
すなわち、Ｎ１とＦｅの合金である４２アロイのＦｅの
表面は、この発明の処理ではＮｉおよびＡ ＋Ｊの析出
量が微量なので、全部のＦｅがＮｉおよびＡｕで覆われ
ず、Ｆｅ単独でその表面に露出している部分が多い。
表面は、この発明の処理ではＮｉおよびＡ ＋Ｊの析出
量が微量なので、全部のＦｅがＮｉおよびＡｕで覆われ
ず、Ｆｅ単独でその表面に露出している部分が多い。
しかし、ロジン系のフラックスを半田付は作業に使用す
ると、フラックスの主成分はアビエチン酸の酸性であり
、半田は２３０°Ｃ〜２５００Ｃの高温になるため、こ
の高温の雰囲気中で、Ａｕは（−）電荷を帯び、Ｆｅは
アノード（＋）となるので、Ｆｅの表面酸化物は瞬間的
に溶解され清浄化され、半田性の良好な表面状態となり
、半田はＦｅとも容易に合金層を形成し、４２アロイ表
面のＮｉ上へもＦｅ上へも密着性に優れた半田付けが可
能となった。
ると、フラックスの主成分はアビエチン酸の酸性であり
、半田は２３０°Ｃ〜２５００Ｃの高温になるため、こ
の高温の雰囲気中で、Ａｕは（−）電荷を帯び、Ｆｅは
アノード（＋）となるので、Ｆｅの表面酸化物は瞬間的
に溶解され清浄化され、半田性の良好な表面状態となり
、半田はＦｅとも容易に合金層を形成し、４２アロイ表
面のＮｉ上へもＦｅ上へも密着性に優れた半田付けが可
能となった。
従来、４２アロイリードフレームに半田性とワイヤーボ
ンディング性を付与するだめには、Ａｇなどを２〜５μ
ｍ程度厚づけメッキすること（８） が常識となっていたのが、この発明によ！１１ 、Ｎｉ
の薄づけメッキ後のＡｕなどの極薄メッキが、４２７０
イに対する優れた表面処理法であり、従来の一般常識に
反した、予期せざる有効な方法であることを実験的に発
見した。
ンディング性を付与するだめには、Ａｇなどを２〜５μ
ｍ程度厚づけメッキすること（８） が常識となっていたのが、この発明によ！１１ 、Ｎｉ
の薄づけメッキ後のＡｕなどの極薄メッキが、４２７０
イに対する優れた表面処理法であり、従来の一般常識に
反した、予期せざる有効な方法であることを実験的に発
見した。
寸だ、この発明の４２アロイの極薄メッキ表面に対し、
リードフレームの具備すべき最大要件である極細金線の
ワイヤーボンディングも、容易にかつ強固にボンディン
グが可能であるが、その原理は４２アロイの熱伝導性が
低いので、金線先端の溶融部の微小の熱量が素地金属に
吸収拡散し冷却凝固しないので、溶融した金線の先端は
、ＮｉおよびＡｕの極薄メッキ表面に対し瞬間的なボン
ディングが可能となった。
リードフレームの具備すべき最大要件である極細金線の
ワイヤーボンディングも、容易にかつ強固にボンディン
グが可能であるが、その原理は４２アロイの熱伝導性が
低いので、金線先端の溶融部の微小の熱量が素地金属に
吸収拡散し冷却凝固しないので、溶融した金線の先端は
、ＮｉおよびＡｕの極薄メッキ表面に対し瞬間的なボン
ディングが可能となった。
これに反し、リードフレーム材として多用されている熱
伝導性の高い銅合金へのワイヤーボンディングは溶融し
た金の熱が素地に急速に吸収拡散し、冷却して固まるの
で、Ａｕ、 Ａｇ、 Ｓｎ。
伝導性の高い銅合金へのワイヤーボンディングは溶融し
た金の熱が素地に急速に吸収拡散し、冷却して固まるの
で、Ａｕ、 Ａｇ、 Ｓｎ。
５ｎ−Ｐｂなどのボンディング性の良い金属の厚づけメ
ッキを施す必要がある。
ッキを施す必要がある。
（９）
この発明によれば、貴金属を使用するといえども、その
使用量は極く微量であって、製品コストへの影響は少な
く、また、製造方法が打抜加工されたフープ材を高速で
メッキできることから、生産性に優れているため必要な
緒特性のすべてを備えだ４２アロイリードフレームを従
来のスポットメッキ製品より安価に供給することが可能
となった。
使用量は極く微量であって、製品コストへの影響は少な
く、また、製造方法が打抜加工されたフープ材を高速で
メッキできることから、生産性に優れているため必要な
緒特性のすべてを備えだ４２アロイリードフレームを従
来のスポットメッキ製品より安価に供給することが可能
となった。
実施例１
４２９ｆ＋Ｎｉ、 ５７％Ｆｅ （俗称４２アロイ）の
厚さ０．２５＋ｍ＋＋、巾２５．１４ｍｍ、長さ８００
ｍのリードフレーム形に打抜加工されたフープ材を次の
工程■乃至■を経て、Ｎｉフラッジ−メッキを行ない、
その直後にＡｕの極薄メッキを行なった。
厚さ０．２５＋ｍ＋＋、巾２５．１４ｍｍ、長さ８００
ｍのリードフレーム形に打抜加工されたフープ材を次の
工程■乃至■を経て、Ｎｉフラッジ−メッキを行ない、
その直後にＡｕの極薄メッキを行なった。
■アルカリ脱脂工程
市販されているアルカリ脱脂液をステンレス槽中で７０
〜８０℃に加温し、上記リードフレーム材を逐次この槽
中を通過させて一次脱脂を打力い、次に４０〜６０℃の
アルカリ土類金属 浴中でステンレス鋼板を陽極とし、このリードフレーム
材を陰極として６ポルトの電圧を印加して直流電解脱脂
を行なった。
〜８０℃に加温し、上記リードフレーム材を逐次この槽
中を通過させて一次脱脂を打力い、次に４０〜６０℃の
アルカリ土類金属 浴中でステンレス鋼板を陽極とし、このリードフレーム
材を陰極として６ポルトの電圧を印加して直流電解脱脂
を行なった。
■化学研摩工程
続いて、このリードフレーム材を、塩酸（３５チ溶液）
２０容量チ、硫酸（８５チ溶液）１０容量チ、クエン酸
（粉末）１０重量％、酢酸（９０％溶液）１容量チおよ
び硝酸（６８％溶液）５容量係よりなる混酸に、ポリエ
チシノンクリコールアルキルエーテル、ポリエチレング
リコール脂肪酸エステルなどの非イオンまたはアミノ酸
類の両性界面活性剤０２重量％およびアミン系腐食抑制
剤０１重量％を加えた浴中を通過させ、このリードフレ
ーム材表面の酸化物および不純物を除去した。
２０容量チ、硫酸（８５チ溶液）１０容量チ、クエン酸
（粉末）１０重量％、酢酸（９０％溶液）１容量チおよ
び硝酸（６８％溶液）５容量係よりなる混酸に、ポリエ
チシノンクリコールアルキルエーテル、ポリエチレング
リコール脂肪酸エステルなどの非イオンまたはアミノ酸
類の両性界面活性剤０２重量％およびアミン系腐食抑制
剤０１重量％を加えた浴中を通過させ、このリードフレ
ーム材表面の酸化物および不純物を除去した。
■電解活性化工程
燐酸（８５チ溶液）１０容量チ、硫酸
（８５％溶液）１０重量％、クエン酸（粉末）５重量％
、酢酸（９０チ溶液）１重量％に、（１１） 上記と同様の非イオンまたは両性界面活性剤０２重量％
および腐食抑制剤０．１重量％を加えた浴を６０℃に加
温し、リードフレーム材に（−）電流を、チタン白金メ
ツキ板に（＋）電流を通じ４ボルトにセットして浴中を
通過させてリードフレーム材の表面の活性化を行なった
０ ■Ｎｉメッキ工程 硫酸ニッケル３００９／１１．塩化ニッケル４０ ｇ／
ｌ、硼酸３０９／Ｉｔのメッキ浴で、液温５０°Ｃにセ
ットし、リードフレーム材に（−）電流を、ニッケル板
に（＋）電流を通じ、６Ａ／Ｄｒｒ？の電流密度で１５
秒間フラッシュメッキを施しだ。
、酢酸（９０チ溶液）１重量％に、（１１） 上記と同様の非イオンまたは両性界面活性剤０２重量％
および腐食抑制剤０．１重量％を加えた浴を６０℃に加
温し、リードフレーム材に（−）電流を、チタン白金メ
ツキ板に（＋）電流を通じ４ボルトにセットして浴中を
通過させてリードフレーム材の表面の活性化を行なった
０ ■Ｎｉメッキ工程 硫酸ニッケル３００９／１１．塩化ニッケル４０ ｇ／
ｌ、硼酸３０９／Ｉｔのメッキ浴で、液温５０°Ｃにセ
ットし、リードフレーム材に（−）電流を、ニッケル板
に（＋）電流を通じ、６Ａ／Ｄｒｒ？の電流密度で１５
秒間フラッシュメッキを施しだ。
その結果、ステンレス鋼フープ材の両側に約０．０５μ
の厚さのニッケルメッキ層が形成された。なお、このニ
ッケルメッキ層の厚さ００５μについては実測値ではな
く、ニッケルの付着量を面積で除した平均値であり、目
視したところ、ステンレス鋼単体の色調と二（１２） ソケル単体の色調との中間の色調を呈している。
の厚さのニッケルメッキ層が形成された。なお、このニ
ッケルメッキ層の厚さ００５μについては実測値ではな
く、ニッケルの付着量を面積で除した平均値であり、目
視したところ、ステンレス鋼単体の色調と二（１２） ソケル単体の色調との中間の色調を呈している。
■Ａｕメッキ工程
クエン酸１２０ｇ／１１クエン酸ソーダ１２０ ｇ／１
１スルファミン酸ニッケル３０ｇ／７１！、シアン化金
カリ８９／ｌのメッキ浴中で電流密度１ＤＡ／Ｄｒｎ２
〜３Ａ／Ｄｒｎ”（７）範囲でメッキ液温３５℃で、リ
ードフレーム材に（−）電流を、チタン白金メツキ板に
（＋）電流を通じ２秒間Ａｕメッキを行なった。
１スルファミン酸ニッケル３０ｇ／７１！、シアン化金
カリ８９／ｌのメッキ浴中で電流密度１ＤＡ／Ｄｒｎ２
〜３Ａ／Ｄｒｎ”（７）範囲でメッキ液温３５℃で、リ
ードフレーム材に（−）電流を、チタン白金メツキ板に
（＋）電流を通じ２秒間Ａｕメッキを行なった。
その結果、リードフレーム材の両側に
０、 ＯＤ ７μの厚さのＡｕメッキ層が形成され、こ
の発明の４２アロイリードフレーム材が得られた。
の発明の４２アロイリードフレーム材が得られた。
なお、Ａｕメッキ層の厚さ０．００７μについては、実
測値ではなく、Ａｕの付着量を面積で除した平均値であ
り、目視したところ、４２７０イ単体の色調とＡｕ単体
の色調との中間の色調を呈している。
測値ではなく、Ａｕの付着量を面積で除した平均値であ
り、目視したところ、４２７０イ単体の色調とＡｕ単体
の色調との中間の色調を呈している。
実施例２
（１３）
４２アロイの厚さ０．２５ｍ、巾２５．１４胴、長さ７
００ｍのリードフレーム形に打抜加工されたフープ材を
次の工程を■乃至■を経て、該フープ材のＩＣチップを
接着する側のみにＡｕの椿薄メッキを行々った。
００ｍのリードフレーム形に打抜加工されたフープ材を
次の工程を■乃至■を経て、該フープ材のＩＣチップを
接着する側のみにＡｕの椿薄メッキを行々った。
■アルカリ脱脂工程
■化学研摩工程
■電解活性化工程
■Ｎｉメッキ工程
上記工程■乃至■はいずれも実施例１と同様に行なった
。
。
■Ａｕメッキ工程
クエン酸１２０ｇ／ｌ、クエン酸ソーダ１２０ｇ／ｉ！
、スルファミン酸ニッケル３０ｇ／１１．シアン化金カ
リ８ ｇ／ｌのメッキ浴中で、該フープ材の片側にシリ
コンゴム板をメッキ槽に固定し、フープ材をこのシリコ
ンゴム板の上を摺動させ、電流密度１０Ａ／Ｄｒｎ”〜
５Ａ／Ｄｒｎ１１の範囲で、メッキ液温３５℃にセット
し、フープ材に（−）電流を、シリコンゴ（１４） ム板と反対側にチタン白金メツキ板の陽極を設け、これ
に（＋）電流を通じ、３秒間Ａｕメッキ層キなった。
、スルファミン酸ニッケル３０ｇ／１１．シアン化金カ
リ８ ｇ／ｌのメッキ浴中で、該フープ材の片側にシリ
コンゴム板をメッキ槽に固定し、フープ材をこのシリコ
ンゴム板の上を摺動させ、電流密度１０Ａ／Ｄｒｎ”〜
５Ａ／Ｄｒｎ１１の範囲で、メッキ液温３５℃にセット
し、フープ材に（−）電流を、シリコンゴ（１４） ム板と反対側にチタン白金メツキ板の陽極を設け、これ
に（＋）電流を通じ、３秒間Ａｕメッキ層キなった。
その結果、該フープ材の片側に厚さ０００７１１ｍのＡ
ｕメッキが形成され、この発明の４２アロイリードフレ
ーム材が得られた。
ｕメッキが形成され、この発明の４２アロイリードフレ
ーム材が得られた。
なお、Ａｕメッキ層の厚さ０００７μｍについては、実
測値ではガく、Ａｕの付着量を面積で除した平均値であ
り、目視したところ、４２アロイ単体の色調とＡｕ単体
の色調との中間の色調を呈している。
測値ではガく、Ａｕの付着量を面積で除した平均値であ
り、目視したところ、４２アロイ単体の色調とＡｕ単体
の色調との中間の色調を呈している。
実施例３
４２アロイの厚さ０．２５ ｍｍ、巾′５６咽、長さ５
００ｍのリードフレーム形に打抜加工されたフープ材を
次の工程■乃至■を経て、Ａｇの極薄メッキを施した。
００ｍのリードフレーム形に打抜加工されたフープ材を
次の工程■乃至■を経て、Ａｇの極薄メッキを施した。
■アルカリ脱脂工程
■化学研摩工程
■電解活性化工程
■Ｎｉメソメッキ
（１５）
上記工程■乃至■はいずれも実施例１と同様に行なった
。
。
■Ａｇメノメッキ
シアン化銀３重世襲、シアン化銅１５重世襲、シアン化
カリウム６０重世襲のメッキ浴中で液温３０℃にセット
し、４２アロイリードフレーム材に（−）電流を、Ａｇ
板に（＋）電流を通じ、１０Ａ／Ｄｒｎ”の電流密度で
３秒間フラッシュメッキを施しだ。
カリウム６０重世襲のメッキ浴中で液温３０℃にセット
し、４２アロイリードフレーム材に（−）電流を、Ａｇ
板に（＋）電流を通じ、１０Ａ／Ｄｒｎ”の電流密度で
３秒間フラッシュメッキを施しだ。
実施例４
４２アロイの厚さ０．２５ｍｍ、巾２６咽、長さ７００
ｍの打抜加工されたリードフレーム材を、次の工程■乃
至■を経て、Ｎ１フランシュメッキを行々い、その直後
にＰｄの極薄メッキを行なった０ ■アルカリ脱脂工程 ■化学研摩工程 ■電解活性化工程 ■Ｎｉメッキ工程 上記工程はいずれも実施例１と同様に行なっ（１６） たＯ ■ＰｄＰｄメッキ 層ｄのメタル分として１５ｇ／ｌの中性メッキ液で、液
温を４５℃にセントし、チタン白金板に（＋）電流を、
４２アロイリードフレームに（−）電流を通じ、５Ａ／
Ｄｒｒ？の電流密度で３秒間メッキを施した。
ｍの打抜加工されたリードフレーム材を、次の工程■乃
至■を経て、Ｎ１フランシュメッキを行々い、その直後
にＰｄの極薄メッキを行なった０ ■アルカリ脱脂工程 ■化学研摩工程 ■電解活性化工程 ■Ｎｉメッキ工程 上記工程はいずれも実施例１と同様に行なっ（１６） たＯ ■ＰｄＰｄメッキ 層ｄのメタル分として１５ｇ／ｌの中性メッキ液で、液
温を４５℃にセントし、チタン白金板に（＋）電流を、
４２アロイリードフレームに（−）電流を通じ、５Ａ／
Ｄｒｒ？の電流密度で３秒間メッキを施した。
その結果、４２アロイリードフレーム材の表面に０００
７μｍの厚さのＰｄメッキ層が形成され、この発明の方
法によるリードフレームが得られた。
７μｍの厚さのＰｄメッキ層が形成され、この発明の方
法によるリードフレームが得られた。
なお、Ｐｄメッキ層の厚さ０．００７μｍについては、
実測値で々く、Ｐｄの付着量を面積で除した平均値であ
シ、目視したところ、ステンレス鋼単体の色調とＰ、ｄ
単体の色調との中間の色調を呈している。
実測値で々く、Ｐｄの付着量を面積で除した平均値であ
シ、目視したところ、ステンレス鋼単体の色調とＰ、ｄ
単体の色調との中間の色調を呈している。
実施例５
Ｎｉ３８％、Ｆｅ６１％のニッケル・鉄合金の厚さ０．
２５＋ｍｎ、巾２１ｍ＋ｎｓ長さ８００ｍの打抜加工さ
れたリードフレーム材を、次の工程の乃（１７） 至■を経て、Ｎｌフラッシュメッキを行ない、その直後
にＰｄ−Ｎｉ合金の極薄メッキを行なった。
２５＋ｍｎ、巾２１ｍ＋ｎｓ長さ８００ｍの打抜加工さ
れたリードフレーム材を、次の工程の乃（１７） 至■を経て、Ｎｌフラッシュメッキを行ない、その直後
にＰｄ−Ｎｉ合金の極薄メッキを行なった。
■アルカリ脱脂工程
■化学研摩工程
■電解活性化工程
■Ｎ！メノキ工程
上記工程はいずれも実施例１と同様に行々った。
■Ｐｄ−Ｎｉメッキ工程
スルファミン酸８％、Ｐｄメタル分２０ｇ／１ＸＮＩメ
タル分１０９／Ｉｔの中性溶液で、電流密度８Ａ／Ｄｍ
２〜６Ａ／Ｄｍ２の範囲で、メッキ液温４０℃で、該リ
ードフレーム材に（−）電流を、チタン白金メツキ板に
（＋）電流を通じ、２秒間、Ｐｄ−Ｎｉ合金メッキを行
なった。
タル分１０９／Ｉｔの中性溶液で、電流密度８Ａ／Ｄｍ
２〜６Ａ／Ｄｍ２の範囲で、メッキ液温４０℃で、該リ
ードフレーム材に（−）電流を、チタン白金メツキ板に
（＋）電流を通じ、２秒間、Ｐｄ−Ｎｉ合金メッキを行
なった。
その結果、Ｎｉ −Ｆｅ合金の表面に、約０．０１μの
Ｐｄ−Ｎｉ合金メッキが施され、この発明の方法による
リードフレーム材が得られた。
Ｐｄ−Ｎｉ合金メッキが施され、この発明の方法による
リードフレーム材が得られた。
（１Ｂ）
なお、メッキ層の厚さ００１μについては、実測値では
力く、Ｐｄ−Ｎｉ合金の付着量を面積で除した平均値で
あり、目視したところ、Ｎｉ −Ｐｅ合金単体の色調と
Ｐｄ−Ｎｉ合金の色調との中間の色調を呈している。
力く、Ｐｄ−Ｎｉ合金の付着量を面積で除した平均値で
あり、目視したところ、Ｎｉ −Ｐｅ合金単体の色調と
Ｐｄ−Ｎｉ合金の色調との中間の色調を呈している。
この発明の方法によるニッケル・鉄合金のＩＣ用リード
フレームの物理的および化学的性能テストを次の通り行
々っだ。
フレームの物理的および化学的性能テストを次の通り行
々っだ。
■物理的性能
◎基盤目剥離テスト
この発明の方法によるＮ１とＡＩＪメッキを施した４２
７０イのリードフレーム材に、経緯中１陥の基盤目をカ
ックーで傷つけ、粘着テープで剥離テストを行なったが
ＡｕおよびＮｉの剥＃は認められ々かった。
７０イのリードフレーム材に、経緯中１陥の基盤目をカ
ックーで傷つけ、粘着テープで剥離テストを行なったが
ＡｕおよびＮｉの剥＃は認められ々かった。
０折曲げテスト
上記の試料を１８０度折曲げ、粘着テープで剥離テスト
を行なったが、Ａ ｕおよびＮ１の剥離が々く、更に折
曲げを繰り返えし破断させてテストしだが、破断面のＡ
ｕお（１９） よびＮ１の剥離もないことが認められた。
を行なったが、Ａ ｕおよびＮ１の剥離が々く、更に折
曲げを繰り返えし破断させてテストしだが、破断面のＡ
ｕお（１９） よびＮ１の剥離もないことが認められた。
■化学的性能
◎高温多湿テスト
この発明の方法による極薄Ｎ１とＡｕメッキを施した４
２７０イのリードフレーム材をＭＩＬ−８ＴＤ−２０２
１）−１０６（４）規格である９８％湿度、６５℃の雰
囲気で、７日間テスト後、半田性およびワイヤーボンデ
ィング性のテストを行々っだが、半田性およびワイヤー
ボンディング性は何等低下ぜす、良好な結果が得られた
。
２７０イのリードフレーム材をＭＩＬ−８ＴＤ−２０２
１）−１０６（４）規格である９８％湿度、６５℃の雰
囲気で、７日間テスト後、半田性およびワイヤーボンデ
ィング性のテストを行々っだが、半田性およびワイヤー
ボンディング性は何等低下ぜす、良好な結果が得られた
。
◎熱衝撃テスト
この発明の方法による極薄Ｎ１とＡｕメッキを施した４
２７０イのリードフレーム材を＋８５℃に３０分間、−
１５℃に３ｏ分間のサイクルを５回繰り返えした後、半
田づけおよびワイヤーボンディングテストを行なったが
テスト前の試料と同様、良好な半田性およびワイヤーボ
ンディング性が得られた。
２７０イのリードフレーム材を＋８５℃に３０分間、−
１５℃に３ｏ分間のサイクルを５回繰り返えした後、半
田づけおよびワイヤーボンディングテストを行なったが
テスト前の試料と同様、良好な半田性およびワイヤーボ
ンディング性が得られた。
（２０）
以上の方法によって得られた４２アロイリードフレーム
の半田性を次の方法によりテストした。
の半田性を次の方法によりテストした。
■ソルダーテストによる方法
Ｎ１とＡＩＪ、ＮｉとＡｇ、ＮｉとＰｄ、Ｎ１とＰ（１
−Ｎｉの極薄メッキを施した４２７０イのリードフレー
ムをテスト機にセントし、半田の「ぬれ」現象を電気的
に検知したが、半田の表面張力による浸漬初期の反発現
象が少なく、極めて良好な「ぬれ」性を計測し、同一条
件でテストしたリン青銅への半田性よりも優れているこ
とが判明した。
−Ｎｉの極薄メッキを施した４２７０イのリードフレー
ムをテスト機にセントし、半田の「ぬれ」現象を電気的
に検知したが、半田の表面張力による浸漬初期の反発現
象が少なく、極めて良好な「ぬれ」性を計測し、同一条
件でテストしたリン青銅への半田性よりも優れているこ
とが判明した。
■半田槽によるテスト
錫６：鉛４の半田を半田槽に溶かし、温度２３０℃にセ
ットし、この発明の方法によるＮ１とＡｕ、ＮｉとＡｇ
、ＮｉとＰｄの極薄メッキした４２７０イおよび３８％
の低Ｎ１合金の各リードフレーム材を、３秒および５秒
の浸漬時間で半田づけしたが、いずれも良好な半田性を
示し、すべて９５係以上の「半田のり」（２１） を認めた。
ットし、この発明の方法によるＮ１とＡｕ、ＮｉとＡｇ
、ＮｉとＰｄの極薄メッキした４２７０イおよび３８％
の低Ｎ１合金の各リードフレーム材を、３秒および５秒
の浸漬時間で半田づけしたが、いずれも良好な半田性を
示し、すべて９５係以上の「半田のり」（２１） を認めた。
■電気半田ゴテによるテスト
市販の電気半田ゴテで、線状ヤニ入り半田（錫６：鉛４
）を用い、この発明の方法によって得られた３種類の極
薄メッキをした４２７０イのリードフレーム材と、同じ
（Ｎｉ とＡｕの極薄メッキした３８％Ｎ１．６１％Ｆ
ｅのω０．２咽の線材とを半田づけしたが、半田性の優
れた接合を認め、組成の異なるＮ１・Ｆｅ合金の半田も
伺等支障のないことを発見した。
）を用い、この発明の方法によって得られた３種類の極
薄メッキをした４２７０イのリードフレーム材と、同じ
（Ｎｉ とＡｕの極薄メッキした３８％Ｎ１．６１％Ｆ
ｅのω０．２咽の線材とを半田づけしたが、半田性の優
れた接合を認め、組成の異なるＮ１・Ｆｅ合金の半田も
伺等支障のないことを発見した。
壕だ、この発明の方法によって得られだ４２アロイリー
ドフレームの表面に、高速ボンディング機により径３０
μｍの金線をボンディングしだが、この接合強度は平均
７ｇあり、ワイヤーボンディング性にも優れていること
が判明した。
ドフレームの表面に、高速ボンディング機により径３０
μｍの金線をボンディングしだが、この接合強度は平均
７ｇあり、ワイヤーボンディング性にも優れていること
が判明した。
以上説明したように、４２７０イを中心とするニッケル
・鉄合金で作られたリードフレーム材の表面に、この発
明の方法による表面処理を（２２） 施すことにより、ＩＣの主要材料であるリードフレーム
が、従来法によるリードフレーム材と異なシ、その表面
処理費用の低減と、ＩＣ製造工程の短縮とあい捷って、
著しるしくコストを引き下げることが可能となり、工業
上有意義な発明である。
・鉄合金で作られたリードフレーム材の表面に、この発
明の方法による表面処理を（２２） 施すことにより、ＩＣの主要材料であるリードフレーム
が、従来法によるリードフレーム材と異なシ、その表面
処理費用の低減と、ＩＣ製造工程の短縮とあい捷って、
著しるしくコストを引き下げることが可能となり、工業
上有意義な発明である。
（２３）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 塩酸（３５チ溶液）１５〜２５容量チ、硫酸（８５チ溶
液）５〜１５容量チ、クエン酸粉末５〜１５重量％、酢
酸（９０チ溶液）０．５〜１．５容量チ、硝酸（６８％
溶液）４〜６容量チ、非イオンまだは両性界面活性剤０
１〜０．３重量％、アミン系腐蝕抑制剤０．０５〜０１
５重量％を配合した酸性活性化浴を用いて、ニッケル・
鉄合金のＩＣ用リードフレームを浸漬処理する化学研摩
工程と、 燐酸（８５チ溶液）５〜１５容量チ、硫酸（８５％溶液
）５〜１５容量チ、クエン酸粉末５〜１５重量％、酢酸
（９０係溶液）０．５−１．５容量チ、非イオンまたは
両性界面活性剤０１〜０．３重量％、アミン系腐蝕抑制
剤００５〜０．１５重量％を配合した陰極電解浴を用い
て（１） 上記ＩＣ用リードフレームを活性化する電解活性化工程
と、 酸性ニッケルメッキ浴により、上記ＩＣ用リードフレー
ムにニッケル薄づけメッキを施す工程と、 上記ニッケル薄づけメッキの上に金、銀、パラジウムの
うちの一種または金、銀、パラジウムのうちの一種の合
金の極薄メッキを施す工程と、 よりなることを特徴とするニッケル・鉄合金のＩＣ用リ
ードフレームに半田性およびボンディング性を付与する
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59045397A JPS607161A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | ニツケル・鉄合金のｉｃ用リ−ドフレ−ムに半田性およびボンデイング性を付与する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59045397A JPS607161A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | ニツケル・鉄合金のｉｃ用リ−ドフレ−ムに半田性およびボンデイング性を付与する方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113659A Division JPS607157A (ja) | 1983-06-25 | 1983-06-25 | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607161A true JPS607161A (ja) | 1985-01-14 |
Family
ID=12718122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59045397A Pending JPS607161A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | ニツケル・鉄合金のｉｃ用リ−ドフレ−ムに半田性およびボンデイング性を付与する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607161A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0250146A1 (en) * | 1986-06-16 | 1987-12-23 | Texas Instruments Incorporated | Palladium plated lead frame for integrated circuit |
| JPH03119712A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 圧電部品用リードフレームの製造方法 |
| JPH0527004U (ja) * | 1991-03-06 | 1993-04-06 | 正雄 山田 | 折り布 |
| EP0701281A2 (de) | 1994-09-07 | 1996-03-13 | W.C. Heraeus GmbH | Substrat mit bondfähiger Beschichtung |
| KR100318818B1 (ko) * | 1993-12-27 | 2002-05-13 | 클라크 3세 존 엠. | 리드프레임에대한보호피막결합 |
| CN104233418A (zh) * | 2013-06-21 | 2014-12-24 | 镇江江城金属制品有限公司 | 金属标牌的电镀方法 |
-
1984
- 1984-03-12 JP JP59045397A patent/JPS607161A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0250146A1 (en) * | 1986-06-16 | 1987-12-23 | Texas Instruments Incorporated | Palladium plated lead frame for integrated circuit |
| JPH03119712A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 圧電部品用リードフレームの製造方法 |
| JPH0527004U (ja) * | 1991-03-06 | 1993-04-06 | 正雄 山田 | 折り布 |
| KR100318818B1 (ko) * | 1993-12-27 | 2002-05-13 | 클라크 3세 존 엠. | 리드프레임에대한보호피막결합 |
| EP0701281A2 (de) | 1994-09-07 | 1996-03-13 | W.C. Heraeus GmbH | Substrat mit bondfähiger Beschichtung |
| DE4431847A1 (de) * | 1994-09-07 | 1996-03-14 | Heraeus Gmbh W C | Substrat mit bondfähiger Beschichtung |
| DE4431847C2 (de) * | 1994-09-07 | 2002-08-08 | Heraeus Gmbh W C | Substrat mit bondfähiger Beschichtung |
| CN104233418A (zh) * | 2013-06-21 | 2014-12-24 | 镇江江城金属制品有限公司 | 金属标牌的电镀方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3417395B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置 | |
| US6677056B2 (en) | Method for producing tin-silver alloy plating film, the tin-silver alloy plating film and lead frame for electronic parts having the plating film | |
| JP3314754B2 (ja) | 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS607157A (ja) | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム | |
| JPS61253384A (ja) | アモルフアス合金のメツキ方法 | |
| JP2001107290A (ja) | 電子部品用錫系めっき条材とその製造法 | |
| JPS607161A (ja) | ニツケル・鉄合金のｉｃ用リ−ドフレ−ムに半田性およびボンデイング性を付与する方法 | |
| EP0127857B1 (en) | Solderable stainless steel article and method for making same | |
| JPS59219945A (ja) | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム | |
| JPS6340866B2 (ja) | ||
| JP3402228B2 (ja) | 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置 | |
| JPH03237750A (ja) | 半導体集積回路用リードフレーム | |
| JPH0945579A (ja) | コンデンサ用リード線 | |
| JPS63249361A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
| JPS6340864B2 (ja) | ||
| JPS59191359A (ja) | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム | |
| JPS59219495A (ja) | 半田性を付与したステンレス鋼製品 | |
| JPS6036695A (ja) | 電気部品用ステンレス鋼線の銀メツキ方法 | |
| JPS59162295A (ja) | 半田性を付与したステンレス鋼製品 | |
| JPS62199795A (ja) | 電子・電気機器用部品 | |
| JP2000273560A (ja) | ワイアーボンディング性およびダイボンディング性に優れた銅及び銅基合金とその製造方法 | |
| JPS59219483A (ja) | ステンレス鋼製品に半田性を付与する方法 | |
| JPH0140119B2 (ja) | ||
| JPS60131939A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPH09291375A (ja) | 鉄基材に被膜を備えた物品 |